JPH073552Y2 - 小型磁気スイッチ - Google Patents
小型磁気スイッチInfo
- Publication number
- JPH073552Y2 JPH073552Y2 JP1987162521U JP16252187U JPH073552Y2 JP H073552 Y2 JPH073552 Y2 JP H073552Y2 JP 1987162521 U JP1987162521 U JP 1987162521U JP 16252187 U JP16252187 U JP 16252187U JP H073552 Y2 JPH073552 Y2 JP H073552Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- thin film
- magnetic
- substrate
- fixed contact
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- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Contacts (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、磁界が可動接点に作用することによって、可
動接点が動作して固定接点と接触する磁気スイッチの改
良に関する。
動接点が動作して固定接点と接触する磁気スイッチの改
良に関する。
〔従来の技術〕 従来の磁気スイッチの一例を第７図に示し、以下これに
ついて説明する。
ついて説明する。
15はFe−Ni等の磁性体のリード線で、このリード線15を
２本、その先端を接点状に成型し、この先端を間隔を介
して対向させると共に、この先端を囲繞するようにガラ
ス16に封入したものである。
２本、その先端を接点状に成型し、この先端を間隔を介
して対向させると共に、この先端を囲繞するようにガラ
ス16に封入したものである。
従来の磁気スイッチは前述のような構成であるので、小
型化には限界があり、高密度の回路基板に実装する際に
は、その占有面積が増大し、且つ基板から浮かせるた
め、高さ方向の寸法が不安定となったり、手作業による
ハンダ付けを必要とする等、使いずらい欠点があった。
型化には限界があり、高密度の回路基板に実装する際に
は、その占有面積が増大し、且つ基板から浮かせるた
め、高さ方向の寸法が不安定となったり、手作業による
ハンダ付けを必要とする等、使いずらい欠点があった。
よって本考案は、上述した従来の磁気スイッチの欠点を
解消し、基板上に直接磁気スイッチを形成することによ
って、半田付け作業を必要とせず高さ方向の寸法を安定
させることができ、かつ小型化が可能で、ICと一体化す
ることができる磁気スイッチを提供することを目的とし
ている。
解消し、基板上に直接磁気スイッチを形成することによ
って、半田付け作業を必要とせず高さ方向の寸法を安定
させることができ、かつ小型化が可能で、ICと一体化す
ることができる磁気スイッチを提供することを目的とし
ている。
上記目的を達成するため本考案により成された磁気スイ
ッチは、シリコン、ガラス等の基板と、該基板の上にパ
ターン状に蒸着或いはスパッタなどにより形成された磁
性薄膜を含む固定接点と、一部分が前記固定接点の上面
に対して微小な間隙を介して対向され、前記固定接点が
形成されたと同一の前記基板上の平面にパターン状に蒸
着或いはスパッタなどにより形成された磁性薄膜を含む
可動接点とを備えたことを特徴としている。
ッチは、シリコン、ガラス等の基板と、該基板の上にパ
ターン状に蒸着或いはスパッタなどにより形成された磁
性薄膜を含む固定接点と、一部分が前記固定接点の上面
に対して微小な間隙を介して対向され、前記固定接点が
形成されたと同一の前記基板上の平面にパターン状に蒸
着或いはスパッタなどにより形成された磁性薄膜を含む
可動接点とを備えたことを特徴としている。
上記構成において、可動接点の磁性薄膜に磁界が作用す
ると、可動接点の磁性薄膜が固定接点の磁性薄膜に引き
つけられ、可動接点が固定接点に接して回路を閉じる。
しかも、可動接点及び固定接点のいずれも基板の同一平
面上にパターン状に蒸着或いはスパッタなどにより形成
されたものであるので、固定接点の上面とこれに対して
対向された可動接点の一部分との間の微小な間隙は、固
定接点の形成後、可動接点の形成前にこれらの間に形成
した層をエッチングで除去するIC製造技術を用いること
によって、極めて微小にかつ正確に形成され、低磁束の
磁気により作動する高感度のスイッチとなる。
ると、可動接点の磁性薄膜が固定接点の磁性薄膜に引き
つけられ、可動接点が固定接点に接して回路を閉じる。
しかも、可動接点及び固定接点のいずれも基板の同一平
面上にパターン状に蒸着或いはスパッタなどにより形成
されたものであるので、固定接点の上面とこれに対して
対向された可動接点の一部分との間の微小な間隙は、固
定接点の形成後、可動接点の形成前にこれらの間に形成
した層をエッチングで除去するIC製造技術を用いること
によって、極めて微小にかつ正確に形成され、低磁束の
磁気により作動する高感度のスイッチとなる。
次に、本考案の実施の一例を第１図〜第３図について説
明する。
明する。
13はシリコン、ガラス等の基板で、その上にFe−Ni、Ni
−Co等の磁性薄膜４が、第３図に示すようなパターン状
に、蒸着、或いはスパッタ等の手段で、数ミクロンの厚
さに形成されている。
−Co等の磁性薄膜４が、第３図に示すようなパターン状
に、蒸着、或いはスパッタ等の手段で、数ミクロンの厚
さに形成されている。
この磁性薄膜４の上には、金等の接点薄膜５が同様の方
法で極めて薄く形成され、磁性薄膜４、接点薄膜５で固
定接点を形成している。
法で極めて薄く形成され、磁性薄膜４、接点薄膜５で固
定接点を形成している。
一方、可動接点は、固定接点と対向する部分が金等の極
めて薄い接点薄膜５で形成され、この接点薄膜３の上面
と基板13の上面に跨って、第３図のようにパターン状に
Fe−Ni、Ni−Co等の磁性薄膜２が数ミクロンの厚さでパ
ターン状に形成されている。
めて薄い接点薄膜５で形成され、この接点薄膜３の上面
と基板13の上面に跨って、第３図のようにパターン状に
Fe−Ni、Ni−Co等の磁性薄膜２が数ミクロンの厚さでパ
ターン状に形成されている。
この磁性薄膜２の上面には、SiO2、Si3N4等の補強用薄
膜１が数ミクロンの厚さで形成されている。
膜１が数ミクロンの厚さで形成されている。
これ等の接点薄膜３、磁性薄膜２、補強用薄膜１も蒸
着、スパッタ等の方法で形成されるが、接点薄膜3,5間
の寸法は極めて微少なものである。
着、スパッタ等の方法で形成されるが、接点薄膜3,5間
の寸法は極めて微少なものである。
このように、接点薄膜3,5間の間隙を微少に形成する方
法を第４図について説明する。
法を第４図について説明する。
先ず、基板13上に固定接点となる磁性薄膜４、接点薄膜
５を順次に蒸着、或いはスパッタで形成した後、同図に
示すように、Al、ホトレジスト等の前記間隙と同厚の層
14を、接点薄膜５を覆うように形成する。
５を順次に蒸着、或いはスパッタで形成した後、同図に
示すように、Al、ホトレジスト等の前記間隙と同厚の層
14を、接点薄膜５を覆うように形成する。
そして、その上に接点薄膜３を蒸着してパターニング
し、更に接点薄膜３、基板13の上に跨って磁性薄膜２、
補強薄膜１を蒸着、或いはケミカル・ベーパー・デポジ
ションにより形成する。
し、更に接点薄膜３、基板13の上に跨って磁性薄膜２、
補強薄膜１を蒸着、或いはケミカル・ベーパー・デポジ
ションにより形成する。
次に、Al、ホトレジストの層14をエッチングにより除去
することによって、接点薄膜3,5間に層14の厚さと同じ
間隙が形成されるものである。
することによって、接点薄膜3,5間に層14の厚さと同じ
間隙が形成されるものである。
この小型磁気スイッチに磁界が加わると、磁性薄膜2,4
が第２図のように励磁されて、可動接点は固定接点に吸
着され、接点薄膜3,5が接触して回路が閉じ、磁界が去
れば前記の励磁が解除され、磁性薄膜２、補強薄膜１の
弾力で可動接点が固定接点から離れ、回路が開くもので
ある。
が第２図のように励磁されて、可動接点は固定接点に吸
着され、接点薄膜3,5が接触して回路が閉じ、磁界が去
れば前記の励磁が解除され、磁性薄膜２、補強薄膜１の
弾力で可動接点が固定接点から離れ、回路が開くもので
ある。
この補強薄膜２は無くとも回路の開閉動作は行われる
が、可動接点の耐久性が低下する。
が、可動接点の耐久性が低下する。
更に、本考案の他の実施例を第５図、第６図について説
明する。
明する。
この実施例においては、磁性薄膜９、接点薄膜10で固定
接点を構成するが、その両端部が接点部となる。
接点を構成するが、その両端部が接点部となる。
そして、この両端の接点部に対向して、２つの可動接点
11,12が接点薄膜8a,8b、磁性薄膜7a,7b、補強薄膜6a,6b
によって形成されるが、可動接点11,12が基板13から離
れている部分の長さが異なるようになっており、従って
可動接点11,12の共振周波数は異なるものである。
11,12が接点薄膜8a,8b、磁性薄膜7a,7b、補強薄膜6a,6b
によって形成されるが、可動接点11,12が基板13から離
れている部分の長さが異なるようになっており、従って
可動接点11,12の共振周波数は異なるものである。
そのため、磁界が加わらず、磁性薄膜9,7a,7bが励磁さ
れていない際に、振動によって可動接点11,12の一方が
固定接点に接触し、誤動作することがあっても、他方は
接触することがない。
れていない際に、振動によって可動接点11,12の一方が
固定接点に接触し、誤動作することがあっても、他方は
接触することがない。
よって、第６図のように、直列接続となるためスイッチ
としての誤動作が防止されるものである。
としての誤動作が防止されるものである。
そして、磁界が加わると、第５図のように磁性薄膜7a,7
b,9が励磁され、接点薄膜8a,10,8bが接触し、回路が閉
じるものである。
b,9が励磁され、接点薄膜8a,10,8bが接触し、回路が閉
じるものである。
以上説明したように本考案によれば、基板上の同一面に
固定接点及び可動接点がパターン状に蒸着或いはスパッ
タなどにより形成されて基板上に直接磁気スイッチが形
成されるので、量産性に優れる他、基板に対する高さは
一定化され、基板とマグネットとの寸法を一定化するこ
とで、正確な動作をさせることができると共に、半田付
け作業が必要でなくなる。
固定接点及び可動接点がパターン状に蒸着或いはスパッ
タなどにより形成されて基板上に直接磁気スイッチが形
成されるので、量産性に優れる他、基板に対する高さは
一定化され、基板とマグネットとの寸法を一定化するこ
とで、正確な動作をさせることができると共に、半田付
け作業が必要でなくなる。
そして、この磁気スイッチの高さは数ミクロン程度と低
く、非常に小型化することが可能となる。しかも、その
製造にはIC製造技術が用いられ、スイッチ性能の重要な
要素である固定電極及び可動電極の対向部分間の間隙が
微小にかつ正確に形成され、低磁束の磁気により作動す
る高感度のスイッチとなる他ICとの一体化も可能である
等の特徴を有するものである。
く、非常に小型化することが可能となる。しかも、その
製造にはIC製造技術が用いられ、スイッチ性能の重要な
要素である固定電極及び可動電極の対向部分間の間隙が
微小にかつ正確に形成され、低磁束の磁気により作動す
る高感度のスイッチとなる他ICとの一体化も可能である
等の特徴を有するものである。
第１図は本考案の一実施例の断面図、第２図はその動作
を示す断面図、第３図はその平面図、第４図はその製造
工程の断面図、第５図は他の実施例の断面図、第６図は
その回路図、第７図は従来の磁気スイッチの断面図であ
る。 1,6a,6bパターン補強薄膜、2,4,7a,7b,9…磁性薄膜、3,
5,8a,8b,10…接点薄膜、11,12…可動接点。
を示す断面図、第３図はその平面図、第４図はその製造
工程の断面図、第５図は他の実施例の断面図、第６図は
その回路図、第７図は従来の磁気スイッチの断面図であ
る。 1,6a,6bパターン補強薄膜、2,4,7a,7b,9…磁性薄膜、3,
5,8a,8b,10…接点薄膜、11,12…可動接点。
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン、ガラス等の基板と、 該基板の上にパターン状に蒸着或いはスパッタなどによ
り形成された磁性薄膜を含む固定接点と、 一部分が前記固定接点の上面に対して微小な間隙を介し
て対向され、前記基板の上にパターン状に蒸着或いはス
パッタなどにより形成された磁性薄膜を含む可動接点と
を備えた ことを特徴とする小型磁気スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987162521U JPH073552Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 小型磁気スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987162521U JPH073552Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 小型磁気スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0166733U JPH0166733U (ja) | 1989-04-28 |
| JPH073552Y2 true JPH073552Y2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=31446422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987162521U Expired - Lifetime JPH073552Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 小型磁気スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073552Y2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5276675A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Seikosha Kk | Method of manufacturing electrodes |
| JPS54104563A (en) * | 1978-02-03 | 1979-08-16 | Alps Electric Co Ltd | Method of making circuit board |
| JPS54144823A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Keyboard of non-keying type |
| JPS55115216A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-05 | Fujitsu Ltd | Method of forming movable electrode on base |
| JPS5710417U (ja) * | 1980-06-20 | 1982-01-20 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP1987162521U patent/JPH073552Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5276675A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Seikosha Kk | Method of manufacturing electrodes |
| JPS54104563A (en) * | 1978-02-03 | 1979-08-16 | Alps Electric Co Ltd | Method of making circuit board |
| JPS54144823A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Keyboard of non-keying type |
| JPS55115216A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-05 | Fujitsu Ltd | Method of forming movable electrode on base |
| JPS5710417U (ja) * | 1980-06-20 | 1982-01-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0166733U (ja) | 1989-04-28 |
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