JPH07260432A - ウェーハノッチ寸法測定装置 - Google Patents

ウェーハノッチ寸法測定装置

Info

Publication number
JPH07260432A
JPH07260432A JP5560494A JP5560494A JPH07260432A JP H07260432 A JPH07260432 A JP H07260432A JP 5560494 A JP5560494 A JP 5560494A JP 5560494 A JP5560494 A JP 5560494A JP H07260432 A JPH07260432 A JP H07260432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
notch
signal
detection signal
fringe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5560494A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2798112B2 (ja
Inventor
Shigetoshi Shimoyama
繁俊 下山
Kanekichi Aramaki
甲子吉 荒巻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP5560494A priority Critical patent/JP2798112B2/ja
Priority to EP95301310A priority patent/EP0674345A3/en
Publication of JPH07260432A publication Critical patent/JPH07260432A/ja
Priority to US08/673,477 priority patent/US5684599A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2798112B2 publication Critical patent/JP2798112B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 短時間にノッチ寸法、即ちノッチ深さ及びノ
ッチ角度を同時に測定するとともに、測定者による測定
値のバラツキをなくすことを可能とした新規なウェーハ
ノッチ寸法測定装置を提供する。 【構成】ノッチを有するウェーハのノッチ寸法を測定す
るウェーハノッチ寸法測定装置において、(a)該ウェ
ーハを回転せしめる回転手段と、(b)投光部と受光部
とを該ウェーハの周縁形状を読み取るように配置し、該
ウェーハの周縁形状に応じたウェーハ周縁検出信号を出
力するウェーハ周縁検出手段と、(c)上記回転するウ
ェーハの回転角位置を検出し、ウェーハ回転角位置検出
信号を出力するウェーハ回転角位置検出手段と、(d)
該ウェーハ周縁検出信号とウェーハ回転角位置検出信号
とからノッチ寸法を演算する演算手段と、を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの位置決めと
して外周部に付けられたノッチ部におけるノッチ寸法の
測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ウェーハのノッチ寸法測定装置と
して、万能投影器が一般に用いられている。この万能投
影器においては、ステージにウェーハを乗せ、ウェーハ
ノッチ部を回転スクリーンに拡大してノッチ寸法を測定
する方法がとられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記万能投影器による
ウェーハノッチ寸法測定では、ノッチ深さ及び角度を同
時に測定することが出来ず、又、測定するときに測定者
がスクリーンのノッチ形状に基準線を合わせ、ステージ
の移動量及び回転スクリーンの回転角にて測定する為、
測定に時間がかかる上、測定者により測定値のバラツキ
が生じるという欠点がある。本発明は、短時間にノッチ
寸法、即ちノッチ深さ及びノッチ角度を同時に測定する
とともに、測定者による測定値のバラツキをなくすこと
を可能とした新規なウェーハノッチ寸法測定装置を提供
することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のウェーハノッチ寸法測定装置においては、
(a)該ウェーハを回転せしめる回転手段と、(b)投
光部と受光部とを該ウェーハの周縁形状を読み取るよう
に配置し、該ウェーハの周縁形状に応じたウェーハ周縁
検出信号を出力するウェーハ周縁検出手段と、(c)上
記回転するウェーハの回転角位置を検出し、ウェーハ回
転角位置検出信号を出力するウェーハ回転角位置検出手
段と、(d)該ウェーハ周縁検出信号とウェーハ回転角
位置検出信号とからノッチ寸法を演算する演算手段と、
が設けられている。
【0005】即ち、本発明は、拡大したノッチの影を測
定するのではなく、ウェーハの周縁に平行光束を照射さ
せウェーハの周縁形状に応じた検出信号を演算すること
でノッチ寸法を測定するようにしたものである。
【0006】
【作用】本発明のウェーハノッチ寸法測定装置によれ
ば、光電センサーの投光器と受光器の間の平行光束をウ
ェーハの円形部に照射してウェーハの周縁形状に応じた
ウェーハ周縁検出信号の微分信号を求め、ウェーハ周縁
検出信号、ウェーハ周縁検出信号の微分信号及びウェー
ハ回転角位置検出信号を演算することによりウェーハノ
ッチ寸法を正確に測定することができる。
【0007】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
【0008】図1は本発明のウェーハノッチ寸法測定装
置の測定対象とするノッチを有するウェーハの一例を示
す正面図、図2はウェーハの周縁を挟むように投光部と
受光部を配設したウェーハ周縁検出手段の一例を示す側
面説明図、図3は本発明装置における各機器の関係の一
例を示すブロック図、図4は図3の回路動作を説明する
ための波形図、図5は本発明装置の測定対象とするウェ
ーハのノッチ形状図である。
【0009】図1に示したように、ウェーハWには周縁
にノッチ2が形成されている。このようなウェーハW
は、センタリング装置によって、図2に示したように、
テーブル4の回転中心にウェーハWの中心が一致するよ
うにセットされ、テーブル4に不図示の真空吸着手段等
で保持されている。ウェーハWの周縁を挟むように発光
ダイオードの如き光源を含む投光部6とフォトダイオー
ドの如き光電変換素子を含む光電センサー等の受光部8
からなるウェーハ周縁検出手段10が配設されている。
【0010】該投光部6と受光部8の位置は、例えば、
該投光部6からの平行光束12が、ウェーハWの円形部
分14(ノッチ2以外の部分)にあるときに、該投光部
6からの平行光束12がわずかに該受光部8に入射し、
両者の間に上記ノッチ2がくると該受光部8への入射光
量が増えるように定められている。なお、上記テーブル
4はモータ16によって不図示の伝達装置を介して回転
される。
【0011】図2における受光部8から得られた光電変
換信号は、不図示の増幅器により増幅され、ウェーハW
の周縁形状に応じた検出信号となり、図3における検出
回路18より、アナログ・デジタル変換回路(以下A/
Dコンバータと称す)20に出力される。
【0012】A/Dコンバータ20に入力された検出信
号は、パルス発生器22からのサンプリングパルスに同
期したデジタル信号に変換される。このデジタルに変換
された検出信号は差分回路24に出力される。
【0013】差分回路24に入力された、デジタルに変
換された検出信号は、2つに分岐され、一方は該差分回
路24中の遅延回路を通すことによりわずかに遅延さ
せ、他方の検出信号と、これも該差分回路24中の引算
回路により引き算をし、その結果、上記検出回路18で
出力される検出信号の微分信号をデジタル的に得てい
る。
【0014】26はエンコーダで、前記モータ16の回
転角位置を検出し、その検出信号はカウンタ28に入力
されて、ウェーハ回転角位置信号に変換される。該差分
回路24からの微分信号、該A/Dコンバータ20から
の検出信号、及び該カウンタ28からの回転角位置信号
は演算回路30に入力される。
【0015】該演算回路30はマイクロコンピュータを
有し、該微分信号、該検出信号及び該ウェーハ回転角位
置信号をソフト的に処理を行いノッチ深さ、ノッチ角度
を演算し、その結果が判定回路32と表示回路34へ出
力される。該判定回路32において、ノッチ深さ閾値発
生回路36及びノッチ角度閾値発生回路38からの閾値
Th1 及びTh2 が比較され、判定結果が表示回路34
へ出力される。
【0016】40は回転制御回路で、パルスモータ又
は、ロータリーエンコーダーなど回転角度検出器を兼備
したモータ16を制御する。
【0017】次に、図4を用いてノッチ深さ、ノッチ角
度の算出論理を詳述する。図4(a)の如き時刻t1
回転スタート信号が生ずるとモータ16が回転し、前記
テーブル4も回転するからウェーハWが回転する。ウェ
ーハWの回転によって図4(b)の如き検出信号が発生
する。
【0018】この図4(b)の検出信号は、モータ16
が一定速度で回転しているため、ノッチ2が投光部6と
受光部8との間にきた場合の山形波形を示している。図
4(b)の検出信号はA/Dコンバータ20でデジタル
信号に変換されて差分回路24に入力されるのである
が、説明を容易にするためにアナログ波形によって説明
すると、該差分回路24は図4(b)の検出信号と図4
(b)の検出信号をわずかに遅延させた図4(c)との
差信号である図4(d)の信号に対応したデジタル信号
を出力する。図4(d)の信号は、図4(b)の微分信
号に近似の信号である。
【0019】ウェーハWの中心とテーブル4の回転中心
とは完全には一致しないので、円形部分14のデータか
らウェーハWの中心を算出し、検出信号、微分信号に補
正値を加え、ウェーハWの中心で回転したときのデータ
とする。その後、ノッチ深さの演算はウェーハWの円形
部分14(ノッチ2部分以外)とノッチ2部分のピーク
値DP1 の引き算で算出される。図5のV1 ,V2 直線
部では微分信号は図4(d)のように一定となり、一定
となるときの幅h1 ,h2 と、そのときの検出信号の変
化量DP2 ,DP3 から、ノッチ角度θは算出される。
【0020】
【数1】ノッチ角度θ(deg)=tan-1(h1 /D
2 ) +tan-1(h2 /DP3
【0021】続いて、10枚のウェーハについて、ノッ
チ深さ及びノッチ角度を、従来の万能投影器〔V−16
E(株)ニコン製〕及び本発明装置によってそれぞれ測
定し、その結果を表1に示した。表1の結果から、本発
明装置により、従来の万能投影器による測定と同等の測
定数値が得られ、かつ測定値のバラツキ範囲が極めて小
さくなることが確認できた。
【0022】
【表1】
【0023】なお、ノッチ深さ,ノッチ角度の測定精度
は光電センサー,エンコーダー分解能,モータ減速比等
によって決定される。
【0024】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、ウ
ェーハの周縁に平行光束を照射させウェーハの周縁形状
に応じた検出信号を演算することでウェーハのノッチ寸
法、即ちノッチ深さ及びノッチ角度、を同時に非接触に
て迅速かつ正確に測定することができるとともに、測定
者による測定値のバラツキをなくすことことが可能とな
った。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のウェーハノッチ寸法測定装置の測定対
象とするノッチを有するウェーハの一例を示す正面図で
ある。
【図2】本発明装置のウェーハの周縁を挟むように投光
部と受光部を配設したウェーハ周縁検出手段の一例を示
す側面説明図である。
【図3】本発明装置における各機器の関連の一例を示す
ブロック図である。
【図4】図3の回路動作を説明するための波形図であ
る。
【図5】本発明装置の測定対象とするウェーハのノッチ
形状図である。
【符号の説明】
W ウェーハ 2 ノッチ 4 テーブル 6 投光部 8 受光部 10 ウェーハ周縁検出手段 12 平行光束 14 円形部分 16 モータ 18 検出回路 20 A/Dコンバータ 22 パルス発生器 24 差分回路 26 エンコーダ 28 カウンタ 30 演算回路 32 判定回路 34 表示回路 36 ノッチ深さ閾値発生回路 38 ノッチ角度閾値発生回路 40 回転制御回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ノッチを有するウェーハのノッチ寸法を
    測定するウェーハノッチ寸法測定装置において、(a)
    該ウェーハを回転せしめる回転手段と、(b)投光部と
    受光部とを該ウェーハの周縁形状を読み取るように配置
    し、該ウェーハの周縁形状に応じたウェーハ周縁検出信
    号を出力するウェーハ周縁検出手段と、(c)上記回転
    するウェーハの回転角位置を検出し、ウェーハ回転角位
    置検出信号を出力するウェーハ回転角位置検出手段と、
    (d)該ウェーハ周縁検出信号とウェーハ回転角位置検
    出信号とからノッチ寸法を演算する演算手段と、を有す
    ることを特徴とするウェーハノッチ寸法測定装置。
JP5560494A 1994-03-25 1994-03-25 ウェーハノッチ寸法測定装置及び方法 Expired - Lifetime JP2798112B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5560494A JP2798112B2 (ja) 1994-03-25 1994-03-25 ウェーハノッチ寸法測定装置及び方法
EP95301310A EP0674345A3 (en) 1994-03-25 1995-02-27 Disc Notch Dimension Measuring Device.
US08/673,477 US5684599A (en) 1994-03-25 1996-07-01 Wafer notch dimension measuring apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5560494A JP2798112B2 (ja) 1994-03-25 1994-03-25 ウェーハノッチ寸法測定装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07260432A true JPH07260432A (ja) 1995-10-13
JP2798112B2 JP2798112B2 (ja) 1998-09-17

Family

ID=13003380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5560494A Expired - Lifetime JP2798112B2 (ja) 1994-03-25 1994-03-25 ウェーハノッチ寸法測定装置及び方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5684599A (ja)
EP (1) EP0674345A3 (ja)
JP (1) JP2798112B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037138A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ノッチ検査方法およびノッチ検査装置
JP2008270753A (ja) * 2007-03-09 2008-11-06 Applied Materials Inc クリーニング時における基板の回転のモニタ方法及び装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5592295A (en) * 1995-05-08 1997-01-07 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus and method for semiconductor wafer edge inspection
DE19635349C1 (de) * 1996-08-31 1998-05-20 Mfb Werkzeugsysteme Und Anlage Verfahren und Vorrichtung zur Erkennung der Winkellage einer Eigentümlichkeit in der Kontur einer Außenfläche eines im wesentlichen zylindrischen Körpers
JPH10154646A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Nikon Corp 搬送装置
US6342705B1 (en) * 1999-09-10 2002-01-29 Chapman Instruments System for locating and measuring an index mark on an edge of a wafer
EP1269521A1 (en) 2000-04-07 2003-01-02 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. WAFER ORIENTATION SENSOR FOR GaAs WAFERS
US6677602B1 (en) * 2000-08-18 2004-01-13 Sensys Instruments Corporation Notch and flat sensor for wafer alignment
WO2003028089A1 (fr) * 2001-09-19 2003-04-03 Olympus Optical Co., Ltd. Systeme de controle de tranches en semiconducteur
US6888154B2 (en) * 2001-10-18 2005-05-03 Seagate Technology Llc Method of marking and detecting disc index
JP4258828B2 (ja) * 2002-06-06 2009-04-30 株式会社安川電機 ウエハプリアライメント装置および方法
JP2009032830A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板検出装置および基板処理装置
WO2009056898A1 (es) 2007-11-02 2009-05-07 Alejandro Cortina-Cordero Torre de concreto postensado para generadores eolicos
KR101084232B1 (ko) * 2009-12-15 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 제조 장치
KR102468793B1 (ko) 2016-01-08 2022-11-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼, 반도체 구조체 및 이를 제조하는 방법
US10145672B2 (en) 2017-01-24 2018-12-04 Lithoptek LLC Detection of position, orientation and scale of work pieces using retroreflective surfaces
TWI735315B (zh) 2020-08-21 2021-08-01 上銀科技股份有限公司 偵測晶圓位置的方法及設備

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62294904A (ja) * 1986-06-13 1987-12-22 Pilot Pen Co Ltd:The 円形状物品の輪郭測定方法
JPH03251346A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 倣い制御装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4097158A (en) * 1977-01-06 1978-06-27 Systems Research Laboratories, Inc. Half-maximum threshold circuit for optical micrometer
US4639604A (en) * 1983-03-29 1987-01-27 Nippon Kagaku K.K. Method and apparatus for detecting an edge position of a pattern and eliminating overlapping pattern signals
US4907035A (en) * 1984-03-30 1990-03-06 The Perkin-Elmer Corporation Universal edged-based wafer alignment apparatus
EP0435057A1 (en) * 1989-12-20 1991-07-03 Nitto Denko Corporation A wafer shape detecting method
JP2760918B2 (ja) * 1992-02-03 1998-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 ノッチ付ウエハの位置検出装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62294904A (ja) * 1986-06-13 1987-12-22 Pilot Pen Co Ltd:The 円形状物品の輪郭測定方法
JPH03251346A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 倣い制御装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037138A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ノッチ検査方法およびノッチ検査装置
JP2008270753A (ja) * 2007-03-09 2008-11-06 Applied Materials Inc クリーニング時における基板の回転のモニタ方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2798112B2 (ja) 1998-09-17
EP0674345A3 (en) 1996-03-27
EP0674345A2 (en) 1995-09-27
US5684599A (en) 1997-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07260432A (ja) ウェーハノッチ寸法測定装置
JP4215220B2 (ja) 表面検査方法及び表面検査装置
JPH05215532A (ja) エンコーダ
JPH036459A (ja) 回転数検出方法
JPH084389B2 (ja) 直流モータの回転数測定装置
JPS63280435A (ja) ウエハのプリアライメント装置
JPS54147882A (en) Abnormality occurrence detecting method of rotating machine using acoustic signals
JPH04177851A (ja) ウェーハ外観検査装置
JPH10221021A (ja) 寸法測定及び形状検査装置と検査方法
JPS63171304A (ja) 測寸装置
JP2674129B2 (ja) 距離測定装置
JPS61279147A (ja) ウエハの位置決め装置
JPS598781B2 (ja) 回転むら測定装置
JPH04204313A (ja) 半導体ウエハの位置決め方法及び装置
JPS6324243B2 (ja)
JP2988594B2 (ja) ウェ−ハ中心検出装置
JPS6360324B2 (ja)
JPH09210639A (ja) 外径測定装置
JPH0355048Y2 (ja)
JPH0449885B2 (ja)
CN116626330A (zh) 一种医用离心机的校准装置及校准方法
JPS62201304A (ja) 膜厚測定方法
JPH0530304B2 (ja)
JPS58223013A (ja) 物体の表面形状測定装置
JPH01238483A (ja) 遠心沈降式粒度分布測定装置のモータの回転速度制御装置