JPH06112548A - プローブユニットの製造方法 - Google Patents
プローブユニットの製造方法Info
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- JPH06112548A JPH06112548A JP4277694A JP27769492A JPH06112548A JP H06112548 A JPH06112548 A JP H06112548A JP 4277694 A JP4277694 A JP 4277694A JP 27769492 A JP27769492 A JP 27769492A JP H06112548 A JPH06112548 A JP H06112548A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性を向上し、製造コストを低減させたプ
ローブユニットの製造方法を提供する。 【構成】 基板１上に成膜及びパターニングにより下電
極２及び取り出し電極３を形成する第１工程、下電極２
全面と取り出し電極３をまたぐように成膜及びパターニ
ングにより導電体の凸部４を形成する第２工程、凸部４
と取り出し電極３をまたぐようにレジスト５を用いたパ
ターン電気メッキにより可撓部７を形成する第３工程、
可撓部７上にプローブ８を形成する第４工程、凸部４を
除去する第５工程を含んでなることを特徴とする。
ローブユニットの製造方法を提供する。 【構成】 基板１上に成膜及びパターニングにより下電
極２及び取り出し電極３を形成する第１工程、下電極２
全面と取り出し電極３をまたぐように成膜及びパターニ
ングにより導電体の凸部４を形成する第２工程、凸部４
と取り出し電極３をまたぐようにレジスト５を用いたパ
ターン電気メッキにより可撓部７を形成する第３工程、
可撓部７上にプローブ８を形成する第４工程、凸部４を
除去する第５工程を含んでなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型トンネル顕微鏡
またはその原理を応用した情報の高密度記録、再生、消
去を行う情報処理装置等に用いるトンネル電流検知用の
プローブユニットの製造方法に関する。
またはその原理を応用した情報の高密度記録、再生、消
去を行う情報処理装置等に用いるトンネル電流検知用の
プローブユニットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年において、導体の表面原子の電子構
造を直接観測できる走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴ
Ｍと略す）が開発され（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９（１９８２）
５７）、単結晶、非結晶を問わず実空間像を著しく高い
分解能（ナノメートル以下）で測定できるようになっ
た。
造を直接観測できる走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴ
Ｍと略す）が開発され（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９（１９８２）
５７）、単結晶、非結晶を問わず実空間像を著しく高い
分解能（ナノメートル以下）で測定できるようになっ
た。
【０００３】かかるＳＴＭは、金属のプローブ（探針）
と導電性物質の間に電圧を加えて、１ｎｍ程度の距離間
で近づけると、その間にトンネル電流が流れることを利
用している。この電流は両者の距離変化に非常に敏感で
かつ指数関数的に変化するので、トンネル電流を一定に
保つようにプローブを走査することにより、実空間の表
面構造を原子オーダーの分解能で観察することができ
る。
と導電性物質の間に電圧を加えて、１ｎｍ程度の距離間
で近づけると、その間にトンネル電流が流れることを利
用している。この電流は両者の距離変化に非常に敏感で
かつ指数関数的に変化するので、トンネル電流を一定に
保つようにプローブを走査することにより、実空間の表
面構造を原子オーダーの分解能で観察することができ
る。
【０００４】このＳＴＭを用いた解析は導電性材料に限
られるが、導電性材料の表面に薄く形成された絶縁膜の
構造解析にも応用され始めている。更に、上述の装置、
手段は微小電流を検知する方法を用いているため、媒体
に損傷を与えず、かつ低電力で観測できる利点をも有す
る。また、大気中での動作も可能で有るためＳＴＭの広
範囲な応用が期待されている。特に、特開昭６３−１６
１５５２号公報、特開昭６３−１６１５５３号公報等に
提案されているように、高密度な記録再生装置としての
実用化が積極的に進められている。これは、ＳＴＭと同
様のプローブを用いて、プローブと記録媒体間に印加す
る電圧を変化させて記録を行うものであり、記録媒体と
しては、電圧−電流特性においてメモリ性の有るスイッ
チング特性を示す材料、たとえばカルコゲン化物類、π
電子系有機化合物の薄膜層を用いている。一方、再生に
ついては、記録を行った領域とそうでない領域のトンネ
ル抵抗の変化により行っている。この記録方式を用いる
記録媒体としては、プローブに印加する電圧により記録
媒体の表面形状が変化するものでも記録再生が可能であ
る。
られるが、導電性材料の表面に薄く形成された絶縁膜の
構造解析にも応用され始めている。更に、上述の装置、
手段は微小電流を検知する方法を用いているため、媒体
に損傷を与えず、かつ低電力で観測できる利点をも有す
る。また、大気中での動作も可能で有るためＳＴＭの広
範囲な応用が期待されている。特に、特開昭６３−１６
１５５２号公報、特開昭６３−１６１５５３号公報等に
提案されているように、高密度な記録再生装置としての
実用化が積極的に進められている。これは、ＳＴＭと同
様のプローブを用いて、プローブと記録媒体間に印加す
る電圧を変化させて記録を行うものであり、記録媒体と
しては、電圧−電流特性においてメモリ性の有るスイッ
チング特性を示す材料、たとえばカルコゲン化物類、π
電子系有機化合物の薄膜層を用いている。一方、再生に
ついては、記録を行った領域とそうでない領域のトンネ
ル抵抗の変化により行っている。この記録方式を用いる
記録媒体としては、プローブに印加する電圧により記録
媒体の表面形状が変化するものでも記録再生が可能であ
る。
【０００５】従来、プローブの形成手法として半導体製
造プロセス技術を用い、１つの基板上に微細な構造を作
る加工技術（Ｋ．Ｅ．Ｐｅｔｅｒｓｏｎ，“Ｓｉｌｉｃ
ｏｎａｓ ａ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌ”，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥ
Ｅ，ｖｏｌ７０，Ｐ４２０，１９８２）を利用して構成
したＳＴＭが、特開昭６１−２０６１４８号公報に提案
されている。これは単結晶シリコンを基板として、微細
加工により基板面と平行な方向（ＸＹ方向）に微動でき
る平行バネを形成し、更にその可動部にプローブを形成
したカンチレバー（片持ち梁）構造の舌状部を設け、該
舌状部と底面部との間に電界を与え静電力により基板表
面と直角な方向（Ｚ方向）に変位するように構成されて
いる。また、特開昭６２−２８１１３８号公報には、特
開昭６１−２０６１４８号公報に開示されたのと同様の
舌状部をマルチに配列した変換器アレイを備えた記憶装
置が記載されている。
造プロセス技術を用い、１つの基板上に微細な構造を作
る加工技術（Ｋ．Ｅ．Ｐｅｔｅｒｓｏｎ，“Ｓｉｌｉｃ
ｏｎａｓ ａ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌ”，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥ
Ｅ，ｖｏｌ７０，Ｐ４２０，１９８２）を利用して構成
したＳＴＭが、特開昭６１−２０６１４８号公報に提案
されている。これは単結晶シリコンを基板として、微細
加工により基板面と平行な方向（ＸＹ方向）に微動でき
る平行バネを形成し、更にその可動部にプローブを形成
したカンチレバー（片持ち梁）構造の舌状部を設け、該
舌状部と底面部との間に電界を与え静電力により基板表
面と直角な方向（Ｚ方向）に変位するように構成されて
いる。また、特開昭６２−２８１１３８号公報には、特
開昭６１−２０６１４８号公報に開示されたのと同様の
舌状部をマルチに配列した変換器アレイを備えた記憶装
置が記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
のカンチレバー型プローブは以下のような問題点を有し
ていた。
のカンチレバー型プローブは以下のような問題点を有し
ていた。
【０００７】カンチレバーの作製において、シリコン
基板上に単結晶シリコンを厚く成長させているため、製
造コストが高かった。また、シリコン基板を異方性エッ
チングにより加工しているため、加工に時間がかかり生
産性が低かった。
基板上に単結晶シリコンを厚く成長させているため、製
造コストが高かった。また、シリコン基板を異方性エッ
チングにより加工しているため、加工に時間がかかり生
産性が低かった。
【０００８】エッチング液によってはアルカリイオン
を含むため、駆動回路（ＩＣ等）を一体に作る場合に汚
染され特性が劣化するという問題が有った。
を含むため、駆動回路（ＩＣ等）を一体に作る場合に汚
染され特性が劣化するという問題が有った。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記従来例の問
題点に鑑み、プローブユニットの生産性、信頼性を向上
させ、製造コストを低減させたプローブユニットの製造
方法を提供することにある。
題点に鑑み、プローブユニットの生産性、信頼性を向上
させ、製造コストを低減させたプローブユニットの製造
方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために成された本発明は、基板上に形成された梁状
の可撓部を有する静電変位素子と該可撓部の自由端側に
設けられたプローブから構成されるプローブユニットの
製造方法において、基板上に成膜及びパターニングによ
り下電極及び取り出し電極を形成する第１工程、前記下
電極全面と取り出し電極をまたぐように成膜及びパター
ニングにより導電体の凸部を形成する第２工程、前記凸
部と取り出し電極をまたぐようにレジストを用いたパタ
ーン電気メッキにより可撓部を形成する第３工程、該可
撓部上にプローブを形成する第４工程、前記凸部を除去
する第５工程を含んでなることを特徴とするプローブユ
ニットの製造方法である。
するために成された本発明は、基板上に形成された梁状
の可撓部を有する静電変位素子と該可撓部の自由端側に
設けられたプローブから構成されるプローブユニットの
製造方法において、基板上に成膜及びパターニングによ
り下電極及び取り出し電極を形成する第１工程、前記下
電極全面と取り出し電極をまたぐように成膜及びパター
ニングにより導電体の凸部を形成する第２工程、前記凸
部と取り出し電極をまたぐようにレジストを用いたパタ
ーン電気メッキにより可撓部を形成する第３工程、該可
撓部上にプローブを形成する第４工程、前記凸部を除去
する第５工程を含んでなることを特徴とするプローブユ
ニットの製造方法である。
【００１１】ここで，梁状の可撓部とは、可撓部分の一
端が基板上に固定された片端固定の梁構造、すなわちカ
ンチレバー構造体を示す。この時、カンチレバーの形状
は任意である。
端が基板上に固定された片端固定の梁構造、すなわちカ
ンチレバー構造体を示す。この時、カンチレバーの形状
は任意である。
【００１２】次に、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明のプローブユニットの製造方
法を示す断面図である。図１（ａ）に於て、まず基板１
を用意する。この基板１としては、半導体、金属、ガラ
ス、セラミックス等の材料を用いることができる。続い
て、基板上に下電極２及び取り出し電極３を形成する。
取り出し電極３は、後工程でのメッキ電極を兼ねるため
表面酸化物の生じにくい材料、例えばＮｉ等の金属が好
ましい。
法を示す断面図である。図１（ａ）に於て、まず基板１
を用意する。この基板１としては、半導体、金属、ガラ
ス、セラミックス等の材料を用いることができる。続い
て、基板上に下電極２及び取り出し電極３を形成する。
取り出し電極３は、後工程でのメッキ電極を兼ねるため
表面酸化物の生じにくい材料、例えばＮｉ等の金属が好
ましい。
【００１４】次に、図１（ｂ）に示すように、導電体の
凸部４を下電極２と取り出し電極３をまたぐように形成
する。本発明に係る凸部４は、後工程でのメッキ電極及
び除去される犠牲層として用いられるため、エッチング
時に後述の可撓部７と選択エッチングが可能な材料でメ
ッキ可能ならば良い。
凸部４を下電極２と取り出し電極３をまたぐように形成
する。本発明に係る凸部４は、後工程でのメッキ電極及
び除去される犠牲層として用いられるため、エッチング
時に後述の可撓部７と選択エッチングが可能な材料でメ
ッキ可能ならば良い。
【００１５】次に、図１（ｃ）に示すように、凸部４と
取り出し電極３上に図２に示されるようなフォトレジス
ト５を用いて可撓部パターン６を露出させる。続いて、
電気メッキにより可撓部パターン６内にメッキ膜を成長
させ可撓部７を形成する。ここで可撓部７の形成方法に
電気メッキを用いるのは、後工程で梁状の可撓部となる
ため、応力の小さい膜が好ましく、電気メッキを用いる
ことにより応力制御が可能で低応力の膜が得られ、更
に、電気メッキでは、１μｍ／ｍｉｎ以上の高速成長が
可能な為である。
取り出し電極３上に図２に示されるようなフォトレジス
ト５を用いて可撓部パターン６を露出させる。続いて、
電気メッキにより可撓部パターン６内にメッキ膜を成長
させ可撓部７を形成する。ここで可撓部７の形成方法に
電気メッキを用いるのは、後工程で梁状の可撓部となる
ため、応力の小さい膜が好ましく、電気メッキを用いる
ことにより応力制御が可能で低応力の膜が得られ、更
に、電気メッキでは、１μｍ／ｍｉｎ以上の高速成長が
可能な為である。
【００１６】次に、図１（ｄ）に示すように、後工程に
より可撓部７の自由端となる側にプローブ８を形成す
る。ここでプローブ８の形成方法としては、従来公知の
方法、例えばエッチング法、リフトオフ法、微小片の接
着法等を用いることができる。続いて、凸部４をエッチ
ング除去することにより、梁状の可撓部を有するプロー
ブユニットを形成できる。係るプローブユニットを用い
れば、下電極２と可撓部７に電圧を印加することによっ
て梁状の可撓部を基板面と直行する方向（Ｚ方向）に撓
ませ、プローブ位置をＺ方向に変位させることができ
る。
より可撓部７の自由端となる側にプローブ８を形成す
る。ここでプローブ８の形成方法としては、従来公知の
方法、例えばエッチング法、リフトオフ法、微小片の接
着法等を用いることができる。続いて、凸部４をエッチ
ング除去することにより、梁状の可撓部を有するプロー
ブユニットを形成できる。係るプローブユニットを用い
れば、下電極２と可撓部７に電圧を印加することによっ
て梁状の可撓部を基板面と直行する方向（Ｚ方向）に撓
ませ、プローブ位置をＺ方向に変位させることができ
る。
【００１７】なお、下電極２、取り出し電極３、凸部４
の形成方法としては、従来公知の技術、例えば半導体産
業で一般に用いられている真空蒸着法やスパッタ法、化
学気相成長法等の薄膜作製技術やフォトリソグラフ技術
及びエッチング技術を適用することができ、その作製方
法は本発明を制限するものではない。
の形成方法としては、従来公知の技術、例えば半導体産
業で一般に用いられている真空蒸着法やスパッタ法、化
学気相成長法等の薄膜作製技術やフォトリソグラフ技術
及びエッチング技術を適用することができ、その作製方
法は本発明を制限するものではない。
【００１８】本発明によれば、基板上に形成した凸部を
またぐように、レジストを用いたパターン電気メッキで
可撓部を形成する。しかる後、凸部を除去することによ
り梁状の可撓部を形成するため、製造コストを低減でき
る。
またぐように、レジストを用いたパターン電気メッキで
可撓部を形成する。しかる後、凸部を除去することによ
り梁状の可撓部を形成するため、製造コストを低減でき
る。
【００１９】本発明において、前記凸部の材料を選択す
ることにより、高速エッチングが可能である。例えば、
凸部４にＡｇを用いれば、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム系のエッチング液を用いることができ、この場合には
１０００Å／ｓｅｃ以上の高速エッチが可能となり生産
性が向上できる。更には、アルカリ性のエッチング液を
用いないで加工できるためＩＣへの汚染を低減できる。
ることにより、高速エッチングが可能である。例えば、
凸部４にＡｇを用いれば、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム系のエッチング液を用いることができ、この場合には
１０００Å／ｓｅｃ以上の高速エッチが可能となり生産
性が向上できる。更には、アルカリ性のエッチング液を
用いないで加工できるためＩＣへの汚染を低減できる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を具体的に詳述
する。
する。
【００２１】実施例１ 本実施例を図１を参照しつつ説明する。まず、熱酸化膜
が５０００Å形成されたシリコンウエハを基板１として
用意する。続いて、基板１上にＮｉを２０００Å真空蒸
着法により成膜し、フォトリソグラフィとエッチングに
よりパターン形成を行い下電極２及び取り出し電極３を
形成した（図１（ａ）参照）。
が５０００Å形成されたシリコンウエハを基板１として
用意する。続いて、基板１上にＮｉを２０００Å真空蒸
着法により成膜し、フォトリソグラフィとエッチングに
よりパターン形成を行い下電極２及び取り出し電極３を
形成した（図１（ａ）参照）。
【００２２】次に、銀を真空蒸着法により基板１上に２
μｍ成膜し、フォトリソグラフィとエッチングによりパ
ターン形成を行い凸部４を形成した（図１（ｂ）参
照）。
μｍ成膜し、フォトリソグラフィとエッチングによりパ
ターン形成を行い凸部４を形成した（図１（ｂ）参
照）。
【００２３】次に、フォトレジストを用いたパターン電
気メッキにより、可撓部７を凸部４と取り出し電極３上
に作製した。なお、凸部４上の可撓部７の寸法は幅５０
μｍ，長さ４００μｍに設定した。このとき可撓部７に
は、２μｍ厚のＮｉを用いた（図１（ｃ）参照）。この
ときＮｉの電気メッキはワット浴を用いて温度を５０℃
に保ち、電流密度０．０９Ａ／ｃｍ2 、メッキ時間２分
間の条件で行った。なお、メッキ膜の内部応力は９．８
×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
気メッキにより、可撓部７を凸部４と取り出し電極３上
に作製した。なお、凸部４上の可撓部７の寸法は幅５０
μｍ，長さ４００μｍに設定した。このとき可撓部７に
は、２μｍ厚のＮｉを用いた（図１（ｃ）参照）。この
ときＮｉの電気メッキはワット浴を用いて温度を５０℃
に保ち、電流密度０．０９Ａ／ｃｍ2 、メッキ時間２分
間の条件で行った。なお、メッキ膜の内部応力は９．８
×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
【００２４】次に、可撓部７の自由端となる側にプロー
ブ８を蒸着とリフトオフ法を用いて形成した。このとき
プローブ８にはＡｕを用いた。続いて、ＡＺ４６２０
（ヘキスト社製）を用いて、フォトリソグラフによりプ
ローブ８及び可撓部７を保護してから、凸部４をりん酸
系水溶液を用いてオーバーエッチし、凸部４を除去した
（図１（ｄ）参照）。このときエッチングに要した時間
は１０分であった。また、Ｎｉ及び熱酸化膜がエッチン
グ液にさらされるがこれらはエッチングされなかった。
ブ８を蒸着とリフトオフ法を用いて形成した。このとき
プローブ８にはＡｕを用いた。続いて、ＡＺ４６２０
（ヘキスト社製）を用いて、フォトリソグラフによりプ
ローブ８及び可撓部７を保護してから、凸部４をりん酸
系水溶液を用いてオーバーエッチし、凸部４を除去した
（図１（ｄ）参照）。このときエッチングに要した時間
は１０分であった。また、Ｎｉ及び熱酸化膜がエッチン
グ液にさらされるがこれらはエッチングされなかった。
【００２５】続いて、フォトレジストをアセトンを用い
て除去することにより、幅５０μｍ，長さ４００μｍの
梁状の可撓部を有するプローブユニットを得た。以上の
ようにして作製したプローブユニットの変位量を測定し
たところ、Ｚ方向（図１の上下方向）に０．２５μｍ／
ｖで変位することが分かった。
て除去することにより、幅５０μｍ，長さ４００μｍの
梁状の可撓部を有するプローブユニットを得た。以上の
ようにして作製したプローブユニットの変位量を測定し
たところ、Ｚ方向（図１の上下方向）に０．２５μｍ／
ｖで変位することが分かった。
【００２６】実施例２ 本実施例では、可撓部７をＡｕ、凸部４のエッチング液
を硝酸系に変更した以外は実施例１と同様にして、プロ
ーブユニットを作製した。
を硝酸系に変更した以外は実施例１と同様にして、プロ
ーブユニットを作製した。
【００２７】このとき、Ａｕ及び熱酸化膜がエッチング
液にさらされるがこれらはエッチングされなかった。ま
たＡｕメッキ膜の内部応力は５×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2
であった。以上のようにして作製したプローブユニット
の変位量を測定したところ、Ｚ方向（図１の上下方向）
に０．６２μｍ／ｖで変位することが分かった。
液にさらされるがこれらはエッチングされなかった。ま
たＡｕメッキ膜の内部応力は５×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2
であった。以上のようにして作製したプローブユニット
の変位量を測定したところ、Ｚ方向（図１の上下方向）
に０．６２μｍ／ｖで変位することが分かった。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、単結晶シリコンの成長
及びシリコン基板の異方性エッチングによる加工を要し
ないため、生産性が向上し、更に製造コストが低減でき
るプローブユニットの製造方法を提供できる。
及びシリコン基板の異方性エッチングによる加工を要し
ないため、生産性が向上し、更に製造コストが低減でき
るプローブユニットの製造方法を提供できる。
【図１】本発明のプローブユニットの製造方法の主要工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】可撓部パターン領域を示す平面図である。
１ 基板 ２ 下電極 ３ 取り出し電極 ４ 凸部 ５ フォトレジスト ６ 可撓部パターン ７ 可撓部 ８ プローブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｚ (72)発明者 中山 優 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成された梁状の可撓部を有す
る静電変位素子と該可撓部の自由端側に設けられたプロ
ーブから構成されるプローブユニットの製造方法におい
て、基板上に成膜及びパターニングにより下電極及び取
り出し電極を形成する第１工程、前記下電極全面と取り
出し電極をまたぐように成膜及びパターニングにより導
電体の凸部を形成する第２工程、前記凸部と取り出し電
極をまたぐようにレジストを用いたパターン電気メッキ
により可撓部を形成する第３工程、該可撓部上にプロー
ブを形成する第４工程、前記凸部を除去する第５工程を
含んでなることを特徴とするプローブユニットの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04277694A JP3118676B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | プローブユニットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04277694A JP3118676B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | プローブユニットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112548A true JPH06112548A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3118676B2 JP3118676B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=17587006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04277694A Expired - Fee Related JP3118676B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | プローブユニットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3118676B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1047972A (ja) * | 1996-05-03 | 1998-02-20 | Robert Bosch Gmbh | マイクロメカニカル回転速度センサ |
| KR100508419B1 (ko) * | 1999-04-30 | 2005-08-18 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | 마이크로 제조 프로세스에 의해 형성된 접점 구조물 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009080229A (ja) | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Funai Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP04277694A patent/JP3118676B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1047972A (ja) * | 1996-05-03 | 1998-02-20 | Robert Bosch Gmbh | マイクロメカニカル回転速度センサ |
| KR100508419B1 (ko) * | 1999-04-30 | 2005-08-18 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | 마이크로 제조 프로세스에 의해 형성된 접점 구조물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3118676B2 (ja) | 2000-12-18 |
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