KR100219417B1 - 반도체 제조공정의 황산 보일 스테이션 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에 있어서 포토레지스트의 스트리핑이나 유기물의 세정에 사용되는 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션에 관한 것으로, 히터가 내재되어 있으며, 화학물질 혼합액에 의한 공정이 수행되는 공정액소; 상기 공정액조에 화학물질을 공급하는 복수개의 화학물질 공급라인; 상기 공정액조로부터 상기 화학물질 혼합액을 배출하는 화학물질 혼합액의 배출부; 상기 공정액조내의 화학물질 혼합액의 온도를 측정하기 위한 온도 센서; 상기 화학물질 혼합액을 순환시키고, 필터링시키기 위한 화학물질 혼합액 순환부; 상기 공정액조내의 화학물질 혼합액의 온도를 낮추기 위하여 상기 화학물질 혼합액순환부와 상기 공정액조 사이에 배치된 냉각기; 및 상기 온도센서가 측정한 온도에 따라 상기 냉각기와 상기 히터를 조정하는 온도 콘트롤러를 구비하여 이루어진다. 또한 상기 냉각기는 상기 배출부로 배출되는 화학물질 혼합액의 온도를 낮추기 위하여 상기 화학물질 혼합액의 배출부와 상기 공정액조 사이에 배치될 수 있다.
따라서, 공정의 중단시간을 줄이므로 공정효율을 높일 수 있으며, 설비의 열화를 억제하고 누수로 위험을 줄이는 효과를 얻을 수 있다.

Description

반도체소자 제조를 위한 황산 보일 스테이션
본 발명은 반도체소자 제조공정에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 제조공정시 포토레지스트의 스트리핑(Stripping) 또는 유기물의 세정에 적용되는 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션에 관한 것이다.
반도체소자의 제조공정에 있어서 가장 일반적으로 사용되는 수단 가운데 하나가 반도체기판상에 소정 재질의 박막을 형성하고 포토리소그라피 공정을 통해 상기 박막상에 일정한 패턴을 형성하는 것이다. 이때 포토리소그라피 공정을 이용하여 패턴을 형성하기 위해서는 사진 필름의 역할을 수행할 수 있는 포토레지스트가 필요하다. 상기 포토리소그라피 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴은 반도체기층에 웰(Well)을 형성하기 위한 이온주입공정 또는 상기 박막의 식각공정에서 방어막 역할을 한다.
대개의 경우 이온주입공정 또는 식각공정이 수행된 후 사진 필름의 역할과 방어막 역할을 한 포토레지스트는 제거된다. 포토레지스트의 제거에는, 우선, 이온주입이나 플라즈마 식각이 이루어질 때 충격을 받아 각질화된 포토레지스트층 상부를 산소 플라즈마를 이용한 애싱(ashing) 공정을 통해 제거하고, 다음으로 잔여 포토레지스트를 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)의 화학물질 혼합액을 이용하여 제거하는 방법이 많이 사용된다.
황산과 과산화수소의 혼합액에서는 과산화수소가 황산과 반응하여 물과 발생기 산소의 상태로 되고, 이러한 상태의 혼합액 속에서 산소와 포토레지스트가 주로 반응하여 포토레지스트는 웨이퍼에서 제거된다.
따라서, 이러한 반응이 계속적으로 이루어지기 위해서는 반응이 진행됨에 따라 분해되어 소모되면서 산소를 발생시키는 과산화수소가 황산과 과산화수소의 혼합액이 담겨 있는 공정액조로 계속 보충되어야 한다. 즉, 혼합액에서 과산화수소의 농도가 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있도록 일정이상으로 유지되어야 한다.
또한, 이러한 형태의 과정은 반도체소자 제조공정에 있어서 포토레지스트의 제거공정뿐만 아니라 웨이퍼 표면 등의 유기 오염물질을 제거하는 공정등에서도 동일한 원리로 이루어질 수 있다.
웨이퍼의 표면의 잔여 포토레지스트를 제거하거나 유기 오염물질을 제거하는 공정은 화학물질 혼합액이 담겨있는 공정액조에 웨이퍼 등을 토입하여 반응이 일어나게 하는 형태로 이루어지며, 공정액조에는 화학물질을 공급하는 부분과 혼합액을 외부로 배출하는 부분, 반응의 진행에 따른 오염물질을 제거하는 필터를 통한 상기 혼합물을 순환시키는 순환장치 등이 병설되어 있다.
도1을 참조하여 종래의 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션의 구성 및 관련 공정의 진행과정을 좀 더 살펴보면 다음과 같다.
상기 황산 보일 스테이션은 포토레지스트의 제거반응이 일어나는 내측 액조(12)을 포함한다. 먼저 과산화수소 공급라인(3)을 통해 과산화수소가 공급되고, 다음으로 황산 공급라인(4)을 통해 황산이 상기 내측 액조(12)에 공급된다. 상기 황산과 과산화수소의 화학물질 혼합액은, 내측 액조(12)의 오버플로우(overflow)로 외측 액조(11)로 유입되고, 외측 액조(11)에 연결된 순환배관(5) 통해 캐미컬 필터(14)를 거쳐 다시 내측 액조(12)로 공급되는 순환과정을 통해 고르게 혼합된다.
황산과 과산화수소의 혼합액의 순환은 펌프(13)의 작용에 의해 이루이지며, 혼합되는 과정에서 과산화수소와 황산은 격렬하게 반응하여 혼합액의 온도는 100℃ 내외로 상승한다.
한편, 포토레지스트를 제거하는 공정은 150℃정도에서 이루어지므로 내측 액조(12)에는 화학물질 혼합액을 예정된 공정온도까지 가열하기 위한 히터(17)가 설치되어 있다. 온도조절이 이루어지는 과정을 살펴보면, 우선, 혼합액내에 배치된 온도 센서(15)가 혼합액의 온도를 감지하고, 감지된 온도는 전기신호의 형태로 온도 콘트롤러(16)로 전달된다. 온도 콘트롤러(16)는 히터(17)로 전류를 흐르게 하여 주울열에 의해 혼합액의 온도를 높인다.
혼합액이 미리 설정된 공정온도를 유지하면 웨이퍼가 적재된 캐리어(도시안됨)가 혼합액 속에 투입되어 내측 액조 내부에 위치하는 캐리어 가이드(18)에 놓이면서 공정이 진행된다.
그리고 공정이 진행됨에 따라, 반응이 이루어지는 액조의 화학물질의 혼합액은 조성이 변화하고, 오염되기 쉬우므로 일정 기간이 경과한 후에 내측액조(12)의 제1 배출배관(6) 및 아스피레이터(Aspirator:19)를 통해 배출된다. 아스피레이터는 일종의 공압밸브로서, 이를 통해 배출되는 화학물질이 물 공급라인(8)을 통해 공급되는 물로 희석되어 농도가 낮아지게 되어 있다. 보충이나 교체를 위한 화학물질은 과산화수소 공급라인(3)과 황산공급라인(4)을 통해 내측 액조(12)로 공급된다.
그러나 이상과 같은 종래의 반도체소자 제조겅정을 위한 황산 보일 스테이션을 사용하는 경우, 혼합액에서 과산화수소의 유효농도를 일정하게 유지하기 어려운 문제점이 있었다. 또한, 종래의 반도체소자 제조공정의 황산보일 스테이션을 사용하는 경우, 내측 액조(12)에서 아스피레이터(19)를 거쳐 배출되는 고온의 화학물질이 배출부와 연결되는 설비부분을 쉽게 부식시키는 문제점이 있었다.
이하에서는 혼합액에서 과산화수소의 유효농도를 유지하는 방법에서의 문제점을 상술한다.
우선, 예를 들어 황산용액과 과산화수소수의 조성비가 부피비율로 6:1인 혼합액이 사용되어야 하는 경우에 각 화학물질의 질량%농도를 계산하면, 황산의 밀도는 1.84, 황산의 순도는 96%이고, 과산화수소의 밀도는 1.11, 과산화수소의 순도는 31%라고 하면, 순수한 황산의 질량비는 87.1wt%, 과산화수소의 질량비는 2.8wt%가 유지되어야 한다.
한편, 유기물질을 제거하는 황산 보일 공정이 120℃ 정도의 온도에서, 포토레지스트 스트립(Strip)공정이 150℃ 정도의 온도에서 이루어져야 하는데 반해, 과산화수소는 107℃의 비등점을 갖는다. 따라서, 가령 혼합액을 150℃ 정도로 히터(17)를 통해 가열했을 때, 과산화수소는 계속 기화되고 또한 자기분해도 촉진되어 물과 산소로 전환되므로 과산화수소의 농도는 계속 급속히 감소한다. 그러므로 반도체 제조공정의 황산 보일 스테이션은, 공정이 진행되면서 감소된 과산화수소가 과산화수소 공급라인(3)을 통해 보충될 수 있도록 구성되어 있다.
그러나 정상적인 공정조건인 150℃ 정도의 온도에서 과산화수소의 농도를 적정수준으로 유지하기 위해 과산화수소를 공급하면 공급된 과산화수소가 액조 속의 황산과 반응하여 혼합액의 온도는 165℃까지 상승하게 된다. 이 경우 공정은 중단되고 정상적인 온도가 되기까지 30분 이상의 시간이 소모되며 그 동안에도 과산화수소는 계속 분해되는 문제점이 있었다.
또한, 이러한 문제점은 공정이 계속되면서 과산화수소를 보충할 때마다 다시 발생하게 된다.
결국 액조에 웨이퍼가 투입되어 정상공정이 진행되는 시점에서는 다시 과산화수소의 기준농도인 2.8wt%보다 현저하게 낮은 농도(예를 들면 0.5wt%)가 된다.
이러한 악순환으로 인하여 실제의 공정은 이상적인 과산화수소의 농도조건보다 현저히 낮은 농도조건에서 이루어지게 된다. 따라서 공정의 질과 효율이 감소하고, 냉각에 소요되는 시간이 필요하므로 정상가동시간도 줄어드는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 적정한 과산화수소 농도를 사용하는 적정한 온도에서 포토레지스트 스트립이나 유기물 오염물질 제거공정이 이루어질 수 있는 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 액조에서 공정에 사용된 혼합액을 배출할 때 배출부의 설비가 부식되는 현상을 경감시킬 수 있는 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션을 제공하는 데 있다.
제1도는 종래의 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션(H2SO4Boil Station)의 일 예를 나타내는 개략적 구성도이다.
제2도는 본 발명의 첫 번째 목적과 관련된 일 실시예에 따른 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션의 개략적 구성도이다.
제3도는 본 발명의 두 번째 목적과 관련된 일 실시예에 따른 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션의 개략적 구성도이다.
제4도는 본 발명의 첫 번째 목적과 두 번째 목적을 동시에 실현할 수 있도록 구성된 일 실시예에 따른 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션의 개략적 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
3, 23 : 과산화수소 공급라인 4, 24 : 황산 공급라인
5, 25 : 순환배관 6, 26 : 제1 배출배관
7, 27 : 제2 배출배관 8, 28 : 물 공급라인
11 : 외측 액조 12 : 내측 액조
13 : 펌프 14 : 캐미컬 필터
15 : 온도 센서 16 : 온도 콘트롤러
17 : 히터 18 : 캐리어 가이드
19 : 아스피레이터 21 : 냉각기
22, 22a, 22b : 냉각라인 46 : 통합 콘트롤러
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션은 히터가 내재되어 있으며, 화학물질 혼합액에 의한 공정이 수행되는 공정액조; 상기 공정액조에 화학물질을 공급하는 복수개의 화학물질 공급라인; 상기 공정액조로부터 상기 화학물질로 구성되는 화학물질 혼합액을 배출하는 화학물질 혼합액으 배출부; 상기 공정액조내의 화학물질 혼합액의 온도를 측정하기 위한 온도 센서; 상기 화학물질 혼합액을 순환시키고, 필터링시키기 위하여 순환배관, 펌프 및 필터가 구비된 화학물질 혼합액 순환부; 상기 공정액조내의 화학물질 혼합액의 온도를 낮추기 위하여 상기 화학물질 혼합액 순환부와 상기 공정액조 사이에 배치된 냉각기; 및 상기 온도 센서와 연결되어 있으며, 상기 온도 센서가 측정한 온도에 따라 상기 냉각기와 상기 히터를 조정하는 온도 콘트롤러; 를 구비하여 이루어진다.
상기 냉각기는 상기 화학물질 혼합액의 온도가 120℃ 이상일 때에 가동되며, 상기 냉각기는 상기 순환부의 일부에 설치되는 것이 바람직하다.
상기 냉각기는 냉각수로 물을 이용하며, 상기 순환부의 일부분을 나선형으로 감싸는 냉각 라인일 수 있으며, 워터자켓(Water Jacket)일 수 있다.
또한 상기 냉각기가 상기 공정액조에 직접 설치될 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자 제조공정의 황산보일 스테이션은 히터가 내재되어 있으며, 화학물질 혼합액에 의한 공정이 수행되는 공정액조; 상기 공정액조에 화학물질을 공급하는 복수개의 화학물질 공급라인; 상기 공정액조로부터 상기 화학물질로 구성되는 화학물질 혼합액 배출부; 상기 공정액조내의 화학물질 혼합액의 온도를 측정하기 위한 온도 센서; 상기 화학물질 혼합액을 순환시키고, 필터링시키기 위하여 순환배관, 펌프 및 필터가 구비된 화학물질 혼합액 순환부; 상기 배출부로부터 배출되는 화학물질 혼합액의 온도를 낮추기 위하여 상기 화학물질 혼합액의 배출부와 상기 공정액조 사이에 배치된 냉각기; 및 상기 온도 센서와 연결되어 있으며, 상기 온도 센서가 측정한 온도에 따라 상기 냉각기와 상기 히터를 조정하는 온도 콘트롤러; 를 구비하여 이루어집니다.
상기 배출부는 아스피레이터, 상기 아스피레이터와 상기 공정액조를 연결하는 배출배관 및 상기 아스피레이터에서 외부로 연결하는 배수관이 구비되어 이루어지며, 상기 냉각기는 상기 공정액조와 상기 아스피레이터 사이에 설치되는 것이 바람직하다.
상기 냉각기는 상기 순환부의 일부도 함께 냉각될 수 있도록 설치될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 첫 번째 목적과 관련된 일 실시예에 따른 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션의 개략적 구성을 나타내고 있다.
황산 보일 스테이션의 기본적인 구성에서는, 공정이 이루어지는 내측 액조(12), 상기 내측 액조(12)에 화학물질을 공급하는 화학물질 공급부, 혼합액 배출부가 구비된다. 상기 화학물질 공급부는 과산화수소 공급라인(23)과 황산 공급라인(24)로 구성된다. 상기 혼합액 배출부는 아스피레이터(19)에 연결된 제1 배출배관(26)을 포함한다. 상기 아스피레이터(19)는 제1 배출배관(26)로 배출된 공정에 사용된 화학물질 혼합액을 물 공급라인(28)으로부터 공급되는 물로 희석시키며, 상기 희석된 화학물질 혼합액는 제2 배출배관(27)을 통해 배출된다.
그리고 이러한 기본 구성에 내측 액조(12)의 오버플로우가 유입되는 외측액조(11), 외측 액조(11)의 혼합액을 캐미컬 필터(14)를 경류하여 순환배관(25)를 통해 내측 액조(12)로 압송하는 펌프(13)가 구비된 순환부가 부가, 설치되어 있다.
또한 액조의 화학물질의 혼합액의 온도를 감지하는 온도 센서(15), 온도센서의 신호를 접수하는 온도 콘트롤러(16), 온도 콘트롤러(16)의 조정으로 가동되는 내측 액조(12)에 위치하는 히터(17), 내측 액조(12) 내에서 웨이퍼가 내재된 캐리어(도시안됨)가 놓이는 캐리어 가이드(18)도 구성되어 있다.
본 발명의 특징을 이루는 냉각기(21)는 순환부의 캐미컬 필터(14)와 내측액조(12)의 사이에 설치되어 있다. 따라서, 순환되어 내측 액조(12)로 압송되는 혼합액의 온도를 낮추어 내측 액조(12)내의 혼합액의 온도를 조정할 수 있게 되어있다.
냉각기(21)는 혼합액의 온도보다 낮은 온도의 냉각수가 순환부를 이루는 순환배관(25)의 외측을 여러번 회전하면서 감싸는 형태의 냉각라인(22)으로 이루어져서 혼합액의 열을 빼앗게 되어 있다. 이러한 냉각 라인(22)의 냉각수의 흐름은 상기 온도 콘트롤러(16)에 의해 히터(17)와 함께 제어되도록 구성되어 있다.
또한 상기 냉각기(21)는 워터자켓(Water Jacket)으로 이루어질 수 있다.
따라서, 과산화수소 공급라인(23)을 통해 내측 액조(12)에 과산화수소를 보충하면서 순환부의 펌프(13)를 계속 가동하면, 보충되는 과산화수소가 황산과 반응하면서 발생시키는 반응열을 혼합액 순환부에 설치된 냉각기(21)를 통해 동시에 방출할 수 있다. 그러므로 내측 액조(12)의 황산과 과산화수소의 혼합액의 온도를 항상 공정온도로 유지하거나 적어도 냉각에 소요되는 시간, 즉 공정의 중단시간을 줄일 수 있다.
도3은 본 발명의 두 번째 목적과 관련된 일 실시예에 따른 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션의 개략적 구성을 나타낸다.
냉각기을 제외한 기본적인 황산 보일 스테이션의 구성은 도2의 구성과 동일하므로 자세한 구성의 설명은 여기서 하지 않는다.
본 발명의 특징을 이루는 냉각기(21)는 내측 액조(12)의 하부에 형성된 혼합액 배출구 및 아스피레이터(19)와 양 단부가 연결된 제1 배출라인(26)을 감싸는 냉각 라인(22a)을 구비한다.
상기 냉각 라인(22a)은 배출되는 혼합액의 온도보다 낮은 온도의 냉각수가 제1 배출배관(26)의 일부를 여러번 회전하면서 감싸는 형태로 구성되어 제1 배출배관(26)을 통하여 배출되는 혼합액의 열을 방출시킨다.
그리고, 도면에는 표시되지 않았으나 냉각 라인(22a)의 냉각수의 흐름은 아스피레이터(19)의 개폐와 함께 제어되도록 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 냉각 라인(22a)은 전과 같이 워타자켓으로 구성시킬 수 있다. 본 실시예에서는 혼합액이 배출되는 동시에 냉각기(21)를 가동시킴으로써, 배출되는 혼합액의 온도를 낮추어 고온의 부식성 혼합액으로 인한 강한 침식작용으로 설비가 부식되고, 설비에서 누수현상이 일어나는 문제점을 미연에 방지하거나 경감시킬 수 있다.
도4는 본 발명의 첫 번째 목적과 두 번째 목적을 동시에 실현할 수 있도록 구성된 반도체소자 제조공정을 위한 황산 보일 스테이션을 개략적으로 나타내고 있다.
전체적인 구성은 도2 혹은 도3의 실시예와 냉각기(21)를 제외하고는 유사하여 자세히 언급하지는 않는다.
본 실시예의 냉각기(21)는 순환부의 순환배관(25)과 배출부의 제1 배출배관(26)을 동시에 여러번 감싸는 냉각라인(22b)을 포함한다. 상기 냉각라인(22b)은 원터자켓으로 구성될 수 있다.
이때, 냉각라인(22b)을 통하는 냉각수의 흐름은 내측 액조(12)의 혼합액의 온도 및 배출되는 혼합액의 온도를 통합하여 조정하는 통합 콘트롤러(46)에 의해 제어된다.
따라서, 하나의 냉각기(21)와 냉각라인(22b)으로 배출되는 혼합액의 온도 및 내측 액조(12)내의 혼합액의 온도를 조절할 수 있으며, 본 실시예는 내측 액조(12)내의 온도를 공정에 적합한 온도로 유지시켜 공정의 효율을 높이는 동시에 배출되는 혼합액의 온도를 낮추어 배출부 설비의 부식을 경감하는 효과를 얻을 수 있다.
따라서, 공정액조에 과산화수소를 보충하면서도 반응열을 냉각기를 통해 동시에 방출하여 혼합액의 온도를 항상 공정온도로 유지하여 공정의 중단시간을 줄이므로 공정효율을 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 배출되는 혼합액의 온도를 낮추어 배출부 설비의 부식을 경감하므로 설비의 열화를 억제하고 누수로 위험을 줄이는 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (10)

  1. 히터가 내재되어 있으며, 화학물질 혼합액에 의한 공정이 수행되는 공정액조;
    상기 공정액조에 화학물질을 공급하는 복수개의 화학물질 공급라인;
    상기 공정액조로부터 상기 화학물질로 구성되는 화학물질 혼합액을 배출하는 화학물질 혼합액의 배출부;
    상기 공정액조내의 화학물질 혼합액의 온도를 측정하기 위한 온도 센서;
    상기 화학물질 혼합액을 순환시키고, 필터링시키기 위하여 순환배관, 펌프 및 필터가 구비된 화학물질 혼합액 순환부;
    상기 공정액조내의 화학물질 혼합액의 온도를 낮추기 위하여 상기 화학물질 혼합액 순환부와 상기 공정액조 사이에 배치된 냉각기; 및
    상기 온도 센서와 연결되어 있으며, 상기 온도 센서가 측정한 온도에 따라 상기 냉각기와 상기 히터를 조정하는 온도 콘트롤러;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각기는 상기 혼합액의 온도가 120℃ 이상일 때에 가동되게 구성된 것임을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 냉각기는 상기 순환부의 일부에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조공장의 황산 보일 스테이션.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 냉각기는 냉각수로 물을 이용하며, 상기 순환부의 일부분을 나선형으로 감싸는 냉각 라인으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 냉각기는 워터자켓(Water Jacket)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 냉각기가 상기 공정액조에 직접 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
  7. 히터가 내재되어 있으며, 화학물질 혼합액에 의한 공정이 수행되는 공정액조;
    상기 고정액조에 화학물질을 공급하는 복수개의 화학물질 공급라인;
    상기 공정액조로부터 상기 화학물질로 구성되는 화학물질 혼합액을 배출하는 화학물질 혼합액의 배출부;
    상기 공정액조내의 화학물질 혼합액의 온도를 측정하기 위한 온도 센서;
    상기 화학물질 혼합액을 순환시키고, 필터링시키기 위하여 순환배관, 펌프 및 필터가 구비된 화학물질 혼합액 순환부;
    상기 배출부로부터 배출되는 화학물질 혼합액의 온도를 낮추기 위하여 상기 화학물질 혼합액의 배출부와 상기 공정액조 사이에 배치된 냉각기; 및 상기 온도 센서와 연결되어 있으며, 상기 온도 센서가 측정한 온도에 따라 상기 냉각기와 상기 히터를 조정하는 온도 콘트롤러;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 배출부는 아스피레이터, 상기 아스피레이터와 상기 공정액조를 연결하는 배출배관 및 상기 아스피레이터에서 외부로 연결하는 배수관이 구비되어 이루어지며, 상기 냉각기는 상기 공정액조와 상기 아스피레이터 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 냉각기는 상기 순환부의 일부도 함께 냉각될 수 있도록 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 냉각기는 냉각수로 물을 이용하며, 냉각부위를 감싸는 냉각 라인 또는 워터자켓으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조공정의 황산 보일 스테이션.
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