JPH0729962A - Method and device for evacuation - Google Patents
Method and device for evacuationInfo
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- JPH0729962A JPH0729962A JP19682493A JP19682493A JPH0729962A JP H0729962 A JPH0729962 A JP H0729962A JP 19682493 A JP19682493 A JP 19682493A JP 19682493 A JP19682493 A JP 19682493A JP H0729962 A JPH0729962 A JP H0729962A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、搬送室等のチャンバを
真空排気する方法および装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for evacuating a chamber such as a transfer chamber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、ＣＶＤ装置、ドライエッチング
装置、スパッタ装置等の半導体製造装置では、プロセス
チャンバ内部で真空を破壊することなくプロセスを継続
できるようにするため、プロセスチャンバにゲートバル
ブを介してウエハ搬送室を連結している。ウエハ搬送室
の室内には搬送アームが設けられ、減圧状態の下でこの
搬送アームがカセットチャンバとプロセスチャンバとの
間で半導体ウエハを搬送する。ウエハ搬送室内を真空排
気する従来の方法は、専らターボ分子ポンプやクライオ
ポンプ等の真空ポンプを用いて室内を真空引きする方法
であった。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor manufacturing apparatus such as a CVD apparatus, a dry etching apparatus, a sputtering apparatus or the like, in order to allow the process to continue without breaking the vacuum inside the process chamber, a gate valve is provided in the process chamber. The wafer transfer chambers are connected. A transfer arm is provided inside the wafer transfer chamber, and transfers the semiconductor wafer between the cassette chamber and the process chamber under reduced pressure. The conventional method of evacuating the wafer transfer chamber has been a method of evacuating the chamber exclusively using a vacuum pump such as a turbo molecular pump or a cryopump.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記のように真空ポン
プによってウエハ搬送室内を真空引きしても、室内には
Ｈ2 ＯやＯ2 等の大気中分子が残留しやすく、それらの
Ｈ2 Ｏ分子やＯ2 分子によってウエハ表面が酸化される
おそれがある。また、プロセスチャンバからウエハ搬送
室に入ってきた未反応ガス、反応生成物等のプロセスガ
スが搬送室内に残留していると、搬送アームが腐食する
おそれもある。Even if the inside of the wafer transfer chamber is evacuated by the vacuum pump as described above, molecules in the atmosphere such as H2O and O2 tend to remain in the chamber, and these H2O molecules and O2 are likely to remain. The molecules may oxidize the wafer surface. Further, if process gases such as unreacted gas and reaction products that have entered the wafer transfer chamber from the process chamber remain in the transfer chamber, the transfer arm may be corroded.
【０００４】そこで従来は、ウエハ搬送室からそれらの
有害なガスを排除するために、真空ポンプの排気能力を
高める工夫を行っていた。しかし、この方法によると、
真空排気設備のコストが上がる割には、有害ガスの排気
効率はそれほど上がらない。さらに、プロセスチャンバ
以上にウエハ搬送室を減圧することができないという制
限もある。つまり、搬送室の真空度がプロセスチャンバ
の真空度を超えたならば、プロセスチャンバから多量の
プロセスガスが搬送室へ流入し、流入したプロセスガス
がそこから他のプロセスチャンバへ入ったりカセットチ
ャンバ等を通って装置外部へ流出したときは、クロスコ
ンタミネーションや環境破壊を招くおそれがある。した
がって、たとえばプロセスチャンバの真空度が１×１０
-5Ｔｏｒｒ程度の場合、搬送室の真空度は１×１０-4Ｔ
ｏｒｒ程度が限度で、これ以上高くすることはできな
い。Therefore, conventionally, in order to remove the harmful gases from the wafer transfer chamber, the vacuum pump has been devised so as to enhance the exhaust capability. But according to this method,
Although the cost of the vacuum exhaust equipment increases, the exhaust efficiency of harmful gas does not increase so much. Further, there is a limitation that the pressure in the wafer transfer chamber cannot be reduced more than that in the process chamber. In other words, if the vacuum level of the transfer chamber exceeds the vacuum level of the process chamber, a large amount of process gas flows from the process chamber into the transfer chamber, and the process gas that has flowed in enters another process chamber or a cassette chamber or the like. If it flows out through the device to the outside of the device, it may cause cross contamination or environmental damage. Therefore, for example, if the vacuum degree of the process chamber is 1 × 10
-5 Torr, the degree of vacuum in the transfer chamber is 1 × 10 -4 T
It is limited to about orr and cannot be higher than this.
【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、搬送室等のチャンバから有害なガスを効果的に
排除するようにした真空排気方法および装置を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a vacuum exhaust method and apparatus for effectively removing harmful gas from a chamber such as a transfer chamber.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の真空排気方法は、被処理体を保管
もしくは移送し、または処理するための所定のチャンバ
の室内を真空に排気する方法において、前記チャンバ内
に所望のガスを供給しながら、前記チャンバの中から気
体を非選択的に外へ排気し、かつ前記所望のガスの凝固
点よりも高い温度で前記チャンバ内の気体分子を選択的
に凝結排気する方法とした。In order to achieve the above-mentioned object, a first vacuum exhaust method of the present invention is to vacuum the inside of a predetermined chamber for storing or transferring an object to be processed or processing. In the method of exhausting into the chamber, while supplying a desired gas into the chamber, the gas is non-selectively exhausted to the outside from the chamber, and the gas in the chamber is heated at a temperature higher than the freezing point of the desired gas. A method for selectively condensing and exhausting gas molecules was adopted.
【０００７】本発明の第２の真空排気方法は、被処理体
を保管もしくは移送し、または処理するための所定のチ
ャンバの室内を真空に排気する真空排気方法において、
前記チャンバの中から気体を非選択的に外へ排気して前
記チャンバの室内を所定の第１の圧力まで減圧してから
前記チャンバ内に所望のガスを供給し、前記チャンバの
室内が所定の第２の圧力に達したのち前記所望のガスの
凝固点よりも高い温度で前記チャンバ内の気体分子を選
択的に凝結排気する方法とした。A second vacuum evacuation method of the present invention is a vacuum evacuation method for evacuating a chamber of a predetermined chamber for storing or transferring an object to be processed or processing the object.
A gas is non-selectively exhausted to the outside from the chamber to reduce the pressure in the chamber to a predetermined first pressure, and then a desired gas is supplied into the chamber so that the chamber has a predetermined pressure. After reaching the second pressure, the gas molecules in the chamber are selectively condensed and exhausted at a temperature higher than the freezing point of the desired gas.
【０００８】本発明の第１の真空排気装置は、被処理体
を保管もしくは移送し、または処理するための所定のチ
ャンバの室内を真空に排気する真空排気装置において、
前記チャンバ内に所望のガスを供給するガス供給手段
と、前記チャンバの中から気体を非選択的に外へ排気す
る第１の排気手段と、前記チャンバ内で前記ガスの凝固
点よりも高い温度で気体分子を選択的に凝結排気する第
２の排気手段と、前記ガス供給手段、前記第１の排気手
段および前記第２の排気手段の動作を制御する制御手段
とを具備する構成とした。A first vacuum evacuation device of the present invention is a vacuum evacuation device for evacuating a chamber of a predetermined chamber for storing or transferring an object to be processed, or for processing the object,
A gas supply means for supplying a desired gas into the chamber, a first exhaust means for non-selectively exhausting gas from the chamber to the outside, and a temperature higher than the freezing point of the gas in the chamber. A second exhaust means for selectively condensing and exhausting gas molecules and a control means for controlling the operations of the gas supply means, the first exhaust means and the second exhaust means are provided.
【０００９】また、本発明の第２の真空排気装置は、被
処理体を保管もしくは移送し、または処理するための所
定の第１のチャンバの室内を真空に排気する真空排気装
置において、前記第１のチャンバの室内を第２のチャン
バの室内に接続するための開閉手段と、前記第１のチャ
ンバの室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、前
記第１のチャンバの室内から気体を非選択的に室外へ排
気する第１の排気手段と、前記第１のチャンバの室内で
前記開閉手段に隣接した位置に設けられ、前記第１のチ
ャンバ内で前記ガスの凝固点よりも高い温度で気体分子
を選択的に凝結排気する第２の排気手段と、前記ガス供
給手段、前記第１の排気手段および前記第２の排気手段
の動作を制御し、前記第１のチャンバ内の圧力を所望の
値に制御する制御手段とを具備する構成とした。A second vacuum evacuation device of the present invention is the vacuum evacuation device for evacuating the chamber of a predetermined first chamber for storing or transferring an object to be processed, or processing the object to be evacuated. An opening / closing means for connecting the chamber of the first chamber to the chamber of the second chamber, a gas supply means for supplying a desired gas into the chamber of the first chamber, and a gas from the chamber of the first chamber. A first exhaust means for non-selectively exhausting to the outside of the room, and a first exhaust means provided in a position adjacent to the opening / closing means in the chamber of the first chamber, at a temperature higher than the freezing point of the gas in the first chamber. A second exhaust means for selectively condensing and exhausting gas molecules, and operations of the gas supply means, the first exhaust means, and the second exhaust means are controlled, and the pressure in the first chamber is desired. Control to control the value of It was configured to and a stage.
【００１０】[0010]
【作用】最初に、第１の排気手段を作動させると、チャ
ンバ内に存在している全てのガスが非選択的に室外へ排
出され、チャンバ内は減圧状態になる。次に、第１の排
気手段を作動させたまま、ガス供給手段を作動させる
と、チャンバ内に所望のガスが供給されることによっ
て、チャンバ内でその所望のガスの分圧および絶対量が
増大し、他のガスつまり不所望なガスの分圧および絶対
量が減少する。次に、第１の排気手段およびガス供給手
段を作動させたまま、第２の排気手段を作動させると、
該所望のガスの凝固点よりも高い凝固点を有する気体分
子が凝結排気され、所望のガスの分圧および絶対量はさ
らに増大し、不所望のガスの分圧および絶対量はさらに
減少する。First, when the first exhaust means is operated, all the gas existing in the chamber is non-selectively discharged to the outside of the chamber, and the inside of the chamber is in a reduced pressure state. Next, when the gas supply means is operated while the first exhaust means is operated, the desired gas is supplied into the chamber, and the partial pressure and absolute amount of the desired gas increase in the chamber. However, the partial pressure and absolute amount of the other gas, that is, the undesired gas, is reduced. Next, when the second exhaust means is operated while the first exhaust means and the gas supply means are operated,
Gas molecules having a freezing point higher than the freezing point of the desired gas are condensed and exhausted, the partial pressure and absolute amount of the desired gas are further increased, and the partial pressure and absolute amount of the undesired gas are further decreased.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の一実施例による真空排気装置
を備えた半導体製造装置の構成を示す。この半導体製造
装置は、半導体製造工程における所定のプロセス（たと
えばＣＶＤ工程）を行うためのプロセスチャンバ１０
と、装置内で半導体ウエハＷの搬送を行うための搬送室
１２と、装置内にウエハカセットＣＲをロード／アンロ
ードするためのロードロック室またはカセットチャンバ
１４とを有する。搬送室１２は、プロセスチャンバ１０
とカセットチャンバ１４との間に設置され、ゲートバル
ブ１６，１８を介して両チャンバ１４，１０と連結され
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a vacuum exhaust apparatus according to an embodiment of the present invention. This semiconductor manufacturing apparatus includes a process chamber 10 for performing a predetermined process (for example, a CVD process) in a semiconductor manufacturing process.
A transfer chamber 12 for transferring the semiconductor wafer W in the apparatus, and a load lock chamber or cassette chamber 14 for loading / unloading the wafer cassette CR in the apparatus. The transfer chamber 12 is the process chamber 10
And the cassette chamber 14, and is connected to both chambers 14 and 10 via gate valves 16 and 18.
【００１２】搬送室１２内には、半導体ウエハＷを搬送
するための伸縮回転自在な搬送アーム２０が設けられて
いる。この搬送アーム２０は、ゲートバルブ１６，１８
を通ってカセットチャンバ１４およびプロセスチャンバ
１０にアクセスし、両チャンバ１４，１０の間で未処理
または処理済の半導体ウエハＷを搬送するように構成さ
れている。Inside the transfer chamber 12, there is provided a transfer arm 20 for transferring the semiconductor wafer W, which can freely extend and contract. This transfer arm 20 includes gate valves 16 and 18
The cassette chamber 14 and the process chamber 10 are accessed therethrough, and the unprocessed or processed semiconductor wafer W is transferred between the chambers 14 and 10.
【００１３】カセットチャンバ１４には、この半導体製
造装置でプロセスを受けるべき半導体ウエハＷをたとえ
ば２５枚収容したウエハカセットＣＲがロードされる。
カセットチャンバ１４にカセットＣＲがロードされる
と、カセット出入口１４ａが閉じる。次に、図示しない
カセットチャンバ排気系により所望の圧力までカセット
チャンバ１４の排気が行われ、次いでゲートバルブ１８
が開いてカセットチャンバ１４と搬送室１２とが連通す
る。一方、搬送室１２は、本実施例の真空排気装置によ
って予め大気圧から所定の真空度たとえば１×１０-3Ｔ
ｏｒｒ程度まで真空排気されている。プロセスチャンバ
１０は、図示しない専用の真空ポンプによって所定の真
空度たとえば１×１０-4Ｔｏｒｒ程度まで真空排気され
る。A wafer cassette CR containing, for example, 25 semiconductor wafers W to be processed by the semiconductor manufacturing apparatus is loaded in the cassette chamber 14.
When the cassette CR is loaded in the cassette chamber 14, the cassette entrance / exit 14a is closed. Next, the cassette chamber 14 is evacuated to a desired pressure by a cassette chamber exhaust system (not shown), and then the gate valve 18
Is opened and the cassette chamber 14 and the transfer chamber 12 communicate with each other. On the other hand, the transfer chamber 12 is preliminarily heated to a predetermined vacuum degree, for example, 1 × 10 −3 T from atmospheric pressure by the vacuum exhaust device of this embodiment.
It is evacuated to about orr. The process chamber 10 is evacuated to a predetermined vacuum degree, for example, about 1 × 10 −4 Torr by a dedicated vacuum pump (not shown).
【００１４】本実施例の真空排気装置は、搬送室１２の
中から気体を非選択的に室外へ排気する第１の排気部２
２と、搬送室１２内に所望の調圧ガスを供給する調圧ガ
ス供給部３０と、該調圧ガスの凝固点よりも高い温度で
搬送室１２内の気体分子を選択的に凝結排気する第２の
排気部４０と、第１および第２の排気部２２，４０なら
びに調圧ガス供給部３０の動作を制御する制御部４６と
を有している。The vacuum evacuation device of this embodiment is configured so that the first evacuation unit 2 for non-selectively evacuating gas from the transfer chamber 12 to the outside of the room.
2, a pressure-regulating gas supply unit 30 for supplying a desired pressure-regulating gas into the transfer chamber 12, and a gas for selectively condensing and exhausting gas molecules in the transfer chamber 12 at a temperature higher than the freezing point of the pressure-adjusting gas. The second exhaust unit 40 and the control unit 46 that controls the operations of the first and second exhaust units 22 and 40 and the pressure-regulated gas supply unit 30 are included.
【００１５】第１の排気部２２は、一端（ガス吸入口）
が搬送室１２の底面より室内に臨んでいる排気管２４
と、この排気管２４の他端に接続された真空ポンプ２６
と、排気管２４に介設された開閉弁２８とから構成され
る。真空ポンプ２６は、たとえばターボ分子ポンプとロ
ータリポンプの組み合わせからなる。The first exhaust portion 22 has one end (gas inlet)
Is exposed to the inside of the transfer chamber 12 from the bottom surface of the exhaust pipe 24
And a vacuum pump 26 connected to the other end of the exhaust pipe 24.
And an on-off valve 28 provided in the exhaust pipe 24. The vacuum pump 26 is, for example, a combination of a turbo molecular pump and a rotary pump.
【００１６】調圧ガス供給部３０は、一端（ガス吐出
口）が搬送室１２の天井面より室内に臨んでいるガス供
給管３２と、このガス供給管３２の他端に接続された調
圧ガス供給源３４と、ガス供給管３２に介設された流量
調整器（ＭＦＣ）３６および開閉弁３８とから構成され
る。The pressure-regulating gas supply unit 30 has a gas supply pipe 32 whose one end (gas discharge port) faces the room from the ceiling surface of the transfer chamber 12, and a pressure-regulating pipe connected to the other end of the gas supply pipe 32. It is composed of a gas supply source 34, a flow rate controller (MFC) 36 and an opening / closing valve 38 provided in the gas supply pipe 32.
【００１７】第２の排気部４０は、搬送室１２の底部に
設置されたトラップ４２と、このトラップ４２に配管４
３を介して冷媒を循環供給する冷媒供給装置４４とから
構成される。トラップ４２は、熱交換を効率的に行うこ
とができるものであれば任意の形状・構造が可能であ
り、たとえばアルミニウム製のパイプまたはチューブを
ラジエータ型に構成したものでよく、パイプに放熱フィ
ンを取付したものでもよい。The second exhaust part 40 has a trap 42 installed at the bottom of the transfer chamber 12 and a pipe 4 connected to the trap 42.
3 and a refrigerant supply device 44 that circulates and supplies the refrigerant. The trap 42 may have any shape and structure as long as it can efficiently perform heat exchange, and may be, for example, an aluminum pipe or tube configured as a radiator, and a heat radiation fin may be provided on the pipe. It may be attached.
【００１８】制御部４６は、第１の排気部２２における
真空ポンプ２６および開閉弁２８、調圧ガス供給部３０
における流量調整器３６および開閉弁３８、ならびに第
２の排気部４０における冷媒供給装置４４を制御するコ
ントローラ４８と、搬送室１２内の圧力を検出し、その
圧力値をコントローラ４８に与える圧力センサ５０とか
ら構成される。コントローラ４８は、マイクロコンピュ
ータなどからなり、上記の真空排気系の各部の制御の外
に搬送アーム２０およびゲートバルブ１６，１８等の制
御をも行い、プロセスチャンバ１０側のコントローラ
（図示せず）、外部のウエハカセット搬送装置（図示せ
ず）および入力装置（図示せず）等とも接続されてい
る。圧力センサ５０は、たとえば電離真空計からなり、
搬送室１２内の圧力を表す電気信号（圧力検知信号）を
出力する。The control unit 46 includes a vacuum pump 26, an opening / closing valve 28, and a pressure-regulating gas supply unit 30 in the first exhaust unit 22.
The controller 48 for controlling the flow rate regulator 36 and the opening / closing valve 38 in the above, and the refrigerant supply device 44 in the second exhaust part 40, and the pressure sensor 50 for detecting the pressure in the transfer chamber 12 and giving the pressure value to the controller 48. Composed of and. The controller 48 is composed of a microcomputer, etc., and also controls the transfer arm 20 and the gate valves 16 and 18 in addition to the control of each part of the vacuum exhaust system, and a controller (not shown) on the process chamber 10 side, It is also connected to an external wafer cassette transfer device (not shown), an input device (not shown), and the like. The pressure sensor 50 includes, for example, an ionization vacuum gauge,
An electric signal (pressure detection signal) representing the pressure in the transfer chamber 12 is output.
【００１９】図２は、搬送室１２の真空排気に関するコ
ントローラ４８の制御動作を示すフローチャートであ
る。このフローチャートにつき本実施例における真空排
気装置の動作を説明する。FIG. 2 is a flow chart showing the control operation of the controller 48 regarding the vacuum exhaust of the transfer chamber 12. The operation of the vacuum exhaust device in this embodiment will be described with reference to this flowchart.
【００２０】搬送室１２の真空排気が行われる前の初期
状態では、第１の排気部２２、調圧ガス供給部３０およ
び第２の排気部４０の各部が停止状態にある。したがっ
て、開閉弁２８，３８は閉じていて、トラップ４２に冷
媒は供給されておらず、ゲートバルブ１６，１８も閉じ
ている。コントローラ４８は、次のようにして搬送室１
２の真空排気を制御する。In the initial state before the vacuum exhaust of the transfer chamber 12 is performed, the first exhaust unit 22, the pressure-controlled gas supply unit 30, and the second exhaust unit 40 are in a stopped state. Therefore, the opening / closing valves 28 and 38 are closed, the refrigerant is not supplied to the trap 42, and the gate valves 16 and 18 are also closed. The controller 48 operates the transfer chamber 1 as follows.
Control the evacuation of 2.
【００２１】先ず、コントローラ４８は、第１の排気部
２２の真空ポンプ２６と開閉弁２８とをポンプの種類や
特性で定められた手順にしたがって作動させる（）。
これにより、密閉状態の搬送室１２内に入っている全て
のガス（主に大気ガス）が非選択的に排気管２４を通っ
て室外へ排出され、搬送室１２の室内は減圧状態にな
る。この真空引きによって、搬送室１２内のガスのう
ち、大気ガス中のＮ2 ガスは速やかに排気されるが、Ｈ
2 Ｏガス、Ｏ2 ガス、残留プロセスガス等は排出しにく
く、その多くが残存し、したがって搬送室１２内で占め
るＨ2 Ｏガス、Ｏ2ガスおよびプロセスガスの割合つま
り分圧比は増大する。First, the controller 48 operates the vacuum pump 26 and the opening / closing valve 28 of the first exhaust unit 22 in accordance with the procedure determined by the type and characteristics of the pump ().
As a result, all the gas (mainly atmospheric gas) contained in the sealed transfer chamber 12 is non-selectively discharged to the outside through the exhaust pipe 24, and the inside of the transfer chamber 12 is depressurized. By this evacuation, N2 gas in the atmospheric gas of the gas in the transfer chamber 12 is quickly exhausted,
It is difficult to discharge 2 O gas, O 2 gas, residual process gas, etc., and most of them remain, so that the proportion of H 2 O gas, O 2 gas and process gas in the transfer chamber 12, that is, the partial pressure ratio increases.
【００２２】第１の排気部２２によって搬送室１２内が
第１の設定圧力たとえば１×１０-4Ｔｏｒｒまで減圧さ
れたなら、コントローラ４８は調圧ガス供給部３０の開
閉弁３８を開け、調圧ガス供給部３０を作動させる
（）。これにより、調圧ガス供給源３４からの調圧ガ
スたとえばＮ2 ガスがガス供給管３２を通って搬送室１
２に供給される（）。一方、第１の排気部２２による
排気も継続して行われる。このようにＮ2 ガスが供給さ
れると同時に真空引きが行われることによって、搬送室
１２内ではＮ2 ガスの分圧比および絶対量が増大すると
同時に、Ｏ2 ガス、Ｈ2 Ｏガスおよびプロセスガスの分
圧比が減少する。また、Ｎ2 ガスに巻き込まれるように
してＯ2 ガス、Ｈ2 Ｏガスおよびプロセスガスも効率的
に室外へ排気されるため、Ｏ2 ガス、Ｈ2 Ｏガスおよび
プロセスガスの絶対量も減少する。さらに、炭化水素等
のパーティクルもＮ2 ガスに巻き込まれるようにして室
外へ排出される。When the inside of the transfer chamber 12 is depressurized to the first set pressure, for example, 1 × 10 -4 Torr by the first exhaust unit 22, the controller 48 opens the on-off valve 38 of the pressure regulating gas supply unit 30 to regulate the pressure. The pressurized gas supply unit 30 is operated (). As a result, the pressure-regulated gas from the pressure-regulated gas supply source 34, such as N2 gas, passes through the gas supply pipe 32 and is transferred to the transfer chamber 1
2 (). On the other hand, the exhaust by the first exhaust unit 22 is also continuously performed. By thus performing the vacuuming at the same time as the supply of N2 gas, the partial pressure ratio and absolute amount of N2 gas in the transfer chamber 12 increase, and at the same time, the partial pressure ratio of O2 gas, H2O gas and process gas increases. Decrease. Further, since the O2 gas, the H2 O gas and the process gas are efficiently exhausted to the outside of the room while being caught in the N2 gas, the absolute amounts of the O2 gas, the H2 O gas and the process gas are also reduced. Further, particles such as hydrocarbons are also caught up in the N2 gas and discharged outside the room.
【００２３】コントローラ４８は、搬送室１２内のガス
が粘性流で排気されるよう排気部２２もしくは調圧ガス
供給部３０の流量調整器３６を制御しながら、室内の圧
力を第２の設定圧力たとえば１×１０-2Ｔｏｒｒに調節
する。その後、第２の排気部４０を作動させる（，
）。第１の排気部２２および調圧ガス供給部３０に対
しては、それぞれの動作を継続させる。The controller 48 controls the flow rate controller 36 of the exhaust unit 22 or the pressure-regulated gas supply unit 30 so that the gas in the transfer chamber 12 is exhausted in a viscous flow, while controlling the pressure inside the chamber to the second set pressure. For example, adjust to 1 × 10 -2 Torr. Then, the second exhaust unit 40 is operated (,,
). The operations of the first exhaust unit 22 and the pressure-controlled gas supply unit 30 are continued.
【００２４】第２の排気部４０においては、冷媒供給装
置４４より所定の冷媒たとえば液体Ｎ2 がトラップ４２
に循環供給され、トラップ４２の表面が液体Ｎ2 の温度
（−２１０〜−１８９゜Ｃ）付近に冷却される。これに
よって、搬送室１２内の気体分子のうち−１８９゜Ｃ以
上の凝固点を有する気体分子とりわけＨ2 Ｏ分子および
プロセスガス分子がトラップ４２で凝結（凍結ないし吸
着）排気される。しかし、凝固点が−２０９．８６゜Ｃ
のＮ2 分子はトラップ４２で凝結排気されることはな
い。また、凝固点が−２１８．４゜ＣのＯ2 分子もトラ
ップ４２では凝結排気されない。In the second exhaust portion 40, a predetermined refrigerant such as liquid N2 is trapped by the refrigerant supply device 44.
And the surface of the trap 42 is cooled to near the temperature of the liquid N2 (-210 to -189 DEG C.). As a result, of the gas molecules in the transfer chamber 12, gas molecules having a freezing point of -189 DEG C. or higher, especially H2 O molecules and process gas molecules, are condensed (frozen or adsorbed) and exhausted by the trap 42. However, the freezing point is -209.86 ° C.
N2 molecules are not condensed and exhausted in the trap 42. O2 molecules having a freezing point of −218.4 ° C. are not condensed and exhausted by the trap 42.
【００２５】この結果、搬送室１２内では、Ｎ2 ガスの
分圧比が急激に増大する一方、Ｈ2Ｏガスおよびプロセ
スガスの分圧比は急激に減少し、Ｏ2 ガスの分圧比もＮ
2 ガスに対しては相対的に減少する。その後に、ウエハ
搬送動作に入る（）。ウエハ搬送動作では、ゲート１
６を開いて搬送アーム２０を作動させ、カセットチャン
バ１４より１枚の未処理の半導体ウエハＷをプロセスチ
ャンバ１０に移し、ゲート１６を閉じる。そして、プロ
セスチャンバ１０でプロセスが終了したなら、ゲート１
６を開いて搬送アーム２０を作動させ、プロセスチャン
バ１０より処理済の半導体ウエハＷをカセットチャンバ
１４に戻し、ゲート１６を閉じる。As a result, in the transfer chamber 12, the partial pressure ratio of N2 gas sharply increases, while the partial pressure ratio of H2O gas and process gas sharply decreases, and the partial pressure ratio of O2 gas also becomes N.
2 Decreases relative to gas. After that, the wafer transfer operation is started (). In wafer transfer operation, gate 1
6 is opened, the transfer arm 20 is operated, one unprocessed semiconductor wafer W is transferred from the cassette chamber 14 to the process chamber 10, and the gate 16 is closed. When the process is completed in the process chamber 10, the gate 1
6 is opened, the transfer arm 20 is operated, the processed semiconductor wafer W is returned from the process chamber 10 to the cassette chamber 14, and the gate 16 is closed.
【００２６】このようなウエハ搬送が行われる度毎に、
プロセスチャンバ１０よりゲート１６を通って僅かなが
らプロセスガスが圧力差に逆らって、あるいは搬送アー
ム２０に付着して搬送室１２内に入ってくる。しかし、
搬送室１２内に入ってきたプロセスガスは、Ｎ2 ガスに
巻き込まれるようにして室外へ排出されるか、トラップ
４２に捕捉されるため、搬送室１２内にガスとして残留
する量は少ない。Each time such wafer transfer is performed,
A small amount of process gas passes from the process chamber 10 through the gate 16 against the pressure difference or adheres to the transfer arm 20 and enters the transfer chamber 12. But,
The process gas that has entered the transfer chamber 12 is discharged outside while being entrained by the N2 gas, or is trapped by the trap 42, so that the amount of gas remaining in the transfer chamber 12 as a gas is small.
【００２７】このように、本実施例の真空排気装置にお
いては、調圧ガス供給部３０によって搬送室１２内に調
圧ガスを供給しながら、第１の排気部２２によって搬送
室１２内のガスを非選択的に室外へ排気し、かつ第２の
排気部２２によって該調圧ガスの凝固点よりも高い温度
で搬送室１２内の気体分子を選択的に凝結排気するの
で、１×１０-3程度の減圧下で搬送室１２からＨ2 Ｏそ
の他の有害なガス（コンタミナントガス）を効率的に排
除することができる。したがって、真空ポンプ２６に高
い費用をかけることなく、残留水分による半導体ウエハ
Ｗの酸化、プロセスチャンバ１０からのプロセスガスの
逆流による搬送アーム２０の腐食およびプロセス・チャ
ンバ間のクロスコンタミネーション等を効果的に防止す
ることができる。As described above, in the vacuum exhaust apparatus of this embodiment, while the pressure regulating gas is supplied into the transfer chamber 12 by the pressure regulating gas supply unit 30, the gas in the transfer chamber 12 is controlled by the first exhaust unit 22. It was evacuated to non-selectively outdoor, and so by the second exhaust unit 22 to selectively condense the exhaust gas molecules transfer chamber 12 at a temperature higher than the freezing point of該調pressure gas, 1 × 10 -3 H2O and other harmful gases (contaminant gas) can be efficiently removed from the transfer chamber 12 under a moderately reduced pressure. Therefore, it is possible to effectively oxidize the semiconductor wafer W due to the residual water content, corrode the transfer arm 20 due to the backflow of the process gas from the process chamber 10 and cross-contaminate between the process chambers without incurring high costs for the vacuum pump 26. Can be prevented.
【００２８】ウエハカセットＣＲが処理済の半導体ウエ
ハＷで一杯になると、１カセット分のウエハ搬送動作が
終了し（）、コントローラ４８は第１および第２の排
気部２２，４０ならびに調圧ガス供給部３０の動作を停
止させ、リセット状態に戻る（）。その後、ウエハカ
セットＣＲは外部のカセット搬送装置（図示せず）によ
ってカセットチャンバ１４から搬出される。When the wafer cassette CR is filled with the processed semiconductor wafer W, the wafer transfer operation for one cassette is completed (), and the controller 48 causes the first and second exhaust portions 22 and 40 and the pressure-regulated gas supply. The operation of the unit 30 is stopped, and the state returns to the reset state (). Then, the wafer cassette CR is carried out of the cassette chamber 14 by an external cassette carrying device (not shown).
【００２９】調圧ガス供給部３０より搬送室１２内に供
給される調圧ガスおよび第２の排気部４０において冷媒
供給装置４４よりトラップ４２に供給される冷媒はそれ
ぞれＮ2 ガスおよび液体Ｎ2 に限るものではなく、図３
および図５に示すような種々の調圧ガス、冷媒の組み合
わせが可能である。要は、トラップ４２に供給される冷
媒によっては凝結しない調圧ガスを選択すればよい。し
たがって、たとえば液体Ｎ2 を冷媒として用いる場合
は、Ｎ2 の冷却温度（約−２００゜Ｃ）では凝固しない
任意の調圧ガスが使用可能であり、Ｎ2 ガス以外にたと
えばＮe ガスやＨe ガスでも可能である。また、液体Ｎ
e を冷媒に用いる場合はＮe ガスやＨe ガス等が使用可
能であり、液体Ｈe を冷媒に用いる場合はＨe ガスを使
用すればよい。The regulated gas supplied from the regulated gas supply unit 30 into the transfer chamber 12 and the refrigerant supplied from the coolant supply device 44 to the trap 42 in the second exhaust unit 40 are limited to N 2 gas and liquid N 2, respectively. Not a thing, but Figure 3
It is possible to combine various pressure regulating gases and refrigerants as shown in FIG. The point is that a pressure-regulating gas that does not condense depending on the refrigerant supplied to the trap 42 may be selected. Therefore, for example, when liquid N2 is used as a refrigerant, any pressure regulating gas that does not solidify at the cooling temperature of N2 (about -200 ° C) can be used, and Ne gas or He gas can be used in addition to N2 gas. is there. Also, liquid N
When e is used as the refrigerant, Ne gas or He gas can be used, and when liquid He is used as the refrigerant, He gas can be used.
【００３０】図６に示すように、水素、酸素以外の一般
のコンタミントガスは窒素（Ｎ2 ）の凝固点よりも高い
温度で凝結する。したがって、トラップ４２に供給され
る冷媒に液体Ｎ2 を使用し、搬送室１２に供給される調
圧ガスにＮ2 ガスを使用することで、大抵のコンタミナ
ントガスを効率的に排気することができる。また、冷媒
にＮｅ、Ｈｅを用いた場合は、凝固点が−２１８．４゜
ＣのＯ2 分子もトラップ４２で凝結排気されるので、よ
り一層高い排気効率が得られる。図４に、冷媒の例と各
冷媒使用時に可能な調圧ガスの例を示す。As shown in FIG. 6, general contaminant gases other than hydrogen and oxygen condense at a temperature higher than the freezing point of nitrogen (N2). Therefore, by using the liquid N2 as the refrigerant supplied to the trap 42 and the N2 gas as the pressure adjusting gas supplied to the transfer chamber 12, most of the contaminant gas can be efficiently exhausted. Further, when Ne or He is used as the refrigerant, the O2 molecules having a freezing point of -218.4 ° C are also condensed and exhausted by the trap 42, so that a higher exhaust efficiency can be obtained. FIG. 4 shows examples of refrigerants and examples of pressure-regulating gas that can be used when using each refrigerant.
【００３１】なお、図１では、搬送室１２とプロセスチ
ャンバ１０間のゲートバルブ１６とトラップ４２とを離
しているが、両者を近接させると、プロセスチャンバ１
０から搬送室１２内に混入するガスに対する第２の排気
部４０による凝結排気効果が一層高められる。つまり、
搬送室１２内の圧力は一般にプロセスチャンバ１０内の
圧力よりも高い値に設定され、反応ガスの逆流を軽減さ
せているが、皆無ではない。ゲートバルブ１６の近くに
トラップ４２が配置されることによって、Ｈ2Ｏガス、
プロセスガス等の不所望な気体分子はトラップ４２に衝
突する確率が上がるため、一層効果的にトラップ４２に
捕捉されて凝結排気される。Although the gate valve 16 and the trap 42 between the transfer chamber 12 and the process chamber 10 are separated from each other in FIG. 1, if the two are brought close to each other, the process chamber 1
The condensation exhaust effect of the second exhaust unit 40 on the gas mixed from 0 to the inside of the transfer chamber 12 is further enhanced. That is,
The pressure in the transfer chamber 12 is generally set to a value higher than the pressure in the process chamber 10 to reduce the reverse flow of the reaction gas, but it is not completely nonexistent. By placing the trap 42 near the gate valve 16, H2O gas,
Unwanted gas molecules such as process gas have a higher probability of colliding with the trap 42, and are more effectively trapped in the trap 42 and condensed and exhausted.
【００３２】図７に、この考え方を発展させた第２の実
施例の構成を示す。減圧容器５０の内部には処理室５２
と搬送室５４が設けられ、両室はゲートバルブ５６を介
して連通する。搬送室５４内には、ゲートバルブ５６に
隣接した位置に、ゲートバルブ５６を取り囲むような形
状たとえばたとえばトンネル状のトラップ面（凝結排気
面）を有する選択的排気手段５８が配置される。この選
択的排気手段５８のトラップ面の長さ（トンネル長）
は、任意の長さに選ばれてよいが、好ましくは搬送室５
４内の所望の圧力における気体の平均自由工程と同じま
たはそれ以上の長さに選ばれてよい。搬送室５４とカセ
ット室６０との間も同様に構成することができる。この
実施例における真空排気制御のシーケンスは次のように
なる。FIG. 7 shows the configuration of a second embodiment which is an extension of this concept. A processing chamber 52 is provided inside the decompression container 50.
And a transfer chamber 54 are provided, and both chambers communicate with each other via a gate valve 56. In the transfer chamber 54, a selective evacuation means 58 having a shape surrounding the gate valve 56, for example, a trap surface (condensation evacuation surface) in the shape of, for example, a tunnel, is disposed adjacent to the gate valve 56. The length of the trap surface of the selective exhaust means 58 (tunnel length)
May have any length, but is preferably the transfer chamber 5
It may be selected to be as long as or longer than the mean free path of the gas at the desired pressure in 4. The same can be configured between the transfer chamber 54 and the cassette chamber 60. The sequence of vacuum evacuation control in this embodiment is as follows.
【００３３】 先ず、ゲートバルブ５６を閉じた状態
で、搬送室５４を非選択的排気ポンプ（図示せず）によ
って十分に（たとえば１＋１０-7Ｔｏｒｒまで）減圧す
る。First, with the gate valve 56 closed, the transfer chamber 54 is sufficiently depressurized (for example, to 1 + 10 −7 Torr) by a non-selective exhaust pump (not shown).
【００３４】 次に、選択的排気手段５８によって排
気されない気体たとえば窒素を搬送室５４に適量流し込
みながら、非選択的排気ポンプを用いて搬送室５４内部
を所望の圧力（最も圧力の低い粘性流域が好ましく、た
とえば１×１０-2Ｔｏｒｒ）になるように調整しながら
排気する。Next, while a proper amount of gas, for example, nitrogen, which is not exhausted by the selective evacuation means 58 is flown into the transfer chamber 54, a desired pressure (a viscous flow region having the lowest pressure in the viscous flow region with the lowest pressure Preferably, the gas is exhausted while being adjusted to, for example, 1 × 10 -2 Torr.
【００３５】 次に、搬送室５４内部の選択的排気手
段５８に液体窒素を供給して冷却する。Next, liquid nitrogen is supplied to the selective evacuation means 58 inside the transfer chamber 54 to cool it.
【００３６】 一方、処理室５２の内部を非選択的排
気ポンプによって搬送室５４内部の圧力よりも低くなる
ように排気する。On the other hand, the inside of the processing chamber 52 is evacuated by the non-selective exhaust pump so as to have a pressure lower than the internal pressure of the transfer chamber 54.
【００３７】 次に、被処理体（図示せず）の搬送の
ためにゲートバルブ５６を開ける。そうすると、処理室
５２内部の圧力が搬送室５４内部の圧力よりも低く設定
されてはいても、処理室５２内の処理ガスの残留成分は
搬送室５４に向かっても拡散する。しかし、搬送室５４
側に拡散した処理ガスの残留成分は、選択的排気手段５
８のトンネル内で大きな確率で窒素と衝突散乱し、選択
的排気手段５８に凝固吸着される。対称がカセット室６
０の場合は、カセット室６０経由で流れ込む水分や、ウ
ェハ・キャリヤから発生するガス等が選択的排気手段に
凝固吸着されることになる。Next, the gate valve 56 is opened for carrying an object to be processed (not shown). Then, even if the pressure inside the processing chamber 52 is set lower than the pressure inside the transfer chamber 54, the residual components of the processing gas in the processing chamber 52 also diffuse toward the transfer chamber 54. However, the transfer chamber 54
The residual components of the processing gas diffused to the side are selectively exhausted by the exhaust means 5.
In the tunnel of No. 8, it is highly likely to collide with and scatter with nitrogen, and is solidified and adsorbed by the selective exhaust means 58. Symmetry is cassette room 6
In the case of 0, the water flowing through the cassette chamber 60, the gas generated from the wafer carrier and the like are solidified and adsorbed by the selective exhaust means.
【００３８】 被処理体の搬送が終わったなら、ゲー
トバルブ５６を閉じる。When the transfer of the object to be processed is completed, the gate valve 56 is closed.
【００３９】なお、本発明は、半導体製造装置における
任意の搬送室の真空排気に適用することが可能であり、
さらにはイオン注入機の熱処理装置等の非化学的処理
（物理的処理、熱処理等）装置の処理室の真空排気にも
適用可能である。また、上記実施例では搬送室（チャン
バ）に調圧ガスを供給したが、任意の所望のガスを供給
することが可能である。また、被処理体としては半導体
ウエハに限らず、ＬＣＤ基板でもよく、酸化その他の変
質を嫌う任意の被処理体が可能である。The present invention can be applied to vacuum exhaust of an arbitrary transfer chamber in a semiconductor manufacturing apparatus,
Further, it can be applied to vacuum evacuation of a processing chamber of a non-chemical treatment device (physical treatment, heat treatment, etc.) such as a heat treatment device of an ion implanter. Further, in the above embodiment, the pressure regulating gas was supplied to the transfer chamber (chamber), but it is possible to supply any desired gas. Further, the object to be processed is not limited to the semiconductor wafer, and may be an LCD substrate, and any object to be processed which is not susceptible to oxidation and other alterations is possible.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の真空排気
方法または装置によれば、チャンバに所望のガスを供給
しながら、チャンバ内の気体を非選択的に室外へ排気
し、かつ該所望のガスの凝固点よりも高い温度でチャン
バ内の気体分子を選択的に凝結排気するようにしたの
で、チャンバ内の真空度をそれほど高くせずにチャンバ
内の不所望なガスを効率的に排除することが可能であ
る。したがって、真空排気設備の大幅なコストアップを
招くことなく、被処理体の酸化その他の変質を効果的に
防止することができる。As described above, according to the vacuum evacuation method or apparatus of the present invention, while supplying a desired gas to the chamber, the gas in the chamber is non-selectively exhausted to the outside and the desired gas is exhausted. Since the gas molecules in the chamber are selectively condensed and exhausted at a temperature higher than the freezing point of the gas, the unwanted gas in the chamber can be efficiently removed without increasing the vacuum degree in the chamber so much. It is possible. Therefore, it is possible to effectively prevent oxidization and other alterations of the object to be processed without significantly increasing the cost of the vacuum exhaust equipment.
【図１】本発明の一実施例による真空排気装置を備えた
半導体製造装置の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus including an evacuation device according to an embodiment of the present invention.
【図２】実施例におけるコントローラの制御動作を示す
フローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a control operation of a controller in the embodiment.
【図３】実施例の真空排気方法で使用可能な主な冷媒の
凝固点を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing freezing points of main refrigerants that can be used in the vacuum exhaust method of the embodiment.
【図４】実施例の真空排気方法で使用可能な主な冷媒の
温度および各冷媒に対して使用可能な主な調圧ガスの種
類を示す表である。FIG. 4 is a table showing temperatures of main refrigerants that can be used in the vacuum exhaust method of the embodiment and types of main pressure-regulating gas that can be used for each refrigerant.
【図５】実施例の真空排気方法で使用可能な主な調圧ガ
スの種類と各調圧ガスの凝固点を示す表である。FIG. 5 is a table showing the types of main pressure-regulating gas that can be used in the vacuum exhaust method of the embodiment and the freezing points of the respective pressure-regulating gases.
【図６】実施例の真空排気方法で凝結排気可能な主なコ
ンタミナントガスの種類と各ガスの凝固点を示す表であ
る。FIG. 6 is a table showing the types of main contaminant gases that can be condensed and exhausted by the vacuum exhaust method of the example, and the freezing points of the gases.
【図７】第２の実施例による真空排気装置を備えた半導
体製造装置の構成を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus including a vacuum exhaust device according to a second embodiment.
１０ プロセスチャンバ １２ 搬送室 １４ カセットチャンバ ２０ 搬送アーム ２２ 第１の排気部 ３０ 調圧ガス供給部 ４０ 第２の排気部 ４６ 制御部 ５２ 処理室 ５４ 搬送室 ５６ ゲートバルブ ５８ 選択的排気手段 Reference Signs List 10 process chamber 12 transfer chamber 14 cassette chamber 20 transfer arm 22 first exhaust part 30 pressure regulating gas supply part 40 second exhaust part 46 control part 52 processing chamber 54 transfer chamber 56 gate valve 58 selective exhaust means
Claims (5)
処理するための所定のチャンバの室内を真空に排気する
方法において、 前記チャンバ内に所望のガスを供給しながら、前記チャ
ンバの中から気体を非選択的に外へ排気し、かつ前記所
望のガスの凝固点よりも高い温度で前記チャンバ内の気
体分子を選択的に凝結排気することを特徴とする真空排
気方法。1. A method for evacuating a chamber of a predetermined chamber for storing or transferring an object to be processed, or for processing, in which a gas is supplied from the chamber while supplying a desired gas into the chamber. Is non-selectively exhausted to the outside, and the gas molecules in the chamber are selectively condensed and exhausted at a temperature higher than the freezing point of the desired gas.
処理するための所定のチャンバの室内を真空に排気する
真空排気方法において、 前記チャンバの中から気体を非選択的に外へ排気して前
記チャンバの室内を所定の第１の圧力まで減圧してから
前記チャンバ内に所望のガスを供給し、前記チャンバの
室内が所定の第２の圧力に達したのち前記所望のガスの
凝固点よりも高い温度で前記チャンバ内の気体分子を選
択的に凝結排気することを特徴とする真空排気方法。2. A vacuum evacuation method for evacuating a chamber of a predetermined chamber for storing or transferring an object to be processed or processing, wherein a gas is non-selectively exhausted to the outside from the chamber. After decompressing the chamber chamber to a predetermined first pressure, a desired gas is supplied into the chamber, and after the chamber chamber reaches a predetermined second pressure, the temperature is higher than the freezing point of the desired gas. A vacuum evacuation method, characterized in that gas molecules in the chamber are selectively condensed and exhausted at a high temperature.
処理するための所定のチャンバの室内を真空に排気する
真空排気装置において、 前記チャンバ内に所望のガスを供給するガス供給手段
と、 前記チャンバの中から気体を非選択的に外へ排気する第
１の排気手段と、 前記チャンバ内で前記ガスの凝固点よりも高い温度で気
体分子を選択的に凝結排気する第２の排気手段と、 前記ガス供給手段、前記第１の排気手段および前記第２
の排気手段の動作を制御し、前記チャンバ内の圧力を所
望の値に制御する制御手段と、を具備することを特徴と
する真空排気装置。3. A vacuum evacuation device for evacuating a chamber of a predetermined chamber for storing or transferring an object to be processed or processing, to a gas supply means for supplying a desired gas into the chamber, First evacuation means for non-selectively exhausting gas from the chamber to the outside; second evacuation means for selectively condensing and exhausting gas molecules in the chamber at a temperature higher than the freezing point of the gas; The gas supply means, the first exhaust means, and the second
Control means for controlling the operation of the evacuation means and controlling the pressure in the chamber to a desired value.
処理するための所定の第１のチャンバの室内を真空に排
気する真空排気装置において、 前記第１のチャンバの室内を第２のチャンバの室内に接
続するための開閉手段と、 前記第１のチャンバの室内に所望のガスを供給するガス
供給手段と、 前記第１のチャンバの室内から気体を非選択的に室外へ
排気する第１の排気手段と、 前記第１のチャンバの室内で前記開閉手段に隣接した位
置に設けられ、前記第１のチャンバ内で前記ガスの凝固
点よりも高い温度で気体分子を選択的に凝結排気する第
２の排気手段と、 前記ガス供給手段、前記第１の排気手段および前記第２
の排気手段の動作を制御し、前記第１のチャンバ内の圧
力を所望の値に制御する制御手段と、を具備することを
特徴とする真空排気装置。4. A vacuum evacuation device for evacuating a chamber of a predetermined first chamber for storing or transferring an object to be processed, or for processing, in a chamber of the first chamber of a second chamber. An opening / closing means for connecting to the room, a gas supply means for supplying a desired gas to the room of the first chamber, and a first gas for non-selectively exhausting the gas from the room of the first chamber to the outside. An exhaust unit, and a second unit provided in a position adjacent to the opening / closing unit in the chamber of the first chamber, for selectively condensing and exhausting gas molecules in the first chamber at a temperature higher than the freezing point of the gas; Exhaust means, the gas supply means, the first exhaust means, and the second
Control means for controlling the operation of the evacuation means and controlling the pressure in the first chamber to a desired value.
回りを取り囲むように形成された凝結排気面を有する請
求項４に記載の真空排気装置。5. The vacuum evacuation apparatus according to claim 4, wherein the second evacuation means has a condensed evacuation surface formed so as to surround the opening / closing means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19682493A JPH0729962A (en) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | Method and device for evacuation |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729962A true JPH0729962A (en) | 1995-01-31 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP19682493A Pending JPH0729962A (en) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | Method and device for evacuation |
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| JP (1) | JPH0729962A (en) |
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