JPH0718163Y2 - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JPH0718163Y2 JPH0718163Y2 JP1987188229U JP18822987U JPH0718163Y2 JP H0718163 Y2 JPH0718163 Y2 JP H0718163Y2 JP 1987188229 U JP1987188229 U JP 1987188229U JP 18822987 U JP18822987 U JP 18822987U JP H0718163 Y2 JPH0718163 Y2 JP H0718163Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- circuit board
- filter
- dielectric filter
- outer conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は誘電体フィルタに関し、特に、１つの誘電体
ブロックに複数の同軸共振器が形成されかつその開放端
側に回路基板が設けられた、誘電体フィルタに関する。
ブロックに複数の同軸共振器が形成されかつその開放端
側に回路基板が設けられた、誘電体フィルタに関する。
本件出願人は先に、たとえば特願昭61-254452号におい
て、この種の誘電体フィルタを提案した。
て、この種の誘電体フィルタを提案した。
この誘電体フィルタは、第２図に示すように、１つの誘
電体ブロック１に形成された複数の同軸形共振素子によ
って構成される。このような構成の誘電体フィルタはす
でに公知であり、ここではそれ以上の詳細な説明は省略
する。
電体ブロック１に形成された複数の同軸形共振素子によ
って構成される。このような構成の誘電体フィルタはす
でに公知であり、ここではそれ以上の詳細な説明は省略
する。
この背景技術では、フィルタ特性をトリミングによって
調整し易くするため、あるいは減衰極を形成するため等
の理由で、誘電体ブロック１の開放端側に、所定の同軸
共振素子が接続される回路基板２を配置してその上から
金属ケース３を被せてその金属ケース３を外導体（アー
ス）に接続している。
調整し易くするため、あるいは減衰極を形成するため等
の理由で、誘電体ブロック１の開放端側に、所定の同軸
共振素子が接続される回路基板２を配置してその上から
金属ケース３を被せてその金属ケース３を外導体（アー
ス）に接続している。
〔考案が解決しようとする問題点〕 背景技術の誘電体フィルタでは、第２図に示すように、
回路基板２と金属ケース３とが密着して固定されている
ので、回路基板２上のホット側パターンと金属ケース３
との間に、漂遊静電容量が生じる。このような漂遊静電
容量は、回路基板２とケース３との接触の状態や程度に
よって大きく変化するため、共振周波数の変化を生じ、
したがってフィルタ特性全体が変化してしまう。このよ
うな漂遊静電容量の影響を排除してフィルタ特性を調整
するためには時間がかかり、したがって量産性がよくな
いという問題点がある。
回路基板２と金属ケース３とが密着して固定されている
ので、回路基板２上のホット側パターンと金属ケース３
との間に、漂遊静電容量が生じる。このような漂遊静電
容量は、回路基板２とケース３との接触の状態や程度に
よって大きく変化するため、共振周波数の変化を生じ、
したがってフィルタ特性全体が変化してしまう。このよ
うな漂遊静電容量の影響を排除してフィルタ特性を調整
するためには時間がかかり、したがって量産性がよくな
いという問題点がある。
それゆえに、この考案の主たる目的は、漂遊静電容量の
影響を極力抑えて量産性を向上させることができる、誘
電体フィルタを提供することである。
影響を極力抑えて量産性を向上させることができる、誘
電体フィルタを提供することである。
この考案は、簡単にいえば、１つの誘電体ブロックに複
数の貫通孔に形成された内導体と共通の外導体とによっ
て複数の同軸共振素子を形成した誘電体フィルタであっ
て、誘電体ブロックの開放面側に設けられた回路基板
と、回路基板を覆うかつ外導体に接続される金属ケース
とを備える誘電体フィルタにおいて、回路基板と金属ケ
ースとの間に一定の間隔を隔てるための低誘電率の誘電
体からなるスペーサを設けたことを特徴とする、誘電体
フィルタである。
数の貫通孔に形成された内導体と共通の外導体とによっ
て複数の同軸共振素子を形成した誘電体フィルタであっ
て、誘電体ブロックの開放面側に設けられた回路基板
と、回路基板を覆うかつ外導体に接続される金属ケース
とを備える誘電体フィルタにおいて、回路基板と金属ケ
ースとの間に一定の間隔を隔てるための低誘電率の誘電
体からなるスペーサを設けたことを特徴とする、誘電体
フィルタである。
回路基板とケースとの間に介挿された低誘電率の誘電体
からなるスペーサによってそれらの間に一定の間隔が形
成され、漂遊静電容量が小さくなる。
からなるスペーサによってそれらの間に一定の間隔が形
成され、漂遊静電容量が小さくなる。
この考案によれば、回路基板との間の間隔が低誘電率の
誘電体からなるスペーサによって常に一定にされ得るの
で、前述の漂遊静電容量を小さくしかも安定にすること
ができる。したがって、同軸共振器の共振周波数の変動
が小さくかつ安定になるため、フィルタ特性の調整が簡
単でよくなり、量産性の向上が期待できる。
誘電体からなるスペーサによって常に一定にされ得るの
で、前述の漂遊静電容量を小さくしかも安定にすること
ができる。したがって、同軸共振器の共振周波数の変動
が小さくかつ安定になるため、フィルタ特性の調整が簡
単でよくなり、量産性の向上が期待できる。
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例） 第１図はこの考案の一実施例を示す断面図解図である。
誘電体フィルタ10は、略直方体形状のたとえば酸化チタ
ン系セラミックなどからなる誘電体ブロック12を含み、
この誘電体ブロック12には、複数の貫通孔14が垂直に形
成される。そして、貫通孔14のそれぞれの内壁には、金
属膜からなる内導体16が形成される。また、誘電体ブロ
ック12の外側面には、開放端すなわち第１図では底面を
除いて、金属膜からなる外導体18が形成される。この外
導体18は、短絡端側において、各内導体16と電気的に接
続される。このようにして、誘電体ブロック12と各内導
体16および共通の外導体18とによって、各貫通孔14毎
に、λ/4の同軸共振器が形成される。
誘電体フィルタ10は、略直方体形状のたとえば酸化チタ
ン系セラミックなどからなる誘電体ブロック12を含み、
この誘電体ブロック12には、複数の貫通孔14が垂直に形
成される。そして、貫通孔14のそれぞれの内壁には、金
属膜からなる内導体16が形成される。また、誘電体ブロ
ック12の外側面には、開放端すなわち第１図では底面を
除いて、金属膜からなる外導体18が形成される。この外
導体18は、短絡端側において、各内導体16と電気的に接
続される。このようにして、誘電体ブロック12と各内導
体16および共通の外導体18とによって、各貫通孔14毎
に、λ/4の同軸共振器が形成される。
各貫通孔14の間には、誘電体ブロック12の長さ方向に貫
通する結合孔20が形成される。この結合孔20の内面には
導体が形成されず、したがって上述の各同軸共振器の隣
合うものどうしが結合孔20によって電磁的に結合され、
全体としてフィルタ特性を呈する。しかしながら、この
ような誘電体フィルタ自体は既に公知であり、ここでは
これ以上の説明は省略する。
通する結合孔20が形成される。この結合孔20の内面には
導体が形成されず、したがって上述の各同軸共振器の隣
合うものどうしが結合孔20によって電磁的に結合され、
全体としてフィルタ特性を呈する。しかしながら、この
ような誘電体フィルタ自体は既に公知であり、ここでは
これ以上の説明は省略する。
外導体18が形成されない誘電体ブロック12の開放端側か
ら、この実施例では、貫通孔14のそれぞれに、誘電体ブ
ッシング22が嵌め込まれる。それぞれの誘電体ブッシン
グ22には、金属ピン26a〜26dが、それぞれの中心におい
てフランジ部24の下面から突出するように設けられる。
そして、誘電体ブッシング22の下面には、アルミナやテ
フロン（商品名）グラス等の絶縁材料からなる回路基板
28が固着される。回路基板28と誘電体ブロック12の開放
端面との間隔は、誘電体ブッシング22のフランジ部24の
高さによって設定される。
ら、この実施例では、貫通孔14のそれぞれに、誘電体ブ
ッシング22が嵌め込まれる。それぞれの誘電体ブッシン
グ22には、金属ピン26a〜26dが、それぞれの中心におい
てフランジ部24の下面から突出するように設けられる。
そして、誘電体ブッシング22の下面には、アルミナやテ
フロン（商品名）グラス等の絶縁材料からなる回路基板
28が固着される。回路基板28と誘電体ブロック12の開放
端面との間隔は、誘電体ブッシング22のフランジ部24の
高さによって設定される。
回路基板28上には、図示しないが適宜の導電パターンが
形成されている。必要に応じて、任意の同軸共振器すな
わち金属ピン26bおよび／または26cをその導電パターン
に接続したりしなかったりすることによって、先に述べ
たように、フィルタ特性の変更や減衰極の形成などを行
う。
形成されている。必要に応じて、任意の同軸共振器すな
わち金属ピン26bおよび／または26cをその導電パターン
に接続したりしなかったりすることによって、先に述べ
たように、フィルタ特性の変更や減衰極の形成などを行
う。
なお、第１図は単に図解のためだけであり、具体的なフ
ィルタ特性は上述の導電パターンの形やそれに接続され
る同軸共振器の数や位置さらにはリアクタンス値等によ
って決まるものである。しかしながら、それらの具体的
な構成は本件考案にとって重要ではないので、これ以上
の説明は省略する。
ィルタ特性は上述の導電パターンの形やそれに接続され
る同軸共振器の数や位置さらにはリアクタンス値等によ
って決まるものである。しかしながら、それらの具体的
な構成は本件考案にとって重要ではないので、これ以上
の説明は省略する。
そして、初段の同軸共振器に結合する金属ピン26aおよ
び最終段の同軸共振器に結合する金属ピン26dは、それ
ぞれ、回路基板28に接続されないで（ただし、必要に応
じて接続されてもよい）、さらに下方に延びて形成され
る。金属ピン26aが入力端子となり、金属ピン26dが出力
端子となる。
び最終段の同軸共振器に結合する金属ピン26dは、それ
ぞれ、回路基板28に接続されないで（ただし、必要に応
じて接続されてもよい）、さらに下方に延びて形成され
る。金属ピン26aが入力端子となり、金属ピン26dが出力
端子となる。
金属ピン26aおよび26dにそれぞれスペーサ30が嵌め込ま
れる。スペーサ30はたとえば低誘電率の誘電体たとえば
合成樹脂からなり、中心に孔26が形成されかつ一定の厚
み（高さ）を有する略円板状に形成される。その孔に金
属ピン26aおよび26dがそれぞれ挿通される。
れる。スペーサ30はたとえば低誘電率の誘電体たとえば
合成樹脂からなり、中心に孔26が形成されかつ一定の厚
み（高さ）を有する略円板状に形成される。その孔に金
属ピン26aおよび26dがそれぞれ挿通される。
スペーサ30の下には、さらに、金属カバーないしケース
32が設けられ、この金属ケース32は外導体18に電気的に
接続されかつ機械的に固定され、それによって開放端側
がシールドされる。注目すべきは、金属ケース32と回路
基板28との間にスペーサ30が介挿され、それによって両
者の間には一定以上の間隔が隔てられていることであ
る。
32が設けられ、この金属ケース32は外導体18に電気的に
接続されかつ機械的に固定され、それによって開放端側
がシールドされる。注目すべきは、金属ケース32と回路
基板28との間にスペーサ30が介挿され、それによって両
者の間には一定以上の間隔が隔てられていることであ
る。
このように間隔を形成することによって、回路基板28に
形成されたホット側パターン（図示せず）と金属ケース
32との間の漂遊静電容量が小さくできるのである。
形成されたホット側パターン（図示せず）と金属ケース
32との間の漂遊静電容量が小さくできるのである。
漂遊静電容量をCsとすると、この誘電体フィルタ10を構
成する同軸共振器がλ/4共振器である場合、共振角周波
数ωは、特性インピーダンスがＺ、実効誘電率がεｒ、
共振器の長さがｌ、そして光の速さがｃのとき、 となる。
成する同軸共振器がλ/4共振器である場合、共振角周波
数ωは、特性インピーダンスがＺ、実効誘電率がεｒ、
共振器の長さがｌ、そして光の速さがｃのとき、 となる。
一方、漂遊静電容量Csの影響がない場合、共振周波数fo
は、 となる。ここで、具体的に数値の一例を代入してみる
と、特性インピーダンスＺ＝10Ω，実効誘電率εｒ＝90
および共振器の長さｌ＝9mmで漂遊静電容量Csの影響が
ないとすると、（２）式より、共振周波数foは、fo＝88
7.8MHzとなる。
は、 となる。ここで、具体的に数値の一例を代入してみる
と、特性インピーダンスＺ＝10Ω，実効誘電率εｒ＝90
および共振器の長さｌ＝9mmで漂遊静電容量Csの影響が
ないとすると、（２）式より、共振周波数foは、fo＝88
7.8MHzとなる。
次に、1pFの漂遊静電容量Csが存在したとすると、上述
の例でいうと、（１）式より、共振周波数ｆは、848MHz
となる。すなわち、1pFの漂遊静電容量Csによって共振
周波数は約30MHz下がる。したがって、漂遊静電容量Cs
が仮に10％変動したとすると、共振周波数ｆは3MHz変動
してしまう。これでは、必要なフィルタ特性は得られな
い。
の例でいうと、（１）式より、共振周波数ｆは、848MHz
となる。すなわち、1pFの漂遊静電容量Csによって共振
周波数は約30MHz下がる。したがって、漂遊静電容量Cs
が仮に10％変動したとすると、共振周波数ｆは3MHz変動
してしまう。これでは、必要なフィルタ特性は得られな
い。
ところが、この考案のように、スペーサ30によって回路
基板28（のホット側パターン）と金属ケース32との間に
一定以上の間隔を設けるようにすれば、漂遊静電容量Cs
を、たとえば0.1pF程度に小さくできる。したがって、
それによる共振周波数ｆの変化は3MHz程度と小さく、仮
に漂遊静電容量Csが10％変動したとしても、共振周波数
ｆの変動は300kHz程度にすぎず、したがってフィルタ特
性に殆ど影響しない。
基板28（のホット側パターン）と金属ケース32との間に
一定以上の間隔を設けるようにすれば、漂遊静電容量Cs
を、たとえば0.1pF程度に小さくできる。したがって、
それによる共振周波数ｆの変化は3MHz程度と小さく、仮
に漂遊静電容量Csが10％変動したとしても、共振周波数
ｆの変動は300kHz程度にすぎず、したがってフィルタ特
性に殆ど影響しない。
なお、上述のスペーサ30の材質は絶縁体であればどんな
ものでもよく、その形状も円柱に限らず筒状体（円筒、
角筒）であってもよく、さらには、その個数も１個以上
何個でもよい。
ものでもよく、その形状も円柱に限らず筒状体（円筒、
角筒）であってもよく、さらには、その個数も１個以上
何個でもよい。
さらに、スペーサ30は、実施例では誘電体ブッシング22
とは別体で構成したが、可能ならばそれらは一体に構成
してもよい。
とは別体で構成したが、可能ならばそれらは一体に構成
してもよい。
第１図はこの考案の一実施例を示す断面図解図である。 第２図はこの考案の背景となる誘電体フィルタの一例を
示す断面図解図である。 図において、12は誘電体ブロック、14は貫通孔、16は内
導体、18は外導体、20は誘電体ブッシング、28は回路基
板、30はスペーサ、32は金属ケースを示す。
示す断面図解図である。 図において、12は誘電体ブロック、14は貫通孔、16は内
導体、18は外導体、20は誘電体ブッシング、28は回路基
板、30はスペーサ、32は金属ケースを示す。
Claims (1)
- 【請求項１】１つの誘電体ブロックに、複数の貫通孔に
形成された内導体と共通の外導体とによって、複数の同
軸共振素子を形成した誘電体フィルタであって、 前記誘電体ブロックの開放面側に設けられた回路基板
と、前記回路基板を覆うかつ前記外導体に接続される金
属ケースとを備える誘電体フィルタにおいて、 前記回路基板と前記金属ケースとの間に一定の間隔を隔
てるための低誘電率の誘電体からなるスペーサを設けた
ことを特徴とする、誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987188229U JPH0718163Y2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987188229U JPH0718163Y2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191303U JPH0191303U (ja) | 1989-06-15 |
| JPH0718163Y2 true JPH0718163Y2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=31479336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987188229U Expired - Lifetime JPH0718163Y2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718163Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115401A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-23 | Murata Mfg Co Ltd | 分布定数形フイルタ |
| JPS62117401A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フイルタ |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP1987188229U patent/JPH0718163Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0191303U (ja) | 1989-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0230883Y2 (ja) | ||
| EP0685898A1 (en) | Dielectric filter | |
| JPH0697721B2 (ja) | セラミックフィルタ | |
| US4754242A (en) | Resonator | |
| JPS61191101A (ja) | フイルタ | |
| JPH0628801Y2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0255402A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0718163Y2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0324081B2 (ja) | ||
| JPS6126724B2 (ja) | ||
| US5831497A (en) | Dielectirc resonator apparatus | |
| JP2630387B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPS637681B2 (ja) | ||
| JPS6110324Y2 (ja) | ||
| JPS6244566Y2 (ja) | ||
| JPS5881302A (ja) | 同軸共振回路 | |
| JPS6360603A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| JPH0648963Y2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0419843Y2 (ja) | ||
| JPH054321Y2 (ja) | ||
| JPS6277702A (ja) | 同軸型誘電体共振器を用いたフイルタ | |
| JPS6311761Y2 (ja) | ||
| JPS6033606Y2 (ja) | 分布定数形フイルタ | |
| JPS6324645Y2 (ja) | ||
| JPS6122324Y2 (ja) |