JPH07236227A

JPH07236227A - 過電流保護装置

Info

Publication number: JPH07236227A
Application number: JP24326592A
Authority: JP
Inventors: Masaya Maruo; 昌也圓尾
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1992-09-11
Filing date: 1992-09-11
Publication date: 1995-09-05

Abstract

(57)【要約】【目的】ラッシュカレントや過電流を小さく抑えて流
し、短時間で過電流状態が終われば、その後、正常電流
を流し、まだ過電流状態が続く時は、過電流を遮断す
る。【構成】内部抵抗の小さい回路と、内部抵抗の中ぐら
いの回路と、内部抵抗の大きい回路を並列に接続して、
正常電流は内部抵抗の小さい回路に流し、過電流は内部
抵抗の大きい回路に流し、ある時間以上、過電流が流れ
る時は、過電流を遮断する過電流保護装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、負荷である回路を過電
流から保護する過電流保護装置とブレーカに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】負荷に直列に接続して、過電流から負荷
を保護する装置として、ヒューズやブレーカ等が使用さ
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ヒューズやブレーカ
は、電源投入時のラッシュカレントを、そのまま負荷に
流す。また、負荷回路の１部分が故障して、過電流が流
れる場合、短時間であっても、過電流がそのまま負荷回
路を流れる。ラッシュカレントや過電流が流れると、そ
の度に、正常な回路部品にストレスを与え、部品を劣化
させる。それが、新たな負荷回路の故障の原因になると
いう問題点があった。

【０００４】本発明は、電源投入時のラッシュカレント
が流れようとする場合、負荷回路に直列に接続した過電
流保護装置の内部抵抗を大きくして、ラッシュカレント
を小さく抑えて流し、ラッシュカレント状態が終わる
と、過電流保護装置の内部抵抗を小さくして、正常電流
を流し、そして、同様に、過電流が流れようとする場
合、過電流保護装置の内部抵抗を大きくして、過電流を
小さく抑えて流し、短時間で過電流状態が終われば、そ
の後、正常電流を流し、まだ過電流状態が続く時は、過
電流保護装置の内部回路を遮断して、過電流を遮断する
過電流保護装置と、遮断したその過電流保護装置の両端
に発生する電圧により、作動し回路を開くブレーカを提
供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の過電流保護装置は、内部抵抗の小さい回路
と、内部抵抗の中ぐらいの回路と、内部抵抗の大きい回
路とを並列に接続して、大きい過電流が流れる場合は、
内部抵抗の小さい回路と中ぐらいの回路を遮断して、内
部抵抗の大きい回路に流し、そして、正常電流は、内部
抵抗の小さい回路に流すようにしたものである。また、
過電流を遮断した過電流保護装置の両端に発生する電圧
により、過電流保護装置に直列に接続したブレーカを作
動させて、回路を開き、電源を切るようにしたものであ
る。

【０００６】内部抵抗の小さい回路と、内部抵抗の中ぐ
らいの回路は、Ｎ型とＰ型のディプレッション形ＭＯＳ
半導体で構成したもので、この回路の両端に電圧がかか
ると電流は流れ始め、ある決められた大きさの電流が流
れると遮断するものである。

【０００７】内部抵抗の大きい回路は、Ｐ型エンハンス
メント形ＭＯＳ半導体のドレインに抵抗を接続したもの
で、この回路の両端に、ある大きさ以上の電圧がかかる
と電流は流れるが、ある時間以上電流が流れると、遮断
するものである。

【０００８】

【実施例】本発明の過電流保護装置の実施例について、
図により説明する。先ず、内部抵抗の小さい回路を図５
により説明する。Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体
（以下、Ｎ型ＤＭＯＳと略す）１のソースとＰ型ディプ
レッション形ＭＯＳ半導体（以下、Ｐ型ＤＭＯＳと略
す）２のソースを接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ１のゲートに抵
抗３，４を接続し、抵抗３の他端はＮ型ＤＭＯＳ１のド
レインに接続し、抵抗４の他端は端子Ｃに接続し、Ｐ型
ＤＭＯＳ２のゲートに抵抗６，７，８を接続し、抵抗６
の他端はツェナー・ダイオード５のアノードに接続し、
ツェナー・ダイオード５のカソードと、抵抗７の他端は
Ｎ型ＤＭＯＳ１のドレインに接続し、抵抗８の他端はＰ
型ＤＭＯＳ２のドレインに接続する。そして、Ｎ型ＤＭ
ＯＳ１のドレインを端子Ａとし、Ｐ型ＤＭＯＳ２のドレ
インを端子Ｂとして、３端子Ａ，Ｂ，Ｃをこの回路と他
の回路とを結ぶための端子とする。また、破線で四角に
囲ったこの回路を回路１とする。

【０００９】この回路の特性を図６により説明する。端
子Ｂ，Ｃを接続して端子ＢＣとし、今、この回路の両端
に端子Ａがプラス、端子ＢＣがマイナスの電圧Ｖ_A,BCを
かける。この回路はＰ型ＤＭＯＳ２のゲートが抵抗７を
通じてＮ型ＤＭＯＳ１のドレインに接続し、Ｎ型ＤＭＯ
Ｓ１のゲートが抵抗４を通じてＰ型ＤＭＯＳ２のドレイ
ンに接続することにより、Ｎ型ＤＭＯＳ１における電圧
降下が、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲート電圧になり、Ｐ型ＤＭ
ＯＳ２における電圧降下がＮ型ＤＭＯＳ１のゲート電圧
になる。

【００１０】従って、電圧Ｖ_A,BCを０Ｖから２０Ｖまで
徐々に上げた場合、電流Ｉ_A,BCは、２〜３Ｖで約５Ａま
で立ち上がり、２〜３Ｖ以上では、Ｎ型ＤＭＯＳ１、Ｐ
型ＤＭＯＳ２のゲート電圧が大きくなるために、電流Ｉ
_A,BCは徐々に減少し遮断される。そして、電圧Ｖ_A,BCを
２０Ｖから０Ｖまで徐々に下げた場合、Ｎ型ＤＭＯＳ１
のゲートは抵抗３を通じてＮ型ＤＭＯＳ１のドレインに
接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ２のゲートは抵抗８を通じてＰ型
ＤＭＯＳ２のドレインに接続しているので、電圧を立ち
上げる時、電流が遮断した電圧で、電流Ｉ_A,BCは流れ始
める可逆特性を示す。抵抗３，４、また、抵抗７，８の
抵抗値の割合を変えることにより、図６の実線と破線の
ように、電流が遮断される電圧を調整することができ
る。例えば、抵抗８＝５ＫΩ、抵抗７＝５ＫΩの時、電
圧Ｖ_A,BC＝１５Ｖ（実線）で遮断し、抵抗８＝５ＫΩ、
抵抗７＝５０Ωの時、電圧Ｖ_A,BC＝５Ｖ（破線）で遮断
する。また、遮断する電圧より大きいツェナー電圧のツ
ェナー・ダイオード５と低抵抗の抵抗６によって、遮断
する電圧より大きい電圧Ｖ_A,BCでは、Ｐ型ＤＭＯＳ２の
ゲートが低抵抗の抵抗６でＮ型ＤＭＯＳ１のドレインに
接続されるので、確実に電流を遮断することができる。

【００１１】次に、内部抵抗の中ぐらいの回路を図７に
より説明する。Ｎ型ＤＭＯＳ10のソースに抵抗11を接続
し、抵抗11の他端はＰ型ＤＭＯＳ12のソースに接続し、
Ｎ型ＤＭＯＳ10のゲートに抵抗13，14を接続し、抵抗13
の他端はＮ型ＤＭＯＳ10のドレインに接続し、抵抗14の
他端はツェナー・ダイオード15のカソードに接続し、ツ
ェナー・ダイオード15のアノードは端子Ｆに接続し、Ｐ
型ＤＭＯＳ12のゲートに抵抗18，19を接続し、抵抗18の
他端はツェナー・ダイオード17のアノードに接続し、ツ
ェナー・ダイオード17のカソードは、Ｎ型ＤＭＯＳ10の
ドレインに接続し、抵抗19の他端はＰ型ＤＭＯＳ12のド
レインに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ10のゲートとＰ型ＤＭＯ
Ｓ12のゲートの間にコンデンサー16を接続する。そし
て、Ｎ型ＤＭＯＳ10のドレインを端子Ｄとし、Ｐ型ＤＭ
ＯＳ12のドレインを端子Ｅとし、ツェナー・ダイオード
15のカソードを端子Ｇとして、４端子Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇを
この回路と他の回路とを結ぶための端子とする。また、
破線で四角に囲った回路を回路２とする。

【００１２】この回路の特性を図８により説明する。端
子Ｅ，Ｆを接続して端子ＥＦとし、今、この回路の両端
に端子Ｄがプラス、端子ＥＦがマイナスの電圧Ｖ_D,EFを
かける。この回路も、先の内部抵抗が小さい回路と同様
に、Ｎ型ＤＭＯＳ10と抵抗11における電圧降下が、Ｐ型
ＤＭＯＳ12のゲート電圧になり、Ｐ型ＤＭＯＳ12と抵抗
11における電圧降下がＮ型ＤＭＯＳ10のゲート電圧にな
る。

【００１３】従って、電圧Ｖ_D,EFを０Ｖから１００Ｖま
で徐々に上げた場合、電圧Ｖ_D,EFがツェナー・ダイオー
ド15，17のツェナー電圧になるまで、電流Ｉ_D,EFは大き
くなるが、電圧Ｖ_D,EFがツェナー電圧以上になると、ツ
ェナー・ダイオード15，17が導通して、Ｎ型ＤＭＯＳ1
0、Ｐ型ＤＭＯＳ12のゲート電圧が大きくなるために、
電流Ｉ_D,EFは徐々に減少し遮断される。Ｎ型ＤＭＯＳ10
のソースとＰ型ＤＭＯＳ12のソースの間に抵抗11を接続
しているために、電流Ｉ_D,EFは直線的に、徐々に立ち上
がり、徐々に減少する。そして、電圧Ｖ_D,EFを１００Ｖ
から０Ｖまで徐々に下げた場合、図５の回路１と同様
に、電圧を立ち上げる時、電流が遮断した電圧で電流Ｉ
_D,EFは流れ始める可逆特性を示す。ツェナー・ダイオー
ド15，17のツェナー電圧を変えることにより、図８の実
線と破線のように、電流の大きさ、電流が遮断される電
圧を調整することができる。例えば、ツェナー・ダイオ
ード15，17のツェナー電圧が２４Ｖの時、電圧Ｖ_D,EF＝
２７〜２９Ｖで電流Ｉ_D,EF＝５．５Ａ（実線）になり、
電圧Ｖ_D,EF＝５８Ｖで遮断し、ツェナー電圧が１２Ｖの
時、電圧Ｖ_D,EF＝１３〜１５Ｖで電流Ｉ_D,EF＝２．８Ａ
（破線）になり、電圧Ｖ _D,EF＝２９Ｖで遮断する。Ｎ型
ＤＭＯＳ10のゲートとＰ型ＤＭＯＳ12のゲートの間にコ
ンデンサー16を接続することにより、電圧Ｖ_D,EFが急に
立ち上がったり、下がったりした時、電流Ｉ_D,EFを少し
緩やかに流したり、遮断したりできる。また、抵抗11の
抵抗値を変えることにより、電流Ｉ_D,EFの大きさを調整
することができる。

【００１４】次に、内部抵抗の大きい回路を図９により
説明する。Ｐ型エンハンスメント形ＭＯＳ半導体（以
下、Ｐ型ＥＭＯＳと略す）20のドレインに抵抗21を接続
し、抵抗21の他端を端子Ｉとし、Ｐ型ＥＭＯＳ20のゲー
トにツェナー・ダイオード24のアノードと抵抗25とＮ型
ＤＭＯＳ27のドレインを接続し、ツェナー・ダイオード
24のカソードと抵抗25の他端はＰ型ＥＭＯＳ20のソース
に接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ27のソースはＰ型ＤＭＯＳ28の
ソースに接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ28のドレインに抵抗29を
接続し、抵抗29の他端は端子Ｉに接続し、Ｎ型ＤＭＯＳ
27のゲートに抵抗26を接続し、抵抗26の他端はＰ型ＤＭ
ＯＳ28のドレインに接続し、Ｐ型ＤＭＯＳ28のゲートに
抵抗22とコンデンサー23を接続し、抵抗22の他端はＰ型
ＥＭＯＳ20のソースに接続し、コンデンサー23の他端は
端子Ｉに接続する。そして、Ｐ型ＥＭＯＳ20のソースを
端子Ｈとし、Ｐ型ＥＭＯＳ20のドレインを端子Ｊとし
て、３端子Ｈ，Ｉ，Ｊをこの回路と他の回路とを結ぶた
めの端子とする。また、破線で四角に囲った回路を回路
３とする。

【００１５】この回路の特性を説明する。今、この回路
の両端に端子Ｈがプラス、端子Ｉがマイナスの電圧Ｖ
_H,Iをかける。仮に、抵抗25の抵抗値を４００Ω、抵抗2
9の抵抗値を１００Ωと設定すると、抵抗25における電
圧降下は電圧Ｖ_H,Iの約８０％の大きさになり、そし
て、その電圧降下がＰ型ＥＭＯＳ20のゲート電圧になる
ために、電圧Ｖ_H,Iが０Ｖから徐々に大きくなる場合、
最初、電流Ｉ_H,Iは流れず、電圧Ｖ_H,IがＰ型ＥＭＯＳ20
のシュレッショルド電圧の約１２５％以上の大きさにな
ると、Ｐ型ＥＭＯＳ20はＯＮになり、電流Ｉ_H,Iは流れ
始め、その後、電圧Ｖ_H,Iが大きくなると電流Ｉ_H,Iも大
きくなる。ツェナー・ダイオード24はＰ型ＥＭＯＳ20の
ゲート電圧がある電圧以上になるのを防ぎ、抵抗29はツ
ェナー・ダイオード24に過大な電流が流れるのを防ぐた
めのものである。

【００１６】抵抗25とＮ型ＤＭＯＳ27における電圧降下
がＰ型ＤＭＯＳ28のゲート電圧になり、Ｐ型ＤＭＯＳ28
における電圧降下がＮ型ＤＭＯＳ27のゲート電圧になる
ように、Ｎ型ＤＭＯＳ27とＰ型ＤＭＯＳ28が接続されて
いるために、抵抗29に大きな電流が流れると、Ｎ型ＤＭ
ＯＳ27とＰ型ＤＭＯＳ28が抵抗29を流れる電流を遮断
し、それにより、Ｐ型ＥＭＯＳ20のゲート電圧が０Ｖに
なって、Ｐ型ＥＭＯＳ20がＯＦＦになり、電流Ｉ_H,Iは
遮断される。しかし、Ｐ型ＤＭＯＳ28のゲートは、コン
デンサー23により端子Ｉに接続しているため、大きな電
圧Ｖ_H,Iがかかっても、コンデンサー23の充電電圧があ
る大きさになるまでの短時間は、Ｎ型ＤＭＯＳ27とＰ型
ＤＭＯＳ28は抵抗29を流れる電流を遮断しないので、電
流Ｉ_H,Iを流すことができる。そして、コンデンサー23
の充電電圧がある大きさ以上になると、Ｎ型ＤＭＯＳ27
とＰ型ＤＭＯＳ28は抵抗29を流れる電流を遮断し、電流
Ｉ_H, _Iは遮断される。また、抵抗21の抵抗値を変えるこ
とにより、短時間流すことのできる電流Ｉ_H,Iの大きさ
を調整することができる。そして、抵抗22の抵抗値とコ
ンデンサー23の容量を変えることにより、電流Ｉ_H,Iを
流すことができる時間を調整することができる。

【００１７】次に、回路１（内部抵抗の小さい回路）
と、回路２（内部抵抗の中ぐらいの回路）と、回路３
（内部抵抗の大きい回路）とを並列に接続した過電流保
護装置を図１により説明する。回路１の端子Ａと、回路
２の端子Ｄと、回路３の端子Ｈを端子Ｋに接続し、回路
１の端子Ｂと、回路２の端子Ｅと、回路３の端子Ｉをコ
イル31に接続し、コイル31の他端を端子Ｌに接続し、回
路１の端子Ｃと、回路２の端子Ｆを端子Ｌに接続し、回
路２の端子Ｇをダイオード32のアノードに接続し、ダイ
オード32のカソードを回路３の端子Ｊに接続する。

【００１８】この過電流保護装置の特性を説明する。こ
の過電流保護装置に端子Ｋがプラス、端子Ｌがマイナス
の電圧Ｖ_K,Lをかける。この過電流保護装置に直列に負
荷回路を接続する。その負荷回路のみに２２０Ｖの電圧
をかけた時、図４に示すように、２２０Ａのラッシュカ
レントが流れ、１００μＳＥＣで５Ａの定常電流（正常
電流）になるラッシュカレント特性、あるいは、１１０
Ａのラッシュカレントが流れ、２００μＳＥＣで５Ａの
定常電流（正常電流）になるラッシュカレント特性をも
った負荷回路とする。

【００１９】今、この過電流保護装置と負荷回路を直列
に接続したものに、２２０Ｖの電圧をかけた時、１５Ａ
のラッシュカレントが流れ、３ｍＳＥＣで５Ａの正常電
流になるラッシュカレント特性になる。図２に電流Ｉ
_K,Lのラッシュ特性を、図３に電圧Ｖ_K,Lのラッシュ特性
を示す。電圧がかかった瞬間は、端子Ｋと端子Ｌの間に
ほぼ２２０Ｖの電圧がかかるので、回路１と回路２は遮
断し、電流Ｉ_K,Lは回路３を流れ、回路３の抵抗21によ
って、ラッシュカレントは１５Ａに抑えられる。約１ｍ
ＳＥＣで電流Ｉ_K,Lは約４Ａになり、電圧Ｖ_K,Lは約５０
Ｖになる。電圧Ｖ_K,Lが約５０Ｖになると、回路２が可
逆特性により導通し、電流Ｉ_D,Eが流れる。約２．５ｍ
ＳＥＣで電流Ｉ_K,Lは約５Ａになり、電圧Ｖ_K,Lが約１５
Ｖになる。電圧Ｖ_K,Lが約１５Ｖになると、回路１が可
逆特性により導通し、電流Ｉ_A,Bが流れる。約３ｍＳＥ
Ｃで電流Ｉ_K,Lは正常電流（定常電流）の５Ａになり、
電圧Ｖ_K _,Lが約１Ｖになる。

【００２０】電圧がかかった瞬間、ラッシュカレントは
回路１も回路２も流れようとするが、コイル31が、急に
立ち上がる電流を抑止し、コイル31の両端に発生する電
圧により、回路１のＮ型ＤＭＯＳ１はゲート電圧が下が
って、ＯＦＦになり、回路１は遮断する。同様に、回路
２のＮ型ＤＭＯＳ10もゲート電圧が下がって、ＯＦＦに
なり、回路２は遮断する。このように、コイル31によ
り、電圧がかかった瞬間に回路１も回路２も遮断するこ
とができる。

【００２１】また、負荷回路の故障で、過電流保護装置
にＶ_K,L＝１０〜５０Ｖの電圧が連続してかる場合、回
路１はすぐ遮断するが、回路２はすぐには遮断しない。
しかし、回路２の端子Ｇは、ダイオード32を通じて回路
３の端子Ｊに接続しているので、電圧Ｖ_K,Lにより、回
路３のコンデンサー23がある電圧に充電されて、回路３
が遮断すると、端子Ｊの電圧が、端子Ｉの電圧になり、
そして、回路２のＮ型ＤＭＯＳ10のゲート電圧が端子Ｉ
の電圧にまで下がって、Ｎ型ＤＭＯＳ10はＯＦＦにな
り、回路２は遮断する。端子Ｇ，Ｊ間にダイオード32を
接続することにより、Ｖ_K,L＝１０〜５０Ｖおいて、回
路３と回路２を同時に遮断することができる。

【００２２】次に、過電流保護装置とブレーカを組み合
わせて使用する実施例を図１０により説明する。交流回
路にブレーカ５１を接続し、交流を全波整流した直流回
路に過電流保護装置を接続する。ブレーカ５１は、電流
で回路を開くコイルＬＩ１と電圧で回路を開くコイルＬ
Ｖ１の２個のコイルを持っている。コイルＬＩ１は交流
回路に接続するが、コイルＬＶ１は、直流回路の過電流
保護装置の端子Ｋ，Ｌ間に接続する。このように接続す
ると、過電流が流れて過電流保護装置が遮断した時、端
子Ｋ，Ｌ間にかかる直流の電源電圧により、コイルＬＶ
１が作動してブレーカを切ることができる。また、直流
回路にブレーカと過電流保護装置を接続して、同様に、
使用することもできる。

【００２３】また、過電流保護装置とブレーカを組み合
わせて使用する別の実施例を図１１により説明する。ブ
レーカ５２と、２個の過電流保護装置を逆直列に接続し
たものを交流回路に接続する。ブレーカ５２は、電流で
回路を開くコイルＬＩ２と電圧で回路を開くコイルＬＶ
２の２個のコイルを持っている。コイルＬＩ２とコイル
ＬＶ２は交流回路に接続するが、コイルＬＶ２は、２個
逆直列に接続した過電流保護装置の両端の端子Ｋ，Ｋ’
間に接続する。このように接続すると、過電流が流れて
過電流保護装置が遮断した時、端子Ｋ，Ｋ’間にかかる
交流の電源電圧により、コイルＬＶ２が作動してブレー
カを切ることができる。

【００２４】

【発明の効果】本発明は、以上に説明したように構成さ
れているので、以下に記載のするような効果を示す。負
荷回路に直列にこの過電流保護装置を接続すると、ラッ
シュカレントを１／１０〜１／２０に小さくでき、過
電流を１／２〜１／２０に小さくできる。そして、回
路２の抵抗11と回路３の抵抗21の抵抗値を変えることに
より、ラッシュカレント、過電流の大きさを調整するこ
とができる。また、回路３のコンデンサー23の容量を変
えることにより、負荷回路に合わせて遮断時間を調整す
ることができる。

【００２５】この過電流保護装置とブレーカを組み合わ
せて使用することにより、負荷回路に合った遮断速度で
過電流を遮断し、そして、続けてブレーカを作動させて
電源を切ることができるので、ブレーカのみで負荷回路
を保護する場合に較べ、負荷回路をより正確に保護する
事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】過電流保護装置の実施例を示す回路図である。

【図２】図１の過電流保護装置のラッシュカレントの特
性図である。

【図３】図１の過電流保護装置にラッシュカレントが流
れる時、過電流保護装置の両端にかかる電圧の特性図で
ある。

【図４】過電流保護装置を使用しない時の、負荷回路の
ラッシュカレントの特性図である。

【図５】内部抵抗の小さい回路１の回路図である。

【図６】図５の回路１の電圧電流可逆特性図である。

【図７】内部抵抗の中ぐらいの回路２の回路図である。

【図８】図７の回路２の電圧電流可逆特性図である。

【図９】内部抵抗の大きい回路３の回路図である。

【図１０】過電流保護装置とブレーカを組み合わせて使
用する実施例を示す図である。

【図１１】過電流保護装置とブレーカを組み合わせて使
用する別の実施例を示す図である。

【符号の説明】

１，10，27 Ｎ型ＤＭＯＳ２，12，28 Ｐ型ＤＭＯＳ 20 Ｐ型ＥＭＯＳ５，15，17，24 ツェナー・ダイオード 16，23 コンデンサー 31 コイル 32 ダイオード

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【手続補正書】

【提出日】平成４年９月１４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１０】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１１】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回路１（内部抵抗の小さい回路）と、回
路２（内部抵抗の中ぐらいの回路）と、回路３（内部抵
抗の大きい回路）を並列に接続した過電流保護装置。
【請求項２】回路１の端子Ａと、回路２の端子Ｄと、
回路３の端子Ｈを端子Ｋに接続し、回路１の端子Ｂと、
回路２の端子Ｅと、回路３の端子Ｉをコイル31に接続
し、コイル31の他端を端子Ｌに接続し、回路１の端子Ｃ
と、回路２の端子Ｆを端子Ｌに接続し、回路２の端子Ｇ
をダイオード32のアノードに接続し、ダイオード32のカ
ソードを回路３の端子Ｊに接続した請求項１記載の過電
流保護装置。
【請求項３】Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体１
のソースとＰ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体２のソ
ースを接続し、Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体１
のゲートに抵抗３，４を接続し、抵抗３の他端はＮ型デ
ィプレッション形ＭＯＳ半導体１のドレインに接続し、
抵抗４の他端は端子Ｃに接続し、Ｐ型ディプレッション
形ＭＯＳ半導体２のゲートに抵抗６，７，８を接続し、
抵抗６の他端はツェナー・ダイオード５のアノードに接
続し、ツェナー・ダイオード５のカソードと、抵抗７の
他端はＮ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体１のドレイ
ンに接続し、抵抗８の他端はＰ型ディプレッション形Ｍ
ＯＳ半導体２のドレインに接続し、そして、Ｎ型ディプ
レッション形ＭＯＳ半導体１のドレインをプラスの端子
Ａとし、Ｐ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体２のドレ
インをマイナスの端子Ｂとした請求項１記載の回路１。
【請求項４】Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体10
のソースに抵抗11を接続し、抵抗11の他端はＰ型ディプ
レッション形ＭＯＳ半導体12のソースに接続し、Ｎ型デ
ィプレッション形ＭＯＳ半導体10のゲートに抵抗13，14
を接続し、抵抗13の他端はＮ型ディプレッション形ＭＯ
Ｓ半導体10のドレインに接続し、抵抗14の他端はツェナ
ー・ダイオード15のカソードに接続し、ツェナー・ダイ
オード15のアノードは端子Ｆに接続し、Ｐ型ディプレッ
ション形ＭＯＳ半導体12のゲートに抵抗18，19を接続
し、抵抗18の他端はツェナー・ダイオード17のアノード
に接続し、ツェナー・ダイオード17のカソードは、Ｎ型
ディプレッション形ＭＯＳ半導体10のドレインに接続
し、抵抗19の他端はＰ型ディプレッション形ＭＯＳ半導
体12のドレインに接続し、Ｎ型ディプレッション形ＭＯ
Ｓ半導体10のゲートとＰ型ディプレッション形ＭＯＳ半
導体12のゲートの間にコンデンサー16を接続し、そし
て、Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体10のドレイン
をプラスの端子Ｄとし、Ｐ型ディプレッション形ＭＯＳ
半導体12のドレインをマイナスの端子Ｅとし、ツェナー
・ダイオード15のカソードを端子Ｇとした請求項１記載
の回路２。
【請求項５】Ｐ型エンハンスメント形ＭＯＳ半導体20
のドレインに抵抗21を接続し、抵抗21の他端を端子Ｉと
し、Ｐ型エンハンスメント形ＭＯＳ半導体20のゲートに
ツェナー・ダイオード24のアノードと抵抗25とＮ型ディ
プレッション形ＭＯＳ半導体27のドレインを接続し、ツ
ェナー・ダイオード24のカソードと抵抗25の他端はＰ型
エンハンスメント形ＭＯＳ半導体20のソースに接続し、
Ｎ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体27のソースはＰ型
ディプレッション形ＭＯＳ半導体28のソースに接続し、
Ｐ型ディプレッション形ＭＯＳ半導体28のドレインに抵
抗29を接続し、抵抗29の他端は端子Ｉに接続し、Ｎ型デ
ィプレッション形ＭＯＳ半導体27のゲートに抵抗26を接
続し、抵抗26の他端はＰ型ディプレッション形ＭＯＳ半
導体28のドレインに接続し、Ｐ型ディプレッション形Ｍ
ＯＳ半導体28のゲートに抵抗22とコンデンサー23を接続
し、抵抗22の他端はＰ型エンハンスメント形ＭＯＳ半導
体20のソースに接続し、コンデンサー23の他端は端子Ｉ
に接続し、そして、Ｐ型エンハンスメント形ＭＯＳ半導
体20のソースをプラスの端子Ｈとし、端子Ｉをマイナス
の端子とし、Ｐ型エンハンスメント形ＭＯＳ半導体20の
ドレインを端子Ｊとした請求項１記載の回路３。
【請求項６】交流回路にブレーカを接続し、交流を全
波整流した直流回路に過電流保護装置を接続し、電流で
回路を開くコイルは交流回路に接続し、電圧で回路を開
くコイルは、直流回路の過電流保護装置の端子Ｋ，Ｌ間
に接続したブレーカと過電流保護装置。
【請求項７】交流電流で作動するコイルと直流電圧で
作動するコイルの２個のコイルをもった請求項６記載の
ブレーカ。
【請求項８】交流回路にブレーカと、２個の過電流保
護装置を逆直列に接続したものを接続し、電流で回路を
開くコイルは交流回路に接続し、電圧で回路を開くコイ
ルは、２個逆直列に接続した過電流保護装置の両端の端
子Ｋ，Ｋ’間に接続したブレーカと過電流保護装置。