JPH0727789A - Circuit wiring board and its manufacture - Google Patents

Circuit wiring board and its manufacture

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Publication number
JPH0727789A
JPH0727789A JP5170359A JP17035993A JPH0727789A JP H0727789 A JPH0727789 A JP H0727789A JP 5170359 A JP5170359 A JP 5170359A JP 17035993 A JP17035993 A JP 17035993A JP H0727789 A JPH0727789 A JP H0727789A
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JP
Japan
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circuit wiring
convex portion
resin layer
insulating resin
layer
Prior art date
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Application number
JP5170359A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Kaneto
正行 金戸
Kazuo Ouchi
一男 大内
Yoshinari Takayama
嘉也 高山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
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Publication of JPH0727789A publication Critical patent/JPH0727789A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a test head whose durability is excellent against a pressure, 3 shearing force or a frictional force loaded during a test, which can avoid an unexpected short circuit with the wiring part of a peripheral electric apparatus and whose inspection reliability is high. CONSTITUTION:In a test head T1, a circuit wiring part 2 is formed on the surface 1a on one side of an insulating resin layer 1, and the circuit wiring part 2 is connected to an inspection apparatus. The circuit wiring part 2 is connected to a protrusion part 3 which has been made sharp to be a pin shape, it is connected electrically, via the protrusion part 3, to a circuit pattern on an object to be inspected, and it is wired in a desired linear pattern so that a continuity test on whether a prescribed function is provided or not, can be carried out. A cover-lay insulating resin layer 4 which covers the circuit wiring part 2 is laminated on the surface 1a on one side, and the tip part including the top part of the protrusion part 3 protrudes from the resin layer 4. The tip part of the protrusion part 3 is covered with a metal layer 5, and the metal layer 5 comes into contact with a terminal at the object to be inspected.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、LSIに代表される半
導体装置の検査用回路配線板、実裝用回路配線板、多層
回路配線板などの回路配線板およびその製造方法に関
し、特に半導体素子、ダイシング前の半導体素子が形成
されたウエハなどの半導体素子集合体、TAB、半導体
装置、半導体装置搭載用回路基板、LCD用回路基板な
どの配線回路の検査装置に用いられるテストヘッドおよ
びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit wiring board such as a circuit wiring board for inspection of a semiconductor device represented by LSI, a circuit wiring board for practical use, a multilayer circuit wiring board and a method for manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor element. A test head used for an inspection apparatus for a wiring circuit such as a semiconductor element assembly such as a wafer on which semiconductor elements before dicing are formed, a TAB, a semiconductor device, a semiconductor device mounting circuit board, an LCD circuit board, and a method for manufacturing the same. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の発展、殊に半導体集積
度ならびに実装技術の高密度化に伴い、半導体装置や回
路配線板の電極数は増加し、そのピッチも年々密度を上
げている。従来、このような半導体素子、半導体装置、
回路配線板などの配線回路の導通試験を行う装置とし
て、針式のメカニカルプロ−ブが用いられていたが、高
密度化に対応するために針径が小さくなり、繰り返し使
用すると針が曲がってショ−トするなどの問題があっ
た。
2. Description of the Related Art In recent years, the number of electrodes of a semiconductor device or a circuit wiring board has been increased and the pitch thereof has been increased year by year with the development of electronic equipment, especially the integration density of semiconductors and higher density of packaging technology. Conventionally, such semiconductor elements, semiconductor devices,
A needle type mechanical probe was used as a device for conducting a continuity test of a wiring circuit such as a circuit wiring board, but the needle diameter becomes smaller to cope with higher density, and the needle bends when repeatedly used. There was a problem such as a short shoot.

【0003】このような問題を解決するために、バンプ
状の金属突出物(以下「バンプ」ともいう。)付きのテ
ストヘッドが発案されている(例えば特開平3−237
369号公報、特開平3−293566号公報など参
照)。
In order to solve such a problem, a test head having bump-shaped metal protrusions (hereinafter also referred to as "bumps") has been proposed (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-237).
369, JP-A-3-293566, etc.).

【0004】図7(a)は、従来のバンプ付きテストヘ
ッドT6を示す断面図であり、図7(b)は、図7
(a)に示されるテストヘッドT6のC−D線断面図で
ある。テストヘッドT6においては、導電体からなる検
査回路92が絶縁性フィルム91の一方表面に形成さ
れ、かつ検査回路92に導通する導通路93が絶縁体フ
ィルム91の厚み方向に独立して形成されている。導通
路93の先端部には、絶縁体フィルム91の他方表面よ
りも外方向に突出するバンプ94が接続されており、こ
のバンプ94が検査探針として被検査回路と接触するこ
とによって、被検査回路の導通試験が行われる。
FIG. 7A is a sectional view showing a conventional test head T6 with bumps, and FIG. 7B is a sectional view.
It is a C-D line sectional view of test head T6 shown in (a). In the test head T6, the inspection circuit 92 made of a conductor is formed on one surface of the insulating film 91, and the conduction path 93 that is electrically connected to the inspection circuit 92 is formed independently in the thickness direction of the insulating film 91. There is. A bump 94 protruding outward from the other surface of the insulating film 91 is connected to the tip end of the conduction path 93. The bump 94 comes into contact with the circuit to be inspected as an inspection probe to be inspected. A continuity test of the circuit is performed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなテストヘッドT4では、図7に示されるように、検
査探針となるバンプ94の先端が丸く、接触する被検査
回路の表面に酸化膜などが存在する場合、酸化膜などを
突き破ることができず、検査信頼性が不十分であった。
一方、酸化膜などを突き破るために、テストヘッドT4
に高い圧力を負荷すると、テストヘッドT4または被検
査回路基板が損傷するなどの問題があった。
However, in such a test head T4, as shown in FIG. 7, the tip of the bump 94 serving as an inspection probe is round, and an oxide film or the like is formed on the surface of the circuit to be in contact with which it comes into contact. In the case of the existence of “,” it was not possible to break through the oxide film, etc., and the inspection reliability was insufficient.
On the other hand, in order to break through the oxide film, the test head T4
When a high pressure is applied to the test head T4 or the circuit board to be inspected, there is a problem such as damage.

【0006】また、テストヘッドT4の表面は電気絶縁
保護されていないので、周辺電気機器の配線との不慮の
短絡を生じる可能性があった。さらに、導通路93およ
びバンプ94は、検査回路92に積層されている絶縁性
フィルム91に貫通孔を穿設し、この貫通孔にめっき法
などによって金属物質を充填し、かつ貫通孔の開口部か
ら金属物質を盛り上げて形成されているので、検査探針
として必要な高さを得るには長時間を要し、また形成さ
れたバンプ94の高さがばらつくなどの問題もあった。
Further, since the surface of the test head T4 is not protected against electrical insulation, there is a possibility that an accidental short circuit with the wiring of the peripheral electrical equipment may occur. Further, the conductive path 93 and the bump 94 are formed by forming a through hole in the insulating film 91 laminated on the inspection circuit 92, filling the through hole with a metal substance by a plating method, and forming an opening portion of the through hole. Since it is formed by swelling a metal substance, it takes a long time to obtain the height required for the inspection probe, and there is a problem that the height of the formed bump 94 varies.

【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、試験中に負荷される圧力や剪断力、あるいは
摩擦力に対しても優れた耐久性を有し、周辺電気機器の
配線との不慮の短絡を避けることができ、さらに検査信
頼性の高いテストヘッドを包含する回路配線板を提供す
ることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances and has excellent durability against pressure, shearing force, or frictional force applied during a test, and wiring of peripheral electrical equipment. It is an object of the present invention to provide a circuit wiring board that includes a test head that can avoid an accidental short circuit with and has high inspection reliability.

【0008】また、本発明は、上記回路配線板、特にテ
ストヘッドを製造するに際し、ヘッド先端部の高さのば
らつきが解消され、従来よりも比較的短時間で製造でき
る簡便な製造方法の提供をもその目的とする。
Further, the present invention provides a simple manufacturing method which can eliminate the variation in the height of the head tip when manufacturing the above-mentioned circuit wiring board, especially the test head, and can be manufactured in a relatively short time compared with the conventional method. Is also the purpose.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、以下の回路
配線板およびその製造方法を提供することにより、上記
の目的が達成されることを見出し、本発明を完成するに
至った。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the present inventors achieved the above-mentioned object by providing the following circuit wiring board and its manufacturing method. The present invention has been completed and the present invention has been completed.

【0010】すなわち、本発明の回路配線板は、回路配
線と、該回路配線を被覆するカバーレイ絶縁性樹脂層と
が絶縁性基材の一方表面に積層され、該絶縁性基材に対
して反対方向へ延出するに従って径が漸次小さくなる凸
部が該回路配線に一体として形成され、外部基板の端子
に接触する接触部が該凸部に接続されていることを特徴
とする。
That is, in the circuit wiring board of the present invention, the circuit wiring and the coverlay insulating resin layer that covers the circuit wiring are laminated on one surface of the insulating base material, and It is characterized in that a convex portion whose diameter gradually decreases as it extends in the opposite direction is formed integrally with the circuit wiring, and a contact portion which comes into contact with a terminal of an external substrate is connected to the convex portion.

【0011】特に好ましくは、該接触部が、該凸部を被
覆する該カバーレイ絶縁性樹脂層の表面から該凸部の頂
部まで導通する導通路と、該カバーレイ絶縁性樹脂層の
表面よりも外方向へ突出し、該導通路に接続される金属
突出物とを有することを特徴とする。
It is particularly preferable that the contact portion has a conduction path from the surface of the coverlay insulating resin layer covering the convex portion to the top of the convex portion and the surface of the coverlay insulating resin layer. Also has a metal protrusion that protrudes outward and is connected to the conduction path.

【0012】本発明の回路配線板の製造方法は、絶縁性
基材と金属層とが積層された積層基材の金属層表面に回
路配線領域およびその近傍領域の第1マスクパターンを
形成する工程と、該第1マスクパターンをマスクにし
て、該金属層の露出部分に湿式エッチング法によって第
1段階のエッチングを施す工程と、該第1マスクパター
ンの領域のうち、外部基板の端子に接触する接触部を形
成する領域および/またはその近傍領域の第2マスクパ
ターンを形成する工程と、該第2マスクパターンをマス
クにして、該金属層の露出部分に湿式エッチング法によ
って第2段階のエッチングを施し、該絶縁性基材に対し
て反対方向へ延出する凸部および回路配線を一体的に形
成する工程と、該第2マスクパターンを除去した後、該
絶縁性基材に該金属層を被覆するカバーレイ絶縁性樹脂
層を積層する工程と、該第2マスクパターンの領域およ
び/またはその近傍領域の該カバーレイ絶縁性樹脂層を
除去する工程と、該除去工程により露出した該凸部に該
接触部を形成する工程とを有することを特徴とする。
The method of manufacturing a circuit wiring board according to the present invention comprises a step of forming a first mask pattern in a circuit wiring region and a region in the vicinity thereof on a metal layer surface of a laminated base material in which an insulating base material and a metal layer are laminated. And a step of performing a first-stage etching on the exposed portion of the metal layer by a wet etching method using the first mask pattern as a mask, and contacting a terminal of an external substrate in a region of the first mask pattern. A step of forming a second mask pattern in a region where a contact portion is formed and / or a region in the vicinity thereof, and a second stage etching is performed on the exposed portion of the metal layer by a wet etching method using the second mask pattern as a mask. And a step of integrally forming a convex portion and a circuit wiring extending in the opposite direction to the insulating base material, and removing the second mask pattern, and thereafter forming the metal on the insulating base material. A step of laminating a coverlay insulating resin layer covering the surface of the second mask pattern, a step of removing the coverlay insulating resin layer in the area of the second mask pattern and / or an area in the vicinity thereof, and the projection exposed by the removing step. And a step of forming the contact portion on the portion.

【0013】特に好ましくは、該カバーレイ絶縁性樹脂
層を除去する工程が、該凸部の頂部まで貫通する貫通孔
を穿設する工程であり、該接触部を形成する工程が、該
貫通孔に導電性物質を充填して導通路を形成する工程
と、該カバーレイ絶縁性樹脂層の表面よりも外方向へ突
出し、該導通路に接続される金属突出物を形成する工程
とを有することを特徴とする。
Particularly preferably, the step of removing the coverlay insulating resin layer is a step of forming a through hole penetrating to the top of the convex portion, and the step of forming the contact portion is the through hole. A step of filling a conductive material into a conductive path to form a conductive path, and a step of forming a metal protrusion protruding outward from the surface of the coverlay insulating resin layer and connected to the conductive path. Is characterized by.

【0014】本発明において「回路配線」とは、配線パ
ターンのみならず、電極、リードなどを包含する広い概
念のことである。「外部基板」とは、半導体素子、半導
体素子集合体(ダイシング前のシリコンウエハおよびダ
イシング後のシリコンチップなど)、半導体装置、半導
体装置搭載用回路基板、LCD用回路基板などをいい、
「端子」は、電極、パッド、ランドの概念を包含する。
「接触部」とは、外部基板の端子に接触することにより
導通する導電体をいい、その形状は特に限定されず、三
角形、正方形、長方形、台形、平行四辺形、その他の多
角形、円形などの平面、あるいは角柱、円柱、球体、錐
体(円錐、角錐)などの立体であってもよく、接触する
外部基板の端子のレイアウトや形状などによって任意に
設定することができる。
In the present invention, "circuit wiring" is a broad concept including not only wiring patterns but also electrodes, leads and the like. The "external substrate" refers to a semiconductor element, a semiconductor element assembly (such as a silicon wafer before dicing and a silicon chip after dicing), a semiconductor device, a semiconductor device mounting circuit board, an LCD circuit board, and the like.
“Terminal” includes the concepts of electrodes, pads, and lands.
The "contact part" refers to a conductor that conducts when it comes into contact with a terminal of an external substrate, and its shape is not particularly limited, and it may be a triangle, a square, a rectangle, a trapezoid, a parallelogram, another polygon, a circle, or the like. Or a solid such as a prism, a cylinder, a sphere, a cone (a cone or a pyramid), and can be arbitrarily set depending on the layout and shape of the terminal of the external substrate with which it comes into contact.

【0015】[0015]

【作用】本発明の回路配線板によれば、回路配線を被覆
するカバーレイ絶縁性樹脂層が絶縁性基材の一方表面に
積層されているので、周辺電気機器の配線との不慮の短
絡を確実に避けることができる。また、絶縁性基材に対
して反対方向へ延出する凸部が回路配線に一体として形
成されているので、試験中に負荷される圧力や剪断力、
あるいは摩擦力に対しても優れた耐久性を有する。さら
に、該凸部の径は、絶縁性基材に対して反対方向へ延出
するに従って漸次小さくなっているので、該凸部の先端
部は尖鋭化されており、外部基板の端子の表面に形成さ
れた酸化膜などを突き破ることができ、したがって、接
触部と外部基板の端子との接触、導通が確実となる。
According to the circuit wiring board of the present invention, since the coverlay insulating resin layer for covering the circuit wiring is laminated on one surface of the insulating base material, an accidental short circuit with the wiring of the peripheral electric equipment is prevented. You can definitely avoid it. Further, since the convex portion extending in the opposite direction to the insulating base material is formed integrally with the circuit wiring, the pressure and shearing force applied during the test,
Alternatively, it has excellent durability against frictional force. Furthermore, since the diameter of the convex portion is gradually reduced as it extends in the opposite direction to the insulating base material, the tip of the convex portion is sharpened and the surface of the terminal of the external substrate is sharpened. The formed oxide film or the like can be pierced, so that contact and conduction between the contact portion and the terminal of the external substrate are ensured.

【0016】本発明の回路配線板の製造方法によれば、
フォトリソグラフィー法などを利用して金属層にエッチ
ングを施して、上記の回路配線および凸部を形成するの
で、回路配線および凸部が一体的に同一組成で形成さ
れ、また凸部の高さにばらつきがない。さらに、湿式エ
ッチングによるサイドエッチングを利用しているので、
凸部が尖鋭化される。
According to the method for manufacturing a circuit wiring board of the present invention,
By etching the metal layer using a photolithography method or the like to form the circuit wiring and the convex portion described above, the circuit wiring and the convex portion are integrally formed with the same composition, and the height of the convex portion is increased. There is no variation. Furthermore, since side etching by wet etching is used,
The protrusion is sharpened.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明を詳細に説明するため実施例を
挙げるが、本発明はこれら実施例によって何ら限定され
るものではない。なお、以下の実施例は、本発明の回路
配線板に包含されるテストヘッドの実施例についてのみ
記載するものとする。
EXAMPLES Examples will be given below to explain the present invention in detail, but the present invention is not limited to these examples. It should be noted that the following embodiments will be described only for the embodiments of the test head included in the circuit wiring board of the present invention.

【0018】図1は、本発明のテストヘッドの第1の実
施例を示す断面図であり、図2は、図1に示されるテス
トヘッドT1のA−B線断面図である。図1に示される
テストヘッドT1において、ベースとなる絶縁性基材で
あるところの絶縁性樹脂層1の一方表面1aには、回路
配線2が形成されており、この回路配線2は図示しない
検査装置(テスター)に接続されている。また、回路配
線2は、頂部3aが平坦であり、かつピン状に尖鋭化さ
れた凸部3に接続されており、凸部3を介して被検査体
の回路パターンや半導体素子上の電極端子と電気的に接
続され、所定の機能を有するか否かを導通検査できるよ
うに、所望の線状パターンにて配線される。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the test head of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line AB of the test head T1 shown in FIG. In the test head T1 shown in FIG. 1, a circuit wiring 2 is formed on one surface 1a of the insulating resin layer 1 which is an insulating base material serving as a base, and the circuit wiring 2 is not shown in the drawing. It is connected to the device (tester). The circuit wiring 2 has a flat top 3a and is connected to a projection 3 which is sharpened in a pin shape. Through the projection 3, the circuit pattern of the DUT and the electrode terminals on the semiconductor element are connected. It is electrically connected to and is wired in a desired linear pattern so that a continuity test can be performed whether or not it has a predetermined function.

【0019】また、絶縁性樹脂層1の一方表面1aに
は、回路配線2を被覆するカバーレイ絶縁性樹脂層4が
積層されており、凸部3の頂部3aを含む先端部がカバ
ーレイ絶縁性樹脂層4から突出している。さらに、突出
した凸部3の先端部は、被検査体の回路パターンや半導
体素子上の電極端子と接触する接触部であるところの金
属層5に被覆されている。
A coverlay insulating resin layer 4 for covering the circuit wiring 2 is laminated on one surface 1a of the insulating resin layer 1, and the tip portion including the top portion 3a of the convex portion 3 is covered by the coverlay insulation. Protruding from the resin layer 4. Further, the tip end of the protruding convex portion 3 is covered with the metal layer 5 which is a contact portion that comes into contact with the circuit pattern of the device under test or the electrode terminal on the semiconductor element.

【0020】図1および図2に示されるテストヘッドT
1において、回路配線2は長手方向にかまぼこ状に延び
て形成されており、この回路配線2の所望の位置(被検
査体の端子に対応する位置)に、凸部3が一体的に形成
されている。すなわち、図1において、凸部3の頂部3
aにおける幅をL1、凸部3の基部における幅をL2、
絶縁性樹脂層1との界面における回路配線2の幅をL3
とした場合、L1<L2<L3となるように設定されて
いる。また、絶縁性樹脂層1の表面1aから凸部3の頂
部3aまでの高さをH1、絶縁性樹脂層1の表面1aか
ら回路配線2を被覆するカバーレイ絶縁性樹脂層4の表
面までの高さをH2とした場合、H2<H1となるよう
に設定されている。
The test head T shown in FIGS. 1 and 2.
In FIG. 1, the circuit wiring 2 is formed so as to extend in the longitudinal direction in a semicylindrical shape, and the convex portion 3 is integrally formed at a desired position of the circuit wiring 2 (a position corresponding to the terminal of the device under test). ing. That is, in FIG.
The width at a is L1, the width at the base of the convex portion 3 is L2,
The width of the circuit wiring 2 at the interface with the insulating resin layer 1 is set to L3.
In such a case, L1 <L2 <L3 is set. Further, the height from the surface 1a of the insulating resin layer 1 to the top 3a of the convex portion 3 is H1, and from the surface 1a of the insulating resin layer 1 to the surface of the coverlay insulating resin layer 4 covering the circuit wiring 2. When the height is H2, it is set such that H2 <H1.

【0021】絶縁性樹脂層1およびカバーレイ絶縁性樹
脂層4の形成材料としては、電気絶縁性を有するもので
あれば特に限定されない。具体的には、ポリエステル系
樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹
脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリア
ミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニトリル−ブ
タジエン−スチレン(ABS)共重合体樹脂、ポリカー
ボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂など
の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられる。これ
らの樹脂うち、耐熱性、耐薬品性および機械的強度の点
から、ポリイミド系樹脂が特に好適に使用される。絶縁
性樹脂層1およびカバーレイ絶縁性樹脂層4の形成材料
は、相互に異なっていてもよいが、テストヘッド自体の
反りの点から、同じ形成材料を用いることが望ましい。
The material for forming the insulating resin layer 1 and the coverlay insulating resin layer 4 is not particularly limited as long as it has electric insulation. Specifically, polyester resin, epoxy resin, acrylic resin, urethane resin, polystyrene resin, polyethylene resin, polyamide resin, polyimide resin, acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS) copolymer resin, Examples thereof include thermosetting resins or thermoplastic resins such as polycarbonate resins, silicone resins and fluorine resins. Among these resins, a polyimide resin is particularly preferably used in terms of heat resistance, chemical resistance and mechanical strength. The forming materials of the insulating resin layer 1 and the coverlay insulating resin layer 4 may be different from each other, but it is desirable to use the same forming material from the viewpoint of warpage of the test head itself.

【0022】絶縁性樹脂層1の厚みは、機械的強度が十
分であれば特に限定されるものではないが、300μm
以下の微細なピッチでスルーホールまたは凹形状の陥部
を形成する場合、あるいは基板に可撓性が必要な場合に
は、5μm〜200μm、好ましくは10〜100μm
に設定することが望ましい。
The thickness of the insulating resin layer 1 is not particularly limited as long as it has sufficient mechanical strength, but is 300 μm.
When forming through-holes or concave portions at the following fine pitches, or when the substrate needs to be flexible, 5 μm to 200 μm, preferably 10 to 100 μm
It is desirable to set to.

【0023】また、カバーレイ絶縁性樹脂層4の厚み
(図1におけるH2)についても、特に限定されない
が、2μm〜100μm、好ましくは5μm〜30μm
に設定することが望ましい。
The thickness (H2 in FIG. 1) of the coverlay insulating resin layer 4 is not particularly limited, but it is 2 μm to 100 μm, preferably 5 μm to 30 μm.
It is desirable to set to.

【0024】回路配線2および凸部3の形成材料として
は、導電性を有するものであれば特に限定されず、公知
の金属材料が使用できるが、例えば銅、ニッケル、鉄、
クロム、アルミニウム、金、銀などの金属またはこれら
を主成分とする各種合金などが挙げられる。
The material for forming the circuit wiring 2 and the convex portion 3 is not particularly limited as long as it has conductivity, and known metal materials can be used. For example, copper, nickel, iron,
Examples thereof include metals such as chromium, aluminum, gold and silver, and various alloys containing these as the main components.

【0025】接触部であるところの金属層5の形成材料
としては、上記と同様に導電性を有するものであれば特
に限定されず、公知の金属材料が使用できるが、例えば
金、銀、銅、白金、鉛、錫、白金、アルミニウム、クロ
ム、ニッケル、コバルト、インジウム、ベリリウム、タ
ンタル、ニオブ、モリブデン、チタン、ロジウム、タン
グステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれらを
主成分とする各種合金、例えば、半田、ニッケル−錫、
金−コバルトなどが用いられ、さらに、上記金属粉体を
熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂に分散させた導電性ペ
ーストが用いられる。
The material for forming the metal layer 5, which is the contact portion, is not particularly limited as long as it has conductivity similar to the above, and known metal materials can be used. For example, gold, silver, copper. , Platinum, lead, tin, platinum, aluminum, chromium, nickel, cobalt, indium, beryllium, tantalum, niobium, molybdenum, titanium, rhodium, tungsten, ruthenium and the like, or various alloys containing these as main components, for example, , Solder, nickel-tin,
Gold-cobalt or the like is used, and further, a conductive paste in which the above metal powder is dispersed in a thermoplastic resin or a thermosetting resin is used.

【0026】なお、金属層5の形成材料として、被検査
体の端子の酸化物層や配線パターン上の絶縁層を破壊す
ることができるように、回路配線2および凸部3の金属
よりも硬質で酸化しにくく、かつ電気抵抗の低い金属、
例えば、タングステン、ロジウム、ルテニウム、白金な
どの貴金属が好適に用いられる。このように回路配線2
および凸部3の金属よりも硬質の材料を用いることは、
探針としての耐久性向上の点から好ましい。さらに、所
望の耐久性、導電性、耐食性を得るために、上記金属を
併用してもよい。
As a material for forming the metal layer 5, harder than the metal of the circuit wiring 2 and the convex portion 3 so that the oxide layer of the terminal of the device under test or the insulating layer on the wiring pattern can be destroyed. Metal that is hard to oxidize and has low electrical resistance,
For example, noble metals such as tungsten, rhodium, ruthenium and platinum are preferably used. Circuit wiring 2
And using a material that is harder than the metal of the protrusions 3,
It is preferable from the viewpoint of improving durability as a probe. Furthermore, in order to obtain desired durability, conductivity and corrosion resistance, the above metals may be used together.

【0027】凸部3を含めた回路配線2の厚み(図1に
おけるH1)は、特に限定されるものではないが、微細
な配線を実現するために、あるいは充分な高さの凸部3
を形成するために、3〜200μm、好ましくは15〜
50μmに設定することが望ましい。
The thickness (H1 in FIG. 1) of the circuit wiring 2 including the convex portion 3 is not particularly limited, but the convex portion 3 having a height sufficient for realizing fine wiring or having a sufficient height.
To form 3 to 200 μm, preferably 15 to
It is desirable to set it to 50 μm.

【0028】本発明のテストヘッドにおいて注目すべき
は、回路配線2と凸部3とが同一組成で、かつ一体的に
形成されている点である。すなわち、後述するように、
回路配線2と凸部3とは、単層の金属層をエッチングす
ることによって形成されている。したがって、回路配線
と凸部とを別の部材として異なる工程において形成され
た従来のテストヘッドとは異なり、本発明のテストヘッ
ドにおいては、回路配線と凸部との間に界面がなく、界
面における密着性、電気特性などの問題が発生しない。
また、カバーレイ絶縁性樹脂層4が回路配線2を被覆、
保護しているので、被検査体の回路配線などとの不慮の
短絡を避けることができる。
What should be noted in the test head of the present invention is that the circuit wiring 2 and the convex portion 3 have the same composition and are integrally formed. That is, as described below,
The circuit wiring 2 and the convex portion 3 are formed by etching a single metal layer. Therefore, unlike the conventional test head in which the circuit wiring and the convex portion are formed in different steps in different steps, in the test head of the present invention, there is no interface between the circuit wiring and the convex portion, and Problems such as adhesion and electrical characteristics do not occur.
Further, the coverlay insulating resin layer 4 covers the circuit wiring 2,
Since it is protected, it is possible to avoid an accidental short circuit with the circuit wiring of the device under test.

【0029】図3は、本発明のテストヘッドの第2の実
施例を示す断面図である。以下の実施例において、図1
および図2と同一の参照符号が付された部分は、同一ま
たは相当する部分を示す。図3に示されるテストヘッド
T2において注目すべきは、凸部3の頂部3aおよびそ
の近傍のみがバンプ6に接続されており、凸部3の側部
3bがカバーレイ絶縁性樹脂層4に被覆されている点で
ある。
FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the test head of the present invention. In the examples below, FIG.
2 and the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same or corresponding parts. In the test head T2 shown in FIG. 3, it should be noted that only the tops 3a of the protrusions 3 and the vicinity thereof are connected to the bumps 6, and the side portions 3b of the protrusions 3 are covered with the coverlay insulating resin layer 4. That is the point.

【0030】本実施例によれば、バンプ6が凸部3の頂
部3aおよびその近傍に接続されているので、バンプ6
の高さの分だけ実質的に凸部3が高くなり、外部基板で
あるところの被検査体の端子の表面に形成された酸化膜
などを容易に突き破ることができ、接触信頼性が向上す
る。また、凸部3の側部3bがカバーレイ絶縁性樹脂層
4にて被覆されているので、被検査体の回路配線などが
凸部3の側部3bに接触した場合でも、不慮の短絡を確
実に避けることができる。
According to this embodiment, since the bump 6 is connected to the top portion 3a of the convex portion 3 and its vicinity, the bump 6
The height of the convex portion 3 is substantially increased by the height of the height, and the oxide film formed on the surface of the terminal of the device under test, which is an external substrate, can be easily pierced, and the contact reliability is improved. . Further, since the side portion 3b of the convex portion 3 is covered with the coverlay insulating resin layer 4, even if the circuit wiring of the inspection object or the like contacts the side portion 3b of the convex portion 3, an accidental short circuit occurs. You can definitely avoid it.

【0031】図4は、本発明のテストヘッドの第3の実
施例を示す断面図である。図4に示されるテストヘッド
T3において注目すべきは、凸部3がカバーレイ絶縁性
樹脂層4に被覆され、凸部3の頂部3aまで貫通する貫
通孔7がカバーレイ絶縁性樹脂層4に穿設され、この貫
通孔7内に金属物質が充填されて導通路8が形成され、
カバーレイ絶縁性樹脂層4の表面から外方向へ突出する
バンプ6が導通路8に接続して形成されている点であ
る。
FIG. 4 is a sectional view showing a third embodiment of the test head of the present invention. It should be noted that in the test head T3 shown in FIG. 4, the convex portion 3 is covered with the coverlay insulating resin layer 4, and the through hole 7 penetrating to the top 3a of the convex portion 3 is formed in the coverlay insulating resin layer 4. The through hole 7 is bored, and a metal substance is filled in the through hole 7 to form a conductive path 8.
The point is that bumps 6 protruding outward from the surface of the coverlay insulating resin layer 4 are formed so as to be connected to the conductive paths 8.

【0032】導通路8およびバンプ6の形成材料は、回
路配線2、凸部3および金属層5と同様の形成材料が用
いられる。導通路8の径は、5μm〜200μm、好ま
しくは10μm〜50μmに設定することが望ましい。
また、バンプ6の高さは、2μm〜200μm、好まし
くは5μm〜50μmに設定することが望ましい。バン
プ6は、図4に示されるようなマッシュルーム状(傘
状)の他、半球状、球状に形成される。
As the material for forming the conductive paths 8 and the bumps 6, the same material for forming the circuit wiring 2, the convex portions 3 and the metal layer 5 is used. It is desirable that the diameter of the conductive path 8 is set to 5 μm to 200 μm, preferably 10 μm to 50 μm.
The height of the bumps 6 is set to 2 μm to 200 μm, preferably 5 μm to 50 μm. The bumps 6 are formed in a hemispherical shape or a spherical shape in addition to the mushroom shape (umbrella shape) as shown in FIG.

【0033】本実施例によれば、図3に示されるテスト
ヘッドT2が奏する効果に加えて、凸部3の先端部がさ
らに尖鋭化されることとなるので、被検査体の端子との
接触がさらに確実となり、検査信頼性が向上する。
According to this embodiment, in addition to the effect of the test head T2 shown in FIG. 3, the tip end of the convex portion 3 is further sharpened, so that the contact with the terminal of the device under test is achieved. Will be more reliable and the inspection reliability will be improved.

【0034】図5は、本発明のテストヘッドの第4の実
施例を示す断面図である。図5に示されるテストヘッド
T4において注目すべきは、凸部3の平坦な頂部3aに
複数の導通路8およびバンプ6が接続されている点であ
る。本実施例によれば、図4に示されるテストヘッドT
3が奏する効果に加えて、被検査体の端子との接触点数
が複数となるので、接触信頼性がさらに向上する。
FIG. 5 is a sectional view showing a fourth embodiment of the test head of the present invention. What should be noted in the test head T4 shown in FIG. 5 is that a plurality of conductive paths 8 and bumps 6 are connected to the flat top portion 3a of the convex portion 3. According to this embodiment, the test head T shown in FIG.
In addition to the effect of 3, the number of contact points with the terminals of the device under test is plural, so the contact reliability is further improved.

【0035】図6は、本発明のテストヘッドの製造工程
を示す断面図であり、例えば以下のようにして製造する
ことができる。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the test head of the present invention, which can be manufactured, for example, as follows.

【0036】まず、図6(a)に示されるように、絶縁
性樹脂層1の一方表面1aに、公知の方法にて、導電性
物質層9が積層されて形成された積層基材を用意する。
絶縁性樹脂層1の一方表面1aへの導電性物質層9の形
成方法としては、導電性物質層9に絶縁性樹脂を塗布し
て硬化させる方法、絶縁性樹脂層1と導電性物質層9と
を直接あるいは接着剤層を介して熱圧着する方法、絶縁
性樹脂層1に直接あるいは接着剤層を介してスパッタリ
ング、各種蒸着、電解、無電解めっきなどして導電性物
質層9を積層する方法などが挙げられ、二種以上の方法
を併用してもよい。次いで、導電性物質層9の表面9a
を研磨などにより加工して平滑にした後、感光性樹脂か
らなるレジスト層10を積層する。
First, as shown in FIG. 6 (a), a laminated base material prepared by laminating a conductive material layer 9 on one surface 1a of the insulating resin layer 1 by a known method is prepared. To do.
As the method of forming the conductive material layer 9 on the one surface 1a of the insulating resin layer 1, a method of applying an insulating resin to the conductive material layer 9 and curing it, an insulating resin layer 1 and a conductive material layer 9 are used. And a method of thermocompression bonding directly or through an adhesive layer, and a conductive material layer 9 is laminated on the insulating resin layer 1 by sputtering, various vapor deposition, electrolysis, electroless plating, etc. Methods, etc., and two or more methods may be used in combination. Then, the surface 9a of the conductive material layer 9
After being processed by polishing or the like to make it smooth, a resist layer 10 made of a photosensitive resin is laminated.

【0037】次に、図6(b)に示されるように、フォ
トリソグラフィー法により不要な部分を除去して、回路
配線2の領域およびその近傍領域の形状の第1マスクパ
ターン11を形成し、これを第1マスクとする。なお、
第1マスクとして、メタルマスクを用いることもでき
る。具体的には、白金、パラジウム、ニッケル−クロム
合金などを導電性物質層9に蒸着し、その上に感光性レ
ジストを塗布し、上記と同様にして第1マスクパターン
11を形成し、これをマスクとして蒸着膜をエッチング
することによって、第1マスクが形成される。
Next, as shown in FIG. 6B, unnecessary portions are removed by a photolithography method to form a first mask pattern 11 in the shape of the area of the circuit wiring 2 and its vicinity. This is the first mask. In addition,
A metal mask can also be used as the first mask. Specifically, platinum, palladium, a nickel-chromium alloy or the like is vapor-deposited on the conductive material layer 9, a photosensitive resist is applied thereon, and the first mask pattern 11 is formed in the same manner as described above. The first mask is formed by etching the deposited film as a mask.

【0038】次に、図6(c)に示されるように、酸化
還元反応、電解溶出などを利用した湿式エッチング法に
よって、露出した導電性物質層9を所定の厚みまで溶解
する(第1段階のエッチング)。エッチング液として
は、導電性物質層9として銅を用いた場合には、過硫酸
アンモニウム系水溶液が、ニッケルを用いた場合には、
硝酸系水溶液が、タングステンを用いた場合には、水酸
化カリウムとフェリシアン化カリウムとの混合系水溶液
が、それぞれ代表的に用いられる。
Next, as shown in FIG. 6C, the exposed conductive material layer 9 is dissolved to a predetermined thickness by a wet etching method utilizing a redox reaction, electrolytic elution and the like (first step). Etching). As the etching liquid, when copper is used for the conductive material layer 9, an ammonium persulfate-based aqueous solution is used, and when nickel is used,
When tungsten is used as the nitric acid-based aqueous solution, a mixed-system aqueous solution of potassium hydroxide and potassium ferricyanide is typically used.

【0039】次に、図6(d)に示されるように、上記
と同様にして、被検査体の端子に接触する接触部である
ところのバンプ6を形成する領域および/またはその近
傍領域の第2マスクパターン12を形成する。第2マス
クパターン12は、第1マスクパターン11を除去した
後、あらためて感光性レジスト層を積層して、フォトリ
ソグラフィー法により形成してもよい。しかしながら、
第2マスクパターン12の領域は、第1マスクパターン
11の領域内にあるので、第1マスクパターン11を形
成する際に、ポジ型の感光性樹脂を用いて、第1段階の
エッチング後に残存する感光性樹脂のうち、不要な部分
をフォトリソグラフィー法により除去して、第2マスク
パターン12を形成することが、製造上簡便であるので
望ましい。
Next, as shown in FIG. 6 (d), in the same manner as described above, the area where the bump 6 is formed and / or the area in the vicinity thereof, which is the contact portion which comes into contact with the terminal of the device under test, is formed. The second mask pattern 12 is formed. The second mask pattern 12 may be formed by a photolithography method after removing the first mask pattern 11 and then stacking a photosensitive resist layer again. However,
Since the area of the second mask pattern 12 is within the area of the first mask pattern 11, a positive photosensitive resin is used when forming the first mask pattern 11 and remains after the first-step etching. It is desirable that the unnecessary portion of the photosensitive resin is removed by the photolithography method to form the second mask pattern 12 because it is easy to manufacture.

【0040】次に、図6(e)に示されるように、上記
と同様にして、湿式エッチング法によって、露出した導
電性物質層9を所定の厚みまで溶解する(第2段階のエ
ッチング)。この第2段階のエッチングの際にエッチン
グ条件を制御することによって、回路配線2を形成する
とともに、湿式エッチング法に特有の現象であるサイド
エッチングを利用して、頂部3aの幅が基部の幅よりも
小さい凸部3を形成することができる。凸部3の成形材
料である導電性物質層9の厚みは略均一であり、凸部3
の頂部3aは第2マスクパターン12によって被覆され
ているので、絶縁性樹脂層1の一方表面1aから凸部3
の頂部3aまでの高さは、導電性物質層9の厚みで規定
され、ばらつきがなく略均一である。
Next, as shown in FIG. 6E, the exposed conductive material layer 9 is dissolved to a predetermined thickness by the wet etching method in the same manner as described above (second-stage etching). By controlling the etching conditions during the second-stage etching, the circuit wiring 2 is formed and side etching, which is a phenomenon unique to the wet etching method, is used to make the width of the top portion 3a smaller than that of the base portion. It is possible to form the small convex portion 3. The conductive material layer 9 that is a molding material for the protrusions 3 has a substantially uniform thickness.
Since the top portion 3a of the insulating resin layer 1 is covered with the second mask pattern 12, the protrusion 3 is formed from the one surface 1a of the insulating resin layer 1.
The height to the top portion 3a of the is defined by the thickness of the conductive material layer 9 and is substantially uniform without variation.

【0041】なお、図6においては、第2段階のエッチ
ングにより、回路配線2が電気的に分離されるようにエ
ッチング条件を制御したが、第1段階のエッチングによ
り、回路配線2が電気的に分離されるようにエッチング
条件を制御してもよい。
In FIG. 6, the etching conditions are controlled so that the circuit wiring 2 is electrically separated by the second-stage etching, but the circuit wiring 2 is electrically separated by the first-stage etching. The etching conditions may be controlled so that they are separated.

【0042】図6(f)に示されるように、カバーレイ
絶縁性樹脂層4を絶縁性樹脂層1の一方表面1aに積層
するに先立って、回路配線2および凸部3とカバーレイ
絶縁性樹脂層4との充分な密着性を得るために、回路配
線2および凸部3を被覆するように、接着剤層や他の金
属層13を積層してもよい。
As shown in FIG. 6 (f), prior to laminating the coverlay insulating resin layer 4 on the one surface 1a of the insulating resin layer 1, the circuit wiring 2, the convex portion 3 and the coverlay insulating property are formed. In order to obtain sufficient adhesion with the resin layer 4, an adhesive layer or another metal layer 13 may be laminated so as to cover the circuit wiring 2 and the convex portion 3.

【0043】次に、図6(g)に示されるように、金属
層13および絶縁性樹脂層1を被覆するカバーレイ絶縁
性樹脂層4を積層する。積層の方法としては、上記の絶
縁性樹脂層1と導電性物質層9との形成方法と同様の方
法が採用され得るが、カバーレイ絶縁性樹脂の溶液を塗
布して硬化させる方法が、凸部3におけるカバーレイ絶
縁性樹脂層4の膜厚を薄くすることができ、凸部3の形
状を保持することができるので好ましい。また、接触部
であるバンプ6を形成する領域(凸部3の頂部3aの近
傍領域)における膜厚を他の領域における膜厚よりも薄
くすることができるので、後述するように、湿式エッチ
ングによりカバーレイ絶縁性樹脂層4を全体的に均一に
除去した際、バンプ6を形成する領域における金属層1
3のみを露出させることができる。
Next, as shown in FIG. 6G, a coverlay insulating resin layer 4 covering the metal layer 13 and the insulating resin layer 1 is laminated. A method similar to the method of forming the insulating resin layer 1 and the conductive material layer 9 described above can be adopted as a stacking method, but a method of applying a solution of the coverlay insulating resin and curing it is The coverlay insulating resin layer 4 in the portion 3 can be thinned and the shape of the convex portion 3 can be maintained, which is preferable. In addition, since the film thickness in the region where the bumps 6 that are the contact portions are formed (the region in the vicinity of the tops 3a of the convex portions 3) can be made thinner than the film thickness in other regions, as will be described later, by wet etching, When the coverlay insulating resin layer 4 is uniformly removed as a whole, the metal layer 1 in the region where the bumps 6 are formed
Only 3 can be exposed.

【0044】次に、図6(h)に示されるように、接触
部であるバンプ6を形成する領域(凸部3の頂部3aの
近傍領域)におけるカバーレイ絶縁性樹脂層4を除去し
て、金属層13の一部が露出する露出部13aを形成す
る。除去方法としては、マイクロドリルなどによる機械
的加工法、レーザー、プラズマなどによる乾式エッチン
グ法、薬液、溶剤による化学的な湿式エッチング法など
が挙げられる。また、カバーレイ絶縁性樹脂に光硬化性
あるいは光崩壊性の感光基を導入して、フォトリソグラ
フィー法により、部分的にカバーレイ絶縁性樹脂層4を
除去してもよい。特に、エキシマレーザーのような紫外
域レーザー光によるアブレーションを用いた乾式エッチ
ング法の場合は、照射径、照射パワー、照射パルス数な
どを制御することによって、微細な除去が可能となる。
Next, as shown in FIG. 6H, the coverlay insulating resin layer 4 is removed in the region where the bump 6 which is the contact portion is formed (the region near the top 3a of the convex portion 3). An exposed portion 13a is formed to expose a part of the metal layer 13. Examples of the removal method include a mechanical processing method using a micro drill, a dry etching method using a laser and plasma, a chemical wet etching method using a chemical solution and a solvent. Alternatively, a photocurable or photodegradable photosensitive group may be introduced into the coverlay insulating resin, and the coverlay insulating resin layer 4 may be partially removed by a photolithography method. In particular, in the case of a dry etching method using ablation with an ultraviolet laser beam such as an excimer laser, fine removal can be performed by controlling the irradiation diameter, irradiation power, irradiation pulse number and the like.

【0045】最後に、図6(i)に示されるように、金
属層13の露出部13aに接触部であるバンプ6を積層
して、テストヘッドの探針とする。積層方法は、流動性
のある導電物質、あるいは樹脂や溶剤とのペースト混合
物を機械的に塗布して硬化させる方法、ワイヤーボンデ
ィング法、無電解めっき法、金属層13または回路配線
2を電極とする電解めっき法、蒸着、イオンプレーティ
ング、スパッタリングによる付加などが挙げられる。以
上の工程を経ることによって、図6(i)に示されるテ
ストヘッドT5が得られる。
Finally, as shown in FIG. 6 (i), bumps 6 serving as contact portions are laminated on the exposed portions 13a of the metal layer 13 to form the probe of the test head. The lamination method includes a method in which a fluid conductive material, or a paste mixture with a resin or a solvent is mechanically applied and cured, a wire bonding method, an electroless plating method, the metal layer 13 or the circuit wiring 2 is used as an electrode. Examples include electrolytic plating, vapor deposition, ion plating, and addition by sputtering. Through the above steps, the test head T5 shown in FIG. 6I is obtained.

【0046】従来は長時間を要して、高さのばらつきが
大きいバンプを成長させていたが、本実施例によれば、
接触部を付加する工程の比重を軽減でき、経済的な効果
が期待できるとともに、探針の高さが極めて安定化され
る。
Conventionally, it took a long time to grow a bump having a large variation in height, but according to this embodiment,
The specific gravity of the step of adding the contact portion can be reduced, an economic effect can be expected, and the height of the probe is extremely stabilized.

【0047】なお、図3〜図5に示されるテストヘッド
T2〜T4を得るには、凸部3の頂部3aの近傍領域に
おけるカバーレイ絶縁性樹脂層4の除去形状を適宜選択
して、図6と同様の工程を経ればよい。
Incidentally, in order to obtain the test heads T2 to T4 shown in FIGS. 3 to 5, the removal shape of the coverlay insulating resin layer 4 in the region in the vicinity of the top 3a of the convex portion 3 is appropriately selected, and the drawing is performed. The same process as 6 may be performed.

【0048】特に、図3〜図5に示されるテストヘッド
T2〜T4において、導通路8およびバンプ6を成長さ
せる際に、凸部3を核として成長させるので、従来のバ
ンプ付きテストヘッド(例えば図7に示されるテストヘ
ッドT6)に比べて、バンプ6の底部(導通路8との接
続部)における幅に対するバンプ6の高さの割合が大き
くなる。したがって、バンプ6はより尖鋭化され、接触
部のファインピッチ化が容易となり、被検査体の端子と
の接触がより確実となる。
In particular, in the test heads T2 to T4 shown in FIGS. 3 to 5, when the conductive path 8 and the bumps 6 are grown, the convex portions 3 are grown as nuclei. Compared with the test head T6) shown in FIG. 7, the ratio of the height of the bump 6 to the width of the bottom portion of the bump 6 (connection portion with the conduction path 8) is large. Therefore, the bumps 6 are sharpened, the fine pitch of the contact portions is facilitated, and the contact with the terminals of the device under test becomes more reliable.

【0049】また、テストヘッドT2〜T4における導
通路8およびバンプ6の高さは、従来のバンプ付きテス
トヘッドにおける導通路およびバンプの高さよりも低い
ので、成長時間が短く、製造効率が良い。例えば、図4
のテストヘッドT3と図7(b)のテストヘッドT6と
を比較した場合、回路配線2,92からバンプ6,94
までの高さH3,H4が同一であっても、テストヘッド
T3における導通路8およびバンプ6の高さh3は、テ
ストヘッドT6における導通路93およびバンプ94の
高さh4に比べて著しく低いので、成長に長時間を要す
る導電性物質の充填工程が短時間で済み、製造コストを
低減させることができる。
Further, the heights of the conduction paths 8 and the bumps 6 in the test heads T2 to T4 are lower than the heights of the conduction paths and the bumps in the conventional test head with bumps, so that the growth time is short and the manufacturing efficiency is good. For example, in FIG.
When the test head T3 of FIG. 7 and the test head T6 of FIG. 7B are compared, the circuit wiring 2,92 to the bumps 6,94
Even if the heights H3 and H4 are the same, the height h3 of the conductive path 8 and the bump 6 in the test head T3 is significantly lower than the height h4 of the conductive path 93 and the bump 94 in the test head T6. The process of filling the conductive material, which requires a long time for growth, can be completed in a short time, and the manufacturing cost can be reduced.

【0050】以下に、図4および図6に示されるテスト
ヘッドT3,T5の具体的な製造例を示す。なお、以下
の製造例において付された参照符号は、上記の実施例に
おいて付された参照符号に対応する。
A specific example of manufacturing the test heads T3 and T5 shown in FIGS. 4 and 6 will be described below. The reference numerals given in the following manufacturing examples correspond to the reference numerals given in the above embodiments.

【0051】〔製造例1〕ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物とパラフェニレンジアミンとをN−メチル−2
−ピロリドン中で重合させたポリイミド前駆体溶液を均
一厚に塗工し、加熱硬化して50μm厚のベ−スとなる
ポリイミドフィルム1に成形した。このフィルム1の一
方表面1aに、スパッタリングと電気めっきとによって
50μmの銅層9を積層し、さらに銅層9の表面9aに
フェノールノボラック系ポジ型感光性レジスト10を塗
布した〔図6(a)参照〕。
Production Example 1 Biphenyltetracarboxylic dianhydride and para-phenylenediamine were mixed with N-methyl-2.
-A polyimide precursor solution polymerized in pyrrolidone was applied to a uniform thickness and cured by heating to form a polyimide film 1 having a base thickness of 50 µm. A copper layer 9 having a thickness of 50 μm was laminated on one surface 1a of the film 1 by sputtering and electroplating, and a phenol novolac-based positive photosensitive resist 10 was applied on the surface 9a of the copper layer 9 [FIG. 6 (a)]. reference〕.

【0052】銅層9上のレジスト層10に露光およびア
ルカリ現像処理を施し、回路形状のレジスト層11を残
して、他の領域の銅層9の表面9aの一部を露出させた
〔図6(b)参照〕。
The resist layer 10 on the copper layer 9 was exposed and alkali-developed, leaving the circuit-shaped resist layer 11 and exposing a part of the surface 9a of the copper layer 9 in other regions [FIG. 6]. (B)].

【0053】つづいて、塩化第二鉄液を用いて、銅層9
の露出面をフィルム1との界面1aから5μm厚み付近
までエッチングして、銅層9の表面9aを回路形状とし
た〔図6(c)参照〕。
Then, using the ferric chloride solution, the copper layer 9
The exposed surface was etched from the interface 1a with the film 1 to a thickness of about 5 μm, and the surface 9a of the copper layer 9 was formed into a circuit shape (see FIG. 6C).

【0054】再度、露光およびアルカリ現像処理を行
い、凸部3が形成される領域およびその近傍領域以外の
レジスト層11を除去した〔図6(d)参照〕。
Again, exposure and alkali development were carried out to remove the resist layer 11 except the region where the convex portion 3 is formed and the region in the vicinity thereof (see FIG. 6D).

【0055】その後、露出した銅層9の露出表面全体を
35μm厚エッチングして、15μm厚の回路配線2を
完成させるとともに、凸部3を所定位置に形成した〔図
6(e)参照〕。なお、凸部3の頂部3aにおける幅
(L1)は75μm、凸部3の基部における幅(L2)
は55μm、フィルム1との界面における回路配線2の
幅(L3)は10μmであった。
After that, the entire exposed surface of the exposed copper layer 9 was etched to a thickness of 35 μm to complete the circuit wiring 2 having a thickness of 15 μm, and the convex portion 3 was formed at a predetermined position [see FIG. 6 (e)]. The width (L1) of the convex portion 3 at the top 3a is 75 μm, and the width (L2) of the convex portion 3 at the base thereof.
Was 55 μm, and the width (L3) of the circuit wiring 2 at the interface with the film 1 was 10 μm.

【0056】残存するレジスト層12をすべて除去した
後、回路配線2(凸部3を含む)に電気めっきを施し
て、厚み2μmのニッケル層13を形成した〔図6
(f)参照〕。
After removing all the remaining resist layer 12, the circuit wiring 2 (including the convex portion 3) was electroplated to form a nickel layer 13 having a thickness of 2 μm (FIG. 6).
(F)].

【0057】ピロメリット酸二無水物と4,4−ジアミ
ノジフェニルエーテルとをN−メチル−2−ピロリドン
中で重合させたポリイミド前駆体溶液をフィルム1の表
面に1aに、回路配線2を被覆するように塗布し、加熱
硬化させて、カバーレイポリイミド層4を形成した〔図
6(g)参照〕。このときのカバーレイポリイミド層4
の厚みは、カバーレイポリイミド層4が直接積層された
フィルム1の領域部分では15μm、回路配線2の領域
部分では10μm、凸部3の頂部3aの領域部分では3
μmであった。
A polyimide precursor solution prepared by polymerizing pyromellitic dianhydride and 4,4-diaminodiphenyl ether in N-methyl-2-pyrrolidone was applied to the surface 1a of the film 1 to cover the circuit wiring 2. Was applied to and cured by heating to form a coverlay polyimide layer 4 [see FIG. 6 (g)]. Coverlay polyimide layer 4 at this time
Has a thickness of 15 μm in the area of the film 1 where the coverlay polyimide layer 4 is directly laminated, 10 μm in the area of the circuit wiring 2, and 3 in the area of the top 3 a of the convex portion 3.
was μm.

【0058】その後、50℃の水酸化ナトリウムとエタ
ノ−ルとの混合溶液に浸漬し、カバーレイポリイミド層
4全体を均等に4μm厚溶解除去して、凸部3の頂部3
a上に積層されたニッケル層13の表面を露出させて、
露出部13aを形成した〔図6(h)参照〕。
After that, the whole coverlay polyimide layer 4 was uniformly dissolved and removed by a thickness of 4 .mu.m by immersing it in a mixed solution of sodium hydroxide and ethanol at 50.degree.
exposing the surface of the nickel layer 13 laminated on a,
The exposed portion 13a was formed [see FIG. 6 (h)].

【0059】最後に、露出部13aの表面に5μm厚の
タングステン層6をスッパタリングで形成し、探針付き
回路基板(テストヘッドT5)を作製した〔図6(i)
参照〕。
Finally, a tungsten layer 6 having a thickness of 5 μm was formed on the surface of the exposed portion 13a by spattering to manufacture a circuit board with a probe (test head T5) [FIG. 6 (i)].
reference〕.

【0060】〔製造例2〕ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物とパラフェニレンジアミンとをN−メチル−2
−ピロリドン中で重合させたポリイミド前駆体溶液を3
5μm厚の銅箔9上に均一厚に塗工し、加熱硬化させて
25μm厚のポリイミド層1を積層した。次に、銅箔9
の表面9aにフェノールノボラック系ポジ型感光性レジ
スト10を塗布した〔図6(a)参照〕。
[Production Example 2] Biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine were mixed with N-methyl-2.
-3 parts of a polyimide precursor solution polymerized in pyrrolidone
A 5 μm thick copper foil 9 was applied to a uniform thickness and cured by heating to laminate a 25 μm thick polyimide layer 1. Next, copper foil 9
The surface of the surface 9a was coated with a phenol novolac-based positive photosensitive resist 10 [see FIG. 6 (a)].

【0061】銅箔9上のレジスト層10に露光およびア
ルカリ現像処理を施し、回路形状のレジスト層11を残
して、他の領域の銅層9の表面9aの一部を露出させた
〔図6(b)参照〕。
The resist layer 10 on the copper foil 9 was exposed and alkali-developed, leaving the circuit-shaped resist layer 11 and exposing a part of the surface 9a of the copper layer 9 in other regions [FIG. 6]. (B)].

【0062】つづいて、塩化第二鉄液を用いて、銅層9
の露出面をフィルム1との界面1aから5μm厚み付近
までエッチングして、銅層9の表面9aを回路形状とし
た〔図6(c)参照〕。
Subsequently, using the ferric chloride solution, the copper layer 9
The exposed surface was etched from the interface 1a with the film 1 to a thickness of about 5 μm, and the surface 9a of the copper layer 9 was formed into a circuit shape (see FIG. 6C).

【0063】再度、露光およびアルカリ現像処理を行
い、凸部3が形成される領域およびその近傍領域以外の
レジスト層11を除去した〔図6(d)参照〕。
Again, exposure and alkali development were carried out to remove the resist layer 11 except the region where the convex portion 3 is formed and the region in the vicinity thereof (see FIG. 6 (d)).

【0064】その後、露出した銅層9の露出表面全体を
25μm厚エッチングして、10μm厚の回路配線2を
完成させるとともに、凸部3を所定位置に形成した〔図
6(e)参照〕。なお、凸部3の頂部3aにおける幅
(L1)は50μm、凸部3の基部における幅(L2)
は40μm、フィルム1との界面における回路配線2の
幅(L3)は30μmであった。
After that, the entire exposed surface of the exposed copper layer 9 was etched to a thickness of 25 μm to complete the circuit wiring 2 having a thickness of 10 μm, and the convex portion 3 was formed at a predetermined position [see FIG. 6 (e)]. The width (L1) of the convex portion 3 at the top 3a is 50 μm, and the width (L2) of the convex portion 3 at the base thereof.
Was 40 μm, and the width (L3) of the circuit wiring 2 at the interface with the film 1 was 30 μm.

【0065】残存するレジスト層12をすべて除去した
後、回路配線2(凸部3を含む)に電気めっきを施し
て、厚み2μmのニッケル層13を形成した〔図6
(f)参照〕。
After removing all the remaining resist layer 12, the circuit wiring 2 (including the convex portion 3) was electroplated to form a nickel layer 13 having a thickness of 2 μm (FIG. 6).
(F)].

【0066】上記のポリイミド層1と同じポリイミド前
駆体溶液をフィルム1の表面に1aに、回路配線2を被
覆するように塗布し、加熱硬化させて、カバーレイポリ
イミド層4を形成した〔図6(g)参照〕。このときの
カバーレイポリイミド層4の厚みは、カバーレイポリイ
ミド層4が直接積層されたフィルム1の領域部分では1
0μm、回路配線2の領域部分では8μm、凸部3の頂
部3aの領域部分では5μmであった。
The same polyimide precursor solution as used for the polyimide layer 1 was applied onto the surface of the film 1 so as to cover the circuit wiring 2 and heat-cured to form a coverlay polyimide layer 4 (FIG. 6). (See (g)]. The thickness of the coverlay polyimide layer 4 at this time is 1 in the region of the film 1 where the coverlay polyimide layer 4 is directly laminated.
It was 0 μm, 8 μm in the area of the circuit wiring 2, and 5 μm in the area of the top 3 a of the convex portion 3.

【0067】その後、エキシマレーザーを用いて、凸部
3の頂部3aを被覆するカバーレイポリイミド層4に、
頂部3aに到達するφ15μmの微細貫通孔7を穿設
し、電気めっきを施して、貫通孔7をクロムで充填して
導通路8を形成するとともに、貫通孔7の開口部から5
μm高さまでさらに成長させてバンプ6を形成すること
によって、探針付き回路基板(テストヘッドT3)を作
製した〔図4参照〕。
Then, using an excimer laser, the cover lay polyimide layer 4 covering the tops 3a of the protrusions 3 is
A fine through hole 7 having a diameter of 15 μm that reaches the top portion 3a is formed, electroplating is performed, and the through hole 7 is filled with chromium to form a conductive path 8.
A circuit board with a probe (test head T3) was produced by further growing to a height of μm to form bumps 6 (see FIG. 4).

【0068】なお、以上の実施例においては、接触部と
して金属層5またはバンプ6が凸部3の頂部3aに形成
されているが、本発明の回路配線板は、凸部3の頂部3
aが被検査体の端子に直接接触する接触部となる態様を
も包含する。
In the above embodiments, the metal layer 5 or the bump 6 is formed as the contact portion on the top portion 3a of the convex portion 3. However, the circuit wiring board of the present invention has the top portion 3 of the convex portion 3.
It also includes a mode in which a is a contact portion that directly contacts a terminal of the device under test.

【0069】本発明の回路配線板は、上記のような半導
体素子などの導通検査などの配線回路の検査装置に用い
られるテストヘッドの他、半導体素子実装用の異方導電
体として、あるいはプリント配線基板、フレキシブル基
板、ハイブリッドICなどのファインピッチ回路間の接
続などにも使用することができる。特に、回路間の接続
などに用いられる場合には、接触部の形成材料として、
半田のように熱により容易に溶融され得る材料が好適に
選択される。
The circuit wiring board of the present invention is used as an anisotropic conductor for mounting a semiconductor element, or as a printed wiring, in addition to a test head used in an inspection apparatus for a wiring circuit such as a continuity inspection of a semiconductor element as described above. It can also be used for connection between fine pitch circuits such as a board, a flexible board, and a hybrid IC. Especially when it is used to connect circuits, etc.,
A material that can be easily melted by heat, such as solder, is preferably selected.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上のように、本発明の回路配線板によ
れば、周辺電気機器の配線との不慮の短絡を確実に避け
ることができる。また、試験中に負荷される圧力や剪断
力、あるいは摩擦力に対しても優れた耐久性を有する。
さらに、凸部の先端部は尖鋭化されており、外部基板の
端子の表面に形成された酸化膜などを突き破ることがで
き、したがって、接触部と外部基板の端子との接触、導
通が確実となる。
As described above, according to the circuit wiring board of the present invention, it is possible to surely avoid an accidental short circuit with the wiring of the peripheral electric equipment. It also has excellent durability against pressure, shearing force, or frictional force applied during the test.
Furthermore, the tip of the convex portion is sharpened, and it is possible to break through the oxide film or the like formed on the surface of the terminal of the external substrate, and therefore the contact and conduction between the contact portion and the terminal of the external substrate can be ensured. Become.

【0071】本発明の回路配線板の製造方法によれば、
フォトリソグラフィー法などを利用して金属層にエッチ
ングを施して、回路配線および凸部を形成するので、回
路配線および凸部が一体的に同一組成で形成され、また
凸部の高さにばらつきがない。さらに、湿式エッチング
によるサイドエッチングを利用しているので、凸部が尖
鋭化される。
According to the method for manufacturing a circuit wiring board of the present invention,
By etching the metal layer using photolithography or the like to form the circuit wiring and the convex portion, the circuit wiring and the convex portion are integrally formed with the same composition, and the height of the convex portion varies. Absent. Further, since the side etching by wet etching is used, the convex portion is sharpened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のテストヘッドの第1の実施例を示す断
面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a test head of the present invention.

【図2】図1に示されるテストヘッドT1のA−B線断
面図である。
2 is a cross-sectional view taken along the line AB of the test head T1 shown in FIG.

【図3】本発明のテストヘッドの第2の実施例を示す断
面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the test head of the present invention.

【図4】本発明のテストヘッドの第3の実施例を示す断
面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a third embodiment of the test head of the present invention.

【図5】本発明のテストヘッドの第4の実施例を示す断
面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a fourth embodiment of the test head of the present invention.

【図6】本発明のテストヘッドの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the test head of the present invention.

【図7】従来のバンプ付きテストヘッドT6を示す断面
図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional bumped test head T6.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁性樹脂層 2 回路配線 3 凸部 3a 頂部 4 カバーレイ絶縁性樹脂層 5 金属層(接触部) 6 バンプ(金属突出物) 7 貫通孔 8 導通路 9 金属層 11 第1マスクパターン 12 第2マスクパターン T1〜T5 テストヘッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating resin layer 2 Circuit wiring 3 Convex part 3a Top part 4 Coverlay insulating resin layer 5 Metal layer (contact part) 6 Bump (metal protrusion) 7 Through hole 8 Conducting path 9 Metal layer 11 First mask pattern 12th 2 mask patterns T1 to T5 test head

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回路配線と、該回路配線を被覆するカバ
ーレイ絶縁性樹脂層とが絶縁性基材の一方表面に積層さ
れ、該絶縁性基材に対して反対方向へ延出するに従って
径が漸次小さくなる凸部が該回路配線に一体として形成
され、外部基板の端子に接触する接触部が該凸部に接続
されていることを特徴とする回路配線板。
1. A circuit wiring and a coverlay insulating resin layer for covering the circuit wiring are laminated on one surface of the insulating base material, and the diameter increases as it extends in the opposite direction with respect to the insulating base material. A circuit wiring board, characterized in that a convex portion that gradually becomes smaller is formed integrally with the circuit wiring, and a contact portion that comes into contact with a terminal of an external substrate is connected to the convex portion.
【請求項2】 該接触部が、該凸部を被覆する該カバー
レイ絶縁性樹脂層の表面から該凸部の頂部まで導通する
導通路と、該カバーレイ絶縁性樹脂層の表面よりも外方
向へ突出し、該導通路に接続される金属突出物とを有す
ることを特徴とする請求項1記載の回路配線板。
2. A conductive path through which the contact portion conducts from the surface of the coverlay insulating resin layer covering the convex portion to the top of the convex portion, and outside the surface of the coverlay insulating resin layer. The circuit wiring board according to claim 1, further comprising a metal protrusion that protrudes in a direction and is connected to the conductive path.
【請求項3】 絶縁性基材と金属層とが積層された積層
基材の金属層表面に回路配線領域およびその近傍領域の
第1マスクパターンを形成する工程と、 該第1マスクパターンをマスクにして、該金属層の露出
部分に湿式エッチング法によって第1段階のエッチング
を施す工程と、 該第1マスクパターンの領域のうち、外部基板の端子に
接触する接触部を形成する領域および/またはその近傍
領域の第2マスクパターンを形成する工程と、 該第2マスクパターンをマスクにして、該金属層の露出
部分に湿式エッチング法によって第2段階のエッチング
を施し、該絶縁性基材に対して反対方向へ延出する凸部
および回路配線を一体的に形成する工程と、 該第2マスクパターンを除去した後、該絶縁性基材に該
金属層を被覆するカバーレイ絶縁性樹脂層を積層する工
程と、 該第2マスクパターンの領域および/またはその近傍領
域の該カバーレイ絶縁性樹脂層を除去する工程と、 該除去工程により露出した該凸部に該接触部を形成する
工程とを有することを特徴とする回路配線板の製造方
法。
3. A step of forming a first mask pattern in a circuit wiring region and a region in the vicinity thereof on a metal layer surface of a laminated base material in which an insulating base material and a metal layer are laminated, and the first mask pattern is masked. A step of performing a first-stage etching on the exposed portion of the metal layer by a wet etching method, and a region of the first mask pattern for forming a contact portion that contacts a terminal of an external substrate and / or A step of forming a second mask pattern in the vicinity thereof, and using the second mask pattern as a mask, the exposed portion of the metal layer is subjected to a second-stage etching by a wet etching method, and the insulating base material is etched. And integrally forming a convex portion and a circuit wiring extending in the opposite direction, and a coverlay insulating property of covering the insulating base material with the metal layer after removing the second mask pattern. A step of laminating an oil layer, a step of removing the coverlay insulating resin layer in the area of the second mask pattern and / or an area in the vicinity thereof, and a step of forming the contact portion on the convex portion exposed by the removing step. A method of manufacturing a circuit wiring board, comprising:
【請求項4】 該カバーレイ絶縁性樹脂層を除去する工
程が、該凸部の頂部まで貫通する貫通孔を穿設する工程
であり、該接触部を形成する工程が、該貫通孔に導電性
物質を充填して導通路を形成する工程と、該カバーレイ
絶縁性樹脂層の表面よりも外方向へ突出し、該導通路に
接続される金属突出物を形成する工程とを有することを
特徴とする請求項3記載の回路配線板の製造方法。
4. The step of removing the coverlay insulating resin layer is a step of forming a through hole penetrating up to the top of the convex portion, and the step of forming the contact portion is conductive to the through hole. Conductive material is filled in to form a conductive path, and a step of forming a metal protrusion protruding outward from the surface of the coverlay insulating resin layer and connected to the conductive path is provided. The method for manufacturing a circuit wiring board according to claim 3.
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