JP4909559B2 - 透明導電性基材 - Google Patents
透明導電性基材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4909559B2 JP4909559B2 JP2005298763A JP2005298763A JP4909559B2 JP 4909559 B2 JP4909559 B2 JP 4909559B2 JP 2005298763 A JP2005298763 A JP 2005298763A JP 2005298763 A JP2005298763 A JP 2005298763A JP 4909559 B2 JP4909559 B2 JP 4909559B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent conductive
- antireflection film
- aluminum
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
ここで、S0は基準面の面積、Z0は基準面の高さ、F(X,Y)は座標(X,Y)における指定面の高さを表す。Raを算出するために必要な測定値は、例えばNanopics(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)等の原子間力顕微鏡を用いて測定することができる。本発明における平均面粗さの数値は、対象となる膜表面の縦4μm×横4μmの任意の範囲における平均面粗さを意味する。
また、本発明の反射防止膜中の亜鉛に対するアルミニウムの含有量(原子%)を適宜調節することにより、上記のITO膜等以外の透明導電膜を用いる場合であっても、優れた透明性及び導電性を発揮する透明導電性基材を得ることができる。
0.2モル/Lのジンクアセチルアセトネートを含むアセチルアセトン溶液を用意した。該溶液中の亜鉛に対してアルミニウムが50原子%になるように、アルミニウムアセチルアセトネートを該溶液に加えて反射防止膜形成液を調製した。
次に、無アルカリガラス(OA−10)のガラス基板(300×300×0.5mm)を用意した。400℃に加熱したコンベアー炉の中にこのガラス基板をベルトコンベアーで投入し、該ガラス基板を400℃に加熱した。霧滴状にした前記反射防止膜形成液を、空気をキャリアガスとしてコンベアー炉の中に吹き込み、ガラス基板の表面に接触させて熱分解させることにより、膜厚46nmのアルミニウム含有酸化亜鉛膜(実施例1)を該ガラス基板上に形成させた。
ガラス基板を加熱する温度を400℃ではなく450℃としたこと以外は、実施例1と同様の操作を行い、アルミニウム含有酸化亜鉛膜(実施例2)を得た。
ガラス基板を加熱する温度を400℃ではなく500℃としたこと以外は、実施例1と同様の操作を行い、アルミニウム含有酸化亜鉛膜(比較例1)を得た。
インジウムアセチルアセトナート(In(AcAc)3)をアセチルアセトンにモル濃度で0.2mol/Lになるように溶解して黄色透明溶液を得た。この溶液にSn/In=5質量%となるようにジ−n−ブチルスズジアセテートを加えてITO膜形成液を調製した。
このITO膜形成液を用いてパイロゾル法により、ITO膜形成液の霧化による化学的熱分解量を調整しながら、実施例1の反射防止膜上にITO膜を形成し、透明性導電性基材(実施例3)を得た。
実施例1の反射防止膜の代わりに、実施例2の反射防止膜を用いたこと以外は実施例3と同様の操作を行い、透明導電性基材(実施例4)を得た。
実施例1の反射防止膜の代わりに、比較例1の反射防止膜を用いたこと以外は実施例3と同様の操作を行い、透明導電性基材(比較例2)を得た。
Claims (7)
- 基材、反射防止膜及び透明導電膜が、この順で積層されてなる透明導電性基材であって、前記反射防止膜がアルミニウムの含有率が反射防止膜中の亜鉛に対して150〜300原子%であるアルミニウム含有酸化亜鉛からなり、かつ原子間力顕微鏡による前記反射防止膜の平均面粗さ(Ra)が1.0nm以下であることを特徴とする透明導電性基材。
- 660nmの波長の光を用いて測定した反射防止膜の屈折率が、1.6〜1.9の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性基材。
- 原子間力顕微鏡による反射防止膜の平均面粗さ(Ra)が0.6nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の透明導電性基材。
- 基材が、550nmの波長の光の透過率が90%以上のガラスであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電性基材。
- 透明導電膜が、スズドープ酸化インジウム膜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の透明導電性基材。
- ガラス、反射防止膜、透明導電膜、空気層、透明導電膜が、この順で積層されてなるタッチパネルであって、前記反射防止膜がアルミニウムの含有率が反射防止膜中の亜鉛に対して150〜300原子%であるアルミニウム含有酸化亜鉛からなり、かつ原子間力顕微鏡による前記反射防止膜の平均面粗さ(Ra)が1.0nm以下であることを特徴とするタッチパネル。
- ガラス、反射防止膜、透明導電膜、配向膜、液晶、配向膜、透明導電膜、反射防止膜及びガラスが、この順で積層されてなる液晶パネルであって、前記反射防止膜がアルミニウムの含有率が反射防止膜中の亜鉛に対して150〜300原子%であるアルミニウム含有酸化亜鉛からなり、かつ原子間力顕微鏡による前記反射防止膜の平均面粗さ(Ra)が1.0nm以下であることを特徴とする液晶パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005298763A JP4909559B2 (ja) | 2005-10-13 | 2005-10-13 | 透明導電性基材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005298763A JP4909559B2 (ja) | 2005-10-13 | 2005-10-13 | 透明導電性基材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007109505A JP2007109505A (ja) | 2007-04-26 |
JP4909559B2 true JP4909559B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=38035220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005298763A Expired - Fee Related JP4909559B2 (ja) | 2005-10-13 | 2005-10-13 | 透明導電性基材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4909559B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2010004937A1 (ja) * | 2008-07-09 | 2012-01-05 | 株式会社アルバック | タッチパネルの製造方法及び成膜装置 |
CN102369108B (zh) * | 2009-03-30 | 2015-09-09 | 琳得科株式会社 | 透明导电膜 |
WO2013100031A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 積水化学工業株式会社 | 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル |
JP6709171B2 (ja) * | 2014-12-09 | 2020-06-10 | リンテック株式会社 | 透明導電膜及び透明導電膜の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09221340A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付基板 |
JP2002015623A (ja) * | 2000-04-27 | 2002-01-18 | Mitsui Chemicals Inc | 透明電極 |
-
2005
- 2005-10-13 JP JP2005298763A patent/JP4909559B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007109505A (ja) | 2007-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102500410B1 (ko) | 반사 방지 코팅된 유리 제품 | |
Szczyrbowski et al. | New low emissivity coating based on TwinMag® sputtered TiO2 and Si3N4 layers | |
KR101141232B1 (ko) | 다수의 반사 방지 박막이 형성된 고 투과율의 전도성 필름, 이를 이용한 터치 패널 및 이들의 제조방법 | |
US10333009B2 (en) | Coated glasses having a low sheet resistance, a smooth surface, and/or a low thermal emissivity | |
KR930009764A (ko) | 복사율이 낮은 필름이 제공된 유리 기판을 포함하는 제품 | |
US20070273973A1 (en) | Optical layer system having antireflection properties | |
TW201305079A (zh) | 用於塗佈簡易清洗塗層之基板元件 | |
EP2368858B1 (en) | Method of manufacturing smart panel and smart panel | |
JP2008539154A (ja) | 被覆された支持体及びその製造方法 | |
CN105677071B (zh) | 触摸屏及其制备方法 | |
US20100124642A1 (en) | Undercoating layers providing improved conductive topcoat functionality | |
WO1991002102A1 (en) | Film based on silicon dioxide and production thereof | |
JP4909559B2 (ja) | 透明導電性基材 | |
CN103570254B (zh) | 导电玻璃、其制备方法和应用 | |
JP2001295032A (ja) | 光学複合薄膜の形成方法およびそれを用いた光学物品 | |
US6312831B1 (en) | Highly reflective, durable titanium/tin oxide films | |
CN102831962A (zh) | 一种介质导电膜、制备方法及电致变色后视镜 | |
JP5111776B2 (ja) | 透明導電性基材 | |
JP4894279B2 (ja) | 透明導電性積層体 | |
CN101728008A (zh) | 形成透明金属氧化物薄膜的方法 | |
JPH07242442A (ja) | 透明導電膜付ガラスおよび透明導電膜の成膜方法 | |
Jahn et al. | Microstructure and performance of AZO thin films prepared by sol–gel processing | |
Ni et al. | Transparent and high infrared reflection film having sandwich structure of SiO2/Al: ZnO/SiO2 | |
WO2014196460A1 (ja) | 透明導電体及びその製造方法 | |
Kim et al. | Variation of reflectivity and colour in SnO2/Ag/SnO2 structure with Nb2O5 and SiO2 index matching layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110414 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120116 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |