JPH07307564A - 配線板の製造法 - Google Patents
配線板の製造法Info
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- JPH07307564A JPH07307564A JP6096339A JP9633994A JPH07307564A JP H07307564 A JPH07307564 A JP H07307564A JP 6096339 A JP6096339 A JP 6096339A JP 9633994 A JP9633994 A JP 9633994A JP H07307564 A JPH07307564 A JP H07307564A
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-
- H—ELECTRICITY
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-
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】３次元的に外部と導通できる配線板を提供す
る。 【構成】電解銅箔にニッケルをめっきし、続いて、レジ
スト像を形成し、銅をめっきし導体を形成した。レジス
トを剥離後、接着剤層を塗布したポリイミドフィルムを
積層した。次に、電解銅箔、ニッケル層をエッチング除
去した。次に、所望場所にエキシマレーザを照射し、ポ
リイミド及び接着剤を必要な深さにエッチング除去し
た。配線側部には接着剤層が残存し、配線板を保持して
いた。 【効果】両面アクセス構造を有し、しかも微細配線パタ
ーンを有す配線板を安定的に供給できる。
る。 【構成】電解銅箔にニッケルをめっきし、続いて、レジ
スト像を形成し、銅をめっきし導体を形成した。レジス
トを剥離後、接着剤層を塗布したポリイミドフィルムを
積層した。次に、電解銅箔、ニッケル層をエッチング除
去した。次に、所望場所にエキシマレーザを照射し、ポ
リイミド及び接着剤を必要な深さにエッチング除去し
た。配線側部には接着剤層が残存し、配線板を保持して
いた。 【効果】両面アクセス構造を有し、しかも微細配線パタ
ーンを有す配線板を安定的に供給できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線板の製造法に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】電子装置の組立てにおいて、配線基板の
所望箇所に部品との接続用端子を設けることが必要であ
る。配線基板の所望箇所には２次元的に指定される他、
３次元的に指定される場合とがある。３次元的に指定さ
れる場合は、配線基板の両面から接続が可能となるよう
にしておかねばならない。このような方法はフレキシブ
ル配線基板の製造法において、一般的に実施可能であ
る。また。ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板にお
いても広く採用されている。
所望箇所に部品との接続用端子を設けることが必要であ
る。配線基板の所望箇所には２次元的に指定される他、
３次元的に指定される場合とがある。３次元的に指定さ
れる場合は、配線基板の両面から接続が可能となるよう
にしておかねばならない。このような方法はフレキシブ
ル配線基板の製造法において、一般的に実施可能であ
る。また。ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板にお
いても広く採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配線導
体パターンが微細化に十分対応し切れていない。本発明
は、両面アクセス構造をもち、微細パターン配線導体の
形成が可能な配線板の製造方法を提供するものである。
体パターンが微細化に十分対応し切れていない。本発明
は、両面アクセス構造をもち、微細パターン配線導体の
形成が可能な配線板の製造方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、他の電子部品
等の接続が３次元的に指定される場合に必要な技術に関
し、１層配線導体において両面から電極に接続できる構
造としたものである。
等の接続が３次元的に指定される場合に必要な技術に関
し、１層配線導体において両面から電極に接続できる構
造としたものである。
【０００５】本発明は、仮基板上に配線導体パターンを
形成し、絶縁材を積層し、絶縁材中に配線導体を埋め込
み、仮基板を除去すると共に、所定の配線導体パターン
部分の絶縁材を除去し、所定の配線導体パターンが、側
部において絶縁材と接着、保持されるようにするもので
ある。仮基板は導電性のもの、例えば、電解銅箔、圧延
銅箔、又は、プラスチックフィルム等も使用できる。
形成し、絶縁材を積層し、絶縁材中に配線導体を埋め込
み、仮基板を除去すると共に、所定の配線導体パターン
部分の絶縁材を除去し、所定の配線導体パターンが、側
部において絶縁材と接着、保持されるようにするもので
ある。仮基板は導電性のもの、例えば、電解銅箔、圧延
銅箔、又は、プラスチックフィルム等も使用できる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例を説明するものであ
る。電解銅箔１（厚さ０．０３５ｍｍ）に厚さ０．００
１ｍｍのニッケル２をめっきした後（図１−ａ）、ドラ
イフィルムレジストをラミネートした。続いて、配線パ
ターンを露光現像し、レジスト３を形成した（図１−
ｂ）。次に、銅を約０．０２０ｍｍの厚さにめっきし導
体４を形成した（図１−ｃ）。レジストを剥離後（図１
−ｄ）、厚さ０．０３ｍｍの接着剤層５を塗布した厚さ
０．０２ｍｍのポリイミドフィルム６を積層した（図１
−ｅ）。積層条件は、１７０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ2 、
３０分の加熱加圧である。次に、電解銅箔１をアルカリ
エッチャントでエッチングした。アルカリエッチャント
は、ニッケルをエッチングせず、銅のみをエッチングす
る。次いで、ニッケル層２をニッケルエッチャントを用
いてエッチング除去した（図１−ｆ）。次に、所望場所
に波長２４８ｎｍの、エキシマレーザを照射し、ポリイ
ミド及び接着剤を必要な深さにエッチング除去した。用
いたエキシマレーザは、０．０００２ｍｍ／パルスの加
工速度であるので、必要な加工深さはパルス数を制御す
ることにより得られる。この場合は、約１５０パルスで
配線の露出が可能であった。また、配線側部には接着剤
層が残存し、配線を保持していた（図１−ｇ）。
る。電解銅箔１（厚さ０．０３５ｍｍ）に厚さ０．００
１ｍｍのニッケル２をめっきした後（図１−ａ）、ドラ
イフィルムレジストをラミネートした。続いて、配線パ
ターンを露光現像し、レジスト３を形成した（図１−
ｂ）。次に、銅を約０．０２０ｍｍの厚さにめっきし導
体４を形成した（図１−ｃ）。レジストを剥離後（図１
−ｄ）、厚さ０．０３ｍｍの接着剤層５を塗布した厚さ
０．０２ｍｍのポリイミドフィルム６を積層した（図１
−ｅ）。積層条件は、１７０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ2 、
３０分の加熱加圧である。次に、電解銅箔１をアルカリ
エッチャントでエッチングした。アルカリエッチャント
は、ニッケルをエッチングせず、銅のみをエッチングす
る。次いで、ニッケル層２をニッケルエッチャントを用
いてエッチング除去した（図１−ｆ）。次に、所望場所
に波長２４８ｎｍの、エキシマレーザを照射し、ポリイ
ミド及び接着剤を必要な深さにエッチング除去した。用
いたエキシマレーザは、０．０００２ｍｍ／パルスの加
工速度であるので、必要な加工深さはパルス数を制御す
ることにより得られる。この場合は、約１５０パルスで
配線の露出が可能であった。また、配線側部には接着剤
層が残存し、配線を保持していた（図１−ｇ）。
【０００７】図２は、本発明の配線板の断面図を示すも
ので１はポリイミドフィルム、２は接着剤、３は配線導
体である。本発明の配線板は、配線導体の側部におい
て、絶縁材と接着することにより保持されている配線構
造を含むものである。絶縁材は、導体頭部が露出し、側
部に残るよう除去されるよう選択的に除去される。
ので１はポリイミドフィルム、２は接着剤、３は配線導
体である。本発明の配線板は、配線導体の側部におい
て、絶縁材と接着することにより保持されている配線構
造を含むものである。絶縁材は、導体頭部が露出し、側
部に残るよう除去されるよう選択的に除去される。
【０００８】図３は、本発明の他の実施例を説明するも
のである。片面に厚さ１２μｍの銅箔７を有する銅張り
ポリイミドフィルム８（図３−ａ）（日立化成工業株式
会社製：商品名ＭＣＦ−５０００Ｉ、ポリイミド厚さ２
５μｍ）の銅箔上に厚さ１５μｍドライフィルムレジス
ト（日立化成工業株式会社製：商品名ＨＳ−４１５−Ｅ
Ｄ）をラミネートした。ラミネート条件は、圧力３０ｐ
ｓｉ、ロール温度１１０℃及びロール送り速度０．８ｍ
／分である。続いて、フォトマスクを用いて所望する領
域を露光し、現像により所定のレジストパターン９を得
た（図３−ｂ）。露光は露光量３５ｍＪ／ｃｍ2 で行
い、現像液には、０．５ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液
を用いた。次に、４０℃、ボーメ度３５の塩化第二鉄溶
液で所定の銅箔部分をエッチング除去し配線を得た。レ
ジストパターンを３ｗｔ％、３５℃の水酸化カリウム水
溶液で剥離した後（図３−ｃ）、予め所望する部分１１
を金型で打ち抜いた接着剤付きポリイミドシート１２
（ニッカン工業株式会社製：商品名ＣＵＳＶ−２０３
５）を配線面に積層した（図３−ｄ）。積層条件は、１
７０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 、６０分の加熱加圧であ
る。次に所望する部分に波長２４８ｎｍのエキシマレー
ザを照射し、ポリイミドを必要な深さにエッチング除去
した。用いたエキシマレーザは、０．０００２ｍｍ／パ
ルスの加工速度であるので、必要な加工深さはニパルス
数を制御することにより得られる。この場合は、約１３
０パルスで所定の部分１３の配線を露光させることが可
能であった。また、配線側部にはポリイミドが残存し、
配線を保持していた（図３−ｅ）。
のである。片面に厚さ１２μｍの銅箔７を有する銅張り
ポリイミドフィルム８（図３−ａ）（日立化成工業株式
会社製：商品名ＭＣＦ−５０００Ｉ、ポリイミド厚さ２
５μｍ）の銅箔上に厚さ１５μｍドライフィルムレジス
ト（日立化成工業株式会社製：商品名ＨＳ−４１５−Ｅ
Ｄ）をラミネートした。ラミネート条件は、圧力３０ｐ
ｓｉ、ロール温度１１０℃及びロール送り速度０．８ｍ
／分である。続いて、フォトマスクを用いて所望する領
域を露光し、現像により所定のレジストパターン９を得
た（図３−ｂ）。露光は露光量３５ｍＪ／ｃｍ2 で行
い、現像液には、０．５ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液
を用いた。次に、４０℃、ボーメ度３５の塩化第二鉄溶
液で所定の銅箔部分をエッチング除去し配線を得た。レ
ジストパターンを３ｗｔ％、３５℃の水酸化カリウム水
溶液で剥離した後（図３−ｃ）、予め所望する部分１１
を金型で打ち抜いた接着剤付きポリイミドシート１２
（ニッカン工業株式会社製：商品名ＣＵＳＶ−２０３
５）を配線面に積層した（図３−ｄ）。積層条件は、１
７０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 、６０分の加熱加圧であ
る。次に所望する部分に波長２４８ｎｍのエキシマレー
ザを照射し、ポリイミドを必要な深さにエッチング除去
した。用いたエキシマレーザは、０．０００２ｍｍ／パ
ルスの加工速度であるので、必要な加工深さはニパルス
数を制御することにより得られる。この場合は、約１３
０パルスで所定の部分１３の配線を露光させることが可
能であった。また、配線側部にはポリイミドが残存し、
配線を保持していた（図３−ｅ）。
【０００９】図４は、本発明の更に他の実施例を説明す
るものである。片面に厚さ１２μｍの銅箔７を有する銅
張りポリイミドフィルム８（図４−ａ）（日立化成工業
株式会社製：商品名ＭＣＦ−５０００Ｉ、ポリイミド厚
さ２５μｍ）の銅箔上に厚さ１５μｍドライフィルムレ
ジスト（日立化成工業株式会社製：商品名ＨＳ−４１５
−ＥＤ）をラミネートした。ラミネート条件は、圧力３
０ｐｓｉ、ロール温度１１０℃及びロール送り速度０．
８ｍ／分である。続いて、フォトマスクを用いて所望す
る領域を露光し、現像により所定のレジストパターン９
を得た（図４−ｂ）。露光は露光量３５ｍＪ／ｃｍ2 で
行い、現像液には、０．５ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶
液を用いた。次に、４０℃、ボーメ度３５の塩化第二鉄
溶液で所定の銅箔部分をエッチング除去し配線を得た。
レジストパターンを３ｗｔ％、３５℃の水酸化カリウム
水溶液で剥離した後（図４−ｃ）、予め所望する部分１
１を金型で打ち抜いた接着剤付きポリイミドシート１２
（ニッカン工業株式会社製：商品名ＣＵＳＶ−２０３
５）を配線面に積層した（図４−ｄ）。積層条件は、１
７０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 、６０分の加熱加圧であ
る。次に所望する部分に波長２４８ｎｍのエキシマレー
ザを照射し、ポリイミド及び接着剤層を必要な深さにエ
ッチング除去した。用いたエキシマレーザは、０．００
０２ｍｍ／パルスの加工速度であるので、必要な加工深
さはニパルス数を制御することにより得られる。この場
合は、約１８０パルスで所定の部分１３の配線を露光さ
せることが可能であった。また、配線側部にはポリイミ
ドが残存し、配線を保持していた（図４−ｅ）。
るものである。片面に厚さ１２μｍの銅箔７を有する銅
張りポリイミドフィルム８（図４−ａ）（日立化成工業
株式会社製：商品名ＭＣＦ−５０００Ｉ、ポリイミド厚
さ２５μｍ）の銅箔上に厚さ１５μｍドライフィルムレ
ジスト（日立化成工業株式会社製：商品名ＨＳ−４１５
−ＥＤ）をラミネートした。ラミネート条件は、圧力３
０ｐｓｉ、ロール温度１１０℃及びロール送り速度０．
８ｍ／分である。続いて、フォトマスクを用いて所望す
る領域を露光し、現像により所定のレジストパターン９
を得た（図４−ｂ）。露光は露光量３５ｍＪ／ｃｍ2 で
行い、現像液には、０．５ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶
液を用いた。次に、４０℃、ボーメ度３５の塩化第二鉄
溶液で所定の銅箔部分をエッチング除去し配線を得た。
レジストパターンを３ｗｔ％、３５℃の水酸化カリウム
水溶液で剥離した後（図４−ｃ）、予め所望する部分１
１を金型で打ち抜いた接着剤付きポリイミドシート１２
（ニッカン工業株式会社製：商品名ＣＵＳＶ−２０３
５）を配線面に積層した（図４−ｄ）。積層条件は、１
７０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ2 、６０分の加熱加圧であ
る。次に所望する部分に波長２４８ｎｍのエキシマレー
ザを照射し、ポリイミド及び接着剤層を必要な深さにエ
ッチング除去した。用いたエキシマレーザは、０．００
０２ｍｍ／パルスの加工速度であるので、必要な加工深
さはニパルス数を制御することにより得られる。この場
合は、約１８０パルスで所定の部分１３の配線を露光さ
せることが可能であった。また、配線側部にはポリイミ
ドが残存し、配線を保持していた（図４−ｅ）。
【００１０】
【発明の効果】本発明により、両面アクセス構造を有す
る配線基板を安定的に供給可能になった。また、配線側
部を絶縁樹脂で支える構造であるため、配線の微細化に
有利になった。
る配線基板を安定的に供給可能になった。また、配線側
部を絶縁樹脂で支える構造であるため、配線の微細化に
有利になった。
【図１】本発明の一実施例を説明する断面図である。
【図２】本発明の配線板の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を説明する断面図である。
【図４】本発明の更に他の実施例を説明する断面図であ
る。
る。
１ 電解銅箔 ２ ニッケル層 ３ レジスト ４ 配線導体 ５ 接着剤 ６ ポリイミドフィルム ７ 銅箔 ８ ポリイミドフィルム ９ レジストパターン １０ 配線導体 １１ 第１の接続孔 １２ 接着剤付きポリイミドシート １３ 第２の接続孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大畑 洋人 茨城県つくば市和台48番 日立化成工業株 式会社筑波開発研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】仮基板上に配線導体パターンを形成する工
程、絶縁材を積層する配線導体パターンを絶縁材に埋め
込む工程、仮基板を除去する工程、絶縁材の所定の一部
分を絶縁材から配線導体頭部が露出し同時に配線導体側
部に残るように選択的に除去する工程を含む配線板の製
造法。 - 【請求項２】第１の絶縁シート上に化学エッチング法で
配線導体を形成する工程、配線導体上に第２の絶縁シー
トを積層する工程、絶縁層の所望する部分を除去する工
程を含むことを特徴とする配線板の製造方法。 - 【請求項３】配線導体の側部において絶縁材と接着する
ことにより保持されている配線構造を有す配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09633994A JP3750140B2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09633994A JP3750140B2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 配線板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307564A true JPH07307564A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3750140B2 JP3750140B2 (ja) | 2006-03-01 |
Family
ID=14162263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09633994A Expired - Fee Related JP3750140B2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3750140B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030090383A (ko) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | 한국과학기술원 | 인쇄회로기판의 제조방법 및 동 방법에 의해 제조한인쇄회로기판 |
| KR20040017478A (ko) * | 2002-08-21 | 2004-02-27 | 한국과학기술원 | 인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판 |
| WO2004077905A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 電子部品の製造方法、および基体シート |
| JP2006310689A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Nippon Mektron Ltd | ダブルアクセス型可撓性回路基板の製造方法 |
| KR100782407B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2007-12-05 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 제조방법 |
| KR100782403B1 (ko) * | 2006-10-25 | 2007-12-07 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 제조방법 |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP09633994A patent/JP3750140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030090383A (ko) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | 한국과학기술원 | 인쇄회로기판의 제조방법 및 동 방법에 의해 제조한인쇄회로기판 |
| KR20040017478A (ko) * | 2002-08-21 | 2004-02-27 | 한국과학기술원 | 인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판 |
| WO2004077905A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 電子部品の製造方法、および基体シート |
| US7987590B2 (en) | 2003-02-27 | 2011-08-02 | Tdk Corporation | Method for manufacturing an electronic part |
| JP2006310689A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Nippon Mektron Ltd | ダブルアクセス型可撓性回路基板の製造方法 |
| TWI384915B (zh) * | 2005-05-02 | 2013-02-01 | Nippon Mektron Kk | 雙接達型撓性電路板的製造方法 |
| KR100782403B1 (ko) * | 2006-10-25 | 2007-12-07 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 제조방법 |
| KR100782407B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2007-12-05 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3750140B2 (ja) | 2006-03-01 |
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| JP4337408B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 |
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