JPH07263398A

JPH07263398A - ウエット処理装置

Info

Publication number: JPH07263398A
Application number: JP6056110A
Authority: JP
Inventors: Haruto Hamano; 春人浜野; Yuji Seo; 祐史瀬尾; Yuji Shimizu; 裕司清水; Makoto Inai; 真井内; Yasushi Sasaki; 康佐々木; Nahomi Oota; なほみ太田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-03-25
Filing date: 1994-03-25
Publication date: 1995-10-13
Anticipated expiration: 2014-05-31
Also published as: JP2897637B2

Abstract

(57)【要約】【目的】純水を電気分解して得られる電解水を用いて効
率的に半導体基板をウエット処理するに適した、ウエッ
ト処理装置を提供する。【構成】純水に支持電解質を供給し電気分解して得られ
た電解水を用いて半導体基板をウエット処理後、廃液を
再生し、該電解水の生成される電極側の電気分解槽に循
環させる事で電解水の生成効率を上げると同時に、短寿
命の電解水の長寿命化を計っている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ウエット処理装置に関
し、特に半導体装置の製造で用いられるウエット処理装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造において、ウエット処
理工程は非常に重要な工程で、半導体の歩留まりを左右
する重要な工程で有る。従来のウエット処理工程は、半
導体基板（以下、ウエハという）の加工に先立ち、ウエ
ハの表面を清浄化するための化学薬品を用いた清浄に始
まり、写植工程では、レジスト形成・除去工程、絶縁膜
形成工程・除去工程、金属膜形成工程・除去工程等で多
くの種類の有機溶剤や強酸、強アルカリ等の化学薬品を
使用している。

【０００３】このように、多種多様なウエット処理工程
は、洗浄工程、エッチング工程、リンス工程に大別でき
る。

【０００４】その内容は、（Ａ）基体（半導体層や絶縁
膜、金属配線等）に付着する汚染物（金属汚染、有機あ
るいは無機パーティクル、レジスト残り、イオン性残留
物等）を、基体には影響を与えずに除去する処理、
（Ｂ）基体をエッチングする処理、（Ｃ）基体表面には
形成される自然酸化膜あるいは、有機被膜をエッチング
処理する処理、の３種類に分類できる。

【０００５】例えば半導体基板の洗浄の場合、水酸化ア
ンモニウム（２７％）と過酸化水素（３０％）と水を
１：１：５の比率で混合した薬液や、塩酸（３７％）と
過酸化水素（３０％）と水を１：１：６の比率で混合し
た薬液が用いられている。半導体の生産量が増大するに
つれて、これら薬液の使用量も増大している。また、半
導体基板に付いた薬液を洗い流すために純水も大量に必
要としている。半導体基板を洗浄した後の薬液も、これ
らの薬液を洗い流した後の純水の中にも薬液が含まれて
いる。このためこれら廃液をそのままの状態で廃棄して
しまうと、地球環境を破壊してしまうため、薬液を分解
・中和して薬液を回収した後に廃液を工場の外に廃棄す
る必要があった。近年の地球環境の保全が関心を集める
以前からこれら薬液の回収を行ってきた。このための回
収装置は外形寸法も大きく、また開発や製造の工数と費
用がかさむという問題が有った。また、これらの処理を
継続して実行するためのランニングコストも膨大な費用
を要するものであった。しかしながら、薬液の回収を１
００％完全に回収することは困難であり、地球環境を保
全するという観点から薬液を使わずに半導体基板のウエ
ット処理を行う技術の開発が待たれていた。

【０００６】特願平５−１０５９９１号に純水を電気分
解して生成されるＨ＋とＯＨ−イオンを含む電解水を用
いてウエット処理を行う技術が示されている。以下図面
を用いてこの技術を説明する。図１６は従来の電解水を
用いたウエット処理装置で、電気分解用槽１９０１に、
浄水器１９０８、イオン交換器１９０９を通して生成さ
れた純水を純水導入管から供給する。電気分解用水槽１
９０１には、ポリシリコン等の多孔質膜１９０２が隔膜
として形成されており、それぞれの水槽にはＰｔまたは
炭素で形成された電極１９０５、１９０６に可変型の直
流電源５を接続し電解電流を流すことにより、陰極とな
る電極１９０５がある水槽にはＯＨ−イオン水（以下、
陰極水という）、陽極となる電極１９０６がある水槽に
はＨ＋イオン水（以下、陽極水という）を生成する。生
成した陰極水は処理水槽に１９０６ａに、陽極水は処理
水槽１９０６ｂに取り出される。半導体製造工程で代表
的な被処理物となるＳｉウエハをウエハキャリアに入れ
て、処理水槽１９０６ａまたは処理水槽１９０６ｂに浸
す。この場合、イオン水は常時Ｓｉウエハに供給する流
水形式をとる。処理水槽１９０６ａまたは処理水槽１９
０６ｂからでた廃液は廃液貯水槽１９１５に貯め、その
上澄み液は浄水器１９０６とイオン交換器１９０９を通
して純水にし、再利用している。

【０００７】Ｓｉウエハを洗浄する場合は、処理水槽１
９０６ａの陽極水や、処理水槽１９０６ｂの陰極水のみ
で処理を施してもよく、また、陽極水処理の後、陰極水
処理を施しても、陰極水処理の後、陽極水で処理を施し
てもよい。

【０００８】また、イオン交換器から供給された純水の
抵抗値を下げ、電気分解効率を高めるために、二酸化炭
素をバブリングして供給するか、もしくは酢酸アンモニ
ウム等の支持電解塩を純水に添加する物質添加システム
１９１１を設置する。

【０００９】更に、処理水槽１９０６ａ及び１９０６ｂ
に設置したｐＨセンサ１９１３にてＨ＋濃度及びＯＨ−
濃度を検知し、この結果をｐＨ濃度制御システム１９１
２を通して直流電源１９０３の電解電流強度や、物質添
加システム１９１１からの添加量にフィードバックをか
ける。

【００１０】陽極水を用いてＳｉウエハ上の金属汚染が
除去できる例、陰極水を用いて、Ｓｉウエハ上の二酸化
シリコン膜を機械研磨によって平坦化した場合、残存す
るコロイダルシリカの除去ができる例が示されている。

【００１１】この例のように、微量の支持電解質を添加
した純水を電気分解することで生じる電解水で半導体基
板のウエット処理が行えるようになると、従来の大量に
薬液を消費することなく半導体基板のウエット処理がで
き、薬液の回収等の廃液の処理のための設備、設備の設
計、製造及びその維持等にかかるコストが低減できるだ
けでなく、薬液の使用量も低減でき環境に対する問題も
同時に解決できるという点でも非常に効果的である。

【００１２】一方、「洗浄設計」（近代編集社出版、１
９８７年春季号）のなかの「レドクス洗浄法−電子工業
における新しい洗浄法−」という項（以下、公知技術と
いう）には、電気分解した水を用いてシリコン表面をエ
ッチングしたり、アルミ膜表面の酸化膜を除去しようと
いう技術が記載されている。純水あるいは水道水程度に
低濃度の電解質を含む水を電解し、生成した陰極水を用
いてシリコン表面に付着あるいは拡散している不純物を
シリコン表面ごとエッチング除去できることが記載され
ている。シリコン片の替わりにアルミニウム箔を浸漬し
たときは、その表面に形成された酸化被膜を、アルミニ
ウム箔をオバーエッチすることなく除去できることが記
載されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】半導体産業におけるウ
エット処理は、金属汚染、コロイダルシリコンの除去だ
けでなく、エッチング、リンス、洗浄、水洗、剥離等の
種々の工程で使用され、さらに、再現性や高い信頼性を
有している必要がある。さらに従来技術で示されている
ウエット処理装置は一旦使用された電解水の廃液は廃液
貯水槽に貯えられ、上澄みを浄水器、イオン交換器を通
して純水にして再利用する構成になっている。

【００１４】上記の構成は、電気分解槽で生成された電
解水を直接半導体基板をウエット処理する処理槽に供給
する構造となっている。現在の半導体産業は大量の半導
体を製造するために、大量の電解水の供給が必要とされ
ている。しかしながら、電解水はｐＨ値、酸化還元電位
の値等の劣化が早く、大量の電解水を必要とする場合
は、大型の電気分解槽を必要とする問題があった。更
に、酸化還元電位の値とｐＨ値とが独立に変化するパラ
メータであることを知見した。特に、酸化還元電位の値
はｐＨ値に比べて変化が激しいことがわかった。陰極水
をポリエチレン製の容器に保存し、ｐＨ値と酸化還元電
位の値を測定した結果、当初ｐＨ値１０．５、−６００
ｍＶの電解水は、１０時間後には、ｐＨ値は１０．５と
変化しないが、酸化還元電位の値は、殆ど０ｍＶになっ
てしまう。陽極水は陰極水に比べて変化は小さいが、当
初の１２００ｍＶの酸化還元電位の値が７０時間以上経
つと１１００ｍＶに低下することが確かめられた。ｐＨ
値が一定であった場合でも、酸化還元電位の値が違う
と、ウエット処理の結果が異なる場合があることは当然
予測される。ウエット処理工程は半導体装置の歩留まり
を決定する重要な要素の一つであり、その工程の安定度
は重要なポイントであり、電解水の条件を常に一定に保
っておくことが重要である。

【００１５】また電気分解槽に供給される純水は、循環
再利用されている。処理後の廃液は一旦廃液貯水槽で陰
極水と陽極水とが混ぜ合わされる。このため、陰極水と
陽極水との各々に含まれるＨ＋イオンとＯＨ−イオンと
は、廃液貯水槽で中和され、イオン交換器で薬液は回収
されてしまう。この結果、電解分解槽には、常に高抵抗
の純水が供給されるので、支持電解質または二酸化炭素
のバブリングを行う必要がある。また、電解水を半導体
基板のウエット処理に使うためには、処理の再現性や信
頼性を必要とし、常に安定した状態で電解水を半導体基
板処理槽に供給する必要がある。この場合、単に処理槽
内でｐｈ値をモニターするだけでは問題で有ることは前
述の酸化還元電位の値位とＰｈ値の劣化の程度の違いか
ら明らかである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】純水を供給する純水供給
手段と、純水供給手段に支持電解質を供給する支持電解
質供給手段と、支持電解質が添加された純水を電気分解
し電極水を生成する正の電圧が印加される陽極電極と負
の電圧が印加される陰極電極とを有する電気分解水生成
手段と、陽極電極近傍で活性化された陽極水を半導体基
板を処理する半導体基板処理手段に供給する供給手段
と、半導体処理手段から排出される排出陽極水を再生し
電気分解再生手段の陽極側に循環させる排出液再生手段
または、陰極電極近傍で活性化された陰極水を半導体基
板を処理する半導体基板処理手段に供給する供給手段
と、半導体処理手段から排出される排出陰極水を再生し
電気分解再生手段の陰極側に循環させる排出液再生手段
の少なくとも一方を有しすることでウエハのバッチ処理
を行うに最適のウエット処理装置を提供できる。

【００１７】支持電解質が添加された純水を電気分解し
電極水を生成する正の電圧が印加される陽極電極と負の
電圧が印加される陰極電極とを有する電気分解水生成手
段と、陽極電極近傍で活性化された陽極水を貯液し、前
記貯液された陽極電解水を半導体基板処理手段に供給す
る供給手段を有する陽極水貯液手段または陰極電極近傍
で活性化された陰極水を貯液し半導体基板処理手段に供
給する供給手段を有する陰極水貯液手段の少なくとも一
方を有することで枚葉処理のウエット処理に最適のウエ
ット処理装置を提供できる。

【００１８】前述と同様ではあるが、支持電解質が添加
された純水を電気分解し電極水を生成する正の電圧が印
加される陽極電極と負の電圧が印加される陰極電極とを
有する電気分解水生成手段と、陽極電極近傍で活性化さ
れた陽極水を貯液し、貯液された陽極電解水を半導体基
板処理手段に供給する供給手段を加熱する加熱手段また
は、前記陰極電極近傍で活性化された陰極水を貯液し半
導体基板処理手段に供給する供給手段を加熱する加熱手
段または、半導体基板処理手段を加熱及び保温する加熱
手段または、半導体基板処理手段で処理される半導体基
板を加熱及び保温する加熱手段の少なくとも１つを有す
ることで前出とのバッチ式または枚葉式のウエット処理
装置の電解水と半導体基板との反応を促進する効果があ
る。

【００１９】この場合、半導体基板処理手段に光を照射
する手段を設けることも効果的である。

【００２０】排出液再生手段が排出液中の金属不純分を
除去する金属不純物除去手段及び排出液中の微粒子を除
去する微粒子除去手段のうち少なくとも一方を有してい
ることで循環使用するバッチ式または枚葉式のウエット
処理装置の排出液の再生回数を伸ばすことができる。

【００２１】半導体基板処理手段に気体を充満させる気
体充満手段を有することで半導体基板処理手段内の電解
水の寿命が伸び、半導体処理手段内での半導体基板のウ
エット処理の安定性、信頼性が向上する。

【００２２】電気分解水生成手段または、貯液手段また
は、半導体基板処理手段の少なくとも１つに、電解水の
ｐＨ値または、電解水の酸化還元電位または、電解水の
水量または、微粒子数またはのうち少なくとも１つを監
視する監視手段を設けることでバッチ式または枚葉式の
ウエット処理装置の処理槽に供給する電解水を安定供給
することで、半導体基板のウエット処理の安定化及び信
頼性の向上を図ることができる。

【００２３】半導体基板処理手段に酸性の溶液を供給す
る手段またはアルカリ性の溶液を供給する手段または酸
化剤を供給する手段または還元剤またはキレート剤を供
給する手段のうち少なくとも１つを有することでバッチ
式または枚葉式のウエット処理装置で洗浄・エッチング
・リンス等のウエット処理を効率良く行える。

【００２４】電気分解水生成手段の正の電圧が印加され
る陽極及び負の電圧が印加される陰極に供給される電圧
を停止することで、電気分解水生成手段で電解水の生成
を停止し、同時に電気分解水生成手段に供給される純水
に添加される支持電解質供給手段からの支持電解質の供
給を停止することで、半導体供給手段に供給される電解
水を純水にする事で枚葉式ウエット処理装置の構成を変
更することなくリンス工程を同一のウエット処理装置で
行うことができる。

【００２５】電気分解水生成手段の正の電圧が印加され
る陽極電極側の電気分解槽と負の電圧が印加される陰極
電極側の電気分解槽にガス供給手段を設け加圧し、陽極
電極側の電気分解槽と、陰極電極側の電気分解槽とに圧
力を調整する調整手段を設けたことで、陽極水と陰極水
の何れか一方のみ使用することで十分な場合、不要は電
解水の生成を行わず、必要とする電解水のみの生成を行
うことができる。

【００２６】

【実施例】次に、本発明のウエット処理装置の一実施例
について図面を用いて説明する。図１は本発明の一実施
例の構成図である。

【００２７】本発明のウエット処理装置は、電解水を生
成する電気分解槽１と、電気分解支持用の支持電解質を
純水に添加して電気分解槽１に純水を供給するための支
持電解質供給部２と、電気分解槽１内の陽極電極３に正
の電位を、陰極電極４に負の電位を供給する直流電源部
５とを有する。電気分解槽の純水は、陽極電極３に正の
電位、陰極電極４に負の電位が供給されると活性化して
電解水を生成する。この結果、陽極電極３近傍に陽極水
３７、陰極電極４近傍に陰極水３８が生成される。ここ
で支持電解質は、例えば高純度の塩化アンモニウムであ
り、半導体グレードの塩酸とアンモニウムを中和して生
成しても良い。図面において陰極水と陽極水の系は全く
同一であり、本説明では陽極水の系列について説明する
が、陰極水も同等であることは言うまでもない。電気分
解槽１の陽極電極３近傍で生成された陽極水は電気分解
槽１から貯液槽７へ供給部を通して供給される。貯液槽
７に供給された陽極水は、陽極水を用いて半導体基板を
ウエット処理する半導体基板処理槽（以下、処理槽とい
う）６に供給される。処理槽６には陽極水に添加剤を適
量添加するための添加剤貯液槽８が接続される。添加剤
は、陽極水を用いて金属のエッチング、酸化膜、窒化膜
等の絶縁膜のエッチング、シリコンやＧａＡｓ等の半導
体基板のエッチング又は、洗浄、リンス等のウエット処
理工程で必要とされる酸性の溶液、アルカリ性の溶液、
酸化剤及び還元剤をその目的に応じて適宜選択すれば良
い。図示はしていないが、処理槽６に陽極水を貯液し、
この陽極水に半導体基板を浸漬しウエット処理を行うこ
とは言うまでもない。処理槽６には処理槽６から溢れ出
た陽極水を循環ポンプ９でフィルター１０を通して温調
器１１で加熱保温して処理槽６の底面から処理槽６に循
環させる。半導体基板のウエット処理を終了後、処理槽
内の廃液は廃液貯液槽１２に貯えられ、循環ポンプ９で
廃液浄化部を通して浄化された陽極水が電気分解槽１に
還流される。廃液浄化部は浄水器（微粒子除去装置）１
３及びイオン交換器１４より構成される。イオン交換器
１４を通さない場合には、活性なイオンが残留している
ので純水に支持電解質を供給すること無しに電気分解を
行うことができる。陰極水も同等の構成を取っている。
廃液貯液槽１２は廃液を循環使用せず陽極水の廃液と陰
極水の廃液を混合し中和する中和廃液槽１５に廃液を供
給することもできる。中和廃液槽１５で中和された廃液
は、図示していないが、微粒子を除去後、イオン交換器
で金属イオン等の金属不純物を除去し更に支持電解質、
添加剤を除去回収後廃棄する。

【００２８】尚、陽極水または陰極水の何れか一方のみ
を使用すれば良い場合は使用しない方の電解水は、生成
後直接廃液貯液槽１２又は、中和廃液槽１５に貯液すれ
ば良い。

【００２９】又、処理槽６には温度センサ３９が設けら
れ、処理槽６の電解水の温度をモニターし、温度制御部
４０で温調器１１を温調制御することで電解水の温度を
調整制御できる。

【００３０】本実施例は、大量の半導体基板を同時に処
理するバッチ処理式のウエット処理装置に適している。

【００３１】図２は、本発明の第２の実施例を示すウエ
ット処理装置の例である。このウエット処理装置は、半
導体基板を一枚づつ処理する枚葉式のウエット処理装置
である。図１と相違する部分についてのみ説明する。

【００３２】この場合も陽極水の系と陰極水の系とは同
一構成を取っているので陽極水の系についてのみ説明す
る。陽極水を貯液している貯液槽７をポンプ４１で圧送
し、バルブ４２を開いて、ノズル４３から噴出する事に
より、チャンバー４４内の半導体基板に陽極水を供給す
る。添加剤については添加貯液槽８内の添加剤をバルブ
４５を開いて定量ポンプ４６により配管４７内の陽極水
に適量を注入し混合する。チェンバー４４内で半導体基
板を処理した後の陽極水は、廃液貯液槽１２に廃液す
る。

【００３３】以上の説明は陽極水の系についてのみ行っ
てきたが、陰極水の系を全く同等の構成を有している。
尚、陽極水または陰極水の何れか一方のみを使用すれば
良い場合は使用しない方の電解水は、生成後直接廃液貯
液槽１２又は、中和廃液槽１５に貯液すれば良い。

【００３４】ウエット処理工程における半導体基板の処
理は、繰り返し行われるので、その処理の再現性と処理
の高い信頼度が要求される。これに対し、電解水はその
寿命が短く、ｐＨ値や酸化還元電位の値を一定に保って
おくことは困難であった。しかし、ウエット処理工程で
消費される電解水の量は大量であり、寿命の短い電解水
を長時間一定の状態に保つ必要がある。この電解水の長
寿命化について、以下図面を用いて説明していく。

【００３５】図３は貯液槽７の詳細構成図である。

【００３６】貯液槽７は、電解液を長時間一定の状態に
保つ必要がある。このためには、貯液槽７の材質は耐酸
性、耐アルカリ性に優れたフッ素樹脂１６で内面をコー
ティングするか、フッ素樹脂で構成する必要がある。ま
た電解水は低温である方が寿命が長くなるので冷却コイ
ル１８を設け、貯液槽７内の電解水を冷却・保冷する。
保冷効果を向上するためには、貯液槽７を断熱材１９で
覆うと良い。断熱材１９で覆うことで遮光も同時に行う
ことができる。より遮光効果を上げるために、断熱材１
９と同時に遮光材（図示せず）で貯液槽７を覆ったり、
遮光性のある断熱材を用いるとより効果的で有ることは
言うまでもない。電気分解槽１から貯液槽７へ電解水を
供給する供給路に電解水の供給量を調節するバルブ２５
及び貯液槽７から処理槽６へ電解水を供給する供給路に
電解水の供給量を調節するバルブ２６を有する。電気分
解槽１から貯液槽７へ電解水を供給する供給路、貯液槽
７及び貯液槽７から処理槽６へ電解水を供給する供給路
は、密閉構造とする必要がある。

【００３７】図４は貯液槽７の別の詳細構成図である。

【００３８】図３と同じ部分の説明は省略する。貯液槽
７にはバルブ２７とレギュレター２８を取り付けたガス
導入管を設け、貯液槽７にガスを充填できる。大気と電
解水との接触を防止する目的であり、電気分解槽１から
貯液槽７へ電解水を供給する供給路、貯液槽７及び貯液
槽７から処理槽６へ電解水を供給する供給路は、密閉構
造とする必要があることはいうまでもない。

【００３９】図５は貯液槽７の更に別の詳細構成図であ
る。

【００４０】図３及び図４と同じ部分の説明は省略す
る。この場合貯液槽７は、透明でかつ耐酸性、耐アルカ
リ性に優れた石英３０を使用し、石英３０の全ての面を
鏡３１で鏡面が槽内に向けて囲うか、槽の内面が鏡面に
なるように槽の外表面を加工し更にその周囲を断熱材１
９で覆う。尚、一部に鏡３１と断熱材１９を取り付け
ず、そこから電磁波を照射する、又は磁場を加える。貯
液槽７全体を鏡のような光を反射する部材で覆うことも
電解水長寿命化には有効である。また電解水を生成する
電気分解槽１から電極水を貯液槽７へ供給する供給路と
貯液槽７から処理槽６への供給路全体を密封しかつ気体
を充満させることも効果がある。

【００４１】半導体基板のウエット処理を行う処理部の
詳細な構成を図６を用いて説明する。

【００４２】図６は、バッチ式ウエット処理装置で、バ
ルブ５４を開けて貯液部７（図示せず）より電解水を処
理槽６に供給する。電解水が処理槽６から溢れた状態に
なるとバルブ５１を開けポンプ９で微粒子フィルター１
０−１、金属不純物用フィルター１０−２で電解水中の
微粒子と金属不純物とを除去し、バルブ５３を開け処理
槽６に電解水が循環する。この状態でバルブ５４を閉じ
ると処理槽に供給された電解水は循環して利用されるよ
うになる。処理槽６にウエハーキャリア５９−１に装填
された半導体基板（以下、ウエハという）５９を処理槽
に浸漬させ、一定時間経過後に処理槽６から取り出しウ
エット処理工程を完了する。

【００４３】ウエット処理工程によっては、貯液槽７か
ら供給される電解水の添加剤貯液槽８から定量ポンプ４
６で酸性の溶液、アルカリ性の溶液、酸化剤、還元剤、
キレート剤を適宜選択して適量を供給することができ
る。

【００４４】例えば、シリコンウエハ表面を洗浄する際
によく用いるアンモニア：過酸化水素：純水（一般的に
１：４：２０の割合で混合）の溶液と同等の効果は、陽
極水に極微量のアルカリ性溶液（例えばアンモニア水）
又は陰極水の極微量の酸化剤（例えばオゾン）を添加す
ることで得ることができる。オゾンのような気体の薬剤
を添加する場合は、これら気体を電解水にバブリングさ
せることで供給することができる。また、陽極水に極微
量の塩酸（硝酸又は蟻酸等でも可）を加えると、通常の
酸洗浄と同等の効果が得られる。陽極水に極微量（０．
Ｉ％以下）のフッ酸を加えるとフッ酸過酸化水素系の薬
液（酸化膜のエッチングと同時に酸化膜とシリコン気体
との界面の金属除去を同時に行う）と同等の効果を得る
ことができる。更に、キレート剤（エチレンジアミン四
酢酸等）を陽極水に極微量添加することで金属錯体が形
成されウエハ表面への金属の再付着を防止することがで
きる。これらは電解水を用いた半導体基板処理の一例を
示すもので本発明の主旨を逸脱することなく他の半導体
基板のウエット処理に適用できることはいうまでもな
い。

【００４５】電解水によるウエット処理が終了した後、
純水で洗浄する必要がある場合は、処理槽６への電解水
の供給を停止し、純水を処理槽６に供給し電解水を純水
に切り替えることで行う。このためには、バルブ５１、
バルブ５３、バルブ５４を閉じバルブ５６、バルブ５２
を開けバルブ５６を介し純水を処理槽６に供給する。処
理槽６から溢れた処理済み後の廃液はバルブ５２を介し
排出される。この廃液は図示してはいないが、廃液貯液
槽１２または中和廃液槽１５の何れかに供給される。

【００４６】更に、処理槽６の周囲を密閉構造としガス
を供給し、密閉槽５７内にガスを充填する。過剰のガス
は、排気孔から排気するようにしておくこと言うまでも
ない。密閉蓋５８を開けウエハを処理槽６に浸漬した後
で密閉蓋５８を閉じる。ガス供給は、図示していない
が、バルブとレギュレータを介して行っている。ガスの
供給はウエット処理が行われている間のみならず、ウエ
ハの供給待ちの間、ウエハの処理槽６への搬入、搬出の
間及び処理槽６へ電解水の供給中も行った方が良い。陰
極水の場合には窒素ガスや水素ガスが望ましく、陽極水
の場合は塩素ガスや酸素ガスが望ましい。

【００４７】図７は、バッチ式ウエット処理装置の処理
槽６の別の詳細構成を示す図面である。

【００４８】この実施例では、超音波発生装置６０で発
生させた超音波を、超音波ヘッセ居板６１を介して処理
槽６内のウエハに供給したものである。この際の超音波
は１０Ｋ〜１０ＭＨｚ、１０Ｗ〜１０００Ｗが好まし
く、もっとも最適な条件は、１００ｋ〜１ＭＨｚ、１０
０〜８００Ｗの範囲にあると電解水とウエハ表面との反
応が促進することが確認された。超音波の周波数とパワ
ーとが低すぎると、反応効率が悪く、周波数とパワーが
高すぎるとウエハにダメージを与えるという問題が発生
する。

【００４９】図８は、枚葉式ウエット処理装置の処理槽
の詳細構成図である。

【００５０】この場合、貯液部から電解水を供給しバル
ブ６２とノズル６４を介し処理槽６に供給する。ウエハ
は回転機構を有する吸着板６５に載置され、ノズル６４
から噴射して電解水をウエハに供給する。ウエット処理
を終了した段階で、電解水を供給するバルブ６２を閉
じ、バルブ６３を開け純水を供給すれば同一の槽内で純
水洗浄が完了する。更に、バルブ６２を閉じ、吸着板を
回転させウエハの乾燥まで完了させることも可能であ
る。又、電解水を貯液部から供給するのではなく、図示
はしていないが、電気分解槽１から直接供給するように
すれば、電気分解槽１の電極へ供給する直流電源５から
電極に供給する電圧を切ると同時に支持電解質の供給を
停止することでバルブを介する事無く純水の供給が可能
であることはいうまでもない。

【００５１】尚、ウエハに電解水を噴射して供給する場
合、電解水に圧力をかける必要が有ればポンプを使用す
る。

【００５２】ガスを処理槽６に供給し、過剰な場合に排
気を行ったりすることは図６の説明と同様であり省略す
る。

【００５３】ウエット処理後の電解水の廃液は、廃液貯
液槽１２又は中和廃液槽１５の何れかに廃棄する。

【００５４】図９は図８の廃液を循環使用する場合の一
実施例の詳細構成図である。

【００５５】ウエット処理後の廃液を微粒子用フィルタ
ー１０−１、金属不純物用フィルター１０−２及びポン
プ９を介して循環使用する。

【００５６】活性化された電解水はその寿命を伸ばすた
めに冷却保存（１０℃程度）されている。しかしながら
電解水とウエハとの反応は、それ以上の温度で行うほう
が効率的に行える場合が多い。その場合は、ウエット処
理前に電解水の温度を上げる必要がある。この場合、急
激に昇温すると電解水の活性度が劣化する。本実施例で
の洗浄効果を検証する実験を行った。始めに酸洗浄を施
し、Ｃｕを０．１ｍｇ含有する希フッ酸溶液に浸漬さ
せ、故意に汚染させたシリコン半導体基板を用意し、陽
極水を用いて洗浄した。そのとき、電解水の処理温度
は、１５℃、６５℃、１００℃の３水準とした。図１７
は、それぞれの温度における電解水処理前後の半導体基
板表面に残留するＣｕ濃度を表すグラフである。この場
合の半導体基板上のＣｕの計測は、Ｃｕをフッ酸蒸気分
解によって溶解させ、ＨＦ／Ｈ₂Ｏ₂溶液で回収した後
に、原子吸光光度計により行った。このグラフから明ら
かなように、処理温度が６５℃の場合にはＣｕ残存量が
３桁以下となったのに対して、１５℃と１００℃の場合
にはＣｕ除去効果はあるが、残存量が６５℃のときより
多かった。この結果から、電解水のウエット処理温度は
高すぎても低すぎても効果が半減することがわかる。こ
の結果及びその他のウエット処理結果を踏まえて、最適
温度は２０〜２７℃程度が最適であることがわかってい
る。

【００５７】図１０は電解水の加熱方法を示す構成の詳
細図である。

【００５８】貯液槽７（図示せず）より処理槽６に電解
水を直接供給するのではなく、恒温槽６７で一旦電解水
をゆっくり昇温させ、処理槽６に温められた電解水を供
給する。ゆっくり温度を上昇させると電解水の活性度を
劣化することなく、温度を上げることができる。

【００５９】ウエット処理工程によっては、処理槽から
供給される電解水に添加剤貯液槽８から定量ポンプ４６
で酸性の溶液、アルカリ性の溶液、酸化剤、還元剤キレ
ート剤を適宜選択して適量を供給することができる。

【００６０】又、ランプ６８で光を照射することができ
る。赤外線ランプを用いた場合は、半導体基板表面の温
度だけを上げることができる。この場合、電解水の温度
は上昇しないので、電解水の長寿命化を図ることができ
る。この場合の赤外線ランプの波長は、ウエハが吸収し
電解水は透過する波長を発光する光源を用いることが望
ましい。紫外線ランプを用いた場合は、紫外線から加え
られる活性エネルギーによりウエハ表面と電解水との反
応を促進することができる。この場合、紫外線の出力は
１０〜２００Ｗの範囲で効果が見られるが、２０〜１０
０Ｗの範囲が最も望ましい結果が得られた。出力範囲が
低すぎると反応の促進が観られず、高すぎると反応速度
が早くなり過ぎて、例えばエッチング量の制御性の劣化
等の問題を生じる。紫外線ランプと赤外線ランプとを同
時に設けることができることはいうまでもない。

【００６１】実施例はバッチ式のウエット処理装置であ
るが、枚葉式のウエット処理装置の場合も同様な光で行
えることは言うまでもない。

【００６２】図１１は電解水の加熱方法を示す第２の実
施例の詳細構成図である。

【００６３】貯液槽７（図示せず）より処理槽６に供給
前に、貯液槽から処理槽６へ電解水を供給する供給路に
ヒーター６９を設け加熱して、温められた電解水を温度
計７４で監視しこの監視結果に基づいて、制御部７０か
らの信号でヒーター６９を制御し、一定温度の電解水
を、処理槽６に供給する。この場合供給路を長くするこ
とで、電解水をゆっくり昇温することができる。吸着盤
６５をヒーターで加熱し、吸着盤６５に載置されたウェ
ーハ５９を直接加熱することでも同様の効果が得られ
る。

【００６４】実施例は枚葉式のウエット処理装置である
が、バッチ式のウエット処理装置の場合も同様に処理槽
６内に一定温度の電解水を供給できることはいうまでも
ない。

【００６５】図１２は、バッチ式のウエット処理装置の
処理槽の詳細構成である。この実施例は、とくに処理槽
６を循環するで電解水のモニター機構に関している。

【００６６】処理槽６には、水位計７３、処理槽から廃
液された電解水は、微粒子用フィルター１０−１をとお
り微粒子を除去され、パーティクルカウンター７０で微
粒子（ゴミ）の数を計数され、金属不純物除去フィルタ
ーで金属不純物を除去した後、酸化還元電位計で酸化還
元電位を監視され、ｐＨメータ７２でｐＨ値を監視され
た後バルブ５３より処理槽６へ循環している。

【００６７】水位計７３は処理槽６の電解水の水量を監
視し、処理槽６内の電解水の水量が少なくなった場合、
制御部７０の信号に基づいてバルブ５４を開け貯液槽７
より、電解水を所定の水量になるまで補充し、処理槽６
内の電解水が多くなった場合は、制御部７０の信号に基
づいてバルブ５２を開いて電解水を拝出し電解水を所定
の水量に保つ。同様に電解水のｐＨ値、酸化還元電位を
監視し、それぞれの値が変化した場合制御部７０の信号
でバルブ５４を開いて貯液槽７より電解水を供給する。
電解水の水量が多くなった場合は、水位計で監視した水
量に基づいて前述の操作を繰り返せばよい。ｐＨ値、酸
化還元電位の値によっては、電解水の交換を行う。この
場合は、バルブ５２を開き全て廃棄した後、貯液槽７よ
り電解水を供給すればよい。

【００６８】パーティクルカウンター７０で微粒子（ゴ
ム）の量を計数し、微粒子の量が多くなった場合、前述
の方法で電解水の交換を行う。電解水の交換をしても微
粒子の量が減らない場合は、微粒子用のフィルターの交
換を行う。

【００６９】説明はバッチ式のウエット処理装置で説明
したが、上記の説明は、枚葉式のウエット処理装置につ
いても当てはまることは言うまでもない。

【００７０】図１３は、処理槽６を循環する電解水のモ
ニター機構を有するバッチ式のウエット処理装置の処理
槽の、別の実施例の詳細構成である。

【００７１】処理槽６を循環する電解水は、ポンプ９に
より微粒子フィルタ１０−１、金属不純物用フィルタ１
０−２を通して浄化し、処理槽６に循環させる。処理槽
６に設けた温度計の測定結果で、金属不純物用フィルタ
１０−２を通した電解水は、処理槽６へ循環する途中
で、制御部７０の信号に基づいて制御される。昇温器７
５、冷却器７６により電解水の温度を一定に維持する。

【００７２】説明はバッチ式のウエット処理装置で説明
したが、上記の説明は、枚葉式のウエット処理装置につ
いても当てはまることは言うまでもない。

【００７３】図１４を用いて、廃液貯液槽１２からの電
解水の再生について説明する。廃液貯液槽１２は陽極水
と陰極水との各々に設けられている。廃液貯液槽１２に
貯められた電解水はバルブ３３を開け、ポンプ３５を通
して、浄水器１３とイオン交換器１４で電解水中に含ま
れる不純物を除去した後電解槽１に循環させ再使用す
る。この際、陽極水側の廃液貯液槽１２から循環する電
解水の廃液は再生処理後、電気分解槽１の陽極側へ供給
される。陰極水側の廃液貯液槽１２から循環する電解水
の廃液は再生処理後、電気分解槽１の陰極側へ供給され
る。

【００７４】貯液槽７にはｐＨセンサ２１、酸化還元電
位センサ２２及び水量計７７を設け、貯液槽７内の電解
水のｐＨ値、酸化還元電位及び水量を監視し、制御部２
１からの制御信号に基づいて、ポンプ３５の圧力又はバ
ルブ３３を調整して電解水の再生量をコントロールし電
気分解槽１へ循環する再生された電解水の量を最適化す
ることができる。貯液槽７の水量が多過ぎで問題になる
場合は、バルブ７８を開いて、貯液槽７に貯められてい
た電解水を一旦廃棄する必要がある場合バルブ７８を開
け、貯液槽７に貯められている電解液の内余分な量を排
出することができる。貯液槽７から排出される電解水
は、図示していないが供給路を通して、廃液貯液槽１２
または中和廃液槽１５に供給される。

【００７５】ウエット処理はその内容に応じて、陰極水
と陽極水とを選択して使用する場合が多く、その両方を
同時に使用することは稀である。このような場合、電解
と同時に生成され、ウエット処理で使用しない方の電解
水は単に廃棄することになる。このような無駄を無く
し、所望の電解水のみを選択的に得るために、電気分解
槽１の陽極電極側と陰極電極側の圧力を変える構造を提
案する。

【００７６】本実施例に依れば、所望の電解水のみを効
率的に生成できる。図１５の圧力可変型ウエット処理装
置概略構成図を用いて本実施例を説明する。電気分解槽
１に純水を供給する。純水には図示しない指示電解質供
給部より指示電解質が供給されている。純水供給部には
ガス加圧ポンプ７９を接続することにより、高純度のガ
スによる加圧ができるようになっている。ガスとして
は、不活性ガスを用いれば良いが、ウエット処理に影響
のないことを考慮すればヘリウムガスが適当であると考
えられる。圧力バルブ８０、８１を用いて電気分解槽１
の陽極電極側または陰極電極側を加圧または減圧する。
加圧する場合は、バルブを閉じ、減圧する場合はその所
望の圧力になるようバルブを開ければ良い。

【００７７】支持電解質として塩化アンモニウムを用い
た場合の電気分解槽１内の反応を以下に示す。

【００７８】電解質として塩化アンモニウムを用いた場
合について説明する。アノード側では、２Ｈ₂Ｏ→Ｏ₂＋４Ｈ⁺＋４ｅ^- または（１）３Ｈ₂Ｏ→Ｏ₃＋６Ｈ⁺＋６ｅ^- （２）ＮＨ₄Ｃ１→ＮＨ₃＋Ｈ⁺＋Ｃ１^- （３）及び、２Ｃ１^-→Ｃ１₂＋２ｅ^- （４）及び、Ｃ１₂＋２Ｈ₂Ｏ→２Ｈ⁺＋２ＨＣ１Ｏ＋２ｅ^- （５）Ｃ１₂＋４Ｈ₂Ｏ→６Ｈ⁺＋２ＨＣ１Ｏ₂＋６ｅ^- （６）Ｃ１₂＋６Ｈ₂Ｏ→１２Ｈ⁺＋２Ｃ１Ｏ₃ ^-＋１０ｅ^- （７）及び、３ＨＣ１Ｏ→３Ｈ⁺＋Ｃ１Ｏ₃ ^-＋２Ｃ１^- （８）一方、陰極側では、次のような電気化学反応が生じる。

【００７９】２ＮＨ₄Ｃ１→２ＮＨ₃＋Ｈ₂＋２Ｃ１^- （９）２ＮＨ₃＋Ｈ₂Ｏ→２ＮＨ₄ ⁺＋２ＯＨ^- （10）２Ｈ₂Ｏ＋２ｅ^-→２ＯＨ^-＋Ｈ₂ （11）アノード側では酸素ガスおよび塩素ガスを発生すると同
時に水素イオンを水中に放出する。また、カソード側で
は水素ガスおよびアンモニアガスを発生すると同時に水
素イオンを水中に放出する。このため、アノード側電極
付近では水素イオン濃度が高くなり酸化性となり、カソ
ード側電極付近では水酸イオン濃度が高くなり還元性を
示す。減圧下の電解においては、生成ガスの発生が活発
になる。陽極側では、Ｏ₂ガスやＣ１₂ガスの発生が活
発になる一方で、Ｏ₃ガスの発生が抑制され、溶存塩素
の減少によりＨＣ１ＯやＨＣ１Ｏ₃の生成も抑制され
る。陰極側では、Ｈ₂ガスの生成が活発になり、その結
果水酸イオンの生成が活発になる。活発になる。従っ
て、どちらの電極においても水素イオンや水酸イオンの
生成が活発になる。一方、加圧下の電解においては、減
圧下と逆の反応が活発になる。その結果、陽極側では、
Ｏ₃ガスの発生やＨＣ１Ｏ₃などの生成が活発になり、
高いＯＲＰの電解水が生成される。また陰極側では、還
元性の高い電解水の生成が顕著になる。

【００８０】従って、電解水を得たい側の電気分解を加
圧下で行うことにより、必要な側だけの電解水を得るこ
とができ、減圧下の側は電解水がほとんど生成されな
い。

【００８１】

【発明の効果】従来のバッチ式及び枚葉式ウエット処理
装置では、大量の薬液を使用していたが、本発明のバッ
チ式ウエット処理装置は、支持電解質と添加剤を小量使
用することで従来と同等の効果を得ることができる。
又、従来の方式に比べ薬液の使用量が少ないので、薬液
の臭気も少なくなり、従来より少ない排気でも問題がな
くなり、排気設備を小型化できるという効果が得られ
た。更に、従来はアルカリ性の薬液と酸性の薬液を使用
いていたため、シャッター等で雰囲気を分離する必要が
あったが、電解水を用いたウエット処理の場合、電解水
の蒸気は中性であるため雰囲気を分離する必要も無くな
った。

【００８２】貯液槽は、フッ素樹脂で内部をコーティン
グしたり低温で保管したり遮光を施したり密閉構造にす
るなど電解水のｐＨ値と酸化還元電位の値を一定にする
工夫を行っているので、ウエット処理工程での工程の安
定性が増し、信頼度が著しく改善された。

【００８３】貯液槽で冷却保存された電解水を処理槽ま
たは貯液槽から処理槽までの供給路で加熱することで、
ウエハと電解水との反応を促進することができる。

【００８４】処理槽にはウエハのみを直接赤外線ランプ
等で加熱できる様にしてあるので、電解水の寿命を短く
すること無くウエハと電解水との反応を促進することが
できる。また赤外線ランプを用いるとウエハと電解水の
反応をより促進することができる。

【００８５】処理槽に供給する電解水に酸性溶液、アル
カリ性溶液、酸化剤、還元剤を供給できるので、目的に
応じ適宜添加する薬液を選択することで、洗浄・エッチ
ング・リンス等のウエット処理を効率的に行える。

【００８６】処理槽は密封されガスで充填されているの
で処理槽内の電解水の寿命が延び、処理槽内でのウエハ
のウエット処理の安定性がより向上し、信頼度が向上す
る。

【００８７】廃液の循環使用に関し、従来（特開平５−
１０５９９１）では、一旦中和させた電解水を微粒子用
フィルタとイオン交換器を通し循環使用していた。この
ため、この循環させた純水は本来供給される純水と同程
度の純度であるため、抵抗値が高く、電気分解の効率も
悪く、支持電解質の供給量も同じ位必要とされていた。
これに対し本発明は、陽極水と陰極水とは別々に微粒子
用フィルタとイオン交換器を通して陽極水は電気分解槽
の陽極側に循環し、陰極水は同様の処理後電気分解槽の
陰極側に循環させている。このため、電解水自体は活性
化の状態のまま電気分解槽に循環されるので、電解水の
生成効率が向上する。また電解水の中和廃液は通常の純
水再生処理システムの補充水として必要な市水の代替と
して使用できるので、特に使用量の多い市水の使用量を
抑制できるという効果がある。

【００８８】貯液槽、処理槽、廃液貯液槽にｐＨメータ
ーと酸化還元電位の値を測定し、その結果を用い、処理
槽の電解水の条件を常に一定になる様に制御しているの
で、ウエット処理工程の工程の安定性、信頼度が格段に
向上している。

【００８９】ウエット処理はその内容に応じて、陰極水
と陽極水とを選択して使用する場合が多く、その両方を
同時に使用することは稀である。このような場合、電解
と同時に生成され、ウエット処理で使用しない方の電解
水は単に廃棄することになる。このような無駄を無く
し、所望の電解水のみを選択的に得るために、電気分解
槽１の陽極電極側と陰極電極側の圧力を変える構造にし
てあるので、必要な方の電解水のみを生成できるという
効果もある。この場合でも、電解水は大気中に曝すこと
でその性質を中性に簡単に変えることができるので廃液
の処理に問題は生じない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のバッチ式ウエット処理装置の構成図。

【図２】本発明の枚葉式ウエット処理装置の構成図。

【図３】貯液槽の第１の実施例の詳細構成図。

【図４】貯液槽の第２の実施例の詳細構成図。

【図５】貯液槽の第３の実施例の詳細構成図。

【図６】処理槽の第１の実施例の詳細構成図。

【図７】処理槽の第２の実施例の詳細構成図。

【図８】処理槽の第３の実施例の詳細構成図。

【図９】処理槽からの廃液の循環系統の詳細構成図。

【図１０】電解水の加熱機構の第１の実施例の詳細構成
図。

【図１１】電解水の加熱機構の第２の実施例の詳細構成
図。

【図１２】電解水の制御の第１の実施例の構成図。

【図１３】電解水の制御の第２の実施例の構成図。

【図１４】電解水の制御の第３の実施例の構成図。

【図１５】電気分解槽の一実施例の構成図。

【図１６】従来の電解水のウエット処置装置の構成図。

【図１７】ウエット処置温度と半導体基板表面Ｃｕ濃度
との関係を示す図。

【符号の説明】

１電気分解槽２支持電解質供給部３陽極電極４陰極電極５直流電源部６半導体基板処理槽７貯液槽８添加剤貯液槽９循環ポンプ１０フィルター１１温調器１２廃液貯水槽１３浄水器１４イオン交換器１５中和廃液槽３７陽極水３８陰極水３９温度センサー４０温度制御部４１ポンプ４２バルブ４３ノズル４４チャンバー４５バルブ４６定量ポンプ

フロントページの続き (72)発明者井内真東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者佐々木康東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者太田なほみ東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】純水を供給する純水供給手段と、前記純
水供給手段に支持電解質を供給する支持電解質供給手段
と、前記支持電解質が添加された前記純水を電気分解し
電極水を生成する正の電圧が印加される陽極電極と負の
電圧が印加される陰極電極とを有する電気分解水生成手
段と、前記陽極電極近傍で活性化された陽極水を半導体
基板を処理する半導体基板処理手段に供給する供給手段
と、前記半導体処理手段から排出される排出陽極水を再
生し前記電気分解再生手段の陽極側に循環させる排出液
再生手段、または、前記陰極電極近傍で活性化された陰
極水を半導体基板を処理する半導体基板処理手段に供給
する供給手段と、前記半導体処理手段から排出される排
出陰極水を再生し前記電気分解再生手段の陰極側に循環
させる排出液再生手段の少なくとも一方を有することを
特徴とするウエット処理装置。
【請求項２】支持電解質が添加された純水を電気分解
し電極水を生成する正の電圧が印加される陽極電極と負
の電圧が印加される陰極電極とを有する電気分解水生成
手段と、前記陽極電極近傍で活性化された陽極水を貯液
し、前記貯液された陽極電解水を半導体基板処理手段に
供給する供給手段を有する陽極水貯液手段または前記陰
極電極近傍で活性化された陰極水を貯液し半導体基板処
理手段に供給する供給手段を有する陰極水貯液手段の少
なくとも一方を有することを特徴とするウエット処理装
置。
【請求項３】支持電解質が添加された純水を電気分解
し電極水を生成する正の電圧が印加される陽極電極と負
の電圧が印加される陰極電極とを有する電気分解水生成
手段と、前記陽極電極近傍で活性化された陽極水を貯液
し、前記貯液された陽極電解水を半導体基板処理手段に
供給する供給手段を加熱する加熱手段または、前記陰極
電極近傍で活性化された陰極水を貯液し半導体基板処理
手段に供給する供給手段を加熱する加熱手段または、半
導体基板処理手段を加熱及び保温する加熱手段または、
前記半導体基板処理手段で処理される半導体基板を加熱
及び保温する加熱手段の少なくとも１つを有することを
特徴とするウエット処理装置。
【請求項４】半導体基板処理手段に光を照射する手段
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載のウエット処理装置。
【請求項５】排出液再生段が排出液中の金属不純物を
除去する金属不純物除去及び排出液中の微粒子を除去す
る微粒子除去手段のうち少なくとも一方を有しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
のウエット処理装置。
【請求項６】半導体基板処理手段に気体を充満させる
気体充満手段を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項または第３項記載のウエット装置。
【請求項７】電気分解水生成手段または、貯液手段ま
たは、半導体基板処理手段の少なくとも１つに、電解水
のｐＨ値または、電解水の酸化還元電位または、電解水
の温度または、電解水の水量または、微粒子数のうち少
なくとも１つを監視する監視手段を設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載のウエット
処理装置。
【請求項８】半導体基板処理手段に酸性の溶液を供給
する手段またはアルカリ性の溶液を供給する手段または
酸化剤を供給する手段または還元剤を供給する手段また
はキレート剤を供給する手段のうち少なくとも１つを有
することを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項または第３項または第６項または第７項記載のウエッ
ト装置。
【請求項９】電気分解水生成手段の正の電圧が印加さ
れる陽極及び負の電圧が印加される陰極に供給される電
圧を停止することで、電気分解水生成手段で電解水の生
成を停止し、同時に電気分解水生成手段に供給される純
水に添加される支持電解質供給手段からの支持電解質の
供給を停止することで、半導体供給手段に供給される電
解水を純水にする事を特徴とする特許請求の範囲第２項
記載のウエット装置。
【請求項１０】電気分解水生成手段の正の電圧が印加
される陽極電極側の電気分解槽と負の電圧が印加される
陰極電極側の電気分解槽にガス供給手段を設け加圧し、
前記陽極電極側の電気分解槽と、前記陰極電極側の電気
分解槽とに圧力を調整する調整手段を設けたことを特徴
とする第１項、第２項、第３項または第６項記載のウエ
ット装置。