JPH0726328A - 方向性珪素鋼板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 方向性電磁鋼板を安定して製造する方法を提
供する。 【構成】 Ｃ：０．０００５〜０．００４％、Ｓｉ：
２．０〜４．５％等所定の組成からなる珪素鋼スラブを
１０００℃から１２００℃の温度域で粗圧延を開始し引
き続き仕上げ圧延を行って熱延鋼帯としたのち必要に応
じて７００℃から１１００℃の温度域で短時間焼鈍を行
った後１回または中間焼鈍をはさむ２回以上の冷間圧延
を行い、所定の板厚とし、８５０℃から１０５０℃の温
度域で１秒以上２００秒以内加熱後鋼板を走行せしめる
状態で窒化処理をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼鈍
を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、方向性珪素鋼板（以下
方向性電磁鋼板と云う）に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】方向性電磁鋼板の製造においては熱延鋼
帯は必要に応じて焼鈍後、１回または中間焼鈍をはさむ
２回以上の冷間圧延を行い、所定の板厚とし、次いで一
次再結晶焼鈍を行った後焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼
鈍を施すことで行われている。この一次再結晶焼鈍では
脱炭も行われているのが一般である。しかるに近年溶鋼
の状態で脱炭した素材を使い、一次再結晶焼鈍工程での
脱炭を省略した技術が数多く報告されている。

【０００３】例えば特開昭５４−１１２３１７号、特開
昭５５−０７３８１８号、特開昭５７−１１４６１４号
−特開昭５７−２０７１１４号、特開昭５８−１００６
２７号、特開昭６１−９１３１９号、特開昭６２−８３
４２１号、特開平１−１１９６４４号、特開平１−２１
２７２１号、特開平１−３０９９２３号、特開平１−３
０９９２４号、特開平２−３０７１４号、特開平２−１
４１５３２号、特開平３−１１１５１６号、特開平３−
２８７７２１号、特開平５−９６６６号公報等数多く存
在する。しかしながらこれらの技術で方向性電磁鋼板を
安定して製造するためには製造条件を厳密に制御する必
要がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、方向性電磁
鋼板を安定して製造する方法を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の手段は、Ｃ：
０．０００５〜０．００４重量％、Ｓｉ：２．０〜４．
５重量％、酸可溶性Ａｌ：０．０１０〜０．０８０重量
％、Ｎ：０．００１〜０．０２０重量％、Ｃｕ：０．０
５０〜２．００重量％、Ｓ：０．００５〜０．０６０重
量％、Ｓｂ：０．０１０〜０．１００重量％（以下重量
％は単に％と記述する）の成分を含んだ珪素鋼スラブを
１０００℃から１２００℃の温度域で粗圧延後仕上げ圧
延を行って熱延鋼帯としたのち、必要に応じて７００℃
から１１００℃の温度域で短時間焼鈍を行った後１回ま
たは中間焼鈍をはさむ２回以上の冷間圧延を行い、所定
の板厚とし、８５０℃から１０５０℃の温度域で１秒以
上２００秒以内加熱後、鋼板を走行せしめる状態で窒化
処理をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼鈍を施すこと
にある。

【０００６】この場合一次再結晶焼鈍の少なくとも加熱
後段の雰囲気のＰ H₂ O ／Ｐ H₂ を０．０６以上４．０
以下としたのち、窒化処理を行うことで、所望の窒化が
効率的に行われる。またこのように窒化を行っても、仕
上げ焼鈍の雰囲気の窒素分圧が５０％以下では、形成さ
れた窒化物がインヒビターとして有効に働かない場合が
あるので、該仕上げ焼鈍の昇温過程８００℃以上で窒素
分圧５０％以上とすることが好ましい。

【０００７】以下本発明について詳細に説明する。一次
再結晶焼鈍工程では脱炭を行わないで一方向性電磁鋼板
を製造する方法として、発明者らは特開昭５７−１１４
６１４号公報で開示した技術を開発したが、この方法で
は磁束密度が比較的低いという欠点があった（実施例Ｂ
₈ ＝１．８８）。また、磁束密度が高い鋼板を製造する
技術として特開昭５７−８９４３９号公報（実施例Ｂ₈
＝１．９７）や、特開昭５７−２０７１１４号公報（実
施例Ｂ₈ ＝１．９４）も開発されたが、安定してこのよ
うな高い磁束密度が得られない場合が存在した。

【０００８】その原因について鋭意研究した結果一次
再結晶板に二次再結晶の核となる（１１０）〔００１〕
方位結晶粒が少ないこと、二次再結晶粒以外の結晶方
位の成長を阻止すべきインヒビターが不足しているこ
と、更に（１１０）〔００１〕二次再結晶粒のみを優
先的に成長させる作用効果が、従来の製造工程による一
次再結晶板と較べて少ないことが分かった。

【０００９】これらの欠点を克服するには、Ｃ：０．０
００５〜０．００４％、Ｓｉ：２．０〜４．５％、酸可
溶性Ａｌ：０．０１０〜０．０８０％、Ｎ：０．００１
〜０．０２０％、Ｃｕ：０．０５０〜２．００％、Ｓ：
０．００５〜０．０６０％、Ｓｂ：０．０１０〜０．１
００％の成分を含有した珪素鋼スラブを１０００℃から
１２００℃の温度域で粗圧延を開始し、仕上げ圧延を行
って熱延鋼帯としたのち、必要に応じて７００℃から１
１００℃の温度域で短時間焼鈍を行った後、１回または
中間焼鈍をはさむ２回以上の冷間圧延を行い、所定の板
厚とし、８５０℃から１０５０℃の温度域で１秒以上２
００秒以内加熱後、鋼板を走行せしめる状態で窒化処理
をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼鈍を施すことにあ
る。

【００１０】この場合一次再結晶焼鈍の加熱後段の雰囲
気のＰ H₂ O ／Ｐ H₂ を０．０６以上４．０以下とした
のち、窒化処理を行うことで、所望の窒化が効率的に行
われる。また仕上げ焼鈍の雰囲気の窒素分圧が５０％以
下では、形成された窒化物がインヒビターとして有効に
働かない場合があるので、該仕上げ焼鈍の昇温過程８０
０℃以上で窒素分圧５０％以上とすることが好ましいこ
とを発見し、本発明を完成させた。

【００１１】本発明とほぼ同じ構成の方向性電磁鋼板の
製造に付いて、特開平２−７７５２５号公報で開示され
た先行技術がある。その先行技術においては、脱炭焼鈍
後鋼板を走行せしめる状態下で窒化処理をし、焼鈍分離
剤を塗布した後高温仕上げ焼鈍をすることを特徴として
いる。本発明における粗熱延開始温度は１２００℃以下
であり、この条件もこの先行技術と同一である。本発明
とこの先行技術が構成上最も異なる点は先ず第１に鋼成
分であり、第２に一次再結晶焼鈍条件である。先行発明
においてはＣｕは添加されていないが、本発明において
はＣｕを０．０５％から２％の範囲で添加されており、
Ｃｕを積極的に活用しているところが成分で異なる第１
の点である。またこの先行発明ではＳが０．０１２％以
上含まれている場合は二次再結晶不良になるので、Ｓは
好ましくは０．００７％以下としてる。然るに本発明に
おいてＳは０．００５％以上が必要で、０．０４％程度
まではＳは高いほど二次再結晶が安定する。本発明とこ
の先行技術がＳの作用効果の点で全く異なる。Ｓの範囲
及び、その作用効果が異なる点が成分で異なる第２の点
である。

【００１２】先行発明ではＣは０．０２５％以下では二
次再結晶が不安定になり、かつ二次再結晶した場合でも
製品の磁束密度が１．８Tesla と低下するとしている。
本発明においては熱間圧延以前の状態がすでにＣが０．
００４％以下であるが、二次再結晶は安定であり、磁束
密度も１．８Tesla 以上の高い値を示す。一次再結晶前
のＣ量が異なる点が先行発明と成分で異なる第３の点で
ある。先行発明ではＳｂは添加されていないが、本発明
においてはＳｂが０．０１０％から０．１％の範囲で添
加されていることが、先行発明と成分で異なる第４の点
である。

【００１３】後で詳しく述べるが、本発明のインヒビタ
ーとしてはＣが０．００４％以下の状態で硫化物と窒化
物の双方および、固溶Ｃｕ、固溶Ｓｂを活用するところ
が本発明と先行発明で成分構成が異なってくる理由であ
る。

【００１４】本発明では一次再結晶焼鈍前にＣが０．０
０４％以下、Ｓが０．０１０％以上でＣｕが０．０５％
から２．００％、Ｓｂが０．０１％から０．１％の範囲
で含有されている鋼板を８５０℃以上の温度で脱炭焼鈍
することなく一次再結晶焼鈍させた後窒化処理すること
にある。先行技術では一次再結晶焼鈍前にＣ：０．０２
５％から０．０７５％以下、Ｓが０．０１２％の範囲で
含有されている鋼板を再結晶させ、引き続き水蒸気を含
んだ雰囲気中で８００℃から８５０℃温度で１２０秒以
上加熱して脱炭を行いしかる後に窒化処理を行ってい
る。

【００１５】即ち、本発明と先行発明においては、鋼成
分、一次再結晶焼鈍の目的が異なる。本発明鋼では脱炭
が不必要であるので、再結晶焼鈍は非脱炭性雰囲気で完
了させればよい。この場合再結晶粒成長が完了するまで
は、できるだけ還元性の雰囲気としたのち、引き続き窒
化処理を連続的に行うが、この窒化処理前の雰囲気のＰ
H₂ O ／Ｐ H₂ を０．０６以上４．０以下とすること
で、二次再結晶が安定し、かつ良好な磁気特性が得られ
る。

【００１６】以上成分及び一次再結晶焼鈍の各条件を組
み合わせることで、本発明ではなぜ先行技術では不可能
であった二次再結晶を安定させ、かつ磁束密度を１．８
Tesla 以上確保できるのかと云う冶金学的原理について
は、現時点では必ずしも明確ではない。現時点では実験
事実からその組み合わせ効果が生じる理由を以下の如く
解釈している。

【００１７】先ず成分について述べる。Ｃｕが０．０５
０〜２．００％含まれるとの（１１０）〔００１〕方
位二次再結晶核となる可能性のある結晶粒が増加し（図
１参照）、更にの二次再結晶粒以外の結晶粒の成長を
阻止する作用効果があることが分かった。この場合の
効果は特にＣｕ含有量が０．５％以上となると顕著にな
ることを発見した。またの効果はＣｕが０．０５％以
上あれば顕著となり、Ｃｕが増すほどその効果が大きく
なることが分かった。

【００１８】電子顕微鏡により析出物の形態を調査した
ところ、Ｃｕが０．０５％以上あれば、Ｃｕの硫化物の
量もサイズもＣｕ量を増しても変化しないことから、Ｃ
ｕ添加で二次再結晶粒を成長しやすくするのは、析出物
（硫化物）としてのインヒビター効果と、固溶Ｃｕその
ものが二次再結晶粒以外の結晶粒の成長を阻止する効果
があるためと考えられる。その点を確認するため、Ｓを
全く含まない試料で、Ｃｕ添加量を増やしたところ、Ｃ
ｕが多いほど二次再結晶が安定した実験結果が得られ、
固溶Ｃｕはそのような作用効果があると推察した。

【００１９】次にＳを０．００５〜０．０６０％範囲に
限定したのは，の効果が発現するためである。即ち
本発明素材成分においてはＳが０．００５％未満では二
次再結晶粒が発現しにくくなったり、二次再結晶した場
合も（１１０）〔００１〕からはずれた二次再結晶粒の
発現が多くなることを見いだした。即ち本成分系におい
てはＳは，の効果を与えると解釈される。

【００２０】そのメカニズムは明瞭ではないがＳが０．
００５％以上存在する場合は微細なＣｕ系硫化物が多数
観察され、この微細なＣｕ系硫化物が，の効果を発
現するものと解釈している。Ｓは０．０６％でも効果が
あるが、Ｓが多い場合熱延工程で割れが発生し易いので
本発明では上限を０．０６０％としたものである。この
Ｓの効果はＣｕと共存して初めて発揮されるものであ
り、先行発明の如くＣｕが添加されていない場合は、Ｓ
が存在することはかえって二次再結晶を不安定にすると
推察される。

【００２１】更にこれら成分系にＳｂを添加すると、二
次再結晶が発現し易くなり、かつ二次再結晶が発現した
場合特に鉄損向上効果が顕著になることを見いだし、本
発明を完成させた。この場合ＳｂとＣｕ添加量には相互
の関係があり、Ｃｕ添加量が多い程Ｓｂ添加量を増すこ
とで鉄損が向上する傾向があり、１％Ｃｕの場合０．０
８％程度のＳｂ添加が有効である。Ｓｂの添加の下限を
０．０１％としたのはこれ以下の添加では効果があるが
僅かであるので、０．０１％以上とした。上限を０．１
％としたのはこれ以上でも効果があるが、これ以上添加
量が増すと傷が発生し易くなり、磁気特性向上効果も飽
和してくるので経済的でないので上限を０．１％とした
ものである。

【００２２】またこの場合一次再結晶焼鈍温度を高く、
Ｓｂ添加量が多くなるにしたがい、仕上げ焼鈍昇温過程
の雰囲気の窒素％を高くすることが低い鉄損と高い磁束
密度を得るのに効果的である。即ち一次再結晶焼鈍温度
が低い場合に、仕上げ焼鈍昇温過程の雰囲気の窒素％が
高いと鉄損の改善代が少ない。

【００２３】次に先行発明と異なる一次再結晶焼鈍条件
を選択した冶金学的理由を述べる。先にも述べた如く、
先行技術では一次再結晶焼鈍工程において８２０℃から
８６０℃１２０秒以上、脱炭性雰囲気下での加熱が必要
である。この場合加熱温度が９００℃以上では、脱炭に
有害な層が鋼板表面に形成され、脱炭しにくくなるの
で、加熱温度は９００℃以下に抑えられている。この脱
炭焼鈍工程では鋼板表面部に内部酸化層が形成され、こ
の内部酸化層は仕上げ焼鈍工程で形態を変化させるが最
終製品まで残存し、磁気特性特に鉄損を劣化させる。

【００２４】しかるに本発明鋼板では一次再結晶焼鈍で
は再結晶させることが主目的であるので、このような製
品の鉄損に悪影響を与える原因となる内部酸化の形成を
抑える雰囲気で再結晶温度以上で加熱すればよいので、
良好な磁気特性を得ることが容易となる。このため加熱
温度の上限はなく、加熱時間も短時間でもよい。加熱温
度は再結晶さえすればよいので７００℃以上であればよ
いが、加熱温度を９００℃以上が好ましいとしたのは、
これ以下の温度で一次再結晶させた場合、成分系によっ
ては一次再結晶粒径が小さいため、結果として製品の磁
束密度が低下する場合があるからである。

【００２５】加熱温度の上限を１０５０℃以下としたの
は、これ以上の加熱温度でも良好な磁気特性が得られる
が、時として磁気特性が劣化する等安定して良好な特性
が得られない場合があることと、このような高温で加熱
することは不経済なためである。加熱時間は１秒以上と
したのは、これ以上の時間であれば良好な磁気特性が得
られるためであり、上限を２００秒以下としたのは、こ
れはこれ以上の加熱時間でも良好な磁気特性が得られる
が、加熱時間が長すぎると引き続く窒化処理に不利な表
面性状となり、結果として製品の磁気特性が劣化する等
安定して良好な特性が得られない場合があることと、長
時間加熱することは不経済であるためである。

【００２６】この場合加熱前段の雰囲気のＰ H₂ O ／Ｐ
H₂ は０．０６以下とし、しかる後に窒化処理開始前の
雰囲気のＰ H₂ O ／Ｐ H₂ を０．０６以上４．０以下と
することが好ましい。このような雰囲気で処理すること
で製品の磁気特性が向上することと、引き続き窒化工程
で窒化しやすくなるので、成分的に窒化されにくい元素
が添加されている場合特に有効である。

【００２７】以上成分効果と一次再結晶焼鈍の効果が相
まって、先行技術では不可能なＣ＜０．００５％以下の
素材を出発材として二次再結晶が安定し、かつ磁束密度
が１．８Tesla 以上の方向性珪素鋼板の製造が可能とな
ったと考えている。

【００２８】以下本発明法におけるその他の成分、熱延
条件、熱延以降の処理条件について述べる。Ｓｉは含有
量が多いほど固有抵抗が増加して製品の渦流損を減少さ
せるので、渦流損を減少させるためにはＳｉは多いほど
よい。Ｓｉを２％以上としたのはこれ以下では渦流損が
大きく好ましくないので下限を２％としたものである。
しかしＳｉは添加量が増すほど冷間圧延工程で割れ易く
なる。この傾向はＣが高いほど顕著となる。本発明鋼は
冷間圧延工程ではＣが既に０．００４％以下であるの
で、従来の素材と較べ割れにくいが、Ｓｉ４．５％以上
では冷間圧延に特別の工夫が必要で経済的に製造すると
いう本発明の目的にそれるので上限を４．５％とした。

【００２９】Ａｌは（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎを形成しインヒビ
ターとして働くが、酸可溶性Ａｌとして０．０１％以上
ないとその効果が発揮されないので下限を０．０１％と
した。上限を０．０８％としたのはこれ以上のＡｌが存
在するとインヒビターとして有効に働かなくなるためで
ある。Ｎは（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎを形成しインヒビターとし
て働くが、スラブの段階で０．０１％以上ないとその効
果が発揮されないので下限を０．００１％とした。上限
を０．０２％としたのはこれ以上含まれるとブリスタと
呼ばれる表面傷が発生するためである。

【００３０】粗熱延開始温度が１２００℃以上となると
本発明成分では二次再結晶が不安定になり、二次再結晶
が安定して製品の磁束密度は１．８０Tesla 以下になる
確率は増加し工業的な製造方法として採用できない。二
次再結晶が不安定となるのは、高温熱延では結晶粒径が
大きいため、熱延工程での再結晶が不十分なことに起因
し、二次再結晶しても磁束密度が低いのは、高温加熱に
起因して、一次再結晶粒が小さくなり、その結果二次再
結晶温度が低下し方位の悪い二次再結晶粒が発現するこ
とによる。粗熱延開始温度が１０００℃以下でも良好な
磁気特性が得られるが、熱延に要するエネルギーが多く
必要で、かつ熱延時に鋼板表面に傷が入りやすくなるの
で経済的でないため、粗熱延開始温度を１０００℃以上
とした。仕上げ焼鈍の雰囲気は従来の方向性電磁鋼板の
仕上げ焼鈍と同様でよい。しかし仕上げ焼鈍昇温過程の
窒素を５０％以上の雰囲気で焼鈍すると、安定して良好
な磁気特性が得られるので仕上げ焼鈍の昇温過程におけ
る８００℃以上の領域で窒素５０％以上の雰囲気で加熱
することが好ましい。この場合８００℃以上と限定した
のは、これ以下の温度では影響が少ないためである。窒
素量は１００％でもよいが、全く水素を含まない場合雰
囲気中に酸素等が混入すると、鋼板が酸化される場合も
あり、好ましくないので数％の水素を混入させておくこ
とが好ましい。

【００３１】ところで本発明鋼の窒素含有量は、先に説
明した如く熱延鋼板の状態では０．００１％以上、０．
０２０％以下の範囲であればよいが、仕上げ焼鈍前の状
態では０．００６％以上０．０６％の範囲が望ましい。
これは仕上げ焼鈍前の状態で窒素が０．００６％以下で
も、０．０６％以上でも二次再結晶が発現しにくくなる
傾向が生じたり、二次再結晶が発現しても磁束密度が著
しく悪くなるためである。

【００３２】窒素含有量が低い場合二次再結晶が発現し
難くなるので、窒化物としてのインヒビターが不足する
ため、いろいろの方位を持った結晶粒が成長するためで
あり、二次再結晶が発現しても磁束密度が低いのは、窒
化物としてのインヒビターが不足するため、二次再結晶
が低温で発現し、その場合の二次再結晶方位は（１１
０）〔００１〕方位以外の二次再結晶粒である確率が高
くなるためである。

【００３３】窒素含有量が高い場合二次再結晶が発現し
難くなるので、窒化物としてのインヒビターが強いため
高温まで二次再結晶が発現できず、高温でインヒビター
が弱くなるといろいろの方位を持った結晶粒が二次再結
晶成長したり、いわゆる細粒が発生し二次再結晶が発現
しなくなるためである。

【００３４】以下本発明の実施態様を述べる。 Ｃ：０．０００５〜０．０１５％、Ｓｉ：２．０〜４．
５％、酸可溶性Ａｌ：０．０１０〜０．０８０％、Ｎ：
０．００１〜０．０２０％、Ｃｕ：０．０５０〜２．０
０％、Ｓ：０．００５〜０．０６０％、Ｓｂ：０．０１
０〜０．１０％、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる
溶鋼を通常の工程もしくは、連続鋳造してスラブとした
後、１２００℃から１０００℃の温度域から熱間圧延し
て熱延鋼板あるいは、熱延鋼帯とする。

【００３５】この熱延鋼板あるいは、熱延鋼帯は、７５
０℃〜１２００℃の温度域での焼鈍が行われる。またこ
のような熱延板焼鈍なしでこれらの熱延鋼板あるいは、
熱延鋼帯は、冷間圧延される。ついで冷間圧延後の材料
は７００℃〜１０５０℃の温度域で一次再結晶焼鈍され
る。この焼鈍の後段でインヒビター強化のためアンモニ
ア含有雰囲気による窒化処理を行う。ついで再結晶板
は、焼鈍分離剤が塗布されて仕上げ焼鈍炉に入る。

【００３６】仕上げ焼鈍の昇温速度は、通常の一方向性
電磁鋼板のそれと同様である。仕上げ焼鈍の昇温時の雰
囲気も通常の一方向性電磁鋼板のそれと同様、中性或い
は還元性であるが、８００℃を超える温度域では窒素分
圧を５０％以上とすることが好ましい。なお、窒素分圧
調整のためアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを混合す
ることは何等さしさわりない。二次再結晶完了後、純化
のため１００％水素で高温（約１２００℃）保持され
る。仕上げ焼鈍終了後、必要に応じてレーザービーム照
射等の磁区細分化処理を行う。

【００３７】

【実施例】

実施例１ Ｃ：０．００１３％、Ｓｉ：２．８８％、Ｍｎ：０．０
８６％、Ｃｕ：０．０８２％、Ａｌ：０．０２７％、
Ｎ：０．００８％、Ｓｂ：０．０２６％を主成分とした
スラブＡ（表１参照）を１１００℃の温度で２時間加熱
後、粗圧延、仕上げ圧延を経て厚さ２．３mmの熱延板と
した。次いで９００℃で２分間加熱し水冷した。酸洗後
冷間圧延を行い厚さ０．３０mmとした。

【００３８】次に９５０℃の温度で１８０秒間加熱後、
冷却過程でＮ₂ −Ｈ₂ −ＮＨ₃ の雰囲気で連続的に窒化
処理した。次にＭｇＯを塗布し２５％Ｎ₂ −Ｈ₂ の雰囲
気と５０％Ｎ₂ −Ｈ₂ の雰囲気で昇温速度１５℃／hrで
１２００℃まで加熱後、１００％Ｈ₂ 雰囲気で２０時間
加熱後冷却した。次いで歪取り焼鈍を行い磁気特性を測
定した。結果を表１に示す。

【００３９】表から明らかの如く本発明の方法で製造し
た材料は、磁束密度が高かったが、比較材は磁束密度が
低かった。

【００４０】

【表１】

【００４１】実施例２ Ｃ：０．００１％、Ｓｉ：２．９２％、Ｍｎ：０．０８
１％、Ｓ：０．０２９％、Ｃｕ：１．００％、Ａｌ：
０．０２７％、Ｎ：０．００６％を主成分としてＳｂの
含有量が異なる３種類のスラブＡからＣ（表２参照）を
公知の方法で熱延板とした。次いで９００℃で２分間加
熱し水冷した。酸洗後冷間圧延を行い厚さ０．２９mmと
した。次に８５０，９００，９５０℃の温度で１８０秒
加熱後冷却過程でＮ₂ −Ｈ₂ −ＮＨ₃ の雰囲気で連続的
に窒化処理した。

【００４２】次に、ＭｇＯを塗布し、９５％Ｎ₂ −
Ｈ₂ 、５０％Ｎ₂ −Ｈ₂ 、２５％Ｎ₂ −Ｈ₂ 雰囲気で昇
温速度１５℃／hrで１２００℃まで加熱後、１００％Ｈ
₂ の雰囲気で２０時間加熱後冷却した。次いで歪取り焼
鈍を行い磁気特性を測定した。結果を表２に示す。比較
のためＣｕ，Ｓ，Ｓｂを含まない材料も処理したが、こ
の場合は１００％二次再結晶が発現せず磁気特性が著し
く悪かった。表から明らかの如く本発明の方法で製造し
た材料は、磁気特性が著しく良好であることが分かる。

【００４３】

【表２】

【００４４】実施例３ Ｃ：０．００１１％、Ｓｉ：２．９５％、Ｍｎ：０．０
８２％、Ａｌ：０．０２６％、Ｃｕ：１．１２％、Ｓ：
０．０２９％、Ｎ：０．００７％、Ｓｂ：０．０７７％
を主成分とするスラブを１１００℃の温度で加熱後熱延
板とした。次いで９００℃で２分間加熱し水冷した。酸
洗後タンデム冷間圧延を行い厚さ０．２９mmとした。熱
延板焼鈍を行わないで酸洗した材料もタンデム冷間圧延
を行い厚さ０．２９mmとした。

【００４５】次いで９００℃の温度で１０秒加熱後でＮ
₂ −Ｈ₂ −ＮＨ₃ の雰囲気で連続的に窒化処理した。次
にＭｇＯを塗布し、９５％Ｎ₂ −Ｈ₂ の雰囲気で昇温速
度１５℃／hrで１２００℃まで加熱後、１００％Ｈ₂ の
雰囲気で２０時間加熱後冷却した。次いで歪取り焼鈍を
行い磁気特性を測定した。結果を表３に示す。表から明
らかの如く本発明の方法で製造した材料は、熱延板焼鈍
を省略しても磁束密度が著しく良好であることが分か
る。比較のため、Ｃｕ，Ｓ，Ｓｂを含まない素材につい
て処理した。二次再結晶は発現したが、磁束密度が１．
６以下であった。

【００４６】

【表３】

【００４７】

【発明の効果】本発明により溶鋼の状態で０．００４％
以下のＣを含有した珪素鋼を素材として磁束密度の極め
て高い方向性電磁鋼板が安価に容易に得られる技術が提
供された。本発明の工業上の価値は絶大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】二次再結晶前の板厚表面部の（１１０）〔００
１〕方位とその方位をＮＤ軸廻りに回転させた方位の存
在強度に及ぼすＣｕの影響を示す図表。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】Ｃ ：０．０００５〜０．００４重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．５重量％、 酸可溶性Ａｌ：０．０１０〜０．０８０重量％、 Ｎ ：０．００１〜０．０２０重量％、 Ｃｕ：０．０５０〜２．００重量％、 Ｓ ：０．００５〜０．０６０重量％、 Ｓｂ：０．０１０〜０．１００重量％、 残部Ｆｅ及び不可避的不純物を含む珪素鋼スラブを１０
   ００℃から１２００℃の温度域で粗圧延を開始し、引き
   続き仕上げ圧延を行って熱延鋼帯としたのち、必要に応
   じて７００℃から１１００℃の温度域で短時間焼鈍を行
   った後、１回または中間焼鈍をはさむ２回以上の冷間圧
   延を行い、所定の板厚とし、８５０℃から１０５０℃の
   温度域で１秒以上２００秒以内加熱後、鋼板を走行せし
   める状態で窒化処理をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ
   焼鈍を施すことを特徴とする方向性珪素鋼板の製造方
   法。