JPH0574757A - 半導体装置用高圧酸化炉 - Google Patents

半導体装置用高圧酸化炉

Info

Publication number
JPH0574757A
JPH0574757A JP3234196A JP23419691A JPH0574757A JP H0574757 A JPH0574757 A JP H0574757A JP 3234196 A JP3234196 A JP 3234196A JP 23419691 A JP23419691 A JP 23419691A JP H0574757 A JPH0574757 A JP H0574757A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
high pressure
core tube
furnace core
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3234196A
Other languages
English (en)
Inventor
Akinobu Seiwa
明信 清和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
Priority to JP3234196A priority Critical patent/JPH0574757A/ja
Publication of JPH0574757A publication Critical patent/JPH0574757A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】大口径のウェーハを小さい加圧スペースで熱歪
を押えて高圧酸化する。 【構成】加圧タンク７内の石英製の炉芯管１内のウェー
ハホルダ２上にウェーハ３を１枚づつのせ、Ｎ2 ガスに
よって高圧状態にし、赤外線ランプ６によって加熱し、
Ｏ2 又はＨ2 Ｏ反応ガスを導入し高圧状態にして酸化膜
をウェーハ３につける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用高圧酸化
炉に関し、特にウェーハを１枚づつ高圧状態で酸化する
枚葉式の高圧酸化炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高圧酸化炉は、図２に示す様に、
５０〜１５０枚のウェーハ３を石英製のボートに乗せ、
このボート１２をフォーク１３により加圧タンク１７内
に配置された加熱状態（約８５０℃）の石英製の炉芯管
１１内に入炉し、加圧タンクキャップ１８及び炉芯管キ
ャップ１５で炉口部を閉じた後高圧状態にする。その
後、加熱ヒータ１６により酸化温度（９５０〜１０００
℃）まで昇温させ、炉芯管１１内に炉芯管内と同圧の反
応ガスとしてＯ2 又はＨ2 Ｏスチームガスを反応ガス導
入口１４より導入して酸化する機構となっている。酸化
終了後は、高圧状態から常圧状態に減圧し、温度を入出
炉温度（約８５０℃）に下げた後、ウェーハ３を出炉す
る。尚図２において、１８はＮ2 ガス導入口、１９はＮ
2 ガス排気口、２０は反応ガス排気口である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高圧酸
化炉は、多数のウェーハを一度に酸化する為に、高圧用
の大きなタンクが必要であり、炉芯管内の酸化温度にま
で上昇させるために長時間を必要としていた。またウェ
ーハ径がより大きくなるとさらに大きな高圧用のタンク
が必要となる等の問題点があった。
【０００４】また、ウェーハを加熱状態の炉内に入出力
する過程と酸化温度に昇降させる過程で、ウェーハ枚数
が多いとウェーハの熱の吸収，発散がウェーハ外周方向
にかたよる為、ウェーハへ加わる熱の面内の均一性が悪
く、面内の熱歪が大きくなり、半導体装置の歩留りを低
下させるという問題点もあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用高
圧酸化炉は、炉芯管と、この炉芯管内に設けられウェー
ハを水平に保持するためのウェーハホルダと、前記炉芯
管の周囲に設けられた赤外線ランプとを含むものであ
る。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例の断面図であ
る。以下ウェーハの酸化工程と共に説明する。
【０００７】図１において、ウェーハ３は、加圧タンク
７内の石英製の炉芯管１内に設けられた石英製のウェー
ハホルダ２の上に水平に設置される。設置されたウェー
ハ３は、炉芯管キャップ５と加圧タンクキャップ８が閉
じられた加圧タンク７内と炉芯管１内の圧力バランスを
とりながら高圧状態に加圧される。加圧タンク７内の加
圧は、Ｎ2 ガス導入口８からのＮ2 ガス導入量と、Ｎ2
ガス排気口９におけるＮ2 ガス排気量の調節によって圧
力を調節しながら行なわれる。同様に炉芯管１内の加圧
も、反応ガス導入口４からのＮ2 ガス導入量と反応ガス
排気口１０からのＮ2 ガス排気量の調節によって圧力を
調節しながら行なわれる。
【０００８】高圧状態に達した後、炉芯管１の周囲に設
けられた赤外線ランプ６によって酸化温度まで加熱し、
反応ガス導入口から、Ｎ2 ガスの替りに炉芯管内と同圧
のＯ2 ガス又はＨ2 Ｏスチームガスを導入してウェーハ
３を酸化する構造となっている。処理するウェーハ３を
１枚にすれば高圧状態にするスペースが少くて済み、６
〜８インチの大口径ウェーハの処理の場合にも高圧状態
にするスペースが従来より少くなる。また、ウェーハに
加わる熱の面内の不均一性という問題が改善され、ウェ
ーハに加わる面内の熱歪を緩和できるという効果があ
る。
【０００９】更にウェーハ３の加熱に赤外線ランプ６を
使用しているためウェーハの急速な加熱や冷却が可能と
なり、処理時間を短縮できるという利点がある。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェーハを１枚づつ高圧下で酸化することができるため、
大口径のウェーハでも容易に酸化できると共に、ウェー
ハに加わる熱の面内不均一性をなくすことができる。更
に赤外線ランプで加熱するため、昇温時間を短縮できる
という効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の断面図。
【図２】従来の半導体装置用高圧酸化炉の断面図。
【符号の説明】
１，１１ 炉芯管 ２ ウェーハホルダ ３ ウェーハ ４，１４ 反応ガス導入管 ５，１５ 炉芯管キャップ ６ 赤外線ランプ ７，１７ 加圧タンク ８，１８ Ｎ2 ガス導入口 ９，１９ Ｎ2 ガス排気口 １０，２０ 反応ガス排気口 １２ ボート １３ フォーク

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 炉芯管と、この炉芯管内に設けられウェ
    ーハを水平に保持するためのウェーハホルダと、前記炉
    芯管の周囲に設けられた赤外線ランプとを含むことを特
    徴とする半導体装置用高圧酸化炉。
JP3234196A 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置用高圧酸化炉 Pending JPH0574757A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3234196A JPH0574757A (ja) 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置用高圧酸化炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3234196A JPH0574757A (ja) 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置用高圧酸化炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0574757A true JPH0574757A (ja) 1993-03-26

Family

ID=16967193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3234196A Pending JPH0574757A (ja) 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置用高圧酸化炉

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0574757A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002510598A (ja) * 1998-04-06 2002-04-09 エービービー リサーチ リミテッド 化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置
WO2005006426A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Tokyo Electron Limited 高圧熱処理装置
JP2010212430A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層成長装置
EP2408002A1 (en) * 2009-03-10 2012-01-18 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002510598A (ja) * 1998-04-06 2002-04-09 エービービー リサーチ リミテッド 化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置
JP4771591B2 (ja) * 1998-04-06 2011-09-14 クリー インコーポレイテッド 化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置
WO2005006426A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Tokyo Electron Limited 高圧熱処理装置
JP2010212430A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層成長装置
EP2408002A1 (en) * 2009-03-10 2012-01-18 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus
EP2408002A4 (en) * 2009-03-10 2014-05-14 Mitsui Shipbuilding Eng APPARATUS FOR DEPOSITION OF ATOMIC LAYERS

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3421660B2 (ja) 熱処理装置及びその方法
JP3474258B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JPH03224217A (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JPWO2019053807A1 (ja) 基板処理装置、ヒータ装置、半導体装置の製造方法
JPH0574757A (ja) 半導体装置用高圧酸化炉
JP3794243B2 (ja) 酸化処理方法及びその装置
JP3449630B2 (ja) 半導体製造装置
JPH0745547A (ja) 熱処理装置
JPH05206048A (ja) ランプアニール装置
JP3497317B2 (ja) 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置
JP2001345314A (ja) 熱処理装置及びその方法
JP3081886B2 (ja) 成膜方法
JPH07176498A (ja) 反応ガスの予熱装置を備えた反応炉
JP2693465B2 (ja) 半導体ウェハの処理装置
JPH05206043A (ja) 熱処理方法
JPH0324720A (ja) ウェハ処理方法及び処理装置
JP2005235962A (ja) 加熱炉
JPH08181082A (ja) 縦型高速熱処理装置
JPH0568851B2 (ja)
JP3271680B2 (ja) 酸化処理装置
JPH10209141A (ja) 半導体製造装置及び膜形成方法
JPS62185329A (ja) シリコン酸化装置
JPH07297181A (ja) 熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置
JPH1131662A (ja) 加熱処理装置およびそれを用いた半導体装置の製法
JPH05206047A (ja) 熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050913

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Effective date: 20051004

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 4

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 4

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 5

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101028

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 6

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 6

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 8

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131028

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees