JPH07192973A - Chip solid electrolytic capacitor - Google Patents
Chip solid electrolytic capacitorInfo
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- JPH07192973A JPH07192973A JP33262093A JP33262093A JPH07192973A JP H07192973 A JPH07192973 A JP H07192973A JP 33262093 A JP33262093 A JP 33262093A JP 33262093 A JP33262093 A JP 33262093A JP H07192973 A JPH07192973 A JP H07192973A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、チップ状固体電解コン
デンサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip solid electrolytic capacitor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のチップ状固体電解コンデンサは、
図４及び図５に示すように表面に誘電体酸化皮膜層２を
有するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属
からなる平板状の陽極基体１の表面に陽極部となる一部
を除いて半導体層３及び導電体層４を順次積層した固体
電解コンデンサ素子５（以下、コンデンサ素子と称す
る）を形成し、次いでこのコンデンサ素子５をリードフ
レーム６に接続するが、リードフレーム６の２ヶ所の凸
部６ａ、６ｂを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部
６ａ、６ｂに前記コンデンサ素子５の陽極部７と導電体
層形成部８を載置している。2. Description of the Related Art A conventional chip-shaped solid electrolytic capacitor is
As shown in FIGS. 4 and 5, a semiconductor is formed on the surface of a flat plate-shaped anode substrate 1 made of a valve metal such as aluminum, tantalum, niobium, etc., which has a dielectric oxide film layer 2 on the surface except for a part serving as an anode part. A solid electrolytic capacitor element 5 (hereinafter referred to as a capacitor element) in which the layer 3 and the conductor layer 4 are sequentially laminated is formed, and then the capacitor element 5 is connected to the lead frame 6, but the lead frame 6 has two convex portions. The portions 6a and 6b are opposed to each other with a space, and the anode portion 7 and the conductor layer forming portion 8 of the capacitor element 5 are placed on the respective convex portions 6a and 6b.
【０００３】そして前者は熔接９などで、後者は銀ペー
スト等の導電材１０でリードフレーム６の凸部６ａ、６
ｂに電気的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂１１で
封止して、チップ状固体電解コンデンサ１２が構成され
ている。そしてこの封口した固体電解コンデンサは、容
量等の電気性能を満たすことが要求され、さらに負荷テ
スト、耐湿テスト等の抜き取り検査に合格したものを製
品としている。The former is a welding 9 or the like, and the latter is a conductive material 10 such as silver paste or the like, and the projections 6a, 6 of the lead frame 6 are formed.
After being electrically and mechanically connected to b, the chip-shaped solid electrolytic capacitor 12 is formed by sealing with the exterior resin 11. The sealed solid electrolytic capacitor is required to satisfy the electrical performance such as capacity, and the product is one that has passed a sampling test such as a load test and a moisture resistance test.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前述したコンデンサ素
子は、耐湿テスト時、湿気がリードフレームから進入
し、コンデンサ素子の誘電体酸化皮膜層近くまで接近
し、作製したコンデンサの容量並びにｔａｎδ値を上昇
させるという欠点があった。このような欠点を防ぐため
に、コンデンサ素子を耐水性の樹脂で覆うことが考えら
れているが、作業性が悪く、またコスト上の問題があっ
た。In the above-described capacitor element, during the humidity resistance test, moisture enters from the lead frame and approaches the dielectric element near the dielectric oxide film layer of the capacitor element, thereby increasing the capacitance and tan δ value of the manufactured capacitor. There was a drawback that In order to prevent such a defect, it is considered to cover the capacitor element with a water-resistant resin, but it has poor workability and has a cost problem.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した問題
点を解決するためになされたものであって、その要旨は
表面に誘電体酸化皮膜層を有する平板状の弁作用金属か
らなる陽極基体の端部を陽極部とし、この陽極基体の残
部の前記誘電体酸化皮膜層上に半導体層、その上に導電
体層が形成された導電体層形成部を有する固体電解コン
デンサ素子であって、前記陽極部と前記導電体層形成部
は、一対の対向して配置された凸部を有するリードフレ
ームの各凸部に各々金属線を介して接続されており、前
記リードフレームの一部を残して封口されているチップ
状固体電解コンデンサにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the gist thereof is an anode made of a flat valve metal having a dielectric oxide film layer on its surface. A solid electrolytic capacitor element having an end portion of a substrate as an anode portion, a semiconductor layer on the remaining dielectric oxide film layer of the anode substrate, and a conductor layer forming portion having a conductor layer formed thereon. The anode part and the conductor layer forming part are connected to the respective projecting parts of a lead frame having a pair of facing projecting parts via metal wires, and a part of the lead frame is formed. It is in a chip-shaped solid electrolytic capacitor that is sealed and left.
【０００６】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明において固体電解コンデンサの陽極として用いられ
る弁作用を有する陽極基体としては、例えばアルミニウ
ム、タンタル、及びこれらを基質とする合金等、弁作用
を有する金属がいずれも使用できる。そして陽極基体の
形状としては平板状のアルミニウムの箔や板があげられ
る。陽極基体の表面に設けられる誘電体酸化皮膜層は、
弁作用金属の表面部分に設けられた弁作用金属自体の酸
化物層であってもよく、或は、弁作用金属の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に
弁作用金属自体の酸化物からなる層であることが望まし
い。The present invention will be described in detail below. As the anode substrate having a valve action which is used as the anode of the solid electrolytic capacitor in the present invention, any metal having a valve action such as aluminum, tantalum, and an alloy having these as a substrate can be used. The shape of the anode substrate may be a flat aluminum foil or plate. The dielectric oxide film layer provided on the surface of the anode substrate is
It may be an oxide layer of the valve action metal itself provided on the surface portion of the valve action metal, or may be a layer of another dielectric oxide provided on the surface of the valve action metal. However, it is particularly desirable that the layer is composed of an oxide of the valve action metal itself.
【０００７】本発明では、表面に誘電体酸化皮膜層が形
成された平板状の陽極基体の端部の一区画に陽極部を設
けており、陽極部とした以外の残りの誘電体酸化皮膜層
上に半導体層を形成させているが、半導体層の種類には
特に制限はなく、従来公知の半導体層が使用できる。こ
の中で、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛と硫
酸鉛からなる半導体層（特開昭６２−２５６４２３号公
報、特開昭６３−５１６２１号公報）が、作製した固体
電解コンデンサの高周波性能が良好なために好ましい。In the present invention, the anode part is provided in one section of the end portion of the flat plate-shaped anode substrate having the dielectric oxide film layer formed on the surface, and the remaining dielectric oxide film layer other than the anode part is provided. Although the semiconductor layer is formed on the semiconductor layer, the type of the semiconductor layer is not particularly limited, and a conventionally known semiconductor layer can be used. Among them, the semiconductor layer made of lead dioxide and lead sulfate (Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-256423 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-51621) filed by the applicant of the present application has high frequency performance of the produced solid electrolytic capacitor. It is preferable because it is good.
【０００８】また、テトラチオテトラセンとクロラニル
の錯体を半導体層として形成させる方法（特開昭６２−
２９１２３号公報）、複素５員環高分子化合物にドーパ
ントをドープした電導性高分子化合物からなる半導体層
（特開昭６０−３７１１４号公報）もその一例である。
そしてこのような半導体層上には、例えばカーボンペー
スト及び／又は銀ペースト等の従来公知の導電ペースト
を積層して導電体層形成部を構成している。また本発明
においては、前述した陽極部と導電体層形成部との界面
に絶縁性樹脂によってはち巻き状に樹脂層部をあらかじ
め形成しておくと、半導体層を形成するときに半導体層
の形成面積が一定しバラツキの少ない容量のものが得ら
れる。次に、このように導電体層まで形成されたコンデ
ンサ素子を一対の対向して配置されたリードフレームに
接続する方法を説明する。図１は、コンデンサ素子５を
金属線１３で接合した状態を示す断面図である。A method of forming a complex of tetrathiotetracene and chloranil as a semiconductor layer (Japanese Patent Laid-Open No. 62-62-62).
29123) and a semiconductor layer made of a conductive polymer compound obtained by doping a hetero five-membered ring polymer compound with a dopant (JP-A-60-37114).
Then, a conventionally known conductive paste such as carbon paste and / or silver paste is laminated on such a semiconductor layer to form a conductor layer forming portion. Further, in the present invention, when the resin layer portion is formed in advance in a spiral shape with an insulating resin at the interface between the above-mentioned anode portion and the conductor layer forming portion, the semiconductor layer is formed when the semiconductor layer is formed. It is possible to obtain a capacitor having a constant area and a small variation. Next, a method of connecting the capacitor element thus formed up to the conductor layer to the pair of lead frames arranged so as to face each other will be described. FIG. 1 is a sectional view showing a state in which the capacitor element 5 is joined by the metal wire 13.
【０００９】図１において、陽極基体１の表面に誘電体
酸化皮膜層２が形成されており、その上に半導体層３、
さらにその上に導電体層４が形成されたコンデンサ素子
５の陽極部７と導電体層形成部８とが、リードフレーム
６の各凸部６ａ、６ｂに各々金属線１３で接合されてい
る。図２は、図１の平面図である。図２では、金属線を
リードフレームの中心と陽極部の中心を接続した図を例
示したが、リードフレームのどの部所と、陽極部のどの
部所を接続してもよい。また、金属線１３の材質として
は、鉄、ニッケル、銅、アルミ、タンタル及びこれらの
合金等公知のものがあげられ、金属線には半田等のメッ
キが施されていれば、接続のときに好都合である。金属
線の太さは、数ミクロンないし数ミリメートルのものが
適用され、リードフレームとの接続の容易さ、コンデン
サ素子の形状等によって選定される。金属線の長さは通
常、数ミリメートルであるが、後述する外装形状、固体
電解コンデンサの大きさによって決定される。一般に金
属線は、後述する外装時の応力を緩和するために、遊び
を持たせてリードフレームと陽極部間を接続することが
好ましい。金属線とリードフレーム及び陽極部とは熔
接、導電ペースト、半田等で接続される。In FIG. 1, a dielectric oxide film layer 2 is formed on the surface of an anode substrate 1, on which a semiconductor layer 3,
Further, the anode portion 7 of the capacitor element 5 on which the conductor layer 4 is formed and the conductor layer forming portion 8 are joined to the respective protrusions 6a and 6b of the lead frame 6 by the metal wire 13. FIG. 2 is a plan view of FIG. In FIG. 2, the metal wire is connected to the center of the lead frame and the center of the anode part, but any part of the lead frame may be connected to any part of the anode part. Examples of the material of the metal wire 13 include known materials such as iron, nickel, copper, aluminum, tantalum, and alloys thereof. If the metal wire is plated with solder, etc. It is convenient. The thickness of the metal wire is several microns to several millimeters, and is selected depending on the ease of connection with the lead frame, the shape of the capacitor element, and the like. The length of the metal wire is usually several millimeters, but it is determined by the exterior shape and the size of the solid electrolytic capacitor described later. In general, it is preferable that the metal wire is provided with play to connect between the lead frame and the anode part in order to relieve the stress at the time of exterior packaging described later. The metal wire is connected to the lead frame and the anode portion by welding, conductive paste, solder or the like.
【００１０】図１及び図２では、金属線１３の本数を各
１本で示したが、接続を強固にするために複数本接続し
てもよい。また、金属線の接続順序として、あらかじめ
リードフレーム６の各凸部６ａと６ｂに金属線１３が接
続したリードフレームを使用して、コンデンサ素子の陽
極部７と導電体層形成部８とに各々接続してもよい。或
いは、あらかじめ陽極部７と導電体層形成部８とに金属
線１３を接続しておきリードフレーム６の各凸部６ａ、
６ｂとに各々接続してもよい。又は、リードフレーム６
の凸部６ａか６ｂの一方に、或いはコンデンサ素子の陽
極部７か導電体層形成部８の一方のみに、あらかじめ金
属線を接続しておいてもよい。本発明においては、図３
に例示したように、コンデンサ素子５の導電体層形成部
８の下面を、金属箔１４に導電材１０で接続しておいて
もよい。In FIG. 1 and FIG. 2, the number of the metal wires 13 is shown as one each, but a plurality of wires may be connected to strengthen the connection. In addition, as a connection order of the metal wires, a lead frame in which the metal wires 13 are connected to the respective convex portions 6a and 6b of the lead frame 6 in advance is used, and the anode portion 7 and the conductor layer forming portion 8 of the capacitor element are respectively connected. You may connect. Alternatively, the metal wire 13 is connected to the anode portion 7 and the conductor layer forming portion 8 in advance, and each convex portion 6a of the lead frame 6 is
6b may be connected to each. Or the lead frame 6
The metal wire may be preliminarily connected to either one of the convex portions 6a and 6b, or only one of the anode portion 7 and the conductor layer forming portion 8 of the capacitor element. In the present invention, FIG.
As illustrated in, the lower surface of the conductor layer forming portion 8 of the capacitor element 5 may be connected to the metal foil 14 with the conductive material 10.
【００１１】この場合、金属箔１４をあらかじめリード
フレーム６の凸部６ａもしくは６ｂの延長部として一体
のものとしておき、コンデンサ素子５の導電体層形成部
８を載置接続した後、リードフレームの他方の凸部６ａ
もしくは６ｂと金属線１３で接続し、つづいてリードフ
レームの凸部６ａもしくは６ｂの所定の所２カ所で切断
することにより、金属箔１４とリードフレームの凸部６
ａもしくは６ｂとを分離し、さらにコンデンサ素子５を
リードフレームの凸部６ａもしくは６ｂと金属線１３で
接続すると、コンデンサ素子５とリードフレーム６との
金属線１３による接続が容易に行われて好都合である。In this case, the metal foil 14 is previously integrated as an extension of the projection 6a or 6b of the lead frame 6, and the conductor layer forming portion 8 of the capacitor element 5 is mounted and connected, and then the lead frame 6 is formed. The other convex portion 6a
Alternatively, the metal foil 14 and the projecting portion 6 of the lead frame are connected to each other by connecting the metal wire 13 to the projecting portion 6b and then cutting the projecting portion 6a or 6b of the lead frame at two predetermined places.
If a or 6b is separated and the capacitor element 5 is connected to the convex portion 6a or 6b of the lead frame by the metal wire 13, the connection between the capacitor element 5 and the lead frame 6 by the metal wire 13 is easily performed, which is convenient. Is.
【００１２】導電材１０としては、銀ペースト等の公知
の導電ペースト、クリーム半田等の溶融可能金属があげ
られる。又、金属箔１４および前述したリードフレーム
６の材質としては、鉄、銅、ニッケルやこれらの合金等
公知のものがあげられる。金属箔１４およびリードフレ
ーム６には半田等のメッキが施されていてもよい。金属
箔１４およびリードフレーム６の厚さは、数１０ミクロ
ンから数１００ミクロンのものが適用され、幅はコンデ
ンサ素子５の形状等によって決定される。Examples of the conductive material 10 include known conductive paste such as silver paste, and meltable metal such as cream solder. Further, as the material of the metal foil 14 and the above-mentioned lead frame 6, known materials such as iron, copper, nickel and alloys thereof can be cited. The metal foil 14 and the lead frame 6 may be plated with solder or the like. The thickness of the metal foil 14 and the lead frame 6 is several tens to several hundreds of microns, and the width is determined by the shape of the capacitor element 5 and the like.
【００１３】このようにしてリードフレームに接続され
たコンデンサ素子は、リードフレームの一部を残してエ
ポキシ樹脂等の外装樹脂１１により、トランスファー成
形機などで封止成形を行った後、リードフレームの凸部
をコンデンサ素子の近辺で切断してチップ状の固体電解
コンデンサとしている。The capacitor element thus connected to the lead frame is sealed and molded by a transfer molding machine or the like with an exterior resin 11 such as an epoxy resin leaving a part of the lead frame, and then the lead frame The convex portion is cut near the capacitor element to form a chip-shaped solid electrolytic capacitor.
【００１４】[0014]
【作用】コンデンサ素子とリードフレームの凸部との接
続を金属線で行っているので、リードフレームを介し
て、湿気が誘電体酸化皮膜層に進入することが緩和され
る。Since the connection between the capacitor element and the convex portion of the lead frame is made by the metal wire, it is possible to relieve moisture from entering the dielectric oxide film layer via the lead frame.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、実施例および比較例を示して本発明を
さらに詳しく説明する。 実施例１ りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中で化成処理して表
面に誘電体酸化皮膜層を形成した４５μＦ／ｃｍ2 のア
ルミニウムエッチング箔（以下、化成箔と称する。）の
小片４ｍｍ×３ｍｍを用意した。この化成箔の端から１
ｍｍ×３ｍｍの部分を陽極部とし、残り３ｍｍ×３ｍｍ
の部分を酢酸鉛三水和物２．４モル／ｌ水溶液と過硫酸
アンモニウム４．０モル／ｌ水溶液の混合液に浸漬し、
６０℃で２０分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導
体層を形成した。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. Example 1 A small piece 4 mm × 3 mm of a 45 μF / cm 2 aluminum etching foil (hereinafter referred to as a chemical conversion foil) having a dielectric oxide film layer formed on its surface by chemical conversion treatment in an aqueous solution of phosphoric acid and ammonium phosphate was prepared. did. 1 from the edge of this formed foil
The area of mm x 3 mm is the anode part, and the remaining 3 mm x 3 mm
Is dipped in a mixed solution of a 2.4 mol / l aqueous solution of lead acetate trihydrate and a 4.0 mol / l aqueous solution of ammonium persulfate,
After standing at 60 ° C. for 20 minutes, a semiconductor layer composed of lead dioxide and lead sulfate was formed.
【００１６】このような操作を３回行った後、半導体層
上にカーボンペースト及び銀ペーストを順に積層して導
電体層を形成し、コンデンサ素子を作製した。一方、別
に用意したリードフレーム（材質４２アロイ、半田メッ
キ、厚み０．１ｍｍ、凸部の寸法：幅３ｍｍ、凸部の先
端間隙５．０ｍｍ）を用い、陽極部の先端中央部と一方
の凸部の先端中央部に０．２５ｍｍφ、長さ４ｍｍのア
ルミ線を渡し、両端をそれぞれ熔接で接続すると共に、
導電体層形成部の先端中央部と他方の凸部の先端中央部
に０．２５ｍｍφ、長さ４ｍｍのアルミ線を渡し、両端
をそれぞれ銀ペーストで接続した。その後、エポキシ樹
脂を用いてトランスファー成形して外形寸法７ｍｍ×４
ｍｍ×３ｍｍのチップ状固体電解コンデンサを作製し
た。After performing such an operation three times, a carbon paste and a silver paste were sequentially laminated on the semiconductor layer to form a conductor layer, and a capacitor element was manufactured. On the other hand, using a separately prepared lead frame (material 42 alloy, solder plating, thickness 0.1 mm, convex portion size: width 3 mm, convex portion tip gap 5.0 mm), the anode central portion and one convex portion are used. Pass the aluminum wire of 0.25 mmφ and length of 4 mm to the center of the tip of the part and connect both ends by welding.
An aluminum wire of 0.25 mmφ and a length of 4 mm was passed between the center of the tip of the conductor layer forming portion and the center of the tip of the other convex portion, and both ends were connected with a silver paste. After that, transfer molding is performed using epoxy resin, and external dimensions are 7 mm x 4
A chip-shaped solid electrolytic capacitor having a size of mm × 3 mm was produced.
【００１７】実施例２ 実施例１で、化成箔のかわりに、りん酸水溶液中で化成
処理して表面に誘電体酸化皮膜層を形成したタンタル焼
結体（陽極棒は無い）の小片４ｍｍ×３ｍｍ（厚さ０．
６ｍｍ）を使用した以外は実施例１と同様にしてチップ
状固体電解コンデンサを作製した。Example 2 A small piece of a tantalum sintered body (no anode bar) having a dielectric oxide film layer formed on its surface by chemical conversion treatment in a phosphoric acid aqueous solution instead of the chemical conversion foil in Example 1 4 mm × 3 mm (thickness 0.
A chip-shaped solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that 6 mm) was used.
【００１８】実施例３，４ 実施例１，２で半導体層を酢酸鉛三水和物２．４モル／
ｌ水溶液に化成箔を浸漬して、別に用意した白金陰極と
の間で電気化学的に形成した二酸化鉛にした以外は、実
施例１，２と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを
作製した。Examples 3 and 4 In Examples 1 and 2, the semiconductor layer was made to contain lead acetate trihydrate in an amount of 2.4 mol / mol.
A chip-shaped solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Examples 1 and 2 except that the chemical conversion foil was immersed in an aqueous solution to prepare lead dioxide that was electrochemically formed between a separately prepared platinum cathode.
【００１９】比較例１，２ リードフレームの先端間隔を０．５ｍｍにして、コンデ
ンサ素子の陽極部をリードフレームの一方の凸部に載置
し、導電体層形成部を他方の凸部に載置し、前者は熔接
で、後者は銀ペーストで接続した以外は実施例１，２と
同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。以
上のように作製した直後の固体電解コンデンサの状態及
び８５℃、８５％ＲＨの耐湿テストを２００時間行った
後のコンデンサの性能を表１に示した。なお、各実施例
又は比較例は全数値ｎ＝５０点の平均値である。Comparative Examples 1 and 2 With the tip spacing of the lead frame set to 0.5 mm, the anode part of the capacitor element was placed on one convex part of the lead frame and the conductor layer forming part was placed on the other convex part. The chip-shaped solid electrolytic capacitors were manufactured in the same manner as in Examples 1 and 2 except that the former was connected by welding and the latter was connected by silver paste. Table 1 shows the state of the solid electrolytic capacitor immediately after being manufactured as described above and the performance of the capacitor after a humidity resistance test at 85 ° C. and 85% RH for 200 hours. Each example or comparative example is an average value of all numerical values n = 50 points.
【００２０】[0020]
【表１】 [Table 1]
【００２１】尚、本発明について、単層の固体電解コン
デンサを例に説明してきたが、積層の固体電解コンデン
サにも適用できることはいうまでもない。Although the present invention has been described by taking the single-layer solid electrolytic capacitor as an example, it goes without saying that the present invention can also be applied to a laminated solid electrolytic capacitor.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明のチップ状固体電解コンデンサ
は、コンデンサ素子とリードフレームとの接続を金属線
を介して行っているため、耐湿テスト後の容量とｔａｎ
δ値の上昇が緩和される。In the chip-type solid electrolytic capacitor of the present invention, the capacitor element and the lead frame are connected via the metal wire, so that the capacitance and tan after the moisture resistance test are increased.
The rise in δ value is alleviated.
【図１】コンデンサ素子を金属線によりリードフレーム
に接続した状態を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state in which a capacitor element is connected to a lead frame by a metal wire.
【図２】コンデンサ素子を金属線によりリードフレーム
に接続した状態を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a state in which a capacitor element is connected to a lead frame by a metal wire.
【図３】コンデンサ素子を金属線によりリードフレーム
に接続した状態を示す他例の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of another example showing a state in which a capacitor element is connected to a lead frame by a metal wire.
【図４】従来のチップ状固体電解コンデンサをリードフ
レームに載置した状態を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where a conventional chip solid electrolytic capacitor is mounted on a lead frame.
【図５】従来のチップ状固体電解コンデンサをリードフ
レームに載置した状態を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a state in which a conventional chip solid electrolytic capacitor is mounted on a lead frame.
１ 陽極基体 ２ 誘電体酸化皮膜層 ３ 半導体層 ４ 導電体層 ５ 固体電解コンデンサ素子 ６ａ リードフレームの一方の凸部 ６ｂ リードフレームの他方の凸部 ７ 陽極部 ８ 導電体層形成部 ９ 熔接 １０ 導電材 １１ 外装樹脂 １２ チップ状固体電解コンデンサ １３ 金属線 １４ 金属箔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anode substrate 2 Dielectric oxide film layer 3 Semiconductor layer 4 Conductor layer 5 Solid electrolytic capacitor element 6a One convex portion of lead frame 6b Other convex portion of lead frame 7 Anode portion 8 Conductive layer forming portion 9 Welding 10 Conductivity Material 11 Exterior resin 12 Chip solid electrolytic capacitor 13 Metal wire 14 Metal foil
Claims (1)
の弁作用金属からなる陽極基体の端部を陽極部とし、こ
の陽極基体の残部の前記誘電体酸化皮膜層上に半導体
層、その上に導電体層が形成された導電体層形成部を有
する固体電解コンデンサ素子であって、前記陽極部と前
記導電体層形成部は、一対の対向して配置された凸部を
有するリードフレームの各凸部に各々金属線を介して接
続されており、前記リードフレームの一部を残して封口
されていることを特徴とするチップ状固体電解コンデン
サ。1. An end portion of an anode substrate made of a flat valve metal having a dielectric oxide film layer on its surface is used as an anode part, and a semiconductor layer is formed on the remaining dielectric oxide film layer of the anode substrate. A solid electrolytic capacitor element having a conductor layer forming portion on which a conductor layer is formed, wherein the anode part and the conductor layer forming portion have a pair of projecting portions arranged facing each other. The chip-shaped solid electrolytic capacitor, wherein the chip-shaped solid electrolytic capacitor is connected to each of the protrusions via a metal wire and is sealed with a part of the lead frame left.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33262093A JPH07192973A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Chip solid electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33262093A JPH07192973A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Chip solid electrolytic capacitor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192973A true JPH07192973A (en) | 1995-07-28 |
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ID=18256990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33262093A Pending JPH07192973A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Chip solid electrolytic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192973A (en) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33262093A patent/JPH07192973A/en active Pending
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