JPH07326655A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JPH07326655A JPH07326655A JP11841794A JP11841794A JPH07326655A JP H07326655 A JPH07326655 A JP H07326655A JP 11841794 A JP11841794 A JP 11841794A JP 11841794 A JP11841794 A JP 11841794A JP H07326655 A JPH07326655 A JP H07326655A
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- conductive layer
- conducting layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造工程において稼働中に静電チャック
を構成する導電層や絶縁層が剥離したりせず、不純物等
の汚染の恐れもなく、高温でも長期に渡り優れた信頼性
と安定性を示し、その上、格別な高純度の原料を用いる
必要もなく、製造コストの低い静電チャックを得ること
ができる。 【構成】シリコンウエハー等を保持する静電チャック１
を、窒化アルミニウム質焼結体から成る基体２と、基体
２の表面に被着形成したモリブデン（Ｍｏ）とマンガン
（Ｍｎ）を主成分とする導電層３と、少なくとも導電層
３を覆うように被覆した窒化アルミニウムを主体とする
膜から成る絶縁層４で、あるいは更に基体２中に発熱回
路５を内蔵して構成する。
を構成する導電層や絶縁層が剥離したりせず、不純物等
の汚染の恐れもなく、高温でも長期に渡り優れた信頼性
と安定性を示し、その上、格別な高純度の原料を用いる
必要もなく、製造コストの低い静電チャックを得ること
ができる。 【構成】シリコンウエハー等を保持する静電チャック１
を、窒化アルミニウム質焼結体から成る基体２と、基体
２の表面に被着形成したモリブデン（Ｍｏ）とマンガン
（Ｍｎ）を主成分とする導電層３と、少なくとも導電層
３を覆うように被覆した窒化アルミニウムを主体とする
膜から成る絶縁層４で、あるいは更に基体２中に発熱回
路５を内蔵して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等にお
いてシリコンウエハーを静電的に吸着保持して処理した
り、搬送するために用いられる静電チャックで、高温ま
で広い温度範囲で安定して使用可能な耐久性に優れた静
電チャックに関するものである。
いてシリコンウエハーを静電的に吸着保持して処理した
り、搬送するために用いられる静電チャックで、高温ま
で広い温度範囲で安定して使用可能な耐久性に優れた静
電チャックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造用装置において、シリコンウ
エハーにパターンニング等の各種微細加工をするために
は、該ウエハーの平坦度を保ちながら固定する治具が必
要であり、該治具として従来から機械式や真空吸着式、
静電吸着式等の各種チャックが提案されている。
エハーにパターンニング等の各種微細加工をするために
は、該ウエハーの平坦度を保ちながら固定する治具が必
要であり、該治具として従来から機械式や真空吸着式、
静電吸着式等の各種チャックが提案されている。
【０００３】これらのチャックの中で、静電的に前記シ
リコンウエハーを吸着固定する静電チャックは、該ウエ
ハーの各種微細加工を行う際に要求される加工面の平坦
度や平行度を容易に実現することができ、更に該ウエハ
ーを真空中でも使用することができるため、半導体の製
造に際して最も多用されているものである。
リコンウエハーを吸着固定する静電チャックは、該ウエ
ハーの各種微細加工を行う際に要求される加工面の平坦
度や平行度を容易に実現することができ、更に該ウエハ
ーを真空中でも使用することができるため、半導体の製
造に際して最も多用されているものである。
【０００４】このような従来の静電チャックには、一般
的に電極板の表面にアルミナやサファイヤ等から成る絶
縁層を形成したものがあり、他に絶縁性基体上に導電層
を形成し、その上に絶縁層を形成したものや、絶縁性基
体内部に導電層を組み込んだもの等が提案されていた。
的に電極板の表面にアルミナやサファイヤ等から成る絶
縁層を形成したものがあり、他に絶縁性基体上に導電層
を形成し、その上に絶縁層を形成したものや、絶縁性基
体内部に導電層を組み込んだもの等が提案されていた。
【０００５】近年、半導体素子の集積回路の集積度が向
上するに従い、静電チャックに要求される精度がより高
度化してきていることから、更に耐食性や耐摩耗性、耐
熱衝撃性に優れたセラミックス製静電チャックが使用さ
れるようになってきた。
上するに従い、静電チャックに要求される精度がより高
度化してきていることから、更に耐食性や耐摩耗性、耐
熱衝撃性に優れたセラミックス製静電チャックが使用さ
れるようになってきた。
【０００６】しかしながら、通常、炭化珪素や窒化珪
素、窒化アルミニウム等のセラミックスを焼結するに
は、主成分の原料に焼結助剤を加える必要があり、前記
セラミックス製品には焼結助剤が必然的に存在すること
となる。
素、窒化アルミニウム等のセラミックスを焼結するに
は、主成分の原料に焼結助剤を加える必要があり、前記
セラミックス製品には焼結助剤が必然的に存在すること
となる。
【０００７】一方、半導体製造用装置の部品は、シリコ
ンウエハーに不純物が混入しないように高純度の物質で
作成する必要がある。
ンウエハーに不純物が混入しないように高純度の物質で
作成する必要がある。
【０００８】そのために、前記セラミックス製品を静電
チャックとして用いた場合には、静電チャックの載置面
をはじめ、含有する焼結助剤が不純物としてシリコンウ
エハーの表面を汚染する可能性がある。
チャックとして用いた場合には、静電チャックの載置面
をはじめ、含有する焼結助剤が不純物としてシリコンウ
エハーの表面を汚染する可能性がある。
【０００９】そこで、不純物によるシリコンウエハーの
汚染を防止するために、密着性の良好な高純度絶縁層で
被覆した静電チャック板が特開平４−３４９５３号公報
等に提案されている。
汚染を防止するために、密着性の良好な高純度絶縁層で
被覆した静電チャック板が特開平４−３４９５３号公報
等に提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記静
電チャック板では、基体と高純度絶縁層との密着性は良
好なものの、タングステン（Ｗ）等から導電層が、基体
と高純度絶縁層の両者に対して密着性が不充分で剥離す
る恐れがあり、耐久性に不安があるという課題があっ
た。
電チャック板では、基体と高純度絶縁層との密着性は良
好なものの、タングステン（Ｗ）等から導電層が、基体
と高純度絶縁層の両者に対して密着性が不充分で剥離す
る恐れがあり、耐久性に不安があるという課題があっ
た。
【００１１】
【発明の目的】本発明は前記課題に鑑みなされたもの
で、その目的は、半導体の製造工程で稼働中に静電チャ
ックを構成する導電層が剥離したりせず、不純物等の汚
染の恐れもなく、高温でも長期に渡り優れた信頼性と安
定性を示す製造コストの低い静電チャックを提供するこ
とにある。
で、その目的は、半導体の製造工程で稼働中に静電チャ
ックを構成する導電層が剥離したりせず、不純物等の汚
染の恐れもなく、高温でも長期に渡り優れた信頼性と安
定性を示す製造コストの低い静電チャックを提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の静電チャック
は、窒化アルミニウム質焼結体から成る基体の表面にメ
タライズ法によりモリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍ
ｎ）を主成分とする導電層を被着形成し、少なくとも該
導電層上に、耐熱衝撃性、耐フッ素プラズマ性に優れた
窒化アルミニウムを主体とする膜を気相合成法で被覆
し、該被覆層の酸素含有量が２０原子％以下で、厚さが
０．００１〜１．０ｍｍの絶縁層を構成したもの、ある
いは前記同様の構成で、基体中に発熱回路を内蔵したも
のであることを特徴とするものである。
は、窒化アルミニウム質焼結体から成る基体の表面にメ
タライズ法によりモリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍ
ｎ）を主成分とする導電層を被着形成し、少なくとも該
導電層上に、耐熱衝撃性、耐フッ素プラズマ性に優れた
窒化アルミニウムを主体とする膜を気相合成法で被覆
し、該被覆層の酸素含有量が２０原子％以下で、厚さが
０．００１〜１．０ｍｍの絶縁層を構成したもの、ある
いは前記同様の構成で、基体中に発熱回路を内蔵したも
のであることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】本発明の静電チャックによれば、導電層として
モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）を主成分とする
合金を被着形成したことから、窒化アルミニウム質焼結
体から成る基板へマンガン（Ｍｎ）の酸化層が拡散して
基板との密着性が強固になる。
モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）を主成分とする
合金を被着形成したことから、窒化アルミニウム質焼結
体から成る基板へマンガン（Ｍｎ）の酸化層が拡散して
基板との密着性が強固になる。
【００１４】また、高純度の熱伝導性に優れた窒化アル
ミニウムを主体とする膜から成る絶縁層を気相合成法で
被覆したことから、組織が均質で非常に純度が高く、耐
プラズマ性に優れ、静電チャック表面のピンホールの発
生やエッチングによる劣化も防止でき、前記基体の焼結
体中にわずかな不純物が含まれていたとしても外に放出
されず、かつ静電チャック内の温度分布が窒化アルミニ
ウム質焼結体単体で構成した場合より更に均一化され均
熱性が高まる。
ミニウムを主体とする膜から成る絶縁層を気相合成法で
被覆したことから、組織が均質で非常に純度が高く、耐
プラズマ性に優れ、静電チャック表面のピンホールの発
生やエッチングによる劣化も防止でき、前記基体の焼結
体中にわずかな不純物が含まれていたとしても外に放出
されず、かつ静電チャック内の温度分布が窒化アルミニ
ウム質焼結体単体で構成した場合より更に均一化され均
熱性が高まる。
【００１５】一方、基体中に発熱回路を内蔵したことか
ら、静電チャックを小型化でき、信頼性も向上する。
ら、静電チャックを小型化でき、信頼性も向上する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を図面に基づき詳細に述べる。
図１は、本発明の静電チャックの代表的な構造を示す断
面図である。図１において、１は窒化アルミニウム質焼
結体から成る基体２と、基体２の表面に被着形成したモ
リブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）を主成分とする導
電層３と、少なくとも導電層３を覆うように被覆した窒
化アルミニウムを主体とする膜から成る絶縁層４、およ
び基体２中に内蔵した発熱回路５により構成した静電チ
ャックである。
図１は、本発明の静電チャックの代表的な構造を示す断
面図である。図１において、１は窒化アルミニウム質焼
結体から成る基体２と、基体２の表面に被着形成したモ
リブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）を主成分とする導
電層３と、少なくとも導電層３を覆うように被覆した窒
化アルミニウムを主体とする膜から成る絶縁層４、およ
び基体２中に内蔵した発熱回路５により構成した静電チ
ャックである。
【００１７】窒化アルミニウムを主体とする膜から成る
絶縁層４は、静電チャック１の少なくともシリコンウエ
ハーの載置面だけに限るものではなく、半導体製造装置
内に露出している基体２の全表面に被覆しても良い。
絶縁層４は、静電チャック１の少なくともシリコンウエ
ハーの載置面だけに限るものではなく、半導体製造装置
内に露出している基体２の全表面に被覆しても良い。
【００１８】本発明において、基体２の窒化アルミニウ
ム質焼結体は、焼結助剤としてイットリア（Ｙ）やエル
ビウム（Ｅｒ）、イッテリビウム（Ｙｂ）等の周期律表
第３ａ族元素酸化物や、カルシウム（Ｃａ）等のアルカ
リ土類元素化合物を２０重量％以下の割合で含む場合も
あるが、これらの助剤成分は半導体製造装置内で半導体
に対して不純物として作用する恐れがあるため、極力少
ないことが好ましく、例えば特開平５−１１７０３８号
公報に提案されるように助剤成分を添加しない高純度セ
ラミック焼結体であることが望ましい。
ム質焼結体は、焼結助剤としてイットリア（Ｙ）やエル
ビウム（Ｅｒ）、イッテリビウム（Ｙｂ）等の周期律表
第３ａ族元素酸化物や、カルシウム（Ｃａ）等のアルカ
リ土類元素化合物を２０重量％以下の割合で含む場合も
あるが、これらの助剤成分は半導体製造装置内で半導体
に対して不純物として作用する恐れがあるため、極力少
ないことが好ましく、例えば特開平５−１１７０３８号
公報に提案されるように助剤成分を添加しない高純度セ
ラミック焼結体であることが望ましい。
【００１９】また、前記窒化アルミニウム質焼結体は、
サセプタの均熱性や速熱性等の点から熱伝導率が８０Ｗ
／ｍ・Ｋ以上、特に１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが
望ましい。
サセプタの均熱性や速熱性等の点から熱伝導率が８０Ｗ
／ｍ・Ｋ以上、特に１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが
望ましい。
【００２０】尚、窒化アルミニウム質焼結体は、窒化ア
ルミニウム原料粉末に前記焼結助剤を添加混合したもの
を所望の形状に成形した後、窒素等の非酸化性雰囲気中
で１６００〜１９５０℃の温度で焼成することにより得
られる。
ルミニウム原料粉末に前記焼結助剤を添加混合したもの
を所望の形状に成形した後、窒素等の非酸化性雰囲気中
で１６００〜１９５０℃の温度で焼成することにより得
られる。
【００２１】次に、基体２の表面に設けた導電層３は、
モリブデン（Ｍｏ）が７０〜９５重量％、酸化マンガン
（ＭｎＯ）が２〜２０重量％、シリカ（ＳｉＯ2 ）が３
〜１５重量％から成る合金をメタライズすることにより
被着形成されており、特に、マンガン（Ｍｎ）の酸化物
層を基体１に拡散させて密着性を向上させる目的から
は、酸化マンガン（ＭｎＯ）の含有量は３〜１５重量％
が望ましい。
モリブデン（Ｍｏ）が７０〜９５重量％、酸化マンガン
（ＭｎＯ）が２〜２０重量％、シリカ（ＳｉＯ2 ）が３
〜１５重量％から成る合金をメタライズすることにより
被着形成されており、特に、マンガン（Ｍｎ）の酸化物
層を基体１に拡散させて密着性を向上させる目的から
は、酸化マンガン（ＭｎＯ）の含有量は３〜１５重量％
が望ましい。
【００２２】一方、気相合成法により形成された窒化ア
ルミニウムを主体とする膜から成る絶縁層４は、９９％
以上の高純度であるが、絶縁層４中には形成過程で酸素
を含んだＡｌＯＮが共存する場合があり、酸素量が２０
原子％を越えると、基体の窒化アルミニウム質焼結体と
の密着性が低下する恐れがあることから、酸素含有量は
２０原子％以下に制御することが望ましい。
ルミニウムを主体とする膜から成る絶縁層４は、９９％
以上の高純度であるが、絶縁層４中には形成過程で酸素
を含んだＡｌＯＮが共存する場合があり、酸素量が２０
原子％を越えると、基体の窒化アルミニウム質焼結体と
の密着性が低下する恐れがあることから、酸素含有量は
２０原子％以下に制御することが望ましい。
【００２３】また、窒化アルミニウムを主体とする膜か
ら成る絶縁層４の厚さは、０．００１〜１．０ｍｍの範
囲が良く、望ましくは０．０１〜０．８ｍｍ、特に望ま
しくは０．１〜０．６ｍｍの範囲となる。
ら成る絶縁層４の厚さは、０．００１〜１．０ｍｍの範
囲が良く、望ましくは０．０１〜０．８ｍｍ、特に望ま
しくは０．１〜０．６ｍｍの範囲となる。
【００２４】その理由は、前記厚さが０．００１ｍｍ未
満になると耐電圧が小さいことから絶縁破壊を起こして
耐久性が悪くなり、逆に１．０ｍｍを越えると絶縁層４
の形成時間が長くなり、生産性が劣るからである。
満になると耐電圧が小さいことから絶縁破壊を起こして
耐久性が悪くなり、逆に１．０ｍｍを越えると絶縁層４
の形成時間が長くなり、生産性が劣るからである。
【００２５】また、絶縁層４の窒化アルミニウムを主体
とする膜は、高純度で熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、
特に８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上がより望ましい。
とする膜は、高純度で熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、
特に８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上がより望ましい。
【００２６】更に、本発明によれば、基体２の内部にシ
リコンウエハーを保温するための発熱回路５を組み込
み、該発熱回路５はＡｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐ
ｄ、ＷＣ、Ｎｉ等の発熱抵抗体でシリコンウエハーが均
一に保温できるように形成することが望ましく、基体２
との熱膨張差を小さくするという点からはＷやＭｏ、Ｔ
ｉＮ等が挙げられる。
リコンウエハーを保温するための発熱回路５を組み込
み、該発熱回路５はＡｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐ
ｄ、ＷＣ、Ｎｉ等の発熱抵抗体でシリコンウエハーが均
一に保温できるように形成することが望ましく、基体２
との熱膨張差を小さくするという点からはＷやＭｏ、Ｔ
ｉＮ等が挙げられる。
【００２７】また、前記発熱回路５は、窒化アルミニウ
ムを主体とする成形体に前記発熱抵抗体を所定のパター
ンで印刷した後、前記焼成条件で同時に焼成することに
より一体化することができ、前記印刷する際に使用する
ペースト中には窒化アルミニウムや焼結助剤成分を微量
添加して窒化アルミニウム質焼結体と発熱回路５との密
着性を高めることが効果的である。
ムを主体とする成形体に前記発熱抵抗体を所定のパター
ンで印刷した後、前記焼成条件で同時に焼成することに
より一体化することができ、前記印刷する際に使用する
ペースト中には窒化アルミニウムや焼結助剤成分を微量
添加して窒化アルミニウム質焼結体と発熱回路５との密
着性を高めることが効果的である。
【００２８】前記絶縁層４は、周知の気相合成法、例え
ばスパッタリングやイオンプレーティング等のＰＶＤ法
や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ−Ｏ
ｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤ等のＣＶＤ法により容易に形成さ
れるものである。
ばスパッタリングやイオンプレーティング等のＰＶＤ法
や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ−Ｏ
ｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤ等のＣＶＤ法により容易に形成さ
れるものである。
【００２９】次に、本発明の静電チャックを評価するに
あたり、先ず窒化アルミニウム粉末にイットリア（Ｙ2
Ｏ3 ）を２重量％添加して混合した原料をシート状に成
形した後、該シート状成形体表面に窒化アルミニウムを
２重量％含有したＷペーストを用いてスクリーン印刷法
により厚さ２５μm の発熱回路パターンを形成し、それ
を前記同様の他のシート状成形体で挟んで積層し、窒素
雰囲気中、１７５０℃の温度で焼成して発熱回路を内蔵
した厚さ約５ｍｍの窒化アルミニウム質焼結体の円板を
作製した。
あたり、先ず窒化アルミニウム粉末にイットリア（Ｙ2
Ｏ3 ）を２重量％添加して混合した原料をシート状に成
形した後、該シート状成形体表面に窒化アルミニウムを
２重量％含有したＷペーストを用いてスクリーン印刷法
により厚さ２５μm の発熱回路パターンを形成し、それ
を前記同様の他のシート状成形体で挟んで積層し、窒素
雰囲気中、１７５０℃の温度で焼成して発熱回路を内蔵
した厚さ約５ｍｍの窒化アルミニウム質焼結体の円板を
作製した。
【００３０】得られた窒化アルミニウム質焼結体の熱伝
導率をレーザーフラッシュ法で測定したところ、厚さ３
ｍｍの条件で１７２Ｗ／ｍ・Ｋであった。
導率をレーザーフラッシュ法で測定したところ、厚さ３
ｍｍの条件で１７２Ｗ／ｍ・Ｋであった。
【００３１】次に、前記円板上に、静電チャックの電極
パターン形状に厚さ２０〜４０μmの表１に示す組成の
Ｍｏ−Ｍｎ合金から成る導電層をメタライズ法により被
着形成した。
パターン形状に厚さ２０〜４０μmの表１に示す組成の
Ｍｏ−Ｍｎ合金から成る導電層をメタライズ法により被
着形成した。
【００３２】その後、導電層を被着形成した円板をＣＶ
Ｄ処理炉を使用して、表１に示す原料ガスおよび温度条
件で熱ＣＶＤ法により種々の厚さの絶縁層を被覆し、評
価用の試料を作製した。
Ｄ処理炉を使用して、表１に示す原料ガスおよび温度条
件で熱ＣＶＤ法により種々の厚さの絶縁層を被覆し、評
価用の試料を作製した。
【００３３】尚、前記同様の窒化アルミニウム質焼結体
の円板上に、Ｗが３０原子％と窒化アルミニウムが７０
原子％から成るペーストを使用して前記同様の電極パタ
ーンを作製し、窒素雰囲気炉を用いて２００℃の温度で
焼き付け、導電層を被着形成した後、熱ＣＶＤ法により
絶縁層を被覆した試料を比較例とした。
の円板上に、Ｗが３０原子％と窒化アルミニウムが７０
原子％から成るペーストを使用して前記同様の電極パタ
ーンを作製し、窒素雰囲気炉を用いて２００℃の温度で
焼き付け、導電層を被着形成した後、熱ＣＶＤ法により
絶縁層を被覆した試料を比較例とした。
【００３４】
【表１】
【００３５】得られた評価用試料は、別途、基体を研磨
除去した後、燃焼分析法で絶縁層の酸素含有量を測定し
た。
除去した後、燃焼分析法で絶縁層の酸素含有量を測定し
た。
【００３６】また、絶縁層の厚さは、前記評価用試料を
切断した後、走査型電子顕微鏡にて測定した。
切断した後、走査型電子顕微鏡にて測定した。
【００３７】絶縁層の密着性は、室温から８００℃の熱
サイクルを３回繰り返した後、基体とともに評価用試料
を切断し、切断面を実体顕微鏡による目視検査と走査型
電子顕微鏡で検査し、絶縁層や導電層に剥離や亀裂が全
く認められないものを○、一部でも認められるのを×と
して評価した。
サイクルを３回繰り返した後、基体とともに評価用試料
を切断し、切断面を実体顕微鏡による目視検査と走査型
電子顕微鏡で検査し、絶縁層や導電層に剥離や亀裂が全
く認められないものを○、一部でも認められるのを×と
して評価した。
【００３８】
【表２】
【００３９】表１及び表２の結果から明らかなように、
酸素量が２０原子％を越える試料番号１４、１９、２４
や比較例の試料番号２９、３０、３１では、導電層や絶
縁層の剥離現象が認められ密着性不良であり、また絶縁
層の厚さが０．００１ｍｍ未満の試料番号３、２５では
絶縁破壊を起こすのに対して、本発明に係る試料はいず
れも導電層や絶縁層の基体との密着性が優れており、剥
離や亀裂は認められず、絶縁破壊もなかった。
酸素量が２０原子％を越える試料番号１４、１９、２４
や比較例の試料番号２９、３０、３１では、導電層や絶
縁層の剥離現象が認められ密着性不良であり、また絶縁
層の厚さが０．００１ｍｍ未満の試料番号３、２５では
絶縁破壊を起こすのに対して、本発明に係る試料はいず
れも導電層や絶縁層の基体との密着性が優れており、剥
離や亀裂は認められず、絶縁破壊もなかった。
【００４０】
【発明の効果】叙上の如く、本発明に係る静電チャック
は、半導体製造工程において稼働中に静電チャックを構
成する導電層や絶縁層が剥離したりせず、不純物等の汚
染の恐れもなく、高温でも長期に渡り優れた信頼性と安
定性を示し、その上、格別な高純度の原料を用いる必要
もなく、製造コストの低い静電チャックを得ることがで
きる。
は、半導体製造工程において稼働中に静電チャックを構
成する導電層や絶縁層が剥離したりせず、不純物等の汚
染の恐れもなく、高温でも長期に渡り優れた信頼性と安
定性を示し、その上、格別な高純度の原料を用いる必要
もなく、製造コストの低い静電チャックを得ることがで
きる。
【図１】本発明の静電チャックの代表的な構造を示す断
面図である。
面図である。
１ 静電チャック ２ 基体 ３ 導電層 ４ 絶縁層 ５ 発熱回路
Claims (2)
- 【請求項１】窒化アルミニウム質焼結体から成る基体の
表面に、モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）を主成
分とする導電層を被着形成し、少なくとも該導電層上
に、酸素含有量が２０原子％以下で、厚さが０．００１
〜１．０ｍｍの窒化アルミニウムを主体とする膜を気相
合成法で被覆した絶縁層を有することを特徴とする静電
チャック。 - 【請求項２】窒化アルミニウム質焼結体から成る基体の
表面に、モリブデン（Ｍｏ）とマンガン（Ｍｎ）を主成
分とする導電層を被着形成し、少なくとも該導電層上
に、酸素含有量が２０原子％以下で、厚さが０．００１
〜１．０ｍｍの窒化アルミニウムを主体とする膜を気相
合成法で被覆した絶縁層を有し、前記基体中に発熱回路
を内蔵することを特徴とする静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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