JPH0722696A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH0722696A JPH0722696A JP5163515A JP16351593A JPH0722696A JP H0722696 A JPH0722696 A JP H0722696A JP 5163515 A JP5163515 A JP 5163515A JP 16351593 A JP16351593 A JP 16351593A JP H0722696 A JPH0722696 A JP H0722696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- degrees
- type
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1039—Details on the cavity length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
- H01S5/2013—MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3403—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振しきい値電流が小さく且つ最高発振温度
が大きな半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１と、この基板１の一主面
上に形成されたｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３
上に形成された引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構
造からなる活性層５と、この活性層５上に形成されたｐ
型クラッド層５と、を備え、前記基板１の一主面は（１
００）面から［０１１］方向に９度〜１５度傾斜した面
であり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下
である。
が大きな半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１と、この基板１の一主面
上に形成されたｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３
上に形成された引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構
造からなる活性層５と、この活性層５上に形成されたｐ
型クラッド層５と、を備え、前記基板１の一主面は（１
００）面から［０１１］方向に９度〜１５度傾斜した面
であり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザ素子等の半導体レーザ素子に関する。
体レーザ素子等の半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発振波長が６３０ｎｍ帯の半導体
レーザ素子としてＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子が
活発に研究開発されている。この６３０ｎｍ帯は視感度
が高いことから、斯る素子はレーザーポインターやライ
ンマーカー等にも使用されている。このような製品に使
用される場合には、斯る素子は電池駆動で使用されるこ
とが多く、低消費電力の素子の開発が望まれている。
レーザ素子としてＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子が
活発に研究開発されている。この６３０ｎｍ帯は視感度
が高いことから、斯る素子はレーザーポインターやライ
ンマーカー等にも使用されている。このような製品に使
用される場合には、斯る素子は電池駆動で使用されるこ
とが多く、低消費電力の素子の開発が望まれている。
【０００３】近年、上記半導体レーザ素子において、活
性層を量子井戸（ＱＷ）構造とする研究が行われてい
る。特に温度特性及び発振しきい値電流特性の改善のた
めに、この量子井戸構造の量子井戸層に歪を導入するこ
とが提案されている。この歪を有する多重量子井戸Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子は、例えば１９９２年秋
季第５３回応用物理学会学術講演会講演予稿集、Ｎｏ．
３、１８ａ−Ｖ−１０、第９５４頁に記載されている。
性層を量子井戸（ＱＷ）構造とする研究が行われてい
る。特に温度特性及び発振しきい値電流特性の改善のた
めに、この量子井戸構造の量子井戸層に歪を導入するこ
とが提案されている。この歪を有する多重量子井戸Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子は、例えば１９９２年秋
季第５３回応用物理学会学術講演会講演予稿集、Ｎｏ．
３、１８ａ−Ｖ−１０、第９５４頁に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低消費
電力化のためには、この消費電力と密接に関連する上記
発振しきい値電流は、実用上の通常条件下、例えばステ
ムの良放熱体（銅ブロック）上に固着されたＳｉヒート
シンク上に素子を載置した条件下において、４０ｍＡ程
度以下が望ましく、３０ｍＡ程度以下がより望ましい
が、上記発振波長が短波長の半導体レーザ素子では、４
０℃での安定動作が保証された下では発振しきい値電流
は６０ｍＡ程度までしか得られていない。
電力化のためには、この消費電力と密接に関連する上記
発振しきい値電流は、実用上の通常条件下、例えばステ
ムの良放熱体（銅ブロック）上に固着されたＳｉヒート
シンク上に素子を載置した条件下において、４０ｍＡ程
度以下が望ましく、３０ｍＡ程度以下がより望ましい
が、上記発振波長が短波長の半導体レーザ素子では、４
０℃での安定動作が保証された下では発振しきい値電流
は６０ｍＡ程度までしか得られていない。
【０００５】これら従来の圧縮歪みまたは歪みのない素
子では、共振器長を短くすることにより発振しきい値電
流を漸次的に小さくできることが知られている。しか
し、このようにした場合には、信頼性を高めること、即
ち信頼性に密接に関連する最高発振温度（発振可能な最
高温度）を５０℃程度以上、好ましくは６０℃程度以上
にすることができないため、低消費電力の素子が実用化
できなかった。
子では、共振器長を短くすることにより発振しきい値電
流を漸次的に小さくできることが知られている。しか
し、このようにした場合には、信頼性を高めること、即
ち信頼性に密接に関連する最高発振温度（発振可能な最
高温度）を５０℃程度以上、好ましくは６０℃程度以上
にすることができないため、低消費電力の素子が実用化
できなかった。
【０００６】また、圧縮歪とは反対の歪である引張り歪
を有する量子井戸ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子も
知られており、例えば１９９２年秋季第５３回応用物理
学会学術講演会講演予稿集、Ｎｏ．３、１８ａ−Ｖ−１
１、第９５４頁に記載されている。しかしながら、この
場合も実用的には発振しきい値電流は６０ｍＡ程度であ
り、上記条件下で最高発振温度（発振可能な最高温度）
が５０℃程度以上で発振しきい値電流を４０ｍＡ程度以
下にすることができなかった。
を有する量子井戸ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子も
知られており、例えば１９９２年秋季第５３回応用物理
学会学術講演会講演予稿集、Ｎｏ．３、１８ａ−Ｖ−１
１、第９５４頁に記載されている。しかしながら、この
場合も実用的には発振しきい値電流は６０ｍＡ程度であ
り、上記条件下で最高発振温度（発振可能な最高温度）
が５０℃程度以上で発振しきい値電流を４０ｍＡ程度以
下にすることができなかった。
【０００７】本発明は上記問題点を鑑み成されたもので
あり、信頼性が高く且つ低消費電力の半導体レーザ素子
を提供することを目的とする。
あり、信頼性が高く且つ低消費電力の半導体レーザ素子
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、第１導電型のＧａＡｓ基板と、該基板の一主面上
に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型
のクラッド層上に形成された引張り歪量子井戸層を有す
る量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成さ
れた第２導電型のクラッド層と、を備え、前記基板の一
主面は｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度〜１５度
傾斜した面であり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３０
０μｍ以下であることを特徴とする。
子は、第１導電型のＧａＡｓ基板と、該基板の一主面上
に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型
のクラッド層上に形成された引張り歪量子井戸層を有す
る量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成さ
れた第２導電型のクラッド層と、を備え、前記基板の一
主面は｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度〜１５度
傾斜した面であり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３０
０μｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明の構成では、第１導電型のＧａＡｓ基板
と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッ
ド層と、該第１導電型のクラッド層上に形成された引張
り歪量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層
と、該活性層上に形成された第２導電型のクラッド層
と、を備え、前記基板の一主面は｛１００｝面から＜０
１１＞方向に９度〜１５度傾斜した面であり、且つ共振
器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下であるので、最高
発振温度を高く且つ発振しきい値電流を小さくできる。
と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッ
ド層と、該第１導電型のクラッド層上に形成された引張
り歪量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層
と、該活性層上に形成された第２導電型のクラッド層
と、を備え、前記基板の一主面は｛１００｝面から＜０
１１＞方向に９度〜１５度傾斜した面であり、且つ共振
器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下であるので、最高
発振温度を高く且つ発振しきい値電流を小さくできる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例に係る発振波長が６３０ｎ
ｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子を図を用いて
説明する。尚、図１はこの半導体レーザ素子の概略断面
構造図、図２はこの半導体レーザ素子の活性層近傍のバ
ンド構造図である。
ｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子を図を用いて
説明する。尚、図１はこの半導体レーザ素子の概略断面
構造図、図２はこの半導体レーザ素子の活性層近傍のバ
ンド構造図である。
【００１１】図中、１はｎ型ＧａＡｓ基板で、その一主
面は（１００）面から［０１１］方向に角度θ（θ＝９
〜１５度：以下角度θをオフ角度θという）で傾斜した
面である。前記一主面上には層厚０．３μｍのｎ型Ｇａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファ層２及び層厚０．８〜０．９μｍ
のｎ型（ＡｌxaＧａ1-xa）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘａ＞ｙａ，
ｙｂ＞ｐ≧０：本実施例ではｘａ＝０．７）クラッド層
３がこの順序で形成されている。
面は（１００）面から［０１１］方向に角度θ（θ＝９
〜１５度：以下角度θをオフ角度θという）で傾斜した
面である。前記一主面上には層厚０．３μｍのｎ型Ｇａ
0.5Ｉｎ0.5Ｐバッファ層２及び層厚０．８〜０．９μｍ
のｎ型（ＡｌxaＧａ1-xa）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘａ＞ｙａ，
ｙｂ＞ｐ≧０：本実施例ではｘａ＝０．７）クラッド層
３がこの順序で形成されている。
【００１２】前記ｎ型クラッド層３上には、層厚５００
Åのアンドープの（ＡｌyaＧａ1-ya）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｙ
ａ≧ｒ：本実施例ではｙａ＝０．５）光ガイド層４、層
厚７５Åの引張り歪みを有する（ＡｌpＧａ1-p）qＩｎ
1-qＰ（ｑ＞０．５１：本実施例ではｐ＝０、ｑ＝０．
５８）引張り歪量子井戸層５ａ、５ａ、５ａ、５ａ（典
型的には、全６層以下、本実施例では全４層）と層厚４
０Åの（ＡｌrＧａ1-r） 0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘａ，ｘｂ，ｘ
ｃ＞ｒ＞ｐ：本実施例ではｒ＝０．５）量子障壁層５
ｂ、５ｂ、５ｂ（典型的には、全５層以下、本実施例で
は全３層）とが交互に積層されてなる引張り歪多重量子
井戸構造（引張り歪ＭＱＷ構造）からなるアンドープの
活性層５、及び層厚５００Åのアンドープの（ＡｌybＧ
ａ1-yb）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｙｂ≧ｒ：本実施例ではｙｂ＝
０．５）光ガイド層６がこの順序で形成されている。
尚、本実施例の引張り歪量子井戸層５ａ、５ａ、・・・
の歪量Δａ／ａ0（Δａ＝引張り歪量子井戸層の格子定
数−ＧａＡｓ基板の格子定数ａ0）は−０．５％であ
る。
Åのアンドープの（ＡｌyaＧａ1-ya）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｙ
ａ≧ｒ：本実施例ではｙａ＝０．５）光ガイド層４、層
厚７５Åの引張り歪みを有する（ＡｌpＧａ1-p）qＩｎ
1-qＰ（ｑ＞０．５１：本実施例ではｐ＝０、ｑ＝０．
５８）引張り歪量子井戸層５ａ、５ａ、５ａ、５ａ（典
型的には、全６層以下、本実施例では全４層）と層厚４
０Åの（ＡｌrＧａ1-r） 0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘａ，ｘｂ，ｘ
ｃ＞ｒ＞ｐ：本実施例ではｒ＝０．５）量子障壁層５
ｂ、５ｂ、５ｂ（典型的には、全５層以下、本実施例で
は全３層）とが交互に積層されてなる引張り歪多重量子
井戸構造（引張り歪ＭＱＷ構造）からなるアンドープの
活性層５、及び層厚５００Åのアンドープの（ＡｌybＧ
ａ1-yb）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｙｂ≧ｒ：本実施例ではｙｂ＝
０．５）光ガイド層６がこの順序で形成されている。
尚、本実施例の引張り歪量子井戸層５ａ、５ａ、・・・
の歪量Δａ／ａ0（Δａ＝引張り歪量子井戸層の格子定
数−ＧａＡｓ基板の格子定数ａ0）は−０．５％であ
る。
【００１３】前記光ガイド層６上には、層厚３００Åの
ｐ型（ＡｌxbＧａ1-xb）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘｂ＞ｙａ，ｙ
ｂ＞ｐ≧０：本実施例ではｘｂ＝０．７）クラッド層７
が形成されている。このｐ型クラッド層７上には層厚８
Åのｐ型（ＡｌtＧａ1-t）uＩｎ1-uＰ（ｔ＜ｖ：本実施
例ではｔ＝０、ｕ＝０．５）量子井戸層８ａ、８ａ、・
・・（全１０層）と層厚１２Åのｐ型（ＡｌvＧａ1-v）
wＩｎ1-wＰ（望ましくはｖ＝ｘｂ＝ｘｃ：本実施例では
ｖ＝０．７、ｗ＝０．５）量子障壁層８ｂ、８ｂ、・・
・（全９層）とが交互に積層されてなる多重量子障壁構
造（ＭＱＢ）層８が形成されている。
ｐ型（ＡｌxbＧａ1-xb）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘｂ＞ｙａ，ｙ
ｂ＞ｐ≧０：本実施例ではｘｂ＝０．７）クラッド層７
が形成されている。このｐ型クラッド層７上には層厚８
Åのｐ型（ＡｌtＧａ1-t）uＩｎ1-uＰ（ｔ＜ｖ：本実施
例ではｔ＝０、ｕ＝０．５）量子井戸層８ａ、８ａ、・
・・（全１０層）と層厚１２Åのｐ型（ＡｌvＧａ1-v）
wＩｎ1-wＰ（望ましくはｖ＝ｘｂ＝ｘｃ：本実施例では
ｖ＝０．７、ｗ＝０．５）量子障壁層８ｂ、８ｂ、・・
・（全９層）とが交互に積層されてなる多重量子障壁構
造（ＭＱＢ）層８が形成されている。
【００１４】前記多重量子障壁構造層８上には、高さ
０．９μｍ、下面部幅５μｍのレーザ共振器長方向に延
伸したストライプ状リッジ部を有し、このリッジ部の両
側の層厚が０．２〜０．３μｍであるｐ型（ＡｌxcＧａ
1-xc）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘｃ＞ｙａ，ｙｂ＞ｐ≧０：本実
施例ではｘｃ＝０．７）クラッド層９が形成されてい
る。
０．９μｍ、下面部幅５μｍのレーザ共振器長方向に延
伸したストライプ状リッジ部を有し、このリッジ部の両
側の層厚が０．２〜０．３μｍであるｐ型（ＡｌxcＧａ
1-xc）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｘｃ＞ｙａ，ｙｂ＞ｐ≧０：本実
施例ではｘｃ＝０．７）クラッド層９が形成されてい
る。
【００１５】前記ｐ型クラッド層９上にはそのリッジ部
の両側側面を覆うように層厚１μｍのｎ型ＧａＡｓ電流
阻止層１０、１０が形成されており、該リッジ部面上に
は層厚０．１μｍのｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層
１１が形成されている。
の両側側面を覆うように層厚１μｍのｎ型ＧａＡｓ電流
阻止層１０、１０が形成されており、該リッジ部面上に
は層厚０．１μｍのｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層
１１が形成されている。
【００１６】前記電流阻止層１０、１０及びコンタクト
層１１上にはこのコンタクト層１１上の層厚が２〜３μ
ｍであるｐ型ＧａＡｓキャップ層１２が形成されてい
る。
層１１上にはこのコンタクト層１１上の層厚が２〜３μ
ｍであるｐ型ＧａＡｓキャップ層１２が形成されてい
る。
【００１７】前記キャップ層１２上面にはＡｕ−Ｃｒか
らなるｐ型側オーミック電極１３が、前記ｎ型ＧａＡｓ
基板１下面にはＡｕ−Ｓｎ−Ｃｒからなるｎ型側オーミ
ック電極１４が形成されている。
らなるｐ型側オーミック電極１３が、前記ｎ型ＧａＡｓ
基板１下面にはＡｕ−Ｓｎ−Ｃｒからなるｎ型側オーミ
ック電極１４が形成されている。
【００１８】この半導体レーザ素子は、図２から判るよ
うに、活性層５はその量子障壁層５ｂ、５ｂ、・・・と
バンドギャップが等しい（又はこれらより大きい）光ガ
イド層４、６に挟まれ、その外側をこの光ガイド層４、
６よりバンドギャップが大きいクラッド層３、７、９に
より挟まれた構成になっており、更にクラッド層７、９
の間に多重量子障壁構造層８が設けられている。尚、屈
折率はバンドギャップが大きくなるに従って小さくなる
ので、屈折率についての説明は省略する。
うに、活性層５はその量子障壁層５ｂ、５ｂ、・・・と
バンドギャップが等しい（又はこれらより大きい）光ガ
イド層４、６に挟まれ、その外側をこの光ガイド層４、
６よりバンドギャップが大きいクラッド層３、７、９に
より挟まれた構成になっており、更にクラッド層７、９
の間に多重量子障壁構造層８が設けられている。尚、屈
折率はバンドギャップが大きくなるに従って小さくなる
ので、屈折率についての説明は省略する。
【００１９】次に、斯る半導体レーザ素子の製造方法に
ついて簡単に説明する。
ついて簡単に説明する。
【００２０】最初に、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型バ
ッファ層２、ｎ型第クラッド層３、ノンドープの光ガイ
ド層４、ノンドープの活性層５、ノンドープの光ガイド
層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型多重量子障壁構造層８、
ｐ型クラッド層９、及びｐ型コンタクト層１１をＭＯＣ
ＶＤ法（有機金属気相成長法）により連続成長する。
ッファ層２、ｎ型第クラッド層３、ノンドープの光ガイ
ド層４、ノンドープの活性層５、ノンドープの光ガイド
層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型多重量子障壁構造層８、
ｐ型クラッド層９、及びｐ型コンタクト層１１をＭＯＣ
ＶＤ法（有機金属気相成長法）により連続成長する。
【００２１】次に、前記ｐ型コンタクト層１１上にスト
ライプ状のＳｉＯ2等からなるマスクを介して、前記ｐ
型クラッド層９をストライプ状のリッジ部を有するよう
にエッチングした後、ｎ型電流阻止層１０、１０をＭＯ
ＣＶＤ法により形成する。続いて、前記マスクを除去し
て前記コンタクト層１１を露出させた後、ｎ型電流阻止
層１０、１０及びコンタクト層１１上にｐ型キャップ層
１２をＭＯＣＶＤ法により形成する。
ライプ状のＳｉＯ2等からなるマスクを介して、前記ｐ
型クラッド層９をストライプ状のリッジ部を有するよう
にエッチングした後、ｎ型電流阻止層１０、１０をＭＯ
ＣＶＤ法により形成する。続いて、前記マスクを除去し
て前記コンタクト層１１を露出させた後、ｎ型電流阻止
層１０、１０及びコンタクト層１１上にｐ型キャップ層
１２をＭＯＣＶＤ法により形成する。
【００２２】次に、前記キャップ層１２上面にはｐ型側
オーミック電極１３を、前記ｎ型ＧａＡｓ基板１下面に
はｎ型側オーミック電極１４を蒸着法により形成した
後、熱処理して作成する。
オーミック電極１３を、前記ｎ型ＧａＡｓ基板１下面に
はｎ型側オーミック電極１４を蒸着法により形成した
後、熱処理して作成する。
【００２３】図３は、斯る半導体レーザ素子の前記主面
が、（１００）面から［０１１］方向に９度、１３度、
及び１５度傾斜した面である場合と、比較例として５度
傾斜した面である場合とにおける最高発振温度Ｔ
max（℃）と共振器長Ｌ（μｍ）の関係を示し、図中、
オフ角度θ＝５度は白抜きの三角、オフ角度θ＝９度は
黒塗りの三角、オフ角度θ＝１３度は白抜きの丸、オフ
角度θ＝１５度は黒塗りの丸で示す。尚、この測定は、
通常ステムの良放熱体（銅ブロック）上にハンダ等で接
着載置（固着）したＳｉヒートシンク（厚みは５０〜５
００μｍ）上にジャンクションダウンで素子を錫等を介
して圧着載置（固着）した状態において、連続発振状態
で行った。
が、（１００）面から［０１１］方向に９度、１３度、
及び１５度傾斜した面である場合と、比較例として５度
傾斜した面である場合とにおける最高発振温度Ｔ
max（℃）と共振器長Ｌ（μｍ）の関係を示し、図中、
オフ角度θ＝５度は白抜きの三角、オフ角度θ＝９度は
黒塗りの三角、オフ角度θ＝１３度は白抜きの丸、オフ
角度θ＝１５度は黒塗りの丸で示す。尚、この測定は、
通常ステムの良放熱体（銅ブロック）上にハンダ等で接
着載置（固着）したＳｉヒートシンク（厚みは５０〜５
００μｍ）上にジャンクションダウンで素子を錫等を介
して圧着載置（固着）した状態において、連続発振状態
で行った。
【００２４】この図３から、斯る半導体レーザ素子は、
オフ角度θが９度以上１５度以下の場合に、共振器長が
短くなるにしたがって最高発振温度が漸次的に低下する
従来周知の現象とは異なって、共振器長が２００μｍで
ピークをもつと共に１５０μｍ以上３００μｍ以下で最
高発振温度が５０℃程度以上、２００μｍ以上３００μ
ｍ以下で最高発振温度が６０℃程度以上になることが判
る。
オフ角度θが９度以上１５度以下の場合に、共振器長が
短くなるにしたがって最高発振温度が漸次的に低下する
従来周知の現象とは異なって、共振器長が２００μｍで
ピークをもつと共に１５０μｍ以上３００μｍ以下で最
高発振温度が５０℃程度以上、２００μｍ以上３００μ
ｍ以下で最高発振温度が６０℃程度以上になることが判
る。
【００２５】図４は、図３と同じ測定を行って得た最高
発振温度Ｔmax（℃）と基板のオフ角度θ（度）の関係
を示す。尚、共振器長Ｌは２００μｍである。
発振温度Ｔmax（℃）と基板のオフ角度θ（度）の関係
を示す。尚、共振器長Ｌは２００μｍである。
【００２６】この図４から、斯る半導体レーザ素子は、
共振器長が２００μｍにおいて、オフ角度θが９度以上
１５度以下で最高発振温度が６０℃以上となり、特にオ
フ角度θが１１度以上１５度以下で良好になり、更に略
１３度がよいことが判る。また、図示はしないが、共振
器長３００μｍにおいても、オフ角度θが９度以上１５
度以下で最高発振温度が６０℃程度以上、特にオフ角度
θが１１度以上１５度以下、なかも略１３度で良好にな
る。尚、共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下であ
れば前記オフ角度θに同様の傾向がある。
共振器長が２００μｍにおいて、オフ角度θが９度以上
１５度以下で最高発振温度が６０℃以上となり、特にオ
フ角度θが１１度以上１５度以下で良好になり、更に略
１３度がよいことが判る。また、図示はしないが、共振
器長３００μｍにおいても、オフ角度θが９度以上１５
度以下で最高発振温度が６０℃程度以上、特にオフ角度
θが１１度以上１５度以下、なかも略１３度で良好にな
る。尚、共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下であ
れば前記オフ角度θに同様の傾向がある。
【００２７】これら図３〜図４から、斯る半導体レーザ
素子は、共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下、望
ましくは２００μｍ以上３００μｍ以下がよく、且つオ
フ角度θが９度以上１５度以下、好ましくは１１度以上
１５度以下がよく、更に好ましくは略１３度がよいこと
が判る。
素子は、共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下、望
ましくは２００μｍ以上３００μｍ以下がよく、且つオ
フ角度θが９度以上１５度以下、好ましくは１１度以上
１５度以下がよく、更に好ましくは略１３度がよいこと
が判る。
【００２８】図５は、前記図３と同様の基板のオフ角度
θにおける前記半導体レーザ素子の発振しきい値電流
（ｍＡ）と共振器長Ｌ（μｍ）の関係を示し、図中、図
３と同じオフ角度θを示すものは、同様の印で示す。
尚、この測定は、素子環境温度が２５℃で、他の条件は
図３での条件と同じとした。
θにおける前記半導体レーザ素子の発振しきい値電流
（ｍＡ）と共振器長Ｌ（μｍ）の関係を示し、図中、図
３と同じオフ角度θを示すものは、同様の印で示す。
尚、この測定は、素子環境温度が２５℃で、他の条件は
図３での条件と同じとした。
【００２９】この図５から、斯る半導体レーザ素子でも
従来素子と同様に共振器長が短くなるにしたがってしき
い値電流が漸次的に小さくなることが判る。特に、前記
オフ角度θが９度以上１５度以下の場合に小さく、この
うち共振器長が３００μｍ以下でしきい値電流が４０ｍ
Ａ程度以下になり、共振器長が２００μｍ以下でしきい
値電流が３０ｍＡ程度以下となることが判る。
従来素子と同様に共振器長が短くなるにしたがってしき
い値電流が漸次的に小さくなることが判る。特に、前記
オフ角度θが９度以上１５度以下の場合に小さく、この
うち共振器長が３００μｍ以下でしきい値電流が４０ｍ
Ａ程度以下になり、共振器長が２００μｍ以下でしきい
値電流が３０ｍＡ程度以下となることが判る。
【００３０】図６は、図５と同じ測定を行って得た発振
しきい値電流（ｍＡ）と基板のオフ角度θ（度）の関係
を示す。尚、共振器長Ｌは２００μｍである。
しきい値電流（ｍＡ）と基板のオフ角度θ（度）の関係
を示す。尚、共振器長Ｌは２００μｍである。
【００３１】この図６から、斯る半導体レーザ素子は、
共振器長が２００μｍにおいて、オフ角度θが９度以上
１５度以下でしきい値電流が４０ｍＡ以下となり、特に
オフ角度θが１１度以上１５度以下、なかでも略１３度
で良好になることがわかる。また、図示しないが、共振
器長が３００μｍにおいても、オフ角度θが９度以上１
５度以下でしきい値電流が４０ｍＡ程度以下、特にオフ
角度θが１１度以上１５度以下、なかでも略１３度で良
好になり、この傾向は共振器長が１５０μｍ以上３００
μｍ以下であれば同じである。
共振器長が２００μｍにおいて、オフ角度θが９度以上
１５度以下でしきい値電流が４０ｍＡ以下となり、特に
オフ角度θが１１度以上１５度以下、なかでも略１３度
で良好になることがわかる。また、図示しないが、共振
器長が３００μｍにおいても、オフ角度θが９度以上１
５度以下でしきい値電流が４０ｍＡ程度以下、特にオフ
角度θが１１度以上１５度以下、なかでも略１３度で良
好になり、この傾向は共振器長が１５０μｍ以上３００
μｍ以下であれば同じである。
【００３２】これら図５〜図６から、斯る半導体レーザ
素子は、共振器長が３００μｍ以下がよく、且つオフ角
度θが９度以上１５度以下、好ましくは１１度以上１５
度以下、更に好ましくは略１３度がよいことが判る。
素子は、共振器長が３００μｍ以下がよく、且つオフ角
度θが９度以上１５度以下、好ましくは１１度以上１５
度以下、更に好ましくは略１３度がよいことが判る。
【００３３】従って、図３〜図６から、斯る半導体レー
ザ素子では、共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下
で且つオフ角度θが９度以上１５度以下において、最高
発振温度が５０℃以上で且つしきい値電流が４０ｍＡ程
度以下にでき、更に 共振器長が２００μｍ以上３００
μｍ以下で且つオフ角度θが９度以上１５度以下におい
て最高発振温度が６０℃程度以上で且つしきい値電流が
４０ｍＡ程度以下にでき、特にオフ角度θが１１度以上
１５度以下が好ましく、望ましくは略１３度であること
が判る。
ザ素子では、共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下
で且つオフ角度θが９度以上１５度以下において、最高
発振温度が５０℃以上で且つしきい値電流が４０ｍＡ程
度以下にでき、更に 共振器長が２００μｍ以上３００
μｍ以下で且つオフ角度θが９度以上１５度以下におい
て最高発振温度が６０℃程度以上で且つしきい値電流が
４０ｍＡ程度以下にでき、特にオフ角度θが１１度以上
１５度以下が好ましく、望ましくは略１３度であること
が判る。
【００３４】図７に、表１で用いた本実施例と比較例の
半導体レーザ素子の動作電流（ｍＡ）とエージング時間
（ｈ：時間）の関係を示す。尚、測定は素子環境温度５
０℃、光出力４ｍＷ、連続発振で図３〜図６と同じ条件
で行った。尚、ここでは、一例として共振器長が２００
μｍで基板のオフ角度θが９、１３、１５度の各場合を
示す。
半導体レーザ素子の動作電流（ｍＡ）とエージング時間
（ｈ：時間）の関係を示す。尚、測定は素子環境温度５
０℃、光出力４ｍＷ、連続発振で図３〜図６と同じ条件
で行った。尚、ここでは、一例として共振器長が２００
μｍで基板のオフ角度θが９、１３、１５度の各場合を
示す。
【００３５】この図７から、しきい値電流（動作電流）
が高い比較例の半導体レーザ素子は数百時間程度で動作
電流が急激に上昇するのに対して、本実施例の半導体レ
ーザ素子は２０００時間を越えても動作電流は略一定で
あり、信頼性が優れていることが判る。これは、図３〜
図４から判るように、本実施例の半導体レーザ素子が、
最高発振温度の特性が優れているためである。尚、共振
器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下で基板のオフ角度
θが９度以上１３度以下あれば同様に長くエージングし
ても動作電流は略一定であった。
が高い比較例の半導体レーザ素子は数百時間程度で動作
電流が急激に上昇するのに対して、本実施例の半導体レ
ーザ素子は２０００時間を越えても動作電流は略一定で
あり、信頼性が優れていることが判る。これは、図３〜
図４から判るように、本実施例の半導体レーザ素子が、
最高発振温度の特性が優れているためである。尚、共振
器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下で基板のオフ角度
θが９度以上１３度以下あれば同様に長くエージングし
ても動作電流は略一定であった。
【００３６】また、この図から従来周知の事項である
が、本素子もしきい値電流が小さければ、動作電流が小
さくなることが判る。
が、本素子もしきい値電流が小さければ、動作電流が小
さくなることが判る。
【００３７】斯る実施例の半導体レーザ素子が、最高発
振温度が高く発振しきい値電流が小さくなるのは、ｎ型
ＧａＡｓ基板１と、この基板１の一主面上に形成された
ｎ型クラッド層３と、このｎ型クラッド層３上に形成さ
れた引張り歪量子井戸層５ａを有する量子井戸構造から
なる活性層５と、この活性層５上に形成されたｐ型クラ
ッド層７、９と、を備え、前記基板１の一主面は（１０
０）面から［０１１］方向に９度〜１５度傾斜した面で
あり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下で
あるためである。即ち、少なくとも、上述のような一主
面上にはステップフロー成長が行われ、更に井戸層に引
張り歪を導入することで従来より幅広の井戸層を用いる
ことができるので、各層の結晶性がよくなるためであ
る。尚、多重量子障壁層はなくとも効果はあるが、具備
した方が好ましい。
振温度が高く発振しきい値電流が小さくなるのは、ｎ型
ＧａＡｓ基板１と、この基板１の一主面上に形成された
ｎ型クラッド層３と、このｎ型クラッド層３上に形成さ
れた引張り歪量子井戸層５ａを有する量子井戸構造から
なる活性層５と、この活性層５上に形成されたｐ型クラ
ッド層７、９と、を備え、前記基板１の一主面は（１０
０）面から［０１１］方向に９度〜１５度傾斜した面で
あり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下で
あるためである。即ち、少なくとも、上述のような一主
面上にはステップフロー成長が行われ、更に井戸層に引
張り歪を導入することで従来より幅広の井戸層を用いる
ことができるので、各層の結晶性がよくなるためであ
る。尚、多重量子障壁層はなくとも効果はあるが、具備
した方が好ましい。
【００３８】上記実施例では活性層の量子井戸層の歪量
を−０．５％としたが、この歪量と異なった値の引張り
歪を有する量子井戸層でも効果が得られ、井戸層は上記
４層に限らず６層以下１層以上であればよい。
を−０．５％としたが、この歪量と異なった値の引張り
歪を有する量子井戸層でも効果が得られ、井戸層は上記
４層に限らず６層以下１層以上であればよい。
【００３９】更に、上記実施例では、ＧａＡｓ基板１の
一主面は（１００）面から［０１１］方向に傾斜した面
であったが、これらと等価な関係にあれば同じ効果が得
られる。即ち、ＧａＡｓ基板の一主面（結晶成長面）
は、（１００）面から［０−１−１］方向に傾斜した
面、（０１０）面から［１０１］又は［−１０−１］方
向に傾斜した面、（００１）面から［１１０］又は［−
１−１０］方向に傾斜した面でもよく、即ち｛１００｝
面から＜０１１＞方向に傾斜した面であればよい。
一主面は（１００）面から［０１１］方向に傾斜した面
であったが、これらと等価な関係にあれば同じ効果が得
られる。即ち、ＧａＡｓ基板の一主面（結晶成長面）
は、（１００）面から［０−１−１］方向に傾斜した
面、（０１０）面から［１０１］又は［−１０−１］方
向に傾斜した面、（００１）面から［１１０］又は［−
１−１０］方向に傾斜した面でもよく、即ち｛１００｝
面から＜０１１＞方向に傾斜した面であればよい。
【００４０】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ素子は、第１導電
型のＧａＡｓ基板と、該基板の一主面上に形成された第
１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上
に形成された引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構造
からなる活性層と、該活性層上に形成された第２導電型
のクラッド層と、を備え、前記基板の一主面は｛１０
０｝面から＜０１１＞方向に９度〜１５度傾斜した面で
あり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下で
あるので、実用上においても最高発振温度が５０℃程度
以上で且つしきい値電流が４０ｍＡ程度以下にできる。
この結果、実用上においても斯る素子の信頼性が高くな
り且つ低消費電力となる。
型のＧａＡｓ基板と、該基板の一主面上に形成された第
１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上
に形成された引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構造
からなる活性層と、該活性層上に形成された第２導電型
のクラッド層と、を備え、前記基板の一主面は｛１０
０｝面から＜０１１＞方向に９度〜１５度傾斜した面で
あり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下で
あるので、実用上においても最高発振温度が５０℃程度
以上で且つしきい値電流が４０ｍＡ程度以下にできる。
この結果、実用上においても斯る素子の信頼性が高くな
り且つ低消費電力となる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体レーザ素子の概
略断面構造図である。
略断面構造図である。
【図２】上記実施例の半導体レーザ素子の活性層近傍の
バンド構造図である。
バンド構造図である。
【図３】上記実施例と比較例の半導体レーザ素子の最高
発振温度と共振器長の関係を示す図である。
発振温度と共振器長の関係を示す図である。
【図４】上記実施例と比較例の半導体レーザ素子の最高
発振温度とＧａＡｓ基板のオフ角度の関係を示す図であ
る。
発振温度とＧａＡｓ基板のオフ角度の関係を示す図であ
る。
【図５】上記実施例と比較例の半導体レーザ素子の発振
しきい値電流と共振器長の関係を示す図である。
しきい値電流と共振器長の関係を示す図である。
【図６】上記実施例と比較例の半導体レーザ素子の発振
しきい値電流とＧａＡｓ基板のオフ角度の関係を示す図
である。
しきい値電流とＧａＡｓ基板のオフ角度の関係を示す図
である。
【図７】上記実施例と比較例の半導体レーザ素子のエー
ジング時間と動作電流の関係を示す図である。
ジング時間と動作電流の関係を示す図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ３ ｎ型（ＡｌxaＧａ1-xa）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 ５ａ （ＡｌpＧａ1-p）qＩｎ1-qＰ引張り歪量子井戸層 ５ｂ （ＡｌrＧａ1-r）0.5Ｉｎ0.5Ｐ量子障壁層 ５ 活性層 ７ ｐ型（ＡｌxbＧａ1-xb）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 ８ａ ｐ型（ＡｌtＧａ1-t）uＩｎ1-uＰ量子井戸層 ８ｂ ｐ型（ＡｌvＧａ1-v）wＩｎ1-wＰ量子障壁層 ８ 多重量子障壁構造層 ９ ｐ型（ＡｌxcＧａ1-xc）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 靖之 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 ▲広▼山 良治 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 賀勢 裕之 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型のＧａＡｓ基板と、該基板の
一主面上に形成された第１導電型のクラッド層と、該第
１導電型のクラッド層上に形成された引張り歪量子井戸
層を有する量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上
に形成された第２導電型のクラッド層と、を備え、前記
基板の一主面は｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度
〜１５度傾斜した面であり、且つ共振器長が１５０μｍ
以上３００μｍ以下であることを特徴とする半導体レー
ザ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5163515A JPH0722696A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体レーザ素子 |
| US08/270,056 US5586136A (en) | 1993-07-01 | 1994-07-01 | Semiconductor laser device with a misoriented substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5163515A JPH0722696A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722696A true JPH0722696A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15775336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5163515A Pending JPH0722696A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5586136A (ja) |
| JP (1) | JPH0722696A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
| US6821648B2 (en) | 1999-12-02 | 2004-11-23 | Junji Kido | Electroluminescent element |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09502308A (ja) * | 1994-06-20 | 1997-03-04 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 放射線放出半導体屈折率案内型ダイオード |
| US5968845A (en) * | 1996-02-13 | 1999-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for etching a compound semiconductor, a semi-conductor laser device and method for producing the same |
| JP4097232B2 (ja) | 1996-09-05 | 2008-06-11 | 株式会社リコー | 半導体レーザ素子 |
| US6072196A (en) * | 1996-09-05 | 2000-06-06 | Ricoh Company, Ltd. | semiconductor light emitting devices |
| US6023483A (en) * | 1997-03-26 | 2000-02-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| JP4274393B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2009-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP3521792B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2004-04-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2001274503A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Nec Corp | 自励発振型半導体レーザ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4581742A (en) * | 1984-04-10 | 1986-04-08 | Rca Corporation | Semiconductor laser having a non-absorbing passive region with beam guiding |
| JPS60242689A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| US5276698A (en) * | 1990-09-20 | 1994-01-04 | Sumitomo Electric Ind., Ltd. | Semiconductor laser having an optical waveguide layer including an AlGaInP active layer |
| US5274656A (en) * | 1991-06-12 | 1993-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser |
| JPH05145178A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 歪量子井戸半導体レーザ素子 |
| JPH05243676A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5319660A (en) * | 1992-05-29 | 1994-06-07 | Mcdonnell Douglas Corporation | Multi-quantum barrier laser |
-
1993
- 1993-07-01 JP JP5163515A patent/JPH0722696A/ja active Pending
-
1994
- 1994-07-01 US US08/270,056 patent/US5586136A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
| US6821648B2 (en) | 1999-12-02 | 2004-11-23 | Junji Kido | Electroluminescent element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5586136A (en) | 1996-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6252894B1 (en) | Semiconductor laser using gallium nitride series compound semiconductor | |
| JP3468082B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2820140B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ | |
| JPH0722696A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH09219557A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2001210915A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3336599B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3091655B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US7362786B2 (en) | Semiconductor laser element having tensile-strained quantum-well active layer | |
| JPS60145687A (ja) | 半導体レ−ザ− | |
| JP2001068789A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0794822A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US20100238963A1 (en) | Gallium nitride based semiconductor laser device | |
| JP2007005720A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH09129969A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2860217B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3219871B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP3025747B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3138095B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3291447B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3291431B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPH06275915A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2002124736A (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPH10247756A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3193087B2 (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ半導体発光装置 |