JP3458450B2 - スパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成の手段として
利用されるスパッタリング方法に関する。 【0002】 【従来の技術】スパッタリングは薄膜形成の代表的手段
として用いられている。そのうち複数の基板を同時処理
する手段として、真空槽内で複数の基板を支持盤上に円
周状に配置して支持盤を回転させながらスパッタリング
を行う回転式スパッタリングが多く用いられている。 【0003】この場合、支持盤の円周方向に対しては均
一な膜厚が得られるが、支持盤の半径方向に対してはス
パッタリング・ターゲットと基板との位置関係に起因す
る膜厚分布が発生する。そこで基板上の膜厚を均一にす
る手段として、支持盤を回転(公転)させると同時にそ
れぞれの基板を回転(自転)させるという手段があり、
これは自公転式スパッタリングと呼ばれている。 【0004】図1にこの方式に用いる支持盤の概略正面
図を示した。基板(図示せず)は基板ホルダ2の上に固
定され、基板ホルダ2は支持盤1上に円周方向に複数枚
が配置されている。支持盤1は支軸5を中心に回転可能
に保持され、支持盤が回転(公転)すると同時に基板ホ
ルダ2も回転(自転)する。基板ホルダ2を回転させる
手段としては、支持盤の回転駆動を利用して支持板の裏
に設けたギア3により基板ホルダ2の裏に設けたギア4
を回転させる方法、またはマグネットを利用して回転さ
せる方法などが一般的である。 【0005】支持盤1はその中心軸5を介して回転導入
部(図示せず)と連結している。基板ホルダ2はその中
心軸6を介して遊星ギア4と連結している。恒星ギア3
は支持盤支持部材に固定されており回転しない。いま、
外部のモーターにより回転導入部を介して支持盤が軸5
を中心に回転された場合、基板ホルダ2は支持盤1とと
もに公転動作をするが、その際に遊星ギア4は固定され
た恒星ギア3の周囲を転がるので、遊星ギア4および基
板ホルダ2は自転動作を行うこととなる。 【0006】遊星ギア4と恒星ギア3のギア比を変える
ことにより、自転と公転の比率を変えることができる。
スパッタ室(図示せず)内には基板(基板ホルダ2)と
対向させて1個あるいは複数個のターゲット7が設置さ
れており、基板ホルダ2および支持盤を回転させながら
ターゲット7をスパッタすることにより、基板上に薄膜
が形成される。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】上記の構造のスパッタ
リング装置を用いたスパッタリング方法で、基板外周上
の任意の1点に注目してその軌跡を観察すると、非常に
複雑な形を描くことがわかる。図2(1)は自転と公転
との比率(以下、自公転比)が3:1の場合の、基板外
周上の任意の1点の軌跡を示したものであり、図2
(2)は同じ基板の同一円周上の別の1点の軌跡を示し
たものである。いずれの点も支持盤が1回転したとき同
じ位置に戻る。 【0008】今、ターゲット7が図2に示す位置にある
とすれば、図2(1)の点は常にターゲット上を速く通
過し図2(2)の点は常にターゲット上をゆっくり通過
することになる。これにより図2(1)の点は膜厚が相
対的に薄くなり図2(2)の点は膜厚が相対的に厚くな
る。このようにして基板内で周方向の膜厚分布が発生す
る。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明はかかる問題点を
鑑みてなされたものであり、基板上の周方向の膜厚均一
性に優れた自公転式スパッタリング方法を提供すること
を目的とする。すなわち、本発明の要旨は、複数の基板
を自公転させながら基板の公転路上の一部に対向して設
けられたターゲットを用いて基板の表面にスパッタ膜を
成膜する自公転式スパッタリング方法であって、公転回
数をm回とし、m回公転する間の自転回数をn回とした
場合、公転回数mを20以上の数とし、自転回数nは公
転回数mより大きい数であって、mとnの最小公倍数が
m×nに等しくなるような数とし、成膜に当っては公転
回数を0.95×m〜1.05×mの間で行なうことを
特徴とするスパッタリング方法に存する。 【0010】以下、本発明に方法につき図面を用いて詳
細に説明する。図1に示す装置において、自公転比を
3:1に設定した場合、基板外周部の任意の1点が支持
盤1の1回転で同じ位置に戻ってくるのは図2(1)、
(2)に示す通りである。この場合、支持盤1を何回回
転させても上記の1点は常に同じ軌跡を描くことにな
り、基板上の位置によってターゲット7を通過する速度
が異なり、結果として基板内で膜厚分布が発生する。 【0011】ここで問題なのは、1回の成膜操作では通
常支持盤1の回転(公転)が数十回に及ぶにもかかわら
ず、1点の軌跡が支持盤1の1回転で同じ位置に戻るこ
とである。この場合、支持盤1を何回回転させても実質
的に1回転させて得られる膜厚分布と同じ膜厚分布とな
り、膜厚の均一な自公転スパッタリングはなされ得な
い。 【0012】膜厚分布を均一にするには、1点の軌跡が
元の位置に戻るのに必要な支持盤1の回転数を、1回の
成膜操作での支持盤1の回転数付近に設定してやればよ
い。今、支持盤1の回転数が60rpmで1回の成膜時
間が32秒であるとすれば、1回の成膜中に支持盤1は
32回転することになる。ここで自公転比を63:32
に設定してやれば、ある点の軌跡は、1回の成膜終了時
において初めて元の位置に戻ることになる。 【0013】なぜならば、63:32という比率は、こ
れ以上小さい整数で表されない比率、つまり63と32
の最小公倍数が63×32に等しいので、63回の自転
(32回の公転)終了時に元の位置に戻るからである。
図3(1)は自公転比が63:32の場合の、基板外周
上の任意の1点の軌跡を示したものであり、図3(2)
は同じ基板の同一円周上の別の1点の軌跡を示したもの
である。 【0014】いずれの点もターゲット上をまんべんなく
通過し、両者の差がほとんどないことがわかる。1回の
成膜での支持盤1の回転数は、正確に32回転とする必
要はなく、±5%程度の誤差があっても実質上、膜厚分
布が悪化することはない。以上より、自公転式スパッタ
リング装置を用いてスパッタリングを行なうに当り、支
持盤1がm回(整数)回転(公転)するあいだに基板が
n回(整数)回転(自転)し、mとnの最小公倍数がm
×nに等しくなる場合、1回の成膜操作での円盤の回転
数r(実数)が、 【数1】0.95×m ≦ r ≦ 1.05×m を満足するようにm,n,rを設定することにより、基
板上の周方向の膜厚均一性に優れたスパッタリング装置
を提供できることがわかる。支持盤1の回転は膜形成の
上から通常は20回転以上行なわれ、基板(基板ホルダ
2)の回転(自転)は膜形成を良好とするため、支持盤
の回転数以上に設定される。 【0015】 【実施例】以下に本発明を実施例を用いて説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定
されるものではない。 実施例1、比較例1 自公転式スパッタリング装置として、光磁気ディスクの
成膜に用いるインライン・スパッタリング装置を使用し
た。基板には130mmφの光ディスク用ポリカーボネ
イト基板を用いた。 【0016】ターゲットとしてFeCoを用い、真空室
中にアルゴンガスを3×10-3Torrまで導入した。
支持盤は、自公転比が63:32のものを使用した。ま
ず実施例1として、支持盤を毎分40回転の速度で回転
させ、1.5kwの電力で48秒間スパッタを行った。
この場合、63と32の最小公倍数は63×32であ
り、かつ1回のスパッタ操作の円盤の回転数は、 【数2】48×(40÷60)=32回転 えあるから、1回のスパッタ操作で基板上の任意の1点
は同じ位置に戻ることになる。 【0017】次に比較のため比較例1として、同じ回転
速度で30秒間スパッタを行った。この場合、円盤の回
転数は、 【数3】30×(40÷60)=20回転 であり、基板上の1点が同じ位置に戻る回転数の5/8
しか回転しないことになる。 【0018】図4(1)は自公転比が63:32で円盤
を20回転させた場合の、基板外周上の任意の1点の軌
跡を示したものであり、図4(2)は同じ基板の同一円
周上の別の1点の軌跡を示したものである。両者でター
ゲット上を通過する位置に大きな差があることがわか
る。成膜されたそれぞれの基板について、外周60mm
における周方向の膜厚分布を測定した。図5に測定結果
を示した。実施例1においては、周方向で膜厚分布はほ
とんど認められないが、比較例1においては、周方向の
周期的な膜厚分布が認められる。 【0019】 【発明の効果】本発明の方法により、基板上の周方向の
膜厚均一性に優れた、自公転式スパッタリング装置を用
いたスパッタ膜が得られる。
利用されるスパッタリング方法に関する。 【0002】 【従来の技術】スパッタリングは薄膜形成の代表的手段
として用いられている。そのうち複数の基板を同時処理
する手段として、真空槽内で複数の基板を支持盤上に円
周状に配置して支持盤を回転させながらスパッタリング
を行う回転式スパッタリングが多く用いられている。 【0003】この場合、支持盤の円周方向に対しては均
一な膜厚が得られるが、支持盤の半径方向に対してはス
パッタリング・ターゲットと基板との位置関係に起因す
る膜厚分布が発生する。そこで基板上の膜厚を均一にす
る手段として、支持盤を回転(公転)させると同時にそ
れぞれの基板を回転(自転)させるという手段があり、
これは自公転式スパッタリングと呼ばれている。 【0004】図1にこの方式に用いる支持盤の概略正面
図を示した。基板(図示せず)は基板ホルダ2の上に固
定され、基板ホルダ2は支持盤1上に円周方向に複数枚
が配置されている。支持盤1は支軸5を中心に回転可能
に保持され、支持盤が回転(公転)すると同時に基板ホ
ルダ2も回転(自転)する。基板ホルダ2を回転させる
手段としては、支持盤の回転駆動を利用して支持板の裏
に設けたギア3により基板ホルダ2の裏に設けたギア4
を回転させる方法、またはマグネットを利用して回転さ
せる方法などが一般的である。 【0005】支持盤1はその中心軸5を介して回転導入
部(図示せず)と連結している。基板ホルダ2はその中
心軸6を介して遊星ギア4と連結している。恒星ギア3
は支持盤支持部材に固定されており回転しない。いま、
外部のモーターにより回転導入部を介して支持盤が軸5
を中心に回転された場合、基板ホルダ2は支持盤1とと
もに公転動作をするが、その際に遊星ギア4は固定され
た恒星ギア3の周囲を転がるので、遊星ギア4および基
板ホルダ2は自転動作を行うこととなる。 【0006】遊星ギア4と恒星ギア3のギア比を変える
ことにより、自転と公転の比率を変えることができる。
スパッタ室(図示せず)内には基板(基板ホルダ2)と
対向させて1個あるいは複数個のターゲット7が設置さ
れており、基板ホルダ2および支持盤を回転させながら
ターゲット7をスパッタすることにより、基板上に薄膜
が形成される。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】上記の構造のスパッタ
リング装置を用いたスパッタリング方法で、基板外周上
の任意の1点に注目してその軌跡を観察すると、非常に
複雑な形を描くことがわかる。図2(1)は自転と公転
との比率(以下、自公転比)が3:1の場合の、基板外
周上の任意の1点の軌跡を示したものであり、図2
(2)は同じ基板の同一円周上の別の1点の軌跡を示し
たものである。いずれの点も支持盤が1回転したとき同
じ位置に戻る。 【0008】今、ターゲット7が図2に示す位置にある
とすれば、図2(1)の点は常にターゲット上を速く通
過し図2(2)の点は常にターゲット上をゆっくり通過
することになる。これにより図2(1)の点は膜厚が相
対的に薄くなり図2(2)の点は膜厚が相対的に厚くな
る。このようにして基板内で周方向の膜厚分布が発生す
る。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明はかかる問題点を
鑑みてなされたものであり、基板上の周方向の膜厚均一
性に優れた自公転式スパッタリング方法を提供すること
を目的とする。すなわち、本発明の要旨は、複数の基板
を自公転させながら基板の公転路上の一部に対向して設
けられたターゲットを用いて基板の表面にスパッタ膜を
成膜する自公転式スパッタリング方法であって、公転回
数をm回とし、m回公転する間の自転回数をn回とした
場合、公転回数mを20以上の数とし、自転回数nは公
転回数mより大きい数であって、mとnの最小公倍数が
m×nに等しくなるような数とし、成膜に当っては公転
回数を0.95×m〜1.05×mの間で行なうことを
特徴とするスパッタリング方法に存する。 【0010】以下、本発明に方法につき図面を用いて詳
細に説明する。図1に示す装置において、自公転比を
3:1に設定した場合、基板外周部の任意の1点が支持
盤1の1回転で同じ位置に戻ってくるのは図2(1)、
(2)に示す通りである。この場合、支持盤1を何回回
転させても上記の1点は常に同じ軌跡を描くことにな
り、基板上の位置によってターゲット7を通過する速度
が異なり、結果として基板内で膜厚分布が発生する。 【0011】ここで問題なのは、1回の成膜操作では通
常支持盤1の回転(公転)が数十回に及ぶにもかかわら
ず、1点の軌跡が支持盤1の1回転で同じ位置に戻るこ
とである。この場合、支持盤1を何回回転させても実質
的に1回転させて得られる膜厚分布と同じ膜厚分布とな
り、膜厚の均一な自公転スパッタリングはなされ得な
い。 【0012】膜厚分布を均一にするには、1点の軌跡が
元の位置に戻るのに必要な支持盤1の回転数を、1回の
成膜操作での支持盤1の回転数付近に設定してやればよ
い。今、支持盤1の回転数が60rpmで1回の成膜時
間が32秒であるとすれば、1回の成膜中に支持盤1は
32回転することになる。ここで自公転比を63:32
に設定してやれば、ある点の軌跡は、1回の成膜終了時
において初めて元の位置に戻ることになる。 【0013】なぜならば、63:32という比率は、こ
れ以上小さい整数で表されない比率、つまり63と32
の最小公倍数が63×32に等しいので、63回の自転
(32回の公転)終了時に元の位置に戻るからである。
図3(1)は自公転比が63:32の場合の、基板外周
上の任意の1点の軌跡を示したものであり、図3(2)
は同じ基板の同一円周上の別の1点の軌跡を示したもの
である。 【0014】いずれの点もターゲット上をまんべんなく
通過し、両者の差がほとんどないことがわかる。1回の
成膜での支持盤1の回転数は、正確に32回転とする必
要はなく、±5%程度の誤差があっても実質上、膜厚分
布が悪化することはない。以上より、自公転式スパッタ
リング装置を用いてスパッタリングを行なうに当り、支
持盤1がm回(整数)回転(公転)するあいだに基板が
n回(整数)回転(自転)し、mとnの最小公倍数がm
×nに等しくなる場合、1回の成膜操作での円盤の回転
数r(実数)が、 【数1】0.95×m ≦ r ≦ 1.05×m を満足するようにm,n,rを設定することにより、基
板上の周方向の膜厚均一性に優れたスパッタリング装置
を提供できることがわかる。支持盤1の回転は膜形成の
上から通常は20回転以上行なわれ、基板(基板ホルダ
2)の回転(自転)は膜形成を良好とするため、支持盤
の回転数以上に設定される。 【0015】 【実施例】以下に本発明を実施例を用いて説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定
されるものではない。 実施例1、比較例1 自公転式スパッタリング装置として、光磁気ディスクの
成膜に用いるインライン・スパッタリング装置を使用し
た。基板には130mmφの光ディスク用ポリカーボネ
イト基板を用いた。 【0016】ターゲットとしてFeCoを用い、真空室
中にアルゴンガスを3×10-3Torrまで導入した。
支持盤は、自公転比が63:32のものを使用した。ま
ず実施例1として、支持盤を毎分40回転の速度で回転
させ、1.5kwの電力で48秒間スパッタを行った。
この場合、63と32の最小公倍数は63×32であ
り、かつ1回のスパッタ操作の円盤の回転数は、 【数2】48×(40÷60)=32回転 えあるから、1回のスパッタ操作で基板上の任意の1点
は同じ位置に戻ることになる。 【0017】次に比較のため比較例1として、同じ回転
速度で30秒間スパッタを行った。この場合、円盤の回
転数は、 【数3】30×(40÷60)=20回転 であり、基板上の1点が同じ位置に戻る回転数の5/8
しか回転しないことになる。 【0018】図4(1)は自公転比が63:32で円盤
を20回転させた場合の、基板外周上の任意の1点の軌
跡を示したものであり、図4(2)は同じ基板の同一円
周上の別の1点の軌跡を示したものである。両者でター
ゲット上を通過する位置に大きな差があることがわか
る。成膜されたそれぞれの基板について、外周60mm
における周方向の膜厚分布を測定した。図5に測定結果
を示した。実施例1においては、周方向で膜厚分布はほ
とんど認められないが、比較例1においては、周方向の
周期的な膜厚分布が認められる。 【0019】 【発明の効果】本発明の方法により、基板上の周方向の
膜厚均一性に優れた、自公転式スパッタリング装置を用
いたスパッタ膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法に用いる装置の概略正面図を示
す。 【図2】自公転させた場合の、基板外周の軌跡を示す。 【図3】自公転させた場合の、基板外周の軌跡を示す。 【図4】自公転させた場合の、基板外周の軌跡を示す。 【図5】実施例1、比較例1における膜厚分布を示すグ
ラフ。 【符号の説明】 1 支持盤 2 基板ホルダ 3 恒星ギア 4 遊星ギア 5 中心軸 6 中心軸 7 ターゲット
す。 【図2】自公転させた場合の、基板外周の軌跡を示す。 【図3】自公転させた場合の、基板外周の軌跡を示す。 【図4】自公転させた場合の、基板外周の軌跡を示す。 【図5】実施例1、比較例1における膜厚分布を示すグ
ラフ。 【符号の説明】 1 支持盤 2 基板ホルダ 3 恒星ギア 4 遊星ギア 5 中心軸 6 中心軸 7 ターゲット
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭59−96262(JP,A)
特開 平3−266239(JP,A)
特開 平6−145978(JP,A)
特公 昭59−2743(JP,B1)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
C23C 14/50
C23C 14/34
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 複数の基板を自公転させながら基板の公
転路上の一部に対向して設けられたターゲットを用いて
基板の表面にスパッタ膜を成膜する自公転式スパッタリ
ング方法であって、公転回数をm回とし、m回公転する
間の自転回数をn回とした場合、公転回数mを20以上
の数とし、自転回数nは公転回数mより大きい数であっ
て、mとnの最小公倍数がm×nに等しくなるような数
とし、成膜に当っては公転回数を0.95×m〜1.0
5×mの間で行なうことを特徴とするスパッタリング方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08850594A JP3458450B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08850594A JP3458450B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | スパッタリング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07292471A JPH07292471A (ja) | 1995-11-07 |
JP3458450B2 true JP3458450B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=13944690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08850594A Expired - Fee Related JP3458450B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | スパッタリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3458450B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CH694329A5 (de) * | 1999-11-22 | 2004-11-30 | Satis Vacuum Ind Vetriebs Ag | Vacuum-Beschichtungsanlage zum Aufbringen von Vergütungsschichten auf optische Substrate. |
JP4656744B2 (ja) * | 2000-03-09 | 2011-03-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
US7153399B2 (en) | 2001-08-24 | 2006-12-26 | Nanonexus, Inc. | Method and apparatus for producing uniform isotropic stresses in a sputtered film |
DE10337732B4 (de) * | 2003-08-11 | 2009-11-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Beschichtungsanlage zum Beschichten von Substraten für optische Komponenten |
WO2008004315A1 (fr) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Kakihara Kogyo Co., Ltd. | procédé de production d'objets plaqués de manière décorative en communiquant une électroconductivité à la résine par pulvérisation cathodique |
JP5246936B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2013-07-24 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
JP6330623B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP08850594A patent/JP3458450B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07292471A (ja) | 1995-11-07 |
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Legal Events
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