JPH07296969A - 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH07296969A JPH07296969A JP6087036A JP8703694A JPH07296969A JP H07296969 A JPH07296969 A JP H07296969A JP 6087036 A JP6087036 A JP 6087036A JP 8703694 A JP8703694 A JP 8703694A JP H07296969 A JPH07296969 A JP H07296969A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】カラーＥＬパネル用として十分な画素のフィル
ファクターを有し、かつ、高い歩留りで製作可能なもの
とする。 【構成】ガラス基板１の上に、金属電極２、第１絶縁層
３、発光層４、第２絶縁層５、およびＩＴＯ透明電極６
を順次積層して反転構造とし、ガラス基板１２に形成し
たフィルター１１と組み合わせてカラーＥＬパネルを構
成する薄膜ＥＬ素子において、直交する２組の電極スト
ライプのうち、データ線側を金属電極２、走査線側をＩ
ＴＯ透明電極６とし、さらに、例えば Al/Niの積層膜か
らなる金属膜配線７をＩＴＯ透明電極６の上面に、ある
いはその一部を側面の画素間に形成する。
ファクターを有し、かつ、高い歩留りで製作可能なもの
とする。 【構成】ガラス基板１の上に、金属電極２、第１絶縁層
３、発光層４、第２絶縁層５、およびＩＴＯ透明電極６
を順次積層して反転構造とし、ガラス基板１２に形成し
たフィルター１１と組み合わせてカラーＥＬパネルを構
成する薄膜ＥＬ素子において、直交する２組の電極スト
ライプのうち、データ線側を金属電極２、走査線側をＩ
ＴＯ透明電極６とし、さらに、例えば Al/Niの積層膜か
らなる金属膜配線７をＩＴＯ透明電極６の上面に、ある
いはその一部を側面の画素間に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、カラーフィルターと
組み合わせて用いられる反転構造の薄膜エレクトロルミ
ネッセンス素子（以下、薄膜ＥＬ素子と略記する）に関
する。
組み合わせて用いられる反転構造の薄膜エレクトロルミ
ネッセンス素子（以下、薄膜ＥＬ素子と略記する）に関
する。
【０００２】
【従来の技術】通常、薄膜ＥＬ素子は、基板の上に、一
対の電極層で挟んで薄膜状に形成された発光層に、交流
電圧を印加してエレクトロルミネッセンス発光（以下、
ＥＬ発光と略記する）を得るものである。図２は、従来
より用いられている代表的な薄膜ＥＬ素子の基本構成を
示す断面図である。
対の電極層で挟んで薄膜状に形成された発光層に、交流
電圧を印加してエレクトロルミネッセンス発光（以下、
ＥＬ発光と略記する）を得るものである。図２は、従来
より用いられている代表的な薄膜ＥＬ素子の基本構成を
示す断面図である。
【０００３】ガラス基板１の上にＩＴＯ（インジウムと
スズの酸化物）からなるストライプ状のＩＴＯ透明電極
８、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５が順次形成
され、最上部に、ＩＴＯ透明電極８のストライプと直交
するストライプとして配置された金属電極９が形成され
ている。電圧が印加されたＩＴＯ透明電極８と金属電極
９に挟まれた部分の発光層４で生じたＥＬ発光は、ＩＴ
Ｏ透明電極８およびガラス基板１を通して、図中の下方
へと取り出される構成である。
スズの酸化物）からなるストライプ状のＩＴＯ透明電極
８、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５が順次形成
され、最上部に、ＩＴＯ透明電極８のストライプと直交
するストライプとして配置された金属電極９が形成され
ている。電圧が印加されたＩＴＯ透明電極８と金属電極
９に挟まれた部分の発光層４で生じたＥＬ発光は、ＩＴ
Ｏ透明電極８およびガラス基板１を通して、図中の下方
へと取り出される構成である。
【０００４】現在、 Mn 添加 ZnSを発光層４に用いた薄
膜ＥＬ素子による黄橙色のモノカラーＥＬパネルが実用
化されているが、その一般的なパネル表示部の大きさは
対角線として９〜１０インチであり、走査線側電極がデ
ータ線側電極よりも長い長方形である。画素数は 640ｘ
400〜480 で、走査線側電極、データ線側電極とも電極
のピッチは同一で、約 0.3mmである。通常、導電性に優
れる金属電極を長さの長い走査線側電極に用い、導電性
の悪いＩＴＯ透明電極を長さの短いデータ線側電極に用
いることによって、ライン抵抗の増大を抑えている。さ
らに、駆動周波数の上昇と表示面積の拡大を目的とし
て、導電性の悪いＩＴＯ透明電極に接触するように金属
膜配線を形成してライン抵抗を低減する方式（特開平２
−１６５５９２号公報参照）も試みられている。
膜ＥＬ素子による黄橙色のモノカラーＥＬパネルが実用
化されているが、その一般的なパネル表示部の大きさは
対角線として９〜１０インチであり、走査線側電極がデ
ータ線側電極よりも長い長方形である。画素数は 640ｘ
400〜480 で、走査線側電極、データ線側電極とも電極
のピッチは同一で、約 0.3mmである。通常、導電性に優
れる金属電極を長さの長い走査線側電極に用い、導電性
の悪いＩＴＯ透明電極を長さの短いデータ線側電極に用
いることによって、ライン抵抗の増大を抑えている。さ
らに、駆動周波数の上昇と表示面積の拡大を目的とし
て、導電性の悪いＩＴＯ透明電極に接触するように金属
膜配線を形成してライン抵抗を低減する方式（特開平２
−１６５５９２号公報参照）も試みられている。
【０００５】一方、白色発光薄膜ＥＬ素子とカラーフィ
ルターを組み合わせるフィルター方式カラーＥＬパネル
は、従来のモノカラーパネルと類似の製造プロセスで製
作できるものと見込まれ、その実用化が期待されてい
る。フィルター方式カラーＥＬパネルに用いられる薄膜
ＥＬ素子については、カラーフィルターとのギャップを
できるだけ狭く抑えるために、電極構成を上記の構成例
とは逆とした、いわゆる反転構造、すなわち、下部電極
を金属電極とし、上部電極をＩＴＯ透明電極として、Ｅ
Ｌ発光を上部より取り出す電極構造が提案されている。
ルターを組み合わせるフィルター方式カラーＥＬパネル
は、従来のモノカラーパネルと類似の製造プロセスで製
作できるものと見込まれ、その実用化が期待されてい
る。フィルター方式カラーＥＬパネルに用いられる薄膜
ＥＬ素子については、カラーフィルターとのギャップを
できるだけ狭く抑えるために、電極構成を上記の構成例
とは逆とした、いわゆる反転構造、すなわち、下部電極
を金属電極とし、上部電極をＩＴＯ透明電極として、Ｅ
Ｌ発光を上部より取り出す電極構造が提案されている。
【０００６】図３は、カラーフィルターを組み合わせ
た、従来から提案されている反転構造の薄膜ＥＬ素子の
基本構成図で、(a) は断面図、(b) は(a) の図中のＹ−
Ｙ’より見た平面の要部である。ガラス基板１の上に、
走査線側の金属電極２’、第１絶縁層３、発光層４、第
２絶縁層５、データ線側のＩＴＯ透明電極６’が順次積
層されており、ＩＴＯ透明電極６’には、ライン抵抗を
低減するための金属膜配線７’が接触して形成されてい
る。ＩＴＯ透明電極６’の上部には、ガラス基板１２に
形成されたフィルター１１が近接して配置されている。
た、従来から提案されている反転構造の薄膜ＥＬ素子の
基本構成図で、(a) は断面図、(b) は(a) の図中のＹ−
Ｙ’より見た平面の要部である。ガラス基板１の上に、
走査線側の金属電極２’、第１絶縁層３、発光層４、第
２絶縁層５、データ線側のＩＴＯ透明電極６’が順次積
層されており、ＩＴＯ透明電極６’には、ライン抵抗を
低減するための金属膜配線７’が接触して形成されてい
る。ＩＴＯ透明電極６’の上部には、ガラス基板１２に
形成されたフィルター１１が近接して配置されている。
【０００７】発光層４で生じたＥＬ発光は、上部のＩＴ
Ｏ透明電極６’の側から取り出され、フィルター１１で
分光され３原色化される。データ線側の電極、したがっ
てＩＴＯ透明電極６では、画素ピッチが約 0.3mmの１画
素中にＲ、Ｇ、Ｂの３色が配置されるので、Ｒ、Ｇ、Ｂ
それぞれのサブ画素ピッチは 0.1mm以下となる。
Ｏ透明電極６’の側から取り出され、フィルター１１で
分光され３原色化される。データ線側の電極、したがっ
てＩＴＯ透明電極６では、画素ピッチが約 0.3mmの１画
素中にＲ、Ｇ、Ｂの３色が配置されるので、Ｒ、Ｇ、Ｂ
それぞれのサブ画素ピッチは 0.1mm以下となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た反転構造の薄膜ＥＬ素子とカラーフィルターを組み合
わせれば、ＥＬ発光が分光され３原色化されるので、カ
ラーＥＬパネルとして使用することができる。しかしな
がら、このように構成した薄膜ＥＬ素子に於いても、電
極構成を、モノカラーＥＬパネル用の薄膜ＥＬ素子の場
合と同様に、電極の長さが短い側をＩＴＯ透明電極と
し、電極の長さが長い側を金属電極としているが、ＩＴ
Ｏ透明電極はデータ線側の電極であるので、カラーフィ
ルターを組み合わせてカラーＥＬパネルとして用いる際
には、線幅がＲ、Ｇ、Ｂの３色に細分化されるのでライ
ン抵抗が増大し、各サブ画素に印加されるパルス電圧波
形が歪み、発光特性が不均一になるという問題点があ
る。すなわち、ＩＴＯ透明電極端部の給電端子から遠い
画素に印加されるパルス電圧波形は、ライン抵抗のため
に電圧降下を起こし波形が歪み、発光輝度が低下する。
ライン抵抗を下げるために膜厚を厚くすると、光の透過
率が低下してしまうという新たな問題が生ずる。したが
って、ライン抵抗を下げるにはＩＴＯ透明電極上に金属
膜配線を設けることが必須となるが、ライン抵抗を抑え
るために金属膜配線の線幅を広くするとサブ画素のフィ
ルファクターがさらに小さくなるという問題があり、ま
た、線幅が10μm 以下では製作時に断線等の欠陥を生じ
る確率が高くなり、製品の歩留りを低下させてしまうと
いう問題がある。
た反転構造の薄膜ＥＬ素子とカラーフィルターを組み合
わせれば、ＥＬ発光が分光され３原色化されるので、カ
ラーＥＬパネルとして使用することができる。しかしな
がら、このように構成した薄膜ＥＬ素子に於いても、電
極構成を、モノカラーＥＬパネル用の薄膜ＥＬ素子の場
合と同様に、電極の長さが短い側をＩＴＯ透明電極と
し、電極の長さが長い側を金属電極としているが、ＩＴ
Ｏ透明電極はデータ線側の電極であるので、カラーフィ
ルターを組み合わせてカラーＥＬパネルとして用いる際
には、線幅がＲ、Ｇ、Ｂの３色に細分化されるのでライ
ン抵抗が増大し、各サブ画素に印加されるパルス電圧波
形が歪み、発光特性が不均一になるという問題点があ
る。すなわち、ＩＴＯ透明電極端部の給電端子から遠い
画素に印加されるパルス電圧波形は、ライン抵抗のため
に電圧降下を起こし波形が歪み、発光輝度が低下する。
ライン抵抗を下げるために膜厚を厚くすると、光の透過
率が低下してしまうという新たな問題が生ずる。したが
って、ライン抵抗を下げるにはＩＴＯ透明電極上に金属
膜配線を設けることが必須となるが、ライン抵抗を抑え
るために金属膜配線の線幅を広くするとサブ画素のフィ
ルファクターがさらに小さくなるという問題があり、ま
た、線幅が10μm 以下では製作時に断線等の欠陥を生じ
る確率が高くなり、製品の歩留りを低下させてしまうと
いう問題がある。
【０００９】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ＩＴＯ透明電極の膜厚を厚く
することなくライン抵抗が低く抑えられ、かつサブ画素
のフィルファクターが低下せず、しかも安定して製作が
可能な、カラーＥＬパネル用の薄膜ＥＬ素子を提供する
ことにある。
ものであり、その目的は、ＩＴＯ透明電極の膜厚を厚く
することなくライン抵抗が低く抑えられ、かつサブ画素
のフィルファクターが低下せず、しかも安定して製作が
可能な、カラーＥＬパネル用の薄膜ＥＬ素子を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明においては、カラーフィルターと組み合わ
せてカラーＥＬパネルを構成する薄膜ＥＬ素子を、 (1) 基板上に、金属電極、第１絶縁層、発光層、第２絶
縁層、およびＩＴＯ透明電極層を順次積層して構成され
る反転構造とし、直交する２組の電極ストライプのう
ち、データ側を金属電極、走査線側をＩＴＯ透明電極と
し、かつＩＴＯ透明電極に接するように金属膜配線を形
成することとする。
めに、本発明においては、カラーフィルターと組み合わ
せてカラーＥＬパネルを構成する薄膜ＥＬ素子を、 (1) 基板上に、金属電極、第１絶縁層、発光層、第２絶
縁層、およびＩＴＯ透明電極層を順次積層して構成され
る反転構造とし、直交する２組の電極ストライプのう
ち、データ側を金属電極、走査線側をＩＴＯ透明電極と
し、かつＩＴＯ透明電極に接するように金属膜配線を形
成することとする。
【００１１】(2) さらに、ＩＴＯ透明電極に接するよう
に形成する金属膜配線を、ＩＴＯ透明電極の上表面の画
素上と側面の画素間とにまたがって形成することとす
る。 (3) さらにまた、ＩＴＯ透明電極に接するように形成す
る金属膜配線を、ＡｌとＮｉの積層膜で形成することと
する。
に形成する金属膜配線を、ＩＴＯ透明電極の上表面の画
素上と側面の画素間とにまたがって形成することとす
る。 (3) さらにまた、ＩＴＯ透明電極に接するように形成す
る金属膜配線を、ＡｌとＮｉの積層膜で形成することと
する。
【００１２】
【作用】本発明においては、カラーフィルターと組み合
わせてカラーＥＬパネルを構成する薄膜ＥＬ素子を、上
記(1) のように、データ側を金属電極として構成すれ
ば、サブ画素に分割してもライン抵抗の増加は小さく、
金属電極での電圧降下は無視できる。また、ＩＴＯ透明
電極は分割のない走査線側となるので線幅が広くとれ、
ライン抵抗を下げるためにこのＩＴＯ透明電極に接して
形成する金属膜配線の作成工程が容易となる。とくに線
幅が広いがために金属膜配線を製作の容易な10μm 以上
の線幅としても十分なフィルファクターがとれ、高い歩
留りで安定して製作することができる。
わせてカラーＥＬパネルを構成する薄膜ＥＬ素子を、上
記(1) のように、データ側を金属電極として構成すれ
ば、サブ画素に分割してもライン抵抗の増加は小さく、
金属電極での電圧降下は無視できる。また、ＩＴＯ透明
電極は分割のない走査線側となるので線幅が広くとれ、
ライン抵抗を下げるためにこのＩＴＯ透明電極に接して
形成する金属膜配線の作成工程が容易となる。とくに線
幅が広いがために金属膜配線を製作の容易な10μm 以上
の線幅としても十分なフィルファクターがとれ、高い歩
留りで安定して製作することができる。
【００１３】さらに上記(2) のように、金属膜配線をＩ
ＴＯ透明電極の上表面の画素上のみならず側面の画素間
にまたがって形成するようにすれば、金属膜配線による
画素表面の遮蔽割合を低減させ、フィルファクターを確
保することが容易となる。また、上記(3) のように、Ｉ
ＴＯ透明電極に接するように配線する金属膜を、Ａｌと
Ｎｉの積層膜で形成することとすれば、ＩＴＯ透明電極
との密着性に優れ、かつ端部の給電端子部でのハンダ付
け性の良好な金属膜配線が得られ、ＩＴＯ透明電極のラ
イン抵抗の低減に効果的である。
ＴＯ透明電極の上表面の画素上のみならず側面の画素間
にまたがって形成するようにすれば、金属膜配線による
画素表面の遮蔽割合を低減させ、フィルファクターを確
保することが容易となる。また、上記(3) のように、Ｉ
ＴＯ透明電極に接するように配線する金属膜を、Ａｌと
Ｎｉの積層膜で形成することとすれば、ＩＴＯ透明電極
との密着性に優れ、かつ端部の給電端子部でのハンダ付
け性の良好な金属膜配線が得られ、ＩＴＯ透明電極のラ
イン抵抗の低減に効果的である。
【００１４】
【実施例】以下、図に基づいて本発明による薄膜ＥＬ素
子の実施例を説明する。図１は、カラーフィルターと組
み合わせた、本発明の実施例の薄膜ＥＬ素子の基本構成
図で、(a) は、その断面図、(b) は、(a) の図中のＸ−
Ｘ’から見た平面図の要部である。
子の実施例を説明する。図１は、カラーフィルターと組
み合わせた、本発明の実施例の薄膜ＥＬ素子の基本構成
図で、(a) は、その断面図、(b) は、(a) の図中のＸ−
Ｘ’から見た平面図の要部である。
【００１５】本実施例では、NA-40 ガラスを用いたガラ
ス基板１の上に、Mo膜を約2000Åの膜厚に成長し、O2/C
F4ガスによるドライエッチングでエッジをテーパー状に
加工して、Ｒ、Ｇ、Ｂの三原色フィルターのパターンに
対応した、100 μm ピッチで80μm 幅、したがって間隔
20μm 幅にパターニングして金属電極２を形成し、デー
タ側電極としている。第１絶縁層３は、SiO2（膜厚 200
〜800 Å）とSi3N4 （膜厚 1000 〜3000Å）を積層して
形成されている。発光層４は、 Ce 添加 SrS（膜厚 500
0 〜10000 Å）と Mn 添加 ZnS（膜厚 3000 〜7000Å）
の積層膜であり、白色のＥＬ発光を生ずるものである。
続いて積層された第２絶縁層５は、第１絶縁層３と同様
にSiO2（膜厚 200〜800 Å）と Si3N4（膜厚 1000 〜30
00Å）を積層して形成されたものである。走査側電極と
なるＩＴＯ透明電極６は、ＩＴＯを約2000Åの膜厚に成
長し、300 μm ピッチで250 μm 幅、したがって間隔 5
0μm 幅にパターニングして形成されたものである。Ｉ
ＴＯ透明電極６には、Al（膜厚 12000〜13000 Å）とNi
（膜厚 3000 〜4000Å）を積層することにより、ＩＴＯ
透明電極６のエッジ部分に20μm 幅にパターニングした
金属膜配線７が形成されている。なお、この例では、20
μm 幅の金属膜配線７は、画素上のみならず50μm の広
い幅を有する画素間にも一部形成されており、その割合
は画素上に15μm 幅、画素間に 5μm 幅の割合である。
ス基板１の上に、Mo膜を約2000Åの膜厚に成長し、O2/C
F4ガスによるドライエッチングでエッジをテーパー状に
加工して、Ｒ、Ｇ、Ｂの三原色フィルターのパターンに
対応した、100 μm ピッチで80μm 幅、したがって間隔
20μm 幅にパターニングして金属電極２を形成し、デー
タ側電極としている。第１絶縁層３は、SiO2（膜厚 200
〜800 Å）とSi3N4 （膜厚 1000 〜3000Å）を積層して
形成されている。発光層４は、 Ce 添加 SrS（膜厚 500
0 〜10000 Å）と Mn 添加 ZnS（膜厚 3000 〜7000Å）
の積層膜であり、白色のＥＬ発光を生ずるものである。
続いて積層された第２絶縁層５は、第１絶縁層３と同様
にSiO2（膜厚 200〜800 Å）と Si3N4（膜厚 1000 〜30
00Å）を積層して形成されたものである。走査側電極と
なるＩＴＯ透明電極６は、ＩＴＯを約2000Åの膜厚に成
長し、300 μm ピッチで250 μm 幅、したがって間隔 5
0μm 幅にパターニングして形成されたものである。Ｉ
ＴＯ透明電極６には、Al（膜厚 12000〜13000 Å）とNi
（膜厚 3000 〜4000Å）を積層することにより、ＩＴＯ
透明電極６のエッジ部分に20μm 幅にパターニングした
金属膜配線７が形成されている。なお、この例では、20
μm 幅の金属膜配線７は、画素上のみならず50μm の広
い幅を有する画素間にも一部形成されており、その割合
は画素上に15μm 幅、画素間に 5μm 幅の割合である。
【００１６】なお、フィルター１１は、顔料分散型をガ
ラス基板１２の上にパターニングしたものである。表１
は、本実施例の電極構成の場合と、金属電極を走査線側
電極、ＩＴＯ透明電極をデータ線側電極とし、かつＩＴ
Ｏ透明電極の表面に膜厚 2000 Å、５μm幅の金属膜配
線を付設した従来の電極構成の場合について、金属膜配
線による画素表面の遮蔽割合を比較したものである。
ラス基板１２の上にパターニングしたものである。表１
は、本実施例の電極構成の場合と、金属電極を走査線側
電極、ＩＴＯ透明電極をデータ線側電極とし、かつＩＴ
Ｏ透明電極の表面に膜厚 2000 Å、５μm幅の金属膜配
線を付設した従来の電極構成の場合について、金属膜配
線による画素表面の遮蔽割合を比較したものである。
【００１７】
【表１】 表１に見られるように、本実施例では、走査線側電極を
ＩＴＯ透明電極とし、配線加工工程の容易な20μm 幅と
幅広の金属膜配線を施しても、一部を幅の広い画素間に
形成することができるので、金属膜配線による画素表面
の遮蔽割合は、5μm 幅と極めて狭い金属膜配線を施し
た従来例の場合と同等となる。
ＩＴＯ透明電極とし、配線加工工程の容易な20μm 幅と
幅広の金属膜配線を施しても、一部を幅の広い画素間に
形成することができるので、金属膜配線による画素表面
の遮蔽割合は、5μm 幅と極めて狭い金属膜配線を施し
た従来例の場合と同等となる。
【００１８】本実施例の構成においては、金属膜配線の
線幅をさらに狭くすることが容易であり、従来の構成に
比べて画素表面の遮蔽割合を低減すること、したがって
画素のフィルファクターを上昇させることが可能であ
る。なお、上記の例では、 640ｘ480 マトリックスで上
下２分割駆動した場合に駆動用ＩＣが十分動作する範囲
となるように、配線抵抗を選定して構成したものであ
る。
線幅をさらに狭くすることが容易であり、従来の構成に
比べて画素表面の遮蔽割合を低減すること、したがって
画素のフィルファクターを上昇させることが可能であ
る。なお、上記の例では、 640ｘ480 マトリックスで上
下２分割駆動した場合に駆動用ＩＣが十分動作する範囲
となるように、配線抵抗を選定して構成したものであ
る。
【００１９】
【発明の効果】上記のように、本発明においては、 (1) 基板上に金属電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁
層、およびＩＴＯ透明電極層を順次積層して形成され、
カラーフィルターと組み合わせてカラーＥＬパネルを構
成する薄膜ＥＬ素子において、直交する２組の電極スト
ライプのうち、狭い画素ピッチが要求されるデータ線側
を金属電極とし、長さは相対的に長いが画素ピッチの広
い走査線側をＩＴＯ透明電極とし、このＩＴＯ透明電極
に接して金属膜配線を形成することとしたので、従来の
方式での金属膜配線に比較して、加工の容易な幅の広い
金属膜配線を形成しても、画素表面の遮蔽割合を従来と
同等、あるいはそれ以下に抑えることが可能となり、画
素のフィルファクターを低下させることなく、高い歩留
りで安定して製作できるカラー用の薄膜ＥＬ素子が得ら
れるようになった。
層、およびＩＴＯ透明電極層を順次積層して形成され、
カラーフィルターと組み合わせてカラーＥＬパネルを構
成する薄膜ＥＬ素子において、直交する２組の電極スト
ライプのうち、狭い画素ピッチが要求されるデータ線側
を金属電極とし、長さは相対的に長いが画素ピッチの広
い走査線側をＩＴＯ透明電極とし、このＩＴＯ透明電極
に接して金属膜配線を形成することとしたので、従来の
方式での金属膜配線に比較して、加工の容易な幅の広い
金属膜配線を形成しても、画素表面の遮蔽割合を従来と
同等、あるいはそれ以下に抑えることが可能となり、画
素のフィルファクターを低下させることなく、高い歩留
りで安定して製作できるカラー用の薄膜ＥＬ素子が得ら
れるようになった。
【００２０】(2) また、上記のように、画素ピッチが広
く、間隔も広い走査線側をＩＴＯ透明電極とし、このＩ
ＴＯ透明電極に接して金属膜配線を形成することとした
ので、画素間に金属膜配線の一部を形成することが可能
となり、金属膜配線による画素表面の遮蔽割合の低減、
したがって画素のフィルファクターの上昇をより効果的
に行うことができることとなる。
く、間隔も広い走査線側をＩＴＯ透明電極とし、このＩ
ＴＯ透明電極に接して金属膜配線を形成することとした
ので、画素間に金属膜配線の一部を形成することが可能
となり、金属膜配線による画素表面の遮蔽割合の低減、
したがって画素のフィルファクターの上昇をより効果的
に行うことができることとなる。
【００２１】(3) さらに、ＩＴＯ透明電極に接して形成
された金属膜配線を、ＡｌとＮｉの積層膜で形成すれ
ば、この金属膜配線とＩＴＯ透明電極との間に良好な密
着性が得られ、また給電端子部でのハンダ付け性にも優
れるので、ライン抵抗をより確実に安定して低減するこ
とができる。
された金属膜配線を、ＡｌとＮｉの積層膜で形成すれ
ば、この金属膜配線とＩＴＯ透明電極との間に良好な密
着性が得られ、また給電端子部でのハンダ付け性にも優
れるので、ライン抵抗をより確実に安定して低減するこ
とができる。
【図１】カラーフィルターと組み合わせた、本発明の実
施例を示す反転構造の薄膜ＥＬ素子の基本構成図で、
（ａ）は断面図、（ｂ）は要部の平面図。
施例を示す反転構造の薄膜ＥＬ素子の基本構成図で、
（ａ）は断面図、（ｂ）は要部の平面図。
【図２】従来の薄膜ＥＬ素子の基本構成を示す断面図。
【図３】カラーフィルターと組み合わせた、従来の反転
構造の薄膜ＥＬ素子の基本構成図で、（ａ）は断面図、
（ｂ）は要部の平面図。
構造の薄膜ＥＬ素子の基本構成図で、（ａ）は断面図、
（ｂ）は要部の平面図。
１ ガラス基板 ２ 金属電極 ３ 第１絶縁層 ４ 発光層 ５ 第２絶縁層 ６ ＩＴＯ透明電極 ７ 金属膜配線 １１ フィルター １２ ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺尾 豊 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に金属電極、第１絶縁層、発光層、
第２絶縁層、およびＩＴＯ透明電極層を順次積層して形
成され、カラーフィルターと組み合わせてカラーエレク
トロルミネッセンスパネルを構成する薄膜エレクトロル
ミネッセンス素子において、直交する２組の電極ストラ
イプのうち、データ線側を金属電極とし、走査線側をＩ
ＴＯ透明電極とし、前記ＩＴＯ透明電極に接して金属膜
配線を形成したことを特徴とする薄膜エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項２】請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセ
ンス素子において、ＩＴＯ透明電極に接して形成された
金属膜配線は、ＩＴＯ透明電極の上表面の画素上と側面
の画素間とにまたがり形成された金属膜配線であること
を特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】請求項１または２記載の薄膜エレクトロル
ミネッセンス素子において、ＩＴＯ透明電極に接して形
成された金属膜配線は、ＡｌとＮｉの積層膜からなるこ
とを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087036A JPH07296969A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087036A JPH07296969A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296969A true JPH07296969A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13903729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6087036A Pending JPH07296969A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296969A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045769A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Toyota Industries Corp | 表示装置 |
| KR100590269B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP6087036A patent/JPH07296969A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045769A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Toyota Industries Corp | 表示装置 |
| US6954239B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-10-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Display unit |
| KR100590269B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
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