JP3120345B2 - 位相シフトマスク及び半導体装置 - Google Patents
位相シフトマスク及び半導体装置Info
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- JP3120345B2 JP3120345B2 JP29599891A JP29599891A JP3120345B2 JP 3120345 B2 JP3120345 B2 JP 3120345B2 JP 29599891 A JP29599891 A JP 29599891A JP 29599891 A JP29599891 A JP 29599891A JP 3120345 B2 JP3120345 B2 JP 3120345B2
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- Japan
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- mask
- phase shift
- pattern
- shift mask
- semiconductor device
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造工程など
におけるフォトリソグラフイ工程で使用される位相シフ
トマスクの構造および露光方式に関し、その目的とする
ところは、微細パターニングに適した位相シフト手法を
適用するときに障害となっていた位相シフトマスク製造
の困難さを軽減し、精度の向上、コストの低減を図るこ
とにある。
におけるフォトリソグラフイ工程で使用される位相シフ
トマスクの構造および露光方式に関し、その目的とする
ところは、微細パターニングに適した位相シフト手法を
適用するときに障害となっていた位相シフトマスク製造
の困難さを軽減し、精度の向上、コストの低減を図るこ
とにある。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の方式による位相シフトマス
クの一例の断面構造模式図を示す。
クの一例の断面構造模式図を示す。
【０００３】図中１で示されたＣｒ（膜厚１１００Å）
遮光体パターンと２で示されたシフター部をＳＯＧ膜
（膜厚４２００Å）を用いて石英基板上に形成した。
遮光体パターンと２で示されたシフター部をＳＯＧ膜
（膜厚４２００Å）を用いて石英基板上に形成した。
【０００４】図に示すように遮光体パターンとシフター
パターンとを同一基板上に形成する構造を取り一枚のマ
スクとして作成されるのが従来の方法であった。
パターンとを同一基板上に形成する構造を取り一枚のマ
スクとして作成されるのが従来の方法であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術、構造によ
る位相シフトマスクを得ようとすれば遮光体パターンを
形成した後シフターパターンを形成する為に製造工程が
複雑になりマスクの歩留りが低下すると共に製造後に於
ける欠陥検査においても欠陥検出感度の低下、欠陥修正
の困難さ等各種問題が存在する。
る位相シフトマスクを得ようとすれば遮光体パターンを
形成した後シフターパターンを形成する為に製造工程が
複雑になりマスクの歩留りが低下すると共に製造後に於
ける欠陥検査においても欠陥検出感度の低下、欠陥修正
の困難さ等各種問題が存在する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る位相シフト
マスクは、半導体装置などの製造工程において、光の位
相をずらして微細パターニングを行う位相シフト露光方
式に用いる位相シフトマスクであって、別々に形成され
た遮光体パターン形成マスクとシフターパターン形成マ
スクの相互位置関係をアライメントした後、両者を治具
または接着剤などの方法を用いて一体化した構造を有す
ることを特徴とする。また、本発明に係る半導体装置
は、上記に記載の位相シフトマスクを使用してパターン
形成を行う方法により製造されてなることを特徴とす
る。
マスクは、半導体装置などの製造工程において、光の位
相をずらして微細パターニングを行う位相シフト露光方
式に用いる位相シフトマスクであって、別々に形成され
た遮光体パターン形成マスクとシフターパターン形成マ
スクの相互位置関係をアライメントした後、両者を治具
または接着剤などの方法を用いて一体化した構造を有す
ることを特徴とする。また、本発明に係る半導体装置
は、上記に記載の位相シフトマスクを使用してパターン
形成を行う方法により製造されてなることを特徴とす
る。
【０００７】
【実施例】図１に本発明の方式による位相シフトマスク
の断面構造模式図を示す。
の断面構造模式図を示す。
【０００８】図中１で示されたＣｒ（膜厚１１００Å）
遮光体パターンを石英基板５上に予め作成されたパター
ンデータに基ずき作成し、さらに前記パターンと組み合
わせて位相シフト効果を発揮するよう考慮されたシフタ
ー部を基板上にＳＯＧ膜（膜厚４２００Å）及び感光性
レジストを塗布した基板６上にパターンを描画し現像
後、ＳＯＧをエッチングしシフターパターン２を石英基
板上に形成した。
遮光体パターンを石英基板５上に予め作成されたパター
ンデータに基ずき作成し、さらに前記パターンと組み合
わせて位相シフト効果を発揮するよう考慮されたシフタ
ー部を基板上にＳＯＧ膜（膜厚４２００Å）及び感光性
レジストを塗布した基板６上にパターンを描画し現像
後、ＳＯＧをエッチングしシフターパターン２を石英基
板上に形成した。
【０００９】Ｃｒ及びシフター各々のパターン形成方法
は、従来一般的に用いられているＥＢ露光装置による描
画方式を使用したマスク製造方法を使用し製造された。
は、従来一般的に用いられているＥＢ露光装置による描
画方式を使用したマスク製造方法を使用し製造された。
【００１０】図３中３及び４は１及び２のマスクの位置
合わせを行うための重ね合わせマークを示してある。
合わせを行うための重ね合わせマークを示してある。
【００１１】図３（ａ）にマスク５のパターン平面図を
示し図３（ｂ）にマスク６のパターン平面図を示す。図
３（ｃ）にマスク１とマスク２を重ね合わせた状態を示
す。又各々のマスクは相互の位置合わせを行うための合
わせマークを有し、マスク１とマスク２との相互位置関
係を正確に保たれた状態で使用される。
示し図３（ｂ）にマスク６のパターン平面図を示す。図
３（ｃ）にマスク１とマスク２を重ね合わせた状態を示
す。又各々のマスクは相互の位置合わせを行うための合
わせマークを有し、マスク１とマスク２との相互位置関
係を正確に保たれた状態で使用される。
【００１２】図中７で示されるＣｒパターンの形成され
たマスク５の保持部と図中８で示されるシフターパター
ンの形成されたマスク６の保持部が各々独立してＸ軸Ｙ
軸θ軸方向に微動して位置合わせを行う機構を採った。
たマスク５の保持部と図中８で示されるシフターパター
ンの形成されたマスク６の保持部が各々独立してＸ軸Ｙ
軸θ軸方向に微動して位置合わせを行う機構を採った。
【００１３】又、各々のマスクの間隔は０〜数μに保た
れ、且つ焦点面はＣｒパターン面に合わされている。
れ、且つ焦点面はＣｒパターン面に合わされている。
【００１４】又、別の実施例に於いては上記別々の工程
に依って作成された２枚のマスクを前記重ね合わせマー
クを用いてアライメントし、各々のマスクの間隔を０〜
数μに保った状態で治具または接着などの方法を用いて
一体化した構造にしたのち、通常の露光方式に依って使
用された。
に依って作成された２枚のマスクを前記重ね合わせマー
クを用いてアライメントし、各々のマスクの間隔を０〜
数μに保った状態で治具または接着などの方法を用いて
一体化した構造にしたのち、通常の露光方式に依って使
用された。
【００１５】本実施例に於いては露光光（ｉ線）は上部
よりＣｒパターンを形成されたマスクを透過しさらにシ
フターパターンを形成された石英基板を透過するがシフ
ター部を透過した光のみ位相を反転された状態で縮小レ
ンズを経由し、最終的に基板に到達する。
よりＣｒパターンを形成されたマスクを透過しさらにシ
フターパターンを形成された石英基板を透過するがシフ
ター部を透過した光のみ位相を反転された状態で縮小レ
ンズを経由し、最終的に基板に到達する。
【００１６】上記経過を経て得られた露光光強度分布は
位相シフトの効果を有しており、ｉ線ステッパーを用い
て０．３５μ線幅スペースの微細なパターニングを可能
とした。
位相シフトの効果を有しており、ｉ線ステッパーを用い
て０．３５μ線幅スペースの微細なパターニングを可能
とした。
【００１７】従来の方法では図３（ｃ）に示された状態
（Ｃｒ及びシフターパターンを含む）のマスクを一枚の
基板上に形成する為その製造工程が複雑なものとならざ
るをえず結果として歩どまりの低下及びコストの上昇を
招いていた。
（Ｃｒ及びシフターパターンを含む）のマスクを一枚の
基板上に形成する為その製造工程が複雑なものとならざ
るをえず結果として歩どまりの低下及びコストの上昇を
招いていた。
【００１８】
【発明の効果】以上本実施例に述べた方式による位相シ
フトマスクを用いてパターニングを行なった結果は従来
の方式による位相シフトマスクを用いて行なったパター
ニングに比較して同等の解像力を有し、性能的にはなん
ら遜色のないことが判った。
フトマスクを用いてパターニングを行なった結果は従来
の方式による位相シフトマスクを用いて行なったパター
ニングに比較して同等の解像力を有し、性能的にはなん
ら遜色のないことが判った。
【００１９】更に本発明の主な目的であった位相シフト
マスクの製造並びに検査修正においては、従来方式によ
る位相シフトマスクに比較し、大幅な製造並びに検査修
正の簡易化がはかれ、結果としてマスクコストを数分の
１に低減することができ、その効用には非常に大きなも
のがあった。
マスクの製造並びに検査修正においては、従来方式によ
る位相シフトマスクに比較し、大幅な製造並びに検査修
正の簡易化がはかれ、結果としてマスクコストを数分の
１に低減することができ、その効用には非常に大きなも
のがあった。
【図１】本発明の方式による位相シフトマスクの断面構
造模式図。
造模式図。
【図２】従来の方式による位相シフトマスクの一例の断
面構造模式図。
面構造模式図。
【図３】本発明の方式による位相シフトマスクの平面模
式図。 （ａ）マスク１のパターン平面図。 （ｂ）マスク２のパターン平面図。 （ｃ）マスク１とマスク２を重ね合わせた状態を示す
図。
式図。 （ａ）マスク１のパターン平面図。 （ｂ）マスク２のパターン平面図。 （ｃ）マスク１とマスク２を重ね合わせた状態を示す
図。
１ Ｃｒパターン ２ ＳＯＧシフターパターン ３ マスクの位置合わせを行うための重ね合わせマー
ク Ａ ４ マスクの位置合わせを行うための重ね合わせマー
ク Ｂ ５ 石英基板 ６ 石英基板 ７ Ｃｒパターンを描画したマスク保持部 ８ ＳＯＧシフターパターンを描画したマスク保持部
ク Ａ ４ マスクの位置合わせを行うための重ね合わせマー
ク Ｂ ５ 石英基板 ６ 石英基板 ７ Ｃｒパターンを描画したマスク保持部 ８ ＳＯＧシフターパターンを描画したマスク保持部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置などの製造工程において、光
の位相をずらして微細パターニングを行う位相シフト露
光方式に用いる位相シフトマスクであって、 別々に形成された遮光体パターン形成マスクとシフター
パターン形成マスクの相互位置関係をアライメントした
後、両者を治具または接着剤などの方法を用いて一体化
した構造を有することを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載の位相シフトマスクを使
用してパターン形成を行う方法により製造された半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29599891A JP3120345B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 位相シフトマスク及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29599891A JP3120345B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 位相シフトマスク及び半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000238694A Division JP2001066757A (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134387A JPH05134387A (ja) | 1993-05-28 |
| JP3120345B2 true JP3120345B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=17827813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29599891A Expired - Fee Related JP3120345B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 位相シフトマスク及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120345B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2917911B2 (ja) * | 1996-05-30 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | フォトマスク及びその作製方法 |
| KR100390801B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 포토 반투과 마스크 제조방법 |
| US6855463B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-02-15 | Photronics, Inc. | Photomask having an intermediate inspection film layer |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP29599891A patent/JP3120345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05134387A (ja) | 1993-05-28 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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