JPH07296969A - Thin film electroluminescent element - Google Patents
Thin film electroluminescent elementInfo
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- JPH07296969A JPH07296969A JP6087036A JP8703694A JPH07296969A JP H07296969 A JPH07296969 A JP H07296969A JP 6087036 A JP6087036 A JP 6087036A JP 8703694 A JP8703694 A JP 8703694A JP H07296969 A JPH07296969 A JP H07296969A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、カラーフィルターと
組み合わせて用いられる反転構造の薄膜エレクトロルミ
ネッセンス素子（以下、薄膜ＥＬ素子と略記する）に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inversion structure thin film electroluminescent device (hereinafter abbreviated as thin film EL device) used in combination with a color filter.
【０００２】[0002]
【従来の技術】通常、薄膜ＥＬ素子は、基板の上に、一
対の電極層で挟んで薄膜状に形成された発光層に、交流
電圧を印加してエレクトロルミネッセンス発光（以下、
ＥＬ発光と略記する）を得るものである。図２は、従来
より用いられている代表的な薄膜ＥＬ素子の基本構成を
示す断面図である。2. Description of the Related Art In general, a thin film EL element is a thin film light emitting layer which is sandwiched between a pair of electrode layers on a substrate, and an AC voltage is applied to the electroluminescent (hereinafter
Abbreviated as EL emission). FIG. 2 is a cross-sectional view showing the basic structure of a typical thin film EL element used conventionally.
【０００３】ガラス基板１の上にＩＴＯ（インジウムと
スズの酸化物）からなるストライプ状のＩＴＯ透明電極
８、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５が順次形成
され、最上部に、ＩＴＯ透明電極８のストライプと直交
するストライプとして配置された金属電極９が形成され
ている。電圧が印加されたＩＴＯ透明電極８と金属電極
９に挟まれた部分の発光層４で生じたＥＬ発光は、ＩＴ
Ｏ透明電極８およびガラス基板１を通して、図中の下方
へと取り出される構成である。A striped ITO transparent electrode 8 made of ITO (an oxide of indium and tin), a first insulating layer 3, a light emitting layer 4, and a second insulating layer 5 are sequentially formed on a glass substrate 1, and the uppermost portion is formed. The metal electrodes 9 arranged as stripes orthogonal to the stripes of the ITO transparent electrodes 8 are formed on the surface. EL light emission generated in the light emitting layer 4 between the ITO transparent electrode 8 to which a voltage is applied and the metal electrode 9 is IT
Through the O transparent electrode 8 and the glass substrate 1, it is taken out downward in the drawing.
【０００４】現在、 Mn 添加 ZnSを発光層４に用いた薄
膜ＥＬ素子による黄橙色のモノカラーＥＬパネルが実用
化されているが、その一般的なパネル表示部の大きさは
対角線として９〜１０インチであり、走査線側電極がデ
ータ線側電極よりも長い長方形である。画素数は 640ｘ
400〜480 で、走査線側電極、データ線側電極とも電極
のピッチは同一で、約 0.3mmである。通常、導電性に優
れる金属電極を長さの長い走査線側電極に用い、導電性
の悪いＩＴＯ透明電極を長さの短いデータ線側電極に用
いることによって、ライン抵抗の増大を抑えている。さ
らに、駆動周波数の上昇と表示面積の拡大を目的とし
て、導電性の悪いＩＴＯ透明電極に接触するように金属
膜配線を形成してライン抵抗を低減する方式（特開平２
−１６５５９２号公報参照）も試みられている。At present, a yellow-orange monocolor EL panel using a thin film EL element using Mn-doped ZnS for the light emitting layer 4 is put into practical use, but the size of a general panel display portion is 9 to 10 as a diagonal line. It is an inch, and the scanning line side electrode is a rectangle longer than the data line side electrode. The number of pixels is 640x
In the range of 400 to 480, the electrode pitch is the same for both the scanning line side electrode and the data line side electrode, which is about 0.3 mm. Usually, an increase in line resistance is suppressed by using a metal electrode having excellent conductivity as a scanning line side electrode having a long length and an ITO transparent electrode having poor conductivity as a data line side electrode having a short length. Further, for the purpose of increasing the driving frequency and expanding the display area, a method of forming a metal film wiring so as to contact with an ITO transparent electrode having poor conductivity to reduce the line resistance (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 2).
No. 165592) has also been attempted.
【０００５】一方、白色発光薄膜ＥＬ素子とカラーフィ
ルターを組み合わせるフィルター方式カラーＥＬパネル
は、従来のモノカラーパネルと類似の製造プロセスで製
作できるものと見込まれ、その実用化が期待されてい
る。フィルター方式カラーＥＬパネルに用いられる薄膜
ＥＬ素子については、カラーフィルターとのギャップを
できるだけ狭く抑えるために、電極構成を上記の構成例
とは逆とした、いわゆる反転構造、すなわち、下部電極
を金属電極とし、上部電極をＩＴＯ透明電極として、Ｅ
Ｌ発光を上部より取り出す電極構造が提案されている。On the other hand, a filter type color EL panel in which a white light emitting thin film EL element and a color filter are combined is expected to be manufactured by a manufacturing process similar to that of a conventional mono color panel, and its practical application is expected. Regarding the thin film EL element used in the filter type color EL panel, in order to keep the gap with the color filter as narrow as possible, the electrode configuration is the reverse of the above configuration example, a so-called inversion structure, that is, the lower electrode is a metal electrode. And the upper electrode is an ITO transparent electrode, and E
An electrode structure has been proposed in which L emission is taken out from the upper part.
【０００６】図３は、カラーフィルターを組み合わせ
た、従来から提案されている反転構造の薄膜ＥＬ素子の
基本構成図で、(a) は断面図、(b) は(a) の図中のＹ−
Ｙ’より見た平面の要部である。ガラス基板１の上に、
走査線側の金属電極２’、第１絶縁層３、発光層４、第
２絶縁層５、データ線側のＩＴＯ透明電極６’が順次積
層されており、ＩＴＯ透明電極６’には、ライン抵抗を
低減するための金属膜配線７’が接触して形成されてい
る。ＩＴＯ透明電極６’の上部には、ガラス基板１２に
形成されたフィルター１１が近接して配置されている。FIG. 3 is a basic configuration diagram of a conventionally proposed thin film EL element having an inversion structure in which a color filter is combined. (A) is a cross-sectional view and (b) is Y in the figure. −
It is the main part of the plane viewed from Y '. On the glass substrate 1,
A metal electrode 2'on the scanning line side, a first insulating layer 3, a light emitting layer 4, a second insulating layer 5, and an ITO transparent electrode 6'on the data line side are sequentially laminated. A metal film wiring 7'for reducing resistance is formed in contact with each other. A filter 11 formed on a glass substrate 12 is arranged close to the upper part of the ITO transparent electrode 6 '.
【０００７】発光層４で生じたＥＬ発光は、上部のＩＴ
Ｏ透明電極６’の側から取り出され、フィルター１１で
分光され３原色化される。データ線側の電極、したがっ
てＩＴＯ透明電極６では、画素ピッチが約 0.3mmの１画
素中にＲ、Ｇ、Ｂの３色が配置されるので、Ｒ、Ｇ、Ｂ
それぞれのサブ画素ピッチは 0.1mm以下となる。The EL emission generated in the light emitting layer 4 is caused by the IT on the upper side.
It is taken out from the O transparent electrode 6 ′ side, and is separated into three primary colors by the filter 11. With the electrode on the data line side, that is, the ITO transparent electrode 6, three colors of R, G, and B are arranged in one pixel with a pixel pitch of about 0.3 mm.
Each sub-pixel pitch is 0.1 mm or less.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た反転構造の薄膜ＥＬ素子とカラーフィルターを組み合
わせれば、ＥＬ発光が分光され３原色化されるので、カ
ラーＥＬパネルとして使用することができる。しかしな
がら、このように構成した薄膜ＥＬ素子に於いても、電
極構成を、モノカラーＥＬパネル用の薄膜ＥＬ素子の場
合と同様に、電極の長さが短い側をＩＴＯ透明電極と
し、電極の長さが長い側を金属電極としているが、ＩＴ
Ｏ透明電極はデータ線側の電極であるので、カラーフィ
ルターを組み合わせてカラーＥＬパネルとして用いる際
には、線幅がＲ、Ｇ、Ｂの３色に細分化されるのでライ
ン抵抗が増大し、各サブ画素に印加されるパルス電圧波
形が歪み、発光特性が不均一になるという問題点があ
る。すなわち、ＩＴＯ透明電極端部の給電端子から遠い
画素に印加されるパルス電圧波形は、ライン抵抗のため
に電圧降下を起こし波形が歪み、発光輝度が低下する。
ライン抵抗を下げるために膜厚を厚くすると、光の透過
率が低下してしまうという新たな問題が生ずる。したが
って、ライン抵抗を下げるにはＩＴＯ透明電極上に金属
膜配線を設けることが必須となるが、ライン抵抗を抑え
るために金属膜配線の線幅を広くするとサブ画素のフィ
ルファクターがさらに小さくなるという問題があり、ま
た、線幅が10μm 以下では製作時に断線等の欠陥を生じ
る確率が高くなり、製品の歩留りを低下させてしまうと
いう問題がある。When the thin film EL element having the inversion structure constructed as described above is combined with a color filter, EL light emission is dispersed into three primary colors, so that it can be used as a color EL panel. it can. However, even in the thin-film EL element configured as described above, the electrode structure is the same as in the case of the thin-film EL element for a monocolor EL panel, and the side with the shorter electrode is the ITO transparent electrode, and the electrode length is longer. The metal electrode is used on the long side, but IT
Since the O transparent electrode is the electrode on the data line side, the line width is subdivided into three colors of R, G, and B when the color filter is used in combination with a color EL panel to increase the line resistance. There is a problem that the waveform of the pulse voltage applied to each sub-pixel is distorted and the light emission characteristics become non-uniform. That is, the pulse voltage waveform applied to the pixel far from the power supply terminal at the end of the ITO transparent electrode causes a voltage drop due to the line resistance, and the waveform is distorted and the emission brightness is reduced.
If the film thickness is increased to reduce the line resistance, a new problem arises that the light transmittance is reduced. Therefore, in order to reduce the line resistance, it is essential to provide the metal film wiring on the ITO transparent electrode, but if the line width of the metal film wiring is widened to suppress the line resistance, the fill factor of the sub-pixel is further reduced. There is a problem, and if the line width is 10 μm or less, there is a high probability that a defect such as a wire break will occur at the time of manufacturing, resulting in a decrease in product yield.
【０００９】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ＩＴＯ透明電極の膜厚を厚く
することなくライン抵抗が低く抑えられ、かつサブ画素
のフィルファクターが低下せず、しかも安定して製作が
可能な、カラーＥＬパネル用の薄膜ＥＬ素子を提供する
ことにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to keep the line resistance low without increasing the thickness of the ITO transparent electrode and to reduce the fill factor of the sub-pixel. It is to provide a thin-film EL element for a color EL panel that can be manufactured stably without doing so.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明においては、カラーフィルターと組み合わ
せてカラーＥＬパネルを構成する薄膜ＥＬ素子を、 (1) 基板上に、金属電極、第１絶縁層、発光層、第２絶
縁層、およびＩＴＯ透明電極層を順次積層して構成され
る反転構造とし、直交する２組の電極ストライプのう
ち、データ側を金属電極、走査線側をＩＴＯ透明電極と
し、かつＩＴＯ透明電極に接するように金属膜配線を形
成することとする。In order to achieve the above object, in the present invention, a thin film EL element which constitutes a color EL panel in combination with a color filter is formed by: (1) a metal electrode, An inversion structure is formed by sequentially stacking one insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer, and an ITO transparent electrode layer, and out of two sets of orthogonal electrode stripes, the data side is a metal electrode and the scanning line side is ITO. The metal film wiring is formed as a transparent electrode and in contact with the ITO transparent electrode.
【００１１】(2) さらに、ＩＴＯ透明電極に接するよう
に形成する金属膜配線を、ＩＴＯ透明電極の上表面の画
素上と側面の画素間とにまたがって形成することとす
る。 (3) さらにまた、ＩＴＯ透明電極に接するように形成す
る金属膜配線を、ＡｌとＮｉの積層膜で形成することと
する。(2) Further, the metal film wiring formed so as to be in contact with the ITO transparent electrode is formed over the pixels on the upper surface of the ITO transparent electrode and between the pixels on the side surfaces. (3) Furthermore, the metal film wiring formed so as to be in contact with the ITO transparent electrode is formed of a laminated film of Al and Ni.
【００１２】[0012]
【作用】本発明においては、カラーフィルターと組み合
わせてカラーＥＬパネルを構成する薄膜ＥＬ素子を、上
記(1) のように、データ側を金属電極として構成すれ
ば、サブ画素に分割してもライン抵抗の増加は小さく、
金属電極での電圧降下は無視できる。また、ＩＴＯ透明
電極は分割のない走査線側となるので線幅が広くとれ、
ライン抵抗を下げるためにこのＩＴＯ透明電極に接して
形成する金属膜配線の作成工程が容易となる。とくに線
幅が広いがために金属膜配線を製作の容易な10μm 以上
の線幅としても十分なフィルファクターがとれ、高い歩
留りで安定して製作することができる。In the present invention, if the thin film EL element forming the color EL panel in combination with the color filter is constituted by the metal electrode on the data side as in the above (1), the line can be divided into sub-pixels. The increase in resistance is small,
The voltage drop at the metal electrode is negligible. Further, since the ITO transparent electrode is on the scanning line side without division, the line width can be wide,
This facilitates the process of forming the metal film wiring formed in contact with the ITO transparent electrode to reduce the line resistance. In particular, since the line width is wide, a sufficient fill factor can be obtained even if the line width is 10 μm or more, which is easy to manufacture the metal film wiring, and it is possible to stably manufacture with a high yield.
【００１３】さらに上記(2) のように、金属膜配線をＩ
ＴＯ透明電極の上表面の画素上のみならず側面の画素間
にまたがって形成するようにすれば、金属膜配線による
画素表面の遮蔽割合を低減させ、フィルファクターを確
保することが容易となる。また、上記(3) のように、Ｉ
ＴＯ透明電極に接するように配線する金属膜を、Ａｌと
Ｎｉの積層膜で形成することとすれば、ＩＴＯ透明電極
との密着性に優れ、かつ端部の給電端子部でのハンダ付
け性の良好な金属膜配線が得られ、ＩＴＯ透明電極のラ
イン抵抗の低減に効果的である。Further, as described in (2) above, the metal film wiring is I
If it is formed not only on the pixels on the upper surface of the TO transparent electrode but also on the pixels on the side surface, the shielding rate of the pixel surface by the metal film wiring can be reduced and the fill factor can be easily secured. Also, as in (3) above, I
If the metal film wired so as to be in contact with the TO transparent electrode is formed of a laminated film of Al and Ni, excellent adhesion with the ITO transparent electrode and solderability at the power supply terminal portion at the end can be achieved. Good metal film wiring can be obtained, and it is effective in reducing the line resistance of the ITO transparent electrode.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、図に基づいて本発明による薄膜ＥＬ素
子の実施例を説明する。図１は、カラーフィルターと組
み合わせた、本発明の実施例の薄膜ＥＬ素子の基本構成
図で、(a) は、その断面図、(b) は、(a) の図中のＸ−
Ｘ’から見た平面図の要部である。EXAMPLES Examples of thin film EL devices according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a basic configuration diagram of a thin film EL device of an embodiment of the present invention in combination with a color filter, (a) is a cross-sectional view thereof, and (b) is X- in the diagram of (a).
It is an essential part of the plan view seen from X ′.
【００１５】本実施例では、NA-40 ガラスを用いたガラ
ス基板１の上に、Mo膜を約2000Åの膜厚に成長し、O2/C
F4ガスによるドライエッチングでエッジをテーパー状に
加工して、Ｒ、Ｇ、Ｂの三原色フィルターのパターンに
対応した、100 μm ピッチで80μm 幅、したがって間隔
20μm 幅にパターニングして金属電極２を形成し、デー
タ側電極としている。第１絶縁層３は、SiO2（膜厚 200
〜800 Å）とSi3N4 （膜厚 1000 〜3000Å）を積層して
形成されている。発光層４は、 Ce 添加 SrS（膜厚 500
0 〜10000 Å）と Mn 添加 ZnS（膜厚 3000 〜7000Å）
の積層膜であり、白色のＥＬ発光を生ずるものである。
続いて積層された第２絶縁層５は、第１絶縁層３と同様
にSiO2（膜厚 200〜800 Å）と Si3N4（膜厚 1000 〜30
00Å）を積層して形成されたものである。走査側電極と
なるＩＴＯ透明電極６は、ＩＴＯを約2000Åの膜厚に成
長し、300 μm ピッチで250 μm 幅、したがって間隔 5
0μm 幅にパターニングして形成されたものである。Ｉ
ＴＯ透明電極６には、Al（膜厚 12000〜13000 Å）とNi
（膜厚 3000 〜4000Å）を積層することにより、ＩＴＯ
透明電極６のエッジ部分に20μm 幅にパターニングした
金属膜配線７が形成されている。なお、この例では、20
μm 幅の金属膜配線７は、画素上のみならず50μm の広
い幅を有する画素間にも一部形成されており、その割合
は画素上に15μm 幅、画素間に 5μm 幅の割合である。In this example, a Mo film was grown to a film thickness of about 2000 Å on a glass substrate 1 using NA-40 glass, and O 2 / C
The edges are processed into a taper shape by dry etching with F 4 gas, and correspond to the patterns of the three primary color filters of R, G, and B, with a pitch of 100 μm, a width of 80 μm, and therefore an interval.
A metal electrode 2 is formed by patterning to a width of 20 μm and is used as a data side electrode. The first insulating layer 3 is made of SiO 2 (film thickness 200
~ 800Å) and Si 3 N 4 (thickness 1000 ~ 3000Å) are laminated. The light emitting layer 4 is a Ce-added SrS (film thickness 500
0 to 10000Å) and Mn-doped ZnS (film thickness 3000 to 7000Å)
Which is a laminated film of the above, and produces white EL light emission.
The second insulating layer 5, which is subsequently laminated, is made of SiO 2 (film thickness of 200 to 800 Å) and Si 3 N 4 (film thickness of 1000 to 30) like the first insulating layer 3.
It is formed by stacking 00Å). The ITO transparent electrode 6 to be the scanning side electrode grows ITO to a film thickness of about 2000 Å, has a pitch of 300 μm and a width of 250 μm, and therefore has an interval of 5 μm.
It is formed by patterning to a width of 0 μm. I
The TO transparent electrode 6 has Al (film thickness 12000 to 13000 Å) and Ni.
By stacking (thickness 3000 to 4000Å), ITO
A metal film wiring 7 patterned to a width of 20 μm is formed on the edge portion of the transparent electrode 6. In this example, 20
The metal film wiring 7 having a width of μm is formed not only on the pixels but also between the pixels having a wide width of 50 μm, and the ratio is 15 μm width on the pixels and 5 μm width between the pixels.
【００１６】なお、フィルター１１は、顔料分散型をガ
ラス基板１２の上にパターニングしたものである。表１
は、本実施例の電極構成の場合と、金属電極を走査線側
電極、ＩＴＯ透明電極をデータ線側電極とし、かつＩＴ
Ｏ透明電極の表面に膜厚 2000 Å、５μm幅の金属膜配
線を付設した従来の電極構成の場合について、金属膜配
線による画素表面の遮蔽割合を比較したものである。The filter 11 is a pigment dispersion type patterned on a glass substrate 12. Table 1
In the case of the electrode structure of this embodiment, the metal electrode is used as the scanning line side electrode, the ITO transparent electrode is used as the data line side electrode, and IT
This is a comparison of the ratio of shielding of the pixel surface by the metal film wiring in the case of a conventional electrode configuration in which a metal film wiring having a film thickness of 2000 Å and 5 μm is attached to the surface of an O transparent electrode.
【００１７】[0017]
【表１】 表１に見られるように、本実施例では、走査線側電極を
ＩＴＯ透明電極とし、配線加工工程の容易な20μm 幅と
幅広の金属膜配線を施しても、一部を幅の広い画素間に
形成することができるので、金属膜配線による画素表面
の遮蔽割合は、5μm 幅と極めて狭い金属膜配線を施し
た従来例の場合と同等となる。[Table 1] As shown in Table 1, in the present embodiment, even if the scanning line side electrode is an ITO transparent electrode and a metal film wiring having a width of 20 μm and a wide wiring process is provided easily, a portion of the pixel is wide. Therefore, the shielding rate of the pixel surface by the metal film wiring is equal to that of the conventional example in which the metal film wiring having an extremely narrow width of 5 μm is applied.
【００１８】本実施例の構成においては、金属膜配線の
線幅をさらに狭くすることが容易であり、従来の構成に
比べて画素表面の遮蔽割合を低減すること、したがって
画素のフィルファクターを上昇させることが可能であ
る。なお、上記の例では、 640ｘ480 マトリックスで上
下２分割駆動した場合に駆動用ＩＣが十分動作する範囲
となるように、配線抵抗を選定して構成したものであ
る。In the structure of this embodiment, it is easy to further reduce the line width of the metal film wiring, and the shielding ratio of the pixel surface is reduced as compared with the conventional structure, thus increasing the fill factor of the pixel. It is possible to In the above example, the wiring resistance is selected so that the driving IC will be in a range in which the driving IC operates sufficiently when the matrix driving is performed in the upper and lower halves with the 640 × 480 matrix.
【００１９】[0019]
【発明の効果】上記のように、本発明においては、 (1) 基板上に金属電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁
層、およびＩＴＯ透明電極層を順次積層して形成され、
カラーフィルターと組み合わせてカラーＥＬパネルを構
成する薄膜ＥＬ素子において、直交する２組の電極スト
ライプのうち、狭い画素ピッチが要求されるデータ線側
を金属電極とし、長さは相対的に長いが画素ピッチの広
い走査線側をＩＴＯ透明電極とし、このＩＴＯ透明電極
に接して金属膜配線を形成することとしたので、従来の
方式での金属膜配線に比較して、加工の容易な幅の広い
金属膜配線を形成しても、画素表面の遮蔽割合を従来と
同等、あるいはそれ以下に抑えることが可能となり、画
素のフィルファクターを低下させることなく、高い歩留
りで安定して製作できるカラー用の薄膜ＥＬ素子が得ら
れるようになった。As described above, according to the present invention, (1) a metal electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer, and an ITO transparent electrode layer are sequentially laminated on a substrate,
In a thin film EL element that is combined with a color filter to form a color EL panel, a metal line is used as a metal electrode on a data line side that requires a narrow pixel pitch in two sets of orthogonal electrode stripes, and a pixel having a relatively long length Since the scanning line side with a wide pitch is used as the ITO transparent electrode and the metal film wiring is formed in contact with this ITO transparent electrode, the width of the metal film wiring is wide and easy to process compared to the conventional method. Even if the metal film wiring is formed, the shielding ratio of the pixel surface can be suppressed to the same level as or lower than the conventional one, and it can be stably manufactured with high yield without lowering the pixel fill factor. Thin film EL devices have come to be obtained.
【００２０】(2) また、上記のように、画素ピッチが広
く、間隔も広い走査線側をＩＴＯ透明電極とし、このＩ
ＴＯ透明電極に接して金属膜配線を形成することとした
ので、画素間に金属膜配線の一部を形成することが可能
となり、金属膜配線による画素表面の遮蔽割合の低減、
したがって画素のフィルファクターの上昇をより効果的
に行うことができることとなる。(2) As described above, the ITO transparent electrode is provided on the scanning line side having a wide pixel pitch and a wide interval, and
Since the metal film wiring is formed in contact with the TO transparent electrode, it is possible to form a part of the metal film wiring between the pixels, and the ratio of shielding the pixel surface by the metal film wiring is reduced.
Therefore, the fill factor of the pixel can be increased more effectively.
【００２１】(3) さらに、ＩＴＯ透明電極に接して形成
された金属膜配線を、ＡｌとＮｉの積層膜で形成すれ
ば、この金属膜配線とＩＴＯ透明電極との間に良好な密
着性が得られ、また給電端子部でのハンダ付け性にも優
れるので、ライン抵抗をより確実に安定して低減するこ
とができる。(3) Further, if the metal film wiring formed in contact with the ITO transparent electrode is formed of a laminated film of Al and Ni, good adhesion is provided between the metal film wiring and the ITO transparent electrode. Since it is obtained and the solderability at the power supply terminal portion is excellent, the line resistance can be more reliably and stably reduced.
【図１】カラーフィルターと組み合わせた、本発明の実
施例を示す反転構造の薄膜ＥＬ素子の基本構成図で、
（ａ）は断面図、（ｂ）は要部の平面図。FIG. 1 is a basic configuration diagram of a thin film EL device having an inversion structure showing an embodiment of the present invention in combination with a color filter,
(A) is sectional drawing, (b) is a top view of a principal part.
【図２】従来の薄膜ＥＬ素子の基本構成を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing the basic structure of a conventional thin film EL element.
【図３】カラーフィルターと組み合わせた、従来の反転
構造の薄膜ＥＬ素子の基本構成図で、（ａ）は断面図、
（ｂ）は要部の平面図。FIG. 3 is a basic configuration diagram of a conventional thin film EL element having an inversion structure in combination with a color filter, (a) is a cross-sectional view,
(B) is a plan view of a main part.
１ ガラス基板 ２ 金属電極 ３ 第１絶縁層 ４ 発光層 ５ 第２絶縁層 ６ ＩＴＯ透明電極 ７ 金属膜配線 １１ フィルター １２ ガラス基板 1 Glass Substrate 2 Metal Electrode 3 First Insulating Layer 4 Light Emitting Layer 5 Second Insulating Layer 6 ITO Transparent Electrode 7 Metal Film Wiring 11 Filter 12 Glass Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺尾 豊 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yutaka Terao 1-1 Tanabe Nitta, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fuji Electric Co., Ltd.
Claims (3)
第２絶縁層、およびＩＴＯ透明電極層を順次積層して形
成され、カラーフィルターと組み合わせてカラーエレク
トロルミネッセンスパネルを構成する薄膜エレクトロル
ミネッセンス素子において、直交する２組の電極ストラ
イプのうち、データ線側を金属電極とし、走査線側をＩ
ＴＯ透明電極とし、前記ＩＴＯ透明電極に接して金属膜
配線を形成したことを特徴とする薄膜エレクトロルミネ
ッセンス素子。1. A metal electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, and
In a thin film electroluminescent element which is formed by sequentially stacking a second insulating layer and an ITO transparent electrode layer and which is combined with a color filter to form a color electroluminescent panel, the data line side of two orthogonal electrode stripes is formed. The metal electrode is used and the scanning line side is I
A thin film electroluminescent device comprising a TO transparent electrode and a metal film wiring formed in contact with the ITO transparent electrode.
ンス素子において、ＩＴＯ透明電極に接して形成された
金属膜配線は、ＩＴＯ透明電極の上表面の画素上と側面
の画素間とにまたがり形成された金属膜配線であること
を特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。2. The thin film electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal film wiring formed in contact with the ITO transparent electrode is formed over the pixels on the upper surface of the ITO transparent electrode and between the pixels on the side surfaces. A thin film electroluminescent element, which is a metal film wiring.
ミネッセンス素子において、ＩＴＯ透明電極に接して形
成された金属膜配線は、ＡｌとＮｉの積層膜からなるこ
とを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。3. The thin film electroluminescent element according to claim 1, wherein the metal film wiring formed in contact with the ITO transparent electrode is a laminated film of Al and Ni.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087036A JPH07296969A (en) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Thin film electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087036A JPH07296969A (en) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Thin film electroluminescent element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296969A true JPH07296969A (en) | 1995-11-10 |
Family
ID=13903729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6087036A Pending JPH07296969A (en) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Thin film electroluminescent element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296969A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045769A (en) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Toyota Industries Corp | Display device |
| KR100590269B1 (en) * | 2004-05-10 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic Electro Luminescence Display and method of fabricating the same |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP6087036A patent/JPH07296969A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045769A (en) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Toyota Industries Corp | Display device |
| US6954239B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-10-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Display unit |
| KR100590269B1 (en) * | 2004-05-10 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic Electro Luminescence Display and method of fabricating the same |
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