JPH0574757A - 半導体装置用高圧酸化炉 - Google Patents
半導体装置用高圧酸化炉Info
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- JPH0574757A JPH0574757A JP3234196A JP23419691A JPH0574757A JP H0574757 A JPH0574757 A JP H0574757A JP 3234196 A JP3234196 A JP 3234196A JP 23419691 A JP23419691 A JP 23419691A JP H0574757 A JPH0574757 A JP H0574757A
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Abstract
を押えて高圧酸化する。 【構成】加圧タンク7内の石英製の炉芯管1内のウェー
ハホルダ2上にウェーハ3を1枚づつのせ、N2 ガスに
よって高圧状態にし、赤外線ランプ6によって加熱し、
O2 又はH2 O反応ガスを導入し高圧状態にして酸化膜
をウェーハ3につける。
Description
炉に関し、特にウェーハを1枚づつ高圧状態で酸化する
枚葉式の高圧酸化炉に関する。
50〜150枚のウェーハ3を石英製のボートに乗せ、
このボート12をフォーク13により加圧タンク17内
に配置された加熱状態(約850℃)の石英製の炉芯管
11内に入炉し、加圧タンクキャップ18及び炉芯管キ
ャップ15で炉口部を閉じた後高圧状態にする。その
後、加熱ヒータ16により酸化温度(950〜1000
℃)まで昇温させ、炉芯管11内に炉芯管内と同圧の反
応ガスとしてO2 又はH2 Oスチームガスを反応ガス導
入口14より導入して酸化する機構となっている。酸化
終了後は、高圧状態から常圧状態に減圧し、温度を入出
炉温度(約850℃)に下げた後、ウェーハ3を出炉す
る。尚図2において、18はN2 ガス導入口、19はN
2 ガス排気口、20は反応ガス排気口である。
化炉は、多数のウェーハを一度に酸化する為に、高圧用
の大きなタンクが必要であり、炉芯管内の酸化温度にま
で上昇させるために長時間を必要としていた。またウェ
ーハ径がより大きくなるとさらに大きな高圧用のタンク
が必要となる等の問題点があった。
する過程と酸化温度に昇降させる過程で、ウェーハ枚数
が多いとウェーハの熱の吸収,発散がウェーハ外周方向
にかたよる為、ウェーハへ加わる熱の面内の均一性が悪
く、面内の熱歪が大きくなり、半導体装置の歩留りを低
下させるという問題点もあった。
圧酸化炉は、炉芯管と、この炉芯管内に設けられウェー
ハを水平に保持するためのウェーハホルダと、前記炉芯
管の周囲に設けられた赤外線ランプとを含むものであ
る。
して説明する。図1は本発明の一実施例の断面図であ
る。以下ウェーハの酸化工程と共に説明する。
7内の石英製の炉芯管1内に設けられた石英製のウェー
ハホルダ2の上に水平に設置される。設置されたウェー
ハ3は、炉芯管キャップ5と加圧タンクキャップ8が閉
じられた加圧タンク7内と炉芯管1内の圧力バランスを
とりながら高圧状態に加圧される。加圧タンク7内の加
圧は、N2 ガス導入口8からのN2 ガス導入量と、N2
ガス排気口9におけるN2 ガス排気量の調節によって圧
力を調節しながら行なわれる。同様に炉芯管1内の加圧
も、反応ガス導入口4からのN2 ガス導入量と反応ガス
排気口10からのN2 ガス排気量の調節によって圧力を
調節しながら行なわれる。
けられた赤外線ランプ6によって酸化温度まで加熱し、
反応ガス導入口から、N2 ガスの替りに炉芯管内と同圧
のO2 ガス又はH2 Oスチームガスを導入してウェーハ
3を酸化する構造となっている。処理するウェーハ3を
1枚にすれば高圧状態にするスペースが少くて済み、6
〜8インチの大口径ウェーハの処理の場合にも高圧状態
にするスペースが従来より少くなる。また、ウェーハに
加わる熱の面内の不均一性という問題が改善され、ウェ
ーハに加わる面内の熱歪を緩和できるという効果があ
る。
使用しているためウェーハの急速な加熱や冷却が可能と
なり、処理時間を短縮できるという利点がある。
ェーハを1枚づつ高圧下で酸化することができるため、
大口径のウェーハでも容易に酸化できると共に、ウェー
ハに加わる熱の面内不均一性をなくすことができる。更
に赤外線ランプで加熱するため、昇温時間を短縮できる
という効果もある。
Claims (1)
- 【請求項1】 炉芯管と、この炉芯管内に設けられウェ
ーハを水平に保持するためのウェーハホルダと、前記炉
芯管の周囲に設けられた赤外線ランプとを含むことを特
徴とする半導体装置用高圧酸化炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3234196A JPH0574757A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置用高圧酸化炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3234196A JPH0574757A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置用高圧酸化炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0574757A true JPH0574757A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16967193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3234196A Pending JPH0574757A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置用高圧酸化炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0574757A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002510598A (ja) * | 1998-04-06 | 2002-04-09 | エービービー リサーチ リミテッド | 化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置 |
WO2005006426A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Limited | 高圧熱処理装置 |
JP2010212430A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成長装置 |
EP2408002A1 (en) * | 2009-03-10 | 2012-01-18 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3234196A patent/JPH0574757A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4771591B2 (ja) * | 1998-04-06 | 2011-09-14 | クリー インコーポレイテッド | 化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置 |
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EP2408002A4 (en) * | 2009-03-10 | 2014-05-14 | Mitsui Shipbuilding Eng | APPARATUS FOR DEPOSITION OF ATOMIC LAYERS |
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