JPH07257944A - 透明導電性膜の成膜方法 - Google Patents
透明導電性膜の成膜方法Info
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- JPH07257944A JPH07257944A JP7390794A JP7390794A JPH07257944A JP H07257944 A JPH07257944 A JP H07257944A JP 7390794 A JP7390794 A JP 7390794A JP 7390794 A JP7390794 A JP 7390794A JP H07257944 A JPH07257944 A JP H07257944A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】透明ガラス基板上と透明導電膜の間に、屈折率
１．６〜１．９の透明膜を０．１〜０．１８μｍガラス
基板上に形成する透明導電膜付ガラス。 【効果】０．５５μｍでの透過率として８９％以上の透
明性に優れた透明導電膜付ガラスを得ることができる。
１．６〜１．９の透明膜を０．１〜０．１８μｍガラス
基板上に形成する透明導電膜付ガラス。 【効果】０．５５μｍでの透過率として８９％以上の透
明性に優れた透明導電膜付ガラスを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜の成膜方法に
関するものであり、特にタッチパネルの透明電極として
用いられる高抵抗で均一性に優れた、高透過率の透明導
電膜の成膜方法に関する。
関するものであり、特にタッチパネルの透明電極として
用いられる高抵抗で均一性に優れた、高透過率の透明導
電膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スズをドープした酸化インジウム膜（Ｉ
ＴＯと称す）やフッ素をドープした酸化スズ膜（ＦＴＯ
と称す）、アンチモンをドープした酸化スズ膜（ＡＴＯ
と称す）、アルミニウムをドープした酸化亜鉛膜、イン
ジウムをドープした酸化亜鉛膜はその優れた透明性と導
電性を利用して、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネルの電
極、太陽電池の電極等に広く使用されている。この様に
広い分野で使用されると、使用目的によって抵抗値、透
明度は種々のものが要求される。すなわちフラットパネ
ルディスプレイ用の透明導電膜では低抵抗、高透過率の
ものが要求されるが、タッチパネル用の透明導電膜では
逆に高抵抗、高透過率の膜が要求される。特に最近開発
されて市場の伸びが期待されるペン入力タッチパネル用
の導電膜は、位置の認識精度が高くなくてはならないこ
とから、シート抵抗が２００〜３０００Ω／□といった
高抵抗でかつ抵抗値の均一性に優れた膜であり、また、
液晶ディスプレイの上に置くことから高透過率の膜であ
ることが要求される。特にタッチパネルの構造は、透明
導電膜付ガラスと透明導電膜付フィルムをスペーサーを
介して向かい合わせて周囲を張り合わせたもので、タッ
チパネルの透過率はガラスとフィルムの透過率を掛けた
値となる。タッチパネルとしての透過率を例えば８０％
以上にしようとすると、ガラス、フィルムそれぞれ９０
％以上の透過率にする必要があり、１％でも透過率が高
いものが要求される。通常、高透過率を達成する方法は
膜厚を薄くすることであった。
ＴＯと称す）やフッ素をドープした酸化スズ膜（ＦＴＯ
と称す）、アンチモンをドープした酸化スズ膜（ＡＴＯ
と称す）、アルミニウムをドープした酸化亜鉛膜、イン
ジウムをドープした酸化亜鉛膜はその優れた透明性と導
電性を利用して、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネルの電
極、太陽電池の電極等に広く使用されている。この様に
広い分野で使用されると、使用目的によって抵抗値、透
明度は種々のものが要求される。すなわちフラットパネ
ルディスプレイ用の透明導電膜では低抵抗、高透過率の
ものが要求されるが、タッチパネル用の透明導電膜では
逆に高抵抗、高透過率の膜が要求される。特に最近開発
されて市場の伸びが期待されるペン入力タッチパネル用
の導電膜は、位置の認識精度が高くなくてはならないこ
とから、シート抵抗が２００〜３０００Ω／□といった
高抵抗でかつ抵抗値の均一性に優れた膜であり、また、
液晶ディスプレイの上に置くことから高透過率の膜であ
ることが要求される。特にタッチパネルの構造は、透明
導電膜付ガラスと透明導電膜付フィルムをスペーサーを
介して向かい合わせて周囲を張り合わせたもので、タッ
チパネルの透過率はガラスとフィルムの透過率を掛けた
値となる。タッチパネルとしての透過率を例えば８０％
以上にしようとすると、ガラス、フィルムそれぞれ９０
％以上の透過率にする必要があり、１％でも透過率が高
いものが要求される。通常、高透過率を達成する方法は
膜厚を薄くすることであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴ
Ｏ、酸化亜鉛膜等の透明導電膜材料はいずれも屈折率が
基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラスでは１．５
２）より高く（１．９〜２．１）、透明導電膜表面と基
板ガラスとの界面での反射が大きくなり、可視光透過率
が低下する。
Ｏ、酸化亜鉛膜等の透明導電膜材料はいずれも屈折率が
基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラスでは１．５
２）より高く（１．９〜２．１）、透明導電膜表面と基
板ガラスとの界面での反射が大きくなり、可視光透過率
が低下する。
【０００４】高透過率の膜を得ようとする場合は膜厚を
薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感知される
０．５５μｍ波長で８５％の透過率を得ようとすると膜
厚は０．０３μｍ以下の膜厚にする必要があり、８９％
の透過率の場合には膜厚を０．０２μｍ以下の膜厚にす
る必要がある。更に９０％の透過率の場合には膜厚を
０．０１μｍ程度まで薄くせねばならず、この場合は膜
厚を均一にコントロールするのは難しく、面内の抵抗値
の均一性は悪くなる傾向にある。また、膜厚を０．０１
μｍ程度まで薄くすると抵抗値の安定性が悪くなり、温
度変化や湿度変化の影響を受けやすく面内の抵抗値の均
一性のみならず抵抗値が変動するため導電膜の膜厚コン
トロールによる高透過率化は望ましくない方法である。
薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感知される
０．５５μｍ波長で８５％の透過率を得ようとすると膜
厚は０．０３μｍ以下の膜厚にする必要があり、８９％
の透過率の場合には膜厚を０．０２μｍ以下の膜厚にす
る必要がある。更に９０％の透過率の場合には膜厚を
０．０１μｍ程度まで薄くせねばならず、この場合は膜
厚を均一にコントロールするのは難しく、面内の抵抗値
の均一性は悪くなる傾向にある。また、膜厚を０．０１
μｍ程度まで薄くすると抵抗値の安定性が悪くなり、温
度変化や湿度変化の影響を受けやすく面内の抵抗値の均
一性のみならず抵抗値が変動するため導電膜の膜厚コン
トロールによる高透過率化は望ましくない方法である。
【０００５】ペン入力タッチパネル用導電膜の抵抗値は
液晶ディスプレー用のものと違って高抵抗値が要求さ
れ、また高透過率かつ高安定性が要求されることからそ
の膜厚は０．０１〜０．０３μｍになる。導電膜の膜厚
を更に厚くしてゆくと、膜表面での反射光と基板界面で
の反射光との干渉によって０．５５μｍでの透過率が９
０％程度に増加するが、この場合の膜厚は約０．１５〜
０．２μｍとなり、厚すぎるために２００Ω／□以下の
抵抗値となり、タッチパネル用には低すぎる抵抗とな
る。従ってタッチパネル用導電膜の膜厚は０．０１〜
０．０３μｍが実用的な範囲であるといえる。この場合
の０．５５μｍの透過率は９０％〜８５％となる。
液晶ディスプレー用のものと違って高抵抗値が要求さ
れ、また高透過率かつ高安定性が要求されることからそ
の膜厚は０．０１〜０．０３μｍになる。導電膜の膜厚
を更に厚くしてゆくと、膜表面での反射光と基板界面で
の反射光との干渉によって０．５５μｍでの透過率が９
０％程度に増加するが、この場合の膜厚は約０．１５〜
０．２μｍとなり、厚すぎるために２００Ω／□以下の
抵抗値となり、タッチパネル用には低すぎる抵抗とな
る。従ってタッチパネル用導電膜の膜厚は０．０１〜
０．０３μｍが実用的な範囲であるといえる。この場合
の０．５５μｍの透過率は９０％〜８５％となる。
【０００６】導電膜の膜厚を変えないで透過率を増加す
る方法として多層膜化が知られており、それは導電膜と
ガラス基板の間に低屈折率の膜を新たに設けることで達
成される。この方法は、基板と低屈折率膜の界面での反
射光と、低屈折率膜と導電膜の界面での反射光と、導電
膜表面での反射光の干渉作用によって反射率を低下さ
せ、透過率を増加する方法であり、低屈折率の下地膜
は、基板と導電膜の界面での反射を防止する働きをす
る。この場合、導電膜の屈折率と膜厚に応じて下地膜の
屈折率と膜厚をコントロールすることで反射率を小さく
することが可能で、その結果高透過率化が達成出来る。
例えば、裳華房 応用物理学選書３「薄膜」（金原、藤
原著）Ｐ．１９７〜２００には薄膜の反射と透過につい
ての理論が述べられ、屈折率１．５の基板上の薄膜は屈
折率＝２．０の場合エネルギー反射率は４〜２０％の値
をとり膜厚が決まれば、ある波長での反射率は決められ
る。
る方法として多層膜化が知られており、それは導電膜と
ガラス基板の間に低屈折率の膜を新たに設けることで達
成される。この方法は、基板と低屈折率膜の界面での反
射光と、低屈折率膜と導電膜の界面での反射光と、導電
膜表面での反射光の干渉作用によって反射率を低下さ
せ、透過率を増加する方法であり、低屈折率の下地膜
は、基板と導電膜の界面での反射を防止する働きをす
る。この場合、導電膜の屈折率と膜厚に応じて下地膜の
屈折率と膜厚をコントロールすることで反射率を小さく
することが可能で、その結果高透過率化が達成出来る。
例えば、裳華房 応用物理学選書３「薄膜」（金原、藤
原著）Ｐ．１９７〜２００には薄膜の反射と透過につい
ての理論が述べられ、屈折率１．５の基板上の薄膜は屈
折率＝２．０の場合エネルギー反射率は４〜２０％の値
をとり膜厚が決まれば、ある波長での反射率は決められ
る。
【０００７】また、上掲書Ｐ．２２５〜２２９には二層
膜を反射防止の観点から実例をあげて示してあり、この
方法を応用することで透過率を増加させることが可能と
なる。この理論を実際に応用して反射率を減少させるに
は、基板の屈折率が約１．５、導電膜の屈折率が約２．
０であることから類推すると、下地膜は１．５以下の材
料で成膜するのが望ましいことになる。
膜を反射防止の観点から実例をあげて示してあり、この
方法を応用することで透過率を増加させることが可能と
なる。この理論を実際に応用して反射率を減少させるに
は、基板の屈折率が約１．５、導電膜の屈折率が約２．
０であることから類推すると、下地膜は１．５以下の材
料で成膜するのが望ましいことになる。
【０００８】しかしながら、実際にこの理論を応用する
場合は、導電膜の屈折率と膜厚に応じて、下地の低屈折
率膜の屈折率と膜厚をどのようにするかを決定する必要
があり、因子の変数が多いために非常に多数の組合せが
考えられることから、最適な組合せを見出すのは困難な
ことであった。また、屈折率を決めても実際に成膜した
膜がそのような値になるかどうかは材料の選択や組成、
成膜条件とも関連するため、光学設計した通りの透過率
にするのは非常に困難なことであった。
場合は、導電膜の屈折率と膜厚に応じて、下地の低屈折
率膜の屈折率と膜厚をどのようにするかを決定する必要
があり、因子の変数が多いために非常に多数の組合せが
考えられることから、最適な組合せを見出すのは困難な
ことであった。また、屈折率を決めても実際に成膜した
膜がそのような値になるかどうかは材料の選択や組成、
成膜条件とも関連するため、光学設計した通りの透過率
にするのは非常に困難なことであった。
【０００９】従来の技術として、液晶ディスプレー用透
明導電膜をソーダライムガラス基板に形成する場合、特
にＩＴＯ膜やＡＴＯ膜、ＦＴＯ膜を形成する場合には基
板と導電膜の間にソーダライムガラス基板からのナトリ
ウムイオンの拡散を抑制する目的で主に二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2 ）膜を設けることが行われており、この方法によ
って液晶ディスプレーの寿命が伸びることが知られてい
る。タッチパネル用基板にも主に安価なソーダライムガ
ラスが用いられ、導電膜をパターニングして使用する場
合には導電膜をエッチングした部分からのＮａイオンの
拡散を防止する必要がある。このＮａイオンの拡散を抑
制する目的としたＳｉＯ2 膜の膜厚は、厚いほど抑制効
果が大きくなるので、０．０７μｍ以上の膜厚にするの
が一般的であった。
明導電膜をソーダライムガラス基板に形成する場合、特
にＩＴＯ膜やＡＴＯ膜、ＦＴＯ膜を形成する場合には基
板と導電膜の間にソーダライムガラス基板からのナトリ
ウムイオンの拡散を抑制する目的で主に二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2 ）膜を設けることが行われており、この方法によ
って液晶ディスプレーの寿命が伸びることが知られてい
る。タッチパネル用基板にも主に安価なソーダライムガ
ラスが用いられ、導電膜をパターニングして使用する場
合には導電膜をエッチングした部分からのＮａイオンの
拡散を防止する必要がある。このＮａイオンの拡散を抑
制する目的としたＳｉＯ2 膜の膜厚は、厚いほど抑制効
果が大きくなるので、０．０７μｍ以上の膜厚にするの
が一般的であった。
【００１０】ＳｉＯ2 膜の最適膜厚は、液晶パネルを組
み立てる際の配向膜の焼成温度に関連する。この工程
で、Ｎａイオンの表面への拡散が最も多くなるために、
処理温度と時間に応じて必要膜厚が決められる。当然焼
成温度が低く、且つ焼成時間が短ければＳｉＯ2 膜厚は
薄くても構わない。
み立てる際の配向膜の焼成温度に関連する。この工程
で、Ｎａイオンの表面への拡散が最も多くなるために、
処理温度と時間に応じて必要膜厚が決められる。当然焼
成温度が低く、且つ焼成時間が短ければＳｉＯ2 膜厚は
薄くても構わない。
【００１１】液晶パネルの信頼性を得るために、安全を
みてＳｉＯ2 膜の膜厚を０．０７μｍ以上にすることが
一般的な方法であるが、ＳｉＯ2 膜の膜厚が０．０７μ
ｍ以上あると透過率は膜厚が厚くなるにつれて低下する
傾向を示し、透過率増加の観点からは望ましくないもの
だった。
みてＳｉＯ2 膜の膜厚を０．０７μｍ以上にすることが
一般的な方法であるが、ＳｉＯ2 膜の膜厚が０．０７μ
ｍ以上あると透過率は膜厚が厚くなるにつれて低下する
傾向を示し、透過率増加の観点からは望ましくないもの
だった。
【００１２】本発明は、前述の実情からみてなされたも
ので、０．５５μｍにおいて８９％以上の高透過率を有
するタッチパネル用透明導電膜付ガラス、及び該透明導
電膜の成膜方法を提供することを目的とする。
ので、０．５５μｍにおいて８９％以上の高透過率を有
するタッチパネル用透明導電膜付ガラス、及び該透明導
電膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決する手段】本発明者らは、０．５５μｍに
おいて８９％以上の高透過率の透明導電膜を成膜する方
法について鋭意検討した結果、透明ガラス基板上に屈折
率１．６〜１．９の透明膜を０．１〜０．１８μｍ形成
し、その上に屈折率１．９〜２．１の透明導電膜を０．
０１〜０．０３μｍ形成した２層構造の膜とすることに
より、高透過率の導電膜付きガラスが得られることを見
出した。以下、本発明を詳細に説明する。
おいて８９％以上の高透過率の透明導電膜を成膜する方
法について鋭意検討した結果、透明ガラス基板上に屈折
率１．６〜１．９の透明膜を０．１〜０．１８μｍ形成
し、その上に屈折率１．９〜２．１の透明導電膜を０．
０１〜０．０３μｍ形成した２層構造の膜とすることに
より、高透過率の導電膜付きガラスが得られることを見
出した。以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】光学理論からは前述したように、基板の屈
折率が約１．５、導電膜の屈折率が約２．０であること
から下地膜の屈折率を１．５以下にすることで反射率の
減少を達成することが可能であることが類推される。
折率が約１．５、導電膜の屈折率が約２．０であること
から下地膜の屈折率を１．５以下にすることで反射率の
減少を達成することが可能であることが類推される。
【００１５】本発明者らは、下地膜として屈折率が１．
６〜１．９の材料であっても、膜厚を規定することで
０．５５μｍでの反射率を減少することが可能であり、
その結果透過率を増加することが出来ることを見出し
た。
６〜１．９の材料であっても、膜厚を規定することで
０．５５μｍでの反射率を減少することが可能であり、
その結果透過率を増加することが出来ることを見出し
た。
【００１６】前述したように、シート抵抗が２００〜３
０００Ω／□の安定性の良い導電膜で実用的な膜厚は
０．０１〜０．０３μｍであり、この膜厚での透過率は
８５〜９０％（０．５５μｍ）となる。本発明は透明導
電膜とガラス基板の間に透明導電膜とガラス基板の中間
の屈折率膜を設けることにより光の干渉作用を利用して
基板ガラス界面での反射を減少させ、透過率を増加する
ものである。
０００Ω／□の安定性の良い導電膜で実用的な膜厚は
０．０１〜０．０３μｍであり、この膜厚での透過率は
８５〜９０％（０．５５μｍ）となる。本発明は透明導
電膜とガラス基板の間に透明導電膜とガラス基板の中間
の屈折率膜を設けることにより光の干渉作用を利用して
基板ガラス界面での反射を減少させ、透過率を増加する
ものである。
【００１７】本発明の基板上に形成される第１層膜ｎ＝
１．６〜１．９の透明膜としては、ＭｇＯ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2 の複合酸化物、
ＳｉＯ2 とＺｒＯ2 の複合酸化物等の膜が使用可能であ
る。
１．６〜１．９の透明膜としては、ＭｇＯ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2 の複合酸化物、
ＳｉＯ2 とＺｒＯ2 の複合酸化物等の膜が使用可能であ
る。
【００１８】また従来の技術として、液晶ディスプレー
用透明導電膜をソーダーライムガラス基板に形成する場
合、特にＩＴＯ膜やＡＴＯ膜、ＦＴＯ膜を形成する場合
には、基板と導電膜の間にソーダーライムガラス基板か
らのナトリウムイオンの拡散を抑制する目的で主にＳｉ
Ｏ2 膜を設けることが行われていることを述べたが、タ
ッチパネル用透明導電膜では、パターニングする必要の
ない場合は、基板からのＮａイオンが膜表面まで拡散し
てきても特に問題が起きないため、下地膜として屈折率
が１．６〜１．９の透明膜ならば種類を問わないが、パ
ターニングする必要がある場合は基板からのＮａイオン
の拡散を防止することが望ましく、その場合は導電膜の
下地膜としてＳｉＯ2 を含む複合組成の膜を用いること
で目的を達成することができる。タッチパネルの組立工
程では、液晶ディスプレーの組立工程と異なり２００℃
以下の温度条件で処理するために、Ｎａイオンの拡散量
は少なく、これを抑制するためには下地膜中のＳｉＯ2
含有量が３０モル％以上であり、かつ膜厚が０．８μｍ
以上であれば充分であることを見出して本発明を完成し
た。
用透明導電膜をソーダーライムガラス基板に形成する場
合、特にＩＴＯ膜やＡＴＯ膜、ＦＴＯ膜を形成する場合
には、基板と導電膜の間にソーダーライムガラス基板か
らのナトリウムイオンの拡散を抑制する目的で主にＳｉ
Ｏ2 膜を設けることが行われていることを述べたが、タ
ッチパネル用透明導電膜では、パターニングする必要の
ない場合は、基板からのＮａイオンが膜表面まで拡散し
てきても特に問題が起きないため、下地膜として屈折率
が１．６〜１．９の透明膜ならば種類を問わないが、パ
ターニングする必要がある場合は基板からのＮａイオン
の拡散を防止することが望ましく、その場合は導電膜の
下地膜としてＳｉＯ2 を含む複合組成の膜を用いること
で目的を達成することができる。タッチパネルの組立工
程では、液晶ディスプレーの組立工程と異なり２００℃
以下の温度条件で処理するために、Ｎａイオンの拡散量
は少なく、これを抑制するためには下地膜中のＳｉＯ2
含有量が３０モル％以上であり、かつ膜厚が０．８μｍ
以上であれば充分であることを見出して本発明を完成し
た。
【００１９】本発明において、透明導電膜としては、Ｉ
ＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＡｌドープＺｎＯ、Ｉｎドープ
ＺｎＯ等が用いられるが、本発明の範囲はこれに限定さ
れるものではない。
ＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＡｌドープＺｎＯ、Ｉｎドープ
ＺｎＯ等が用いられるが、本発明の範囲はこれに限定さ
れるものではない。
【００２０】ｎ＝１．６〜１．９の屈折率膜を成膜する
方法としては、一般に知られている方法を採用できる。
即ち、スパッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレー
ティング法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル
法、スプレー法、ディップ法等で所定の材料を所定の厚
さで積層成膜することで達成される。
方法としては、一般に知られている方法を採用できる。
即ち、スパッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレー
ティング法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル
法、スプレー法、ディップ法等で所定の材料を所定の厚
さで積層成膜することで達成される。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
【００２２】（実施例１）厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角のソ
ーダライムガラス（ｎ＝１．５２）を超音波霧化による
常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセット
し、４５０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2
Ｈ5 ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）とＴｉ（Ｃ4
Ｈ9 Ｏ）4 のＣ4 Ｈ9 ＯＨ 溶液（濃度は０．５ｍｏｌ
／ｌ）を等モル混合した溶液を超音波により２．２ｍｌ
／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、１２分間成膜した。得
られた膜はｎ＝１．６５、膜厚０．１３μｍのＳｉＯ2
−ＴｉＯ2 複合膜であった。
ーダライムガラス（ｎ＝１．５２）を超音波霧化による
常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセット
し、４５０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2
Ｈ5 ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）とＴｉ（Ｃ4
Ｈ9 Ｏ）4 のＣ4 Ｈ9 ＯＨ 溶液（濃度は０．５ｍｏｌ
／ｌ）を等モル混合した溶液を超音波により２．２ｍｌ
／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、１２分間成膜した。得
られた膜はｎ＝１．６５、膜厚０．１３μｍのＳｉＯ2
−ＴｉＯ2 複合膜であった。
【００２３】引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ溶液（濃
度は０．２５ｍｏｌ／ｌ）にＳｎＣｌ4 をＩｎに対して
１０原子％添加した溶液を超音波により２．５ｍｌ／ｍ
ｉｎ霧化させ基板に導入し、２分間成膜した。その後成
膜装置より取り出し、空気中で冷却した。得られた膜は
ｎ＝１．９５、膜厚０．０２２μｍのＩＴＯ結晶膜であ
った。この膜のシート抵抗を９点測定したところ、平均
５５０Ω／□、比抵抗１．２×１０-3Ωcmであった。シ
ート抵抗の均一性は±４５Ω／□以内であった。透過率
は０．５５μｍで９１．１％を示した。
度は０．２５ｍｏｌ／ｌ）にＳｎＣｌ4 をＩｎに対して
１０原子％添加した溶液を超音波により２．５ｍｌ／ｍ
ｉｎ霧化させ基板に導入し、２分間成膜した。その後成
膜装置より取り出し、空気中で冷却した。得られた膜は
ｎ＝１．９５、膜厚０．０２２μｍのＩＴＯ結晶膜であ
った。この膜のシート抵抗を９点測定したところ、平均
５５０Ω／□、比抵抗１．２×１０-3Ωcmであった。シ
ート抵抗の均一性は±４５Ω／□以内であった。透過率
は０．５５μｍで９１．１％を示した。
【００２４】（実施例２）実施例１において、Ｓｉ（Ｃ
2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5 ＯＨ溶液とＴｉ（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ）
4 のＣ4 Ｈ9 ＯＨ 溶液の混合割合を変え、Ｓｉ／Ｔｉ
＝７／３のモル比の混合溶液を用い、成膜時間を１０分
間に変えた以外は実施例１と同様の条件で成膜を行っ
た。得られたＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 複合膜はｎ＝１．５
９、膜厚は０．１１μｍであった。ＩＴＯ成膜後のシー
ト抵抗、比抵抗、均一性は実施例１の膜と全く同じ値を
示した。この膜の透過率は０．５５μｍで９０．９％で
あった。
2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5 ＯＨ溶液とＴｉ（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ）
4 のＣ4 Ｈ9 ＯＨ 溶液の混合割合を変え、Ｓｉ／Ｔｉ
＝７／３のモル比の混合溶液を用い、成膜時間を１０分
間に変えた以外は実施例１と同様の条件で成膜を行っ
た。得られたＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 複合膜はｎ＝１．５
９、膜厚は０．１１μｍであった。ＩＴＯ成膜後のシー
ト抵抗、比抵抗、均一性は実施例１の膜と全く同じ値を
示した。この膜の透過率は０．５５μｍで９０．９％で
あった。
【００２５】（実施例３）下地膜の成膜をＡｌ（Ｃ5 Ｈ
7 Ｏ2 ）3 のＣ5 Ｈ7 Ｏ2 溶液（濃度は０．２ｍｏｌ／
ｌ）を超音波により２．０ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ、基板
に導入して１５分間成膜を行った以外は実施例１と同様
の条件で成膜を行った。得られた下地膜はｎ＝１．７
５、膜厚＝０．１４μｍの非晶質Ａｌ2 Ｏ3 膜であっ
た。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比抵抗、均一性は実施
例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率は０．
５５μｍで９０．８％であった。
7 Ｏ2 ）3 のＣ5 Ｈ7 Ｏ2 溶液（濃度は０．２ｍｏｌ／
ｌ）を超音波により２．０ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ、基板
に導入して１５分間成膜を行った以外は実施例１と同様
の条件で成膜を行った。得られた下地膜はｎ＝１．７
５、膜厚＝０．１４μｍの非晶質Ａｌ2 Ｏ3 膜であっ
た。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比抵抗、均一性は実施
例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率は０．
５５μｍで９０．８％であった。
【００２６】（比較例１）実施例１に示したパイロゾル
成膜装置を用いて、実施例１と同じ条件でＩＴＯ成膜の
みを行った。得られた膜のシート抵抗、比抵抗、均一性
は実施例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率
は０．５５μｍで８７．８％であった。
成膜装置を用いて、実施例１と同じ条件でＩＴＯ成膜の
みを行った。得られた膜のシート抵抗、比抵抗、均一性
は実施例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率
は０．５５μｍで８７．８％であった。
【００２７】（比較例２）実施例１において、Ｓｉ（Ｃ
2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5 ＯＨ溶液で成膜を行い、成膜時
間を８分間に変えた以外は実施例１と同様の条件で成膜
を行った。得られたＳｉＯ2 はｎ＝１．４７、膜厚は
０．１１μｍであった。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比
抵抗、均一性は実施例１の膜と全く同じ値を示した。こ
の膜の透過率は０．５５μｍで８８．６％であった。
2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5 ＯＨ溶液で成膜を行い、成膜時
間を８分間に変えた以外は実施例１と同様の条件で成膜
を行った。得られたＳｉＯ2 はｎ＝１．４７、膜厚は
０．１１μｍであった。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比
抵抗、均一性は実施例１の膜と全く同じ値を示した。こ
の膜の透過率は０．５５μｍで８８．６％であった。
【００２６】ガラス基板に直接ＩＴＯ成膜したもの（比
較例１）の試料の０．５５μｍでの透過率は８７．８％
であるが、ガラスと導電膜の中間屈折率の下地膜を設け
ることによって（実施例１〜３）９０％以上の透過率が
得られ、高透過率化の効果が大きいことが判る。この値
は下地膜として基板よりも低屈折率のＳｉＯ2 膜を０．
１１μｍ成膜した場合（比較例２）よりも明らかに高透
過率となっている。
較例１）の試料の０．５５μｍでの透過率は８７．８％
であるが、ガラスと導電膜の中間屈折率の下地膜を設け
ることによって（実施例１〜３）９０％以上の透過率が
得られ、高透過率化の効果が大きいことが判る。この値
は下地膜として基板よりも低屈折率のＳｉＯ2 膜を０．
１１μｍ成膜した場合（比較例２）よりも明らかに高透
過率となっている。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、透明ガラス基板上に屈折率
１．６〜１．９の透明膜を０．１〜０．１８μｍ形成
し、その上に屈折率１．９〜２．１の透明導電膜を０．
０１〜０．０３μｍ形成した透明導電膜付ガラスであ
る。このような透明導電膜とすることにより、初期の目
的とする０．５５μｍでの透過率が８９％以上の透明性
に優れた透明導電膜付ガラスを作製することが可能とな
る。
１．６〜１．９の透明膜を０．１〜０．１８μｍ形成
し、その上に屈折率１．９〜２．１の透明導電膜を０．
０１〜０．０３μｍ形成した透明導電膜付ガラスであ
る。このような透明導電膜とすることにより、初期の目
的とする０．５５μｍでの透過率が８９％以上の透明性
に優れた透明導電膜付ガラスを作製することが可能とな
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 泰子 千葉県市原市五井南海岸12−54 日本曹達 株式会社機能製品研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】透明ガラス基板上に屈折率１．６〜１．９
の透明膜を０．１〜０．１８μｍ形成し、その上に屈折
率１．９〜２．１の透明導電膜を０．０１〜０．０３μ
ｍ形成したことを特徴とする透明導電膜付ガラス。 - 【請求項２】透明導電膜のシート抵抗値が２００〜３０
００Ω／□であることを特徴とする請求項１記載の透明
導電膜付ガラス。 - 【請求項３】透明導電膜付ガラスの可視光波長０．５５
μｍにおける透過率が８９％以上であることを特徴とす
る請求項１記載の透明導電膜付ガラス。 - 【請求項４】１層目の膜が、二酸化珪素と二酸化チタン
からなる複合膜又は二酸化珪素と二酸化ジルコニウムか
らなる複合膜であることを特徴とする請求項１〜３記載
の透明導電膜付ガラス。 - 【請求項５】透明ガラス基板上に屈折率１．６〜１．９
の透明膜を０．１〜０．１８μｍ形成し、その上に屈折
率１．９〜２．１の透明導電膜を０．０１〜０．０３μ
ｍ形成することを特徴とする透明導電膜の成膜方法。 - 【請求項６】請求項１〜３に記載の透明導電膜付ガラス
を使用することを特徴とするタッチパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7390794A JPH07257944A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 透明導電性膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7390794A JPH07257944A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 透明導電性膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07257944A true JPH07257944A (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=13531734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7390794A Pending JPH07257944A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 透明導電性膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07257944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100338692C (zh) * | 2002-05-23 | 2007-09-19 | 日本油脂株式会社 | 透明导电层合薄膜、含透明导电层合薄膜的接触面板以及透明导电层合薄膜的制备方法 |
| US8022939B2 (en) | 2007-10-12 | 2011-09-20 | Epson Imaging Devices Corporation | Touch panel, electro optical device, and electronic apparatus |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP7390794A patent/JPH07257944A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100338692C (zh) * | 2002-05-23 | 2007-09-19 | 日本油脂株式会社 | 透明导电层合薄膜、含透明导电层合薄膜的接触面板以及透明导电层合薄膜的制备方法 |
| US7521123B2 (en) | 2002-05-23 | 2009-04-21 | Nof Corporation | Transparent conductive laminate film, touch panel having this transparent conductive laminate film, and production method for this transparent conductive laminate film |
| US8022939B2 (en) | 2007-10-12 | 2011-09-20 | Epson Imaging Devices Corporation | Touch panel, electro optical device, and electronic apparatus |
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