JPH0745868A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH0745868A JPH0745868A JP5184750A JP18475093A JPH0745868A JP H0745868 A JPH0745868 A JP H0745868A JP 5184750 A JP5184750 A JP 5184750A JP 18475093 A JP18475093 A JP 18475093A JP H0745868 A JPH0745868 A JP H0745868A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワイヤーボンディングによる問題点を解消で
きる高信頼性の発光ダイオードを提供することにある。 【構成】 ＰＮ接合を有するＬＥＤチップ４と、絶縁層
によって電気的に分離された導電層３，３’を有するリ
ード端子１とを備え、ＬＥＤチップ４をリード端子１の
端面部に、ＬＥＤチップ４のＰ層７、Ｎ層６がそれぞ
れ、前記分離された導電層３，３’に各々接続されるよ
う固定してなることを特徴とする。
きる高信頼性の発光ダイオードを提供することにある。 【構成】 ＰＮ接合を有するＬＥＤチップ４と、絶縁層
によって電気的に分離された導電層３，３’を有するリ
ード端子１とを備え、ＬＥＤチップ４をリード端子１の
端面部に、ＬＥＤチップ４のＰ層７、Ｎ層６がそれぞ
れ、前記分離された導電層３，３’に各々接続されるよ
う固定してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モールドタイプの
発光ダイオードに関する。
発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について、図５を参照して説
明する。図５は従来例による樹脂モールドタイプの発光
ダイオード（ＬＥＤ）の断面図である。図５に示すよう
に、ＬＥＤチップ２０が導電性ペースト２１によってリ
ード端子２２上に載置され、ＡＵ線２３によって他のリ
ード端子２４に電気的に接続されている。ここで、２５
はＬＥＤチップ２０のＰＮ接合面、２６は樹脂レンズ部
である。
明する。図５は従来例による樹脂モールドタイプの発光
ダイオード（ＬＥＤ）の断面図である。図５に示すよう
に、ＬＥＤチップ２０が導電性ペースト２１によってリ
ード端子２２上に載置され、ＡＵ線２３によって他のリ
ード端子２４に電気的に接続されている。ここで、２５
はＬＥＤチップ２０のＰＮ接合面、２６は樹脂レンズ部
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５に示す
発光ダイオードは２本のリード端子２２，２４を有し、
ＬＥＤチップ２０はＡＵ線２３で接続されているため、
以下のような問題点がある。
発光ダイオードは２本のリード端子２２，２４を有し、
ＬＥＤチップ２０はＡＵ線２３で接続されているため、
以下のような問題点がある。
【０００４】即ち、 １）生産設備としてワイヤーボンダーが必要で設備投資
が大きくなる。
が大きくなる。
【０００５】２）ＡＵ線２３でワイヤーボンディングを
行うため、発光面に電極が必要となり、その電極面で光
の吸収が生じるためＬＥＤランプの光度が低下する。
行うため、発光面に電極が必要となり、その電極面で光
の吸収が生じるためＬＥＤランプの光度が低下する。
【０００６】３）ＡＵ線２３の短絡による不良が発生す
る。
る。
【０００７】４）ＬＥＤランプを基板に実装する際、半
田付けの熱で樹脂レンズ部２６がエポキシ樹脂のガラス
転移点温度（約１３０°Ｃ）以上になることによりＡＵ
線２３に応力が加わり断線が生じる。
田付けの熱で樹脂レンズ部２６がエポキシ樹脂のガラス
転移点温度（約１３０°Ｃ）以上になることによりＡＵ
線２３に応力が加わり断線が生じる。
【０００８】５）ＡＵ線２３とエポキシ樹脂との線膨張
係数の違い（ＡＵ線〜１．４×１０- 5 ，エポキシ樹脂
〜７×１０- 5 ）による温度サイクル試験（−２５℃〜
＋１００℃）でのＡＵ線の断線、等の問題がある。
係数の違い（ＡＵ線〜１．４×１０- 5 ，エポキシ樹脂
〜７×１０- 5 ）による温度サイクル試験（−２５℃〜
＋１００℃）でのＡＵ線の断線、等の問題がある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、ワイヤーボンデ
ィングによる上記問題点を解消できる高信頼性の発光ダ
イオードを提供することにある。
ィングによる上記問題点を解消できる高信頼性の発光ダ
イオードを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、ＰＮ接合を有するＬＥＤチップと、絶縁層
によって電気的に分離された導電層を有するリード端子
とを備え、前記ＬＥＤチップを前記リード端子の端面部
に、前記ＬＥＤチップのＰ層、Ｎ層がそれぞれ、前記分
離された導電層に各々接続されるよう固定してなること
を特徴とする。
に本発明は、ＰＮ接合を有するＬＥＤチップと、絶縁層
によって電気的に分離された導電層を有するリード端子
とを備え、前記ＬＥＤチップを前記リード端子の端面部
に、前記ＬＥＤチップのＰ層、Ｎ層がそれぞれ、前記分
離された導電層に各々接続されるよう固定してなること
を特徴とする。
【００１１】
【作用】ＬＥＤチップのＰ層、Ｎ層を直接、リード端子
の電気的に分離された導電層に各々接着しているので、
ボンディング用のワイヤーは使用せず、従ってワイヤー
ボンダーも不要となり、材料コスト及び設備投資コスト
の低減、生産性の向上を図れる。
の電気的に分離された導電層に各々接着しているので、
ボンディング用のワイヤーは使用せず、従ってワイヤー
ボンダーも不要となり、材料コスト及び設備投資コスト
の低減、生産性の向上を図れる。
【００１２】また、ワイヤーを使用しないことから、従
来のワイヤーを使用することによる問題点、即ちワイヤ
ーボンディング用の電極面で光の吸収が生じるためＬＥ
Ｄランプの光度が低下する、ワイヤーの短絡による不良
が発生する、ワイヤーに応力が加わり断線が生じる、等
の問題は解消でき、高輝度、高信頼性の発光ダイオード
を実現できる。
来のワイヤーを使用することによる問題点、即ちワイヤ
ーボンディング用の電極面で光の吸収が生じるためＬＥ
Ｄランプの光度が低下する、ワイヤーの短絡による不良
が発生する、ワイヤーに応力が加わり断線が生じる、等
の問題は解消でき、高輝度、高信頼性の発光ダイオード
を実現できる。
【００１３】
【実施例】本発明の一実施例について、図１及び図２を
参照して説明する。図１は本発明の一実施例による発光
ダイオードの断面図、図２は同じく発光ダイオードの発
光チップ部の拡大断面図である。なお、従来例と同一機
能部分には同一記号を付している。
参照して説明する。図１は本発明の一実施例による発光
ダイオードの断面図、図２は同じく発光ダイオードの発
光チップ部の拡大断面図である。なお、従来例と同一機
能部分には同一記号を付している。
【００１４】本実施例は、図１及び図２に示すように、
リード端子１は絶縁層２を導電層３，３’によって挟ん
でいる。そして、このリード端子１の端面部分に、ＰＮ
接合面が発光面に対して直角なＬＥＤチップ４を導電性
ペースト５，５’によって接着固定する。６，７はそれ
ぞれ、ＬＥＤチップのＮ層およびＰ層、８はＰＮ層であ
る。
リード端子１は絶縁層２を導電層３，３’によって挟ん
でいる。そして、このリード端子１の端面部分に、ＰＮ
接合面が発光面に対して直角なＬＥＤチップ４を導電性
ペースト５，５’によって接着固定する。６，７はそれ
ぞれ、ＬＥＤチップのＮ層およびＰ層、８はＰＮ層であ
る。
【００１５】上記構造によれば、従来の発光ダイオード
のようにボンディング用のワイヤーは使用しないので、
ワイヤーボンダーも不要となり、材料コスト及び設備投
資コストの低減、生産性の向上を図れる。
のようにボンディング用のワイヤーは使用しないので、
ワイヤーボンダーも不要となり、材料コスト及び設備投
資コストの低減、生産性の向上を図れる。
【００１６】また、ワイヤーを使用しないことから、従
来のワイヤーを使用することによる問題点、即ちワイヤ
ーボンディング用の電極面で光の吸収が生じるためＬＥ
Ｄランプの光度が低下する、ワイヤーの短絡による不良
が発生する、ワイヤーに応力が加わり断線が生じる、等
の問題は解消でき、高輝度、高信頼性の発光ダイオード
を実現できる。
来のワイヤーを使用することによる問題点、即ちワイヤ
ーボンディング用の電極面で光の吸収が生じるためＬＥ
Ｄランプの光度が低下する、ワイヤーの短絡による不良
が発生する、ワイヤーに応力が加わり断線が生じる、等
の問題は解消でき、高輝度、高信頼性の発光ダイオード
を実現できる。
【００１７】また、上記リード端子１の製造方法は、プ
ラスチック等の絶縁体の両側にＣｕまたはＦｅ等の金属
を圧接（または接着）により帯状にし、それをプレス加
工（打ち抜き加工）して得る。このように、従来と同様
の工程なので、大幅な工程変更なしに生産できる。
ラスチック等の絶縁体の両側にＣｕまたはＦｅ等の金属
を圧接（または接着）により帯状にし、それをプレス加
工（打ち抜き加工）して得る。このように、従来と同様
の工程なので、大幅な工程変更なしに生産できる。
【００１８】図３は本発明の他の実施例による発光ダイ
オードの断面図である。本実施例の構造は図１及び図２
と同等であるが、２チップをリード端子に搭載した点の
みが異なっている。図３に示すように、リード端子９は
絶縁層１０，１１を導電層１２，１３，１４で挟んだ構
造である。この導電層１２，１３及び１３，１４それぞ
れに対してＬＥＤチップ１５，１６を導電性ペーストで
接続固定している。
オードの断面図である。本実施例の構造は図１及び図２
と同等であるが、２チップをリード端子に搭載した点の
みが異なっている。図３に示すように、リード端子９は
絶縁層１０，１１を導電層１２，１３，１４で挟んだ構
造である。この導電層１２，１３及び１３，１４それぞ
れに対してＬＥＤチップ１５，１６を導電性ペーストで
接続固定している。
【００１９】本実施例によっても図１及び図２と同等の
効果を得ることができる。
効果を得ることができる。
【００２０】図４は本発明のさらに他の実施例である。
本実施例は図１の実施例に、樹脂反射面１７を設けた点
が異なっている。上記構造をとることによって、ＰＮ接
合面と直角方向に出る光を上部（ＬＥＤランプ発光面）
に導くことにより、さらに高輝度化を図れる。なお、本
構造の樹脂反射面１７を図３の２チップタイプに応用で
きることは言うまでもない。
本実施例は図１の実施例に、樹脂反射面１７を設けた点
が異なっている。上記構造をとることによって、ＰＮ接
合面と直角方向に出る光を上部（ＬＥＤランプ発光面）
に導くことにより、さらに高輝度化を図れる。なお、本
構造の樹脂反射面１７を図３の２チップタイプに応用で
きることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光ダイ
オードは、ボンディング用のワイヤーは使用せず、従っ
てワイヤーボンダーも不要となり、材料コスト及び設備
投資コストの低減、生産性の向上を図れる。
オードは、ボンディング用のワイヤーは使用せず、従っ
てワイヤーボンダーも不要となり、材料コスト及び設備
投資コストの低減、生産性の向上を図れる。
【００２２】また、ワイヤーを使用しないことから、従
来のワイヤーを使用することによる問題点、即ちワイヤ
ーボンディング用の電極面で光の吸収が生じるためＬＥ
Ｄランプの光度が低下する、ワイヤーの短絡による不良
が発生する、ワイヤーに応力が加わり断線が生じる、等
の問題は解消でき、高輝度、高信頼性の発光ダイオード
を実現できる。
来のワイヤーを使用することによる問題点、即ちワイヤ
ーボンディング用の電極面で光の吸収が生じるためＬＥ
Ｄランプの光度が低下する、ワイヤーの短絡による不良
が発生する、ワイヤーに応力が加わり断線が生じる、等
の問題は解消でき、高輝度、高信頼性の発光ダイオード
を実現できる。
【図１】本発明の一実施例による発光ダイオードの断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例によるＬＥＤチップの拡大断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の他の実施例による発光ダイオードの断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の更に他の実施例による発光ダイオード
の断面図である。
の断面図である。
【図５】従来例による発光ダイオードの断面図である。
１ リード端子 ２ 絶縁層 ３，３’導電層 ４ ＬＥＤチップ ６ Ｎ層 ７ Ｐ層
Claims (1)
- 【請求項１】 ＰＮ接合を有するＬＥＤチップと、絶縁
層によって電気的に分離された導電層を有するリード端
子とを備え、前記ＬＥＤチップを前記リード端子の端面
部に、前記ＬＥＤチップのＰ層、Ｎ層がそれぞれ、前記
分離された導電層に各々接続されるよう固定してなるこ
とを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18475093A JP3188058B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18475093A JP3188058B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745868A true JPH0745868A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3188058B2 JP3188058B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=16158693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18475093A Expired - Fee Related JP3188058B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3188058B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018098A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Olympus Medical Systems Corp. | 発光ユニット |
| JP2007214472A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッジライトとその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP18475093A patent/JP3188058B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018098A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Olympus Medical Systems Corp. | 発光ユニット |
| JPWO2007018098A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2009-02-19 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 発光ユニット |
| US7968901B2 (en) | 2005-08-05 | 2011-06-28 | Olympus Medical Systems Corp. | Light emitting unit |
| JP2007214472A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッジライトとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3188058B2 (ja) | 2001-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |