JPH07176864A - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents

多層セラミック基板の製造方法

Info

Publication number
JPH07176864A
JPH07176864A JP5321760A JP32176093A JPH07176864A JP H07176864 A JPH07176864 A JP H07176864A JP 5321760 A JP5321760 A JP 5321760A JP 32176093 A JP32176093 A JP 32176093A JP H07176864 A JPH07176864 A JP H07176864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
green sheet
thick film
green
glass
green sheets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5321760A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2783751B2 (ja
Inventor
Hirozo Yokoyama
博三 横山
Katsuto Takeuchi
克人 竹内
Koji Soegawa
公司 添川
Kenichiro Abe
健一郎 阿部
Shoichi Hattori
正一 服部
Hitoshi Suzuki
均 鈴木
Nobuhide Okada
信秀 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18136142&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH07176864(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP5321760A priority Critical patent/JP2783751B2/ja
Publication of JPH07176864A publication Critical patent/JPH07176864A/ja
Priority to US08/519,178 priority patent/US5549778A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2783751B2 publication Critical patent/JP2783751B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18Handling of layers or the laminate
    • B32B38/1825Handling of layers or the laminate characterised by the control or constructional features of devices for tensioning, stretching or registration
    • B32B38/1833Positioning, e.g. registration or centering
    • B32B38/1841Positioning, e.g. registration or centering during laying up

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は基板表面の厚膜パッドと基板との密
着性に優れた多層セラミック基板の製造方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 表面層用ガラスセラミックスグリーンシート
12に銅ペーストをスクリーン印刷して、それぞれビア
16に接続された複数の表面厚膜パッド18を形成す
る。表面厚膜パッド18の一部を誘電体材料20で被覆
し、表面層用グリーンシート12が最上層となるよう
に、複数の内層用グリーンシート2と表面層用グリーン
シート12とを積層する。この積層体を加熱しながら加
圧して一体的に接着し、所定温度で所定時間焼成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に多層セラミッ
ク基板の製造方法に関し、特に、厚膜パッドの密着力を
改善した表面層の形成方法に関する。
【0002】コンピュータや電子交換機等の多量の情報
を処理する電子装置は、小型化、高信頼性、高速化への
要求が一段と高く、従って電子回路を高密度化すること
が要求される。このためチップ(半導体素子)自体の集
積度を高め、要求に対処している。
【0003】また、最近では、高密度実装化及び高速化
の要求に伴い、放熱性がよく高速化に適した多層セラミ
ック基板上に複数のチップを実装するマルチチップモジ
ュールが開発されており、高速コンピュータ又は電子交
換機等に使用されている。
【0004】
【従来の技術】従来の多層セラミック基板の製造方法
は、例えば以下の通りである。まず、ガラスセラミック
スのグリーンシートに複数の穴を形成し、これらの穴中
に銅ペーストを充填して複数のビアを形成する。
【0005】次いで、グリーンシート上にスクリーン印
刷により銅ペーストを印刷して、ビアに接続された複数
の厚膜パッドと、これらの厚膜パッドに接続された厚膜
パターンを形成し、100℃前後でグリーンシートの乾
燥を行う。
【0006】これらのグリーンシートを複数層積層し
て、加熱しながら加圧することによりグリーンシートを
一体的に接着する。次いで、一体化された積層グリーン
シートを焼成することにより、多層セラミック基板を製
造する。
【0007】多層セラミック基板の表面層には、導体パ
ターンと基板との密着性を考慮して、薄膜プロセスによ
り表面層の導体パターンを形成することが多い。しか
し、薄膜プロセスによる表面層の形成は設備面及び工程
面からコスト高となる。
【0008】一方、導体ペーストを表面層にスクリーン
印刷して厚膜パッドを形成する厚膜形成プロセスは設備
が比較的安く、工程も簡単であり、製造コストが安価と
なる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、厚膜プロセス
により形成された表面層上の厚膜パッドは基板との密着
性が十分でないという問題がある。特に、ガラスセラミ
ックス基板との密着性に優れた厚膜ペーストを見いだす
のは困難である。
【0010】現在市販されている厚膜ペーストはアルミ
ナ基板用に開発されており、アルミナ基板上では十分な
密着特性が得られている。しかし、ガラスセラミックス
基板との濡れ性に優れ、基板との密着性に十分満足でき
る導体厚膜ペーストを見いだすのは困難である。
【0011】特に、表面層上に形成した厚膜パッドとガ
ラスセラミックス基板との密着強度が低下すると、厚膜
パッドとビアとの接続強度が劣化し、信頼性に欠けてし
まうという問題がある。これは導体ペーストとガラスセ
ラミックス基板とのマッチングがとれていないからと考
えられる。
【0012】よって本発明の目的は、基板表面の厚膜パ
ッドと基板との密着性に優れた多層セラミック基板の製
造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によると、(a) 第
1のガラスセラミックスグリーンシートに複数の第1の
穴を形成し、(b) 該第1の穴中に導体を充填して前記第
1のグリーンシートに第1のビアを形成し、(c) 該第1
のグリーンシートに導体ペーストを印刷して前記第1の
ビアにそれぞれ接続された複数の第1の厚膜パッドと、
該第1の厚膜パッドに接続された厚膜パターンを形成
し、(d) 前記ステップ (a)〜(c) を繰り返して前記第1
のグリーンシートを複数用意し、(e) 第2のガラスセラ
ミックスグリーンシートに複数の第2の穴を形成し、
(f) 該第2の穴中に導体を充填して前記第2のグリーン
シートに第2のビアを形成し、(g) 該第2のグリーンシ
ートに導体ペーストを印刷して前記第2のビアにそれぞ
れ接続された複数の第2の厚膜パッドを形成し、(h) 前
記第2の厚膜パッドの一部を誘電体材料で被覆し、(i)
前記第2のグリーンシートが最上層となるように、前記
複数の第1のグリーンシートと前記第2のグリーンシー
トとを積層し、(j) 積層された第1及び第2のグリーン
シートを加熱しながら加圧して前記第1及び第2のグリ
ーンシートを一体的に接着し、(k) 接着された第1及び
第2のグリーンシートを所定温度で所定時間焼成する、
ことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法が提供
される。
【0014】このように、第2の厚膜パッドの一部を誘
電体材料で被覆することにより、第2の厚膜パッドと基
板との密着強度を大きくすることができる。代案とし
て、第2のビアに隣接して複数の補強ビアを形成し、こ
れらの補強ビアを覆うように第2の厚膜パッドを形成す
るようにしても良い。
【0015】本発明のさらに他の構成によると、最上層
のガラスセラミックスグリーンシートに鉛ほうけい酸ガ
ラス等の低軟化点ガラスを含有したグリーンシートを使
用する。これにより、第2の厚膜パッドと基板との密着
性を改善することができる。
【0016】
【作用】表面層上に形成された第2の厚膜パッドの一部
を誘電体材料で覆って補強すること、或いは第2の厚膜
パッドの下部に複数の補強ビアを形成することにより、
第2の厚膜パッドと基板との密着強度を大きくすること
ができる。これにより、第2の厚膜パッドと第2のビア
との接続信頼性を向上することができる。
【0017】また、多層セラミック基板の表面層にのみ
導体ペーストとのマッチング性に優れた低融点ガラスを
含有したガラスセラミックスグリーンシートを使用する
ことにより、第2の厚膜パッドと基板との密着強度を大
きくすることができる。
【0018】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。まず図1を参照して、本発明第1実施例の
多層セラミック基板の製造方法について説明する。図1
(a)に示すように、第1のガラスセラミックスグリー
ンシート2に例えば直径90μmの複数の穴4を形成す
る。
【0019】第1のグリーンシート2は粒子径4〜5μ
mのアルミナ30wt%、粒子径5〜6μmの石英ガラ
ス30wt%、粒子径5〜6μmのほうけい酸ガラス3
0wt%、アクリル樹脂8wt%、ジブチルフタレート
2wt%の組成を有している。
【0020】次いで図1(b)に示すように、穴4中に
銅粉又は銅ペーストを充填して第1のビア6を形成す
る。次いで、第1のグリーンシート2に銅ペーストをス
クリーン印刷して、図1(c)に示すように第1のビア
6にそれぞれ接続された内層厚膜パッド8と、これらの
内層厚膜パッド8に接続された図示しない内層厚膜パタ
ーンを形成する。
【0021】その後、第1のグリーンシート2を約70
℃で乾燥する。図1(c)に示された第1のグリーンシ
ート2を9層分用意する。さらに、第1のグリーンシー
ト2と同一組成を有する第2のガラスセラミックスグリ
ーンシート12に例えば直径90μmの複数の穴を形成
し、これらの穴中に銅粉又は銅ペーストを充填して第2
のビア16を形成する。
【0022】次いで、第2のグリーンシート12に市販
の銅ペーストDu Pont QP153(E.I. Du Pon
t de Nemours & Co., Inc.) をスクリーン印刷して、第
2のビア16にそれぞれ接続された複数の表面厚膜パッ
ド18を形成する。表面厚膜パッド18は1.0×1.
0mmのサイズを有している。
【0023】乾燥後、第1及び第2グリーンシート2,
12と主成分を同一とする誘電体ペースト20をスクリ
ーン印刷して、表面厚膜パッド18の一部を被覆した。
誘電体層20には表面厚膜パッド18の接続を許容する
ために穴21が設けられている。この状態が図1(d)
に示されている。
【0024】誘電体ペースト20は粒子径4〜5μmの
アルミナ25wt%、粒子径5〜6μmの石英ガラス2
5wt%、粒子径5〜6μmのほうけい酸ガラス25w
t%、アクリル樹脂4wt%、テレピネオール20wt
%、硬化ひまし油1wt%の組成を有している。
【0025】次いで、図1(e)に示すように、第2の
グリーンシート12が最上層となるように複数の第1の
グリーンシート2と第2のグリーンシート12を積層
し、熱プレスで加圧して第1及び第2のグリーンシート
2,12を一体的に接着する。
【0026】積層プレス時の温度は100℃〜150℃
の範囲内であり、圧力は250kg/cm2 〜350kg/cm
2 の範囲内であり、好ましくは加熱温度は130℃であ
り、圧力は300kg/cm2 である。
【0027】一体的に接着された第1及び第2のグリー
ンシート2,12を窒素雰囲気中で、1,000℃で約
4時間焼成し、図1(f)に示されている多層セラミッ
ク基板22を製造した。焼成条件としては、温度980
℃〜1,020℃、焼成時間3〜5時間が採用可能であ
る。図1(f)で、符号9は内層厚膜パターンを示して
いる。
【0028】このようにして製造された表面厚膜パッド
18は誘電体層20で部分的に被覆されているため、表
面厚膜パッド18と多層セラミック基板22との密着強
度が高められ、表面厚膜パッド18と第2のビア16と
の接続信頼性が向上される。
【0029】次に図2を参照して、本発明第2実施例の
多層セラミック基板の製造方法について説明する。この
実施例における内層グリーンシートの製造方法は図1
(a)〜図1(c)に示した製造方法と同様なので、そ
の説明を省略する。さらに、第2のグリーンシート12
上への表面厚膜パッド18の形成も第1実施例と同様な
ので省略する。
【0030】本実施例は、表面厚膜パッド18部分に穴
25を形成したグリーンシート24を第2のグリーンシ
ート12上に積層したことを特徴とするものである。グ
リーンシート24の組成は第1及び第2のグリーンシー
ト2,12の組成と同様である。
【0031】図2(a)に示すように、これらのグリー
ンシート2,12,24をグリーンシート24が最上層
となるように積層し、熱プレスで互いに一体的に接着す
る。この一体化された積層体を窒素雰囲気中で、温度
1,000℃で約4時間焼成し、図2(b)に示すよう
な多層セラミック基板22を製造した。表面厚膜パッド
18が部分的にガラスセラミック層24′で覆われてい
るため、表面厚膜パッド18の多層セラミック基板22
への密着強度が増大する。
【0032】次に図3を参照して、本発明第3実施例の
多層セラミック基板の製造方法について以下に説明す
る。本実施例において、内層グリーンシート2の製造方
法は第1実施例と同様であるのでその説明を省略する。
【0033】本実施例では、図3(a)に示すように第
1の即ち表面層用ガラスセラミックスグリーンシート1
2に複数のビア用の穴14を形成すると共に、各ビア用
の穴14の回りに複数個の、例えば8個の補強用の穴1
5を形成する。
【0034】これらのビア用の穴14及び補強用の穴1
5中に銅ペーストを充填して、図3(b)に示すような
第2のビア16及び補強用ビア17を形成する。次い
で、表面層用グリーンシート12に市販の銅ペーストD
u Pont QP153をスクリーン印刷して、図3
(c)に示すように第2のビア16及び補強用ビア17
にそれぞれ接続された複数の表面厚膜パッド18を形成
する。
【0035】次いで、グリーンシート2,12を図3
(d)に示すように第2のグリーンシート12が最上層
となるように積層し、温度130℃、圧力300kg/cm
2 の条件下で熱プレスで第1及び第2のグリーンシート
2,12を一体的に接着する。
【0036】一体化された積層体を窒素雰囲気中で、温
度1,000℃で約4時間焼成し、多層セラミック基板
を製造した。この多層セラミック基板では、表面厚膜パ
ッド18が複数個の補強用ビア17に接続されているた
め、補強用ビア17のアンカー効果により表面厚膜パッ
ド18のセラミック基板への密着強度が著しく向上す
る。
【0037】図4は第3実施例の変形例である第4実施
例を示している。この第4実施例では、補強用ビア1
7′が盲穴となっている点のみが第3実施例と相違し、
補強用ビア17′のアンカー効果により第3実施例と同
様な効果をあげることができる。
【0038】次に図5を参照して、本発明第5実施例の
多層セラミック基板の製造方法について説明する。本実
施例において、内層グリーンシート2の製造方法は第1
実施例と同様であるのでその説明を省略する。
【0039】図5(a)に示すように、内層グリーンシ
ート2上に表面層用のダミーグリーンシート26を積層
し、これらの積層体を温度130℃、圧力300kg/cm
2 の条件下で、一体的に接着し、さらに窒素雰囲気中で
1,000℃で約4時間焼成する。
【0040】表面セラミック層26′上にフォトレジス
トを塗布し、このフォトレジストをフォトリソグラフィ
法で所定パターンに露光し、現像する。次いで、ふっ酸
によりエッチングして、図5(b)に示すような穴27
を表面セラミック層26′に形成する。このエッチング
により、穴27に露出した内層厚膜パッド8又は内層ビ
ア6の酸化被膜を除去することができる。
【0041】次いで、ポストファイヤ用の銅ペーストD
u Pont QS190を使用して表面セラミック層
26′上にスクリーン印刷を行い、その一部が穴27中
に埋め込まれた表面厚膜パッド18′を形成する。
【0042】その後、600℃で約20分間焼成するこ
とにより、図5(c)に示すような多層セラミック基板
22を製造した。このときの焼成温度として、約500
℃〜700℃、焼成時間としては約10分〜30分が採
用可能である。
【0043】本実施例では、表面厚膜パッド18′が表
面セラミック層26′に形成された穴27中に埋め込ま
れているため、ビア6との接続信頼性を向上することが
できる。
【0044】次に図6を参照して、本発明第6実施例の
多層セラミック基板の製造方法について説明する。本実
施例においても、内層グリーンシート2の製造方法は第
1実施例と同様であるのでその説明を省略する。
【0045】本実施例では表面層用のガラスセラミック
スグリーンシートとして軟化温度が低い鉛ほうけい酸ガ
ラスを含有したガラスセラミックスグリーンシート28
を採用した。鉛ほうけい酸ガラスは513℃の軟化温度
を有しており、ほうけい酸ガラスは720℃の軟化温度
を有している。
【0046】グリーンシート28は粒子径4〜5μmの
アルミナ30wt%、粒子径5〜6μmの石英ガラス3
0wt%、粒子径5〜6μmの鉛ほうけい酸ガラス30
wt%、アクリル樹脂8wt%、ジブチルフタレート2
wt%の組成を有している。
【0047】グリーンシート28に形成した穴中に銅ペ
ーストを充填して第2のビア16を形成し、さらに市販
の銅ペーストDu Pont QP153をスクリーン
印刷して、第2のビア16に接続された表面厚膜パッド
18を形成した。
【0048】複数の内層グリーンシート2と表面層用グ
リーンシート28を図6(a)に示すように積層して、
温度130℃圧力300kg/cm2 の条件下で熱プレスし
て、互いに一体的に接着した。
【0049】この一体化された積層体を窒素雰囲気中
で、1,000℃で約4時間焼成したところ、図6
(b)に示すような多層セラミック基板22が得られ
た。本実施例では、表面層用グリーンシート28として
低軟化点ガラスを含有したグリーンシートを使用したた
め、表面厚膜パッド18と多層セラミック基板22との
密着性を向上することができる。内層グリーンシートと
しては、高軟化点ガラスを含有したグリーンシート2を
使用したため、電気特性、機械特性及び焼成の容易性に
優れている。
【0050】次に図7を参照して、表面厚膜パッドの基
板への密着強度の試験方法について説明する。この試験
方法は90度ピーリング試験方法である。ガラスセラミ
ック基板30上に第1乃至第6実施例でそれぞれ使用し
た銅ペーストを用いてサイズ1.4×1.4mm、厚さ3
0〜40μmの厚膜パッド32を形成した。
【0051】この厚膜パッド32に直径0.8mmの錫メ
ッキ軟銅線34を半田付けし、軟銅線34を矢印F方向
に引っ張ったところ表1に示すような結果が得られた。
表1には比較例として、ガラスセラミック基板上に従来
方法で厚膜パッドを形成した場合も示した。
【0052】
【表1】
【0053】表1から明らかなように、本発明の各実施
例によると基板との密着強度の優れた表面厚膜パッドを
形成することができる。
【0054】
【発明の効果】本発明によると、基板表面への密着強度
が大幅に向上した表面厚膜パッドを有する多層セラミッ
ク基板を安価に製造することができる。これにより、表
面厚膜とビアとの接続信頼性を大幅に向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第1実施例の多層セラミック基板の製造
方法を説明する図である。
【図2】第2実施例の製造方法を説明する図である。
【図3】第3実施例の製造方法を説明する図である。
【図4】第4実施例の製造方法を説明する図である。
【図5】第5実施例の製造方法を説明する図である。
【図6】第6実施例の製造方法を説明する図である。
【図7】密着強度測定方法を説明する図である。
【符号の説明】
2 第1(内層用)ガラスセラミックスグリーンシート 6 第1ビア 8 第1厚膜パッド 12 第2(表面層用)ガラスセラミックスグリーンシ
ート 16 第2ビア 17 補強ビア 18 表面厚膜パッド 20 誘電体層 22 多層セラミック基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 健一郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 服部 正一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 鈴木 均 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 岡田 信秀 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a) 第1のガラスセラミックスグリーン
    シート(2) に複数の第1の穴(4) を形成し、 (b) 該第1の穴(4) 中に導体を充填して前記第1のグリ
    ーンシート(2) に第1のビア(6) を形成し、 (c) 該第1のグリーンシート(2) に導体ペーストを印刷
    して前記第1のビア(6) にそれぞれ接続された複数の第
    1の厚膜パッド(8) と、該第1の厚膜パッド(8) に接続
    された厚膜パターンを形成し、 (d) 前記ステップ (a)〜(c) を繰り返して前記第1のグ
    リーンシート(2) を複数用意し、 (e) 第2のガラスセラミックスグリーンシート(12)に複
    数の第2の穴(14)を形成し、 (f) 該第2の穴(14)中に導体を充填して前記第2のグリ
    ーンシート(12)に第2のビア(16)を形成し、 (g) 該第2のグリーンシート(12)に導体ペーストを印刷
    して前記第2のビア(16)にそれぞれ接続された複数の第
    2の厚膜パッド(18)を形成し、 (h) 前記第2の厚膜パッド(18)の一部を誘電体材料(20)
    で被覆し、 (i) 前記第2のグリーンシート(12)が最上層となるよう
    に、前記複数の第1のグリーンシート(2) と前記第2の
    グリーンシート(12)とを積層し、 (j) 積層された第1及び第2のグリーンシート(2,12)を
    加熱しながら加圧して前記第1及び第2のグリーンシー
    ト(2,12)を一体的に接着し、 (k) 接着された第1及び第2のグリーンシート(2,12)を
    所定温度で所定時間焼成する、 ことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記第1及び第2のグリーンシート(2,1
    2)は同一組成を有しており、前記誘電体材料(20)は前記
    第1及び第2のグリーンシート(2,12)の主成分と同一の
    主成分を含んだペースト状である請求項1記載の多層セ
    ラミック基板の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記誘電体材料(20)は前記第2のグリー
    ンシート(12)と同一組成の第3のグリーンシート(24)か
    ら構成される請求項1記載の多層セラミック基板の製造
    方法。
  4. 【請求項4】 前記第3のグリーンシート(24)の前記第
    2の厚膜パッド(18)を覆う部分に該第2の厚膜パッド(1
    8)よりも小さな穴(25)を形成するステップをさらに含む
    請求項3記載の多層セラミック基板の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記第1及び第2のグリーンシート(2,1
    2)の各々はアルミナ30wt%、石英ガラス30wt
    %、ほうけい酸ガラス30wt%、アクリル樹脂8wt
    %、ジブチルフタレート2wt%から構成され、前記ペ
    ースト状誘電体材料(20)はアルミナ25wt%、石英ガ
    ラス25wt%、ほうけい酸ガラス25wt%、アクリ
    ル樹脂4wt%、テレピネオール20wt%、硬化ひま
    し油1wt%から構成される請求項2記載の多層セラミ
    ック基板の製造方法。
  6. 【請求項6】 (a) 第1のガラスセラミックスグリーン
    シート(2) に複数の第1の穴(4) を形成し、 (b) 該第1の穴(4) 中に導体を充填して前記第1のグリ
    ーンシート(2) に第1のビア(6) を形成し、 (c) 該第1のグリーンシート(2) に導体ペーストを印刷
    して前記第1のビア(6) にそれぞれ接続された複数の第
    1の厚膜パッド(8) と、該第1の厚膜パッド(8) に接続
    された厚膜パターンを形成し、 (d) 前記ステップ (a)〜(c) を繰り返して前記第1のグ
    リーンシート(2) を複数用意し、 (e) 第2のガラスセラミックスグリーンシート(12)に複
    数の第2の穴(14)を形成し、 (f) 前記第2の穴(14)の各々に隣接して複数の第3の穴
    (15)を形成し、 (g) 前記第2及び第3の穴(14,15) 中に導体を充填して
    前記第2のグリーンシート(12)に第2のビア(16)及び補
    強用ビア(17)を形成し、 (h) 該第2のグリーンシート(12)に導体ペーストを印刷
    して前記第2のビア(16)及び補強用ビア(17)にそれぞれ
    接続された複数の第2の厚膜パッドを形成し、 (i) 前記第2のグリーンシート(12)が最上層となるよう
    に、前記複数の第1のグリーンシート(2) と前記第2の
    グリーンシート(12)とを積層し、 (j) 積層された第1及び第2のグリーンシート(2,12)を
    加熱しながら加圧して前記第1及び第2のグリーンシー
    ト(2,12)を一体的に接着し、 (k) 接着された第1及び第2のグリーンシート(2,12)を
    所定温度で所定時間焼成する、 ことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記補強用ビア(17)は前記第2のグリー
    ンシート(12)を貫通している請求項6記載の多層セラミ
    ック基板の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記補強用ビア(17)は前記第2のグリー
    ンシート(12)の表面から途中まで形成されている請求項
    6記載の多層セラミック基板の製造方法。
  9. 【請求項9】 (a) 第1のガラスセラミックスグリーン
    シート(2) に複数の第1の穴(4) を形成し、 (b) 該第1の穴(4) 中に導体を充填して前記第1のグリ
    ーンシート(2) に第1のビア(6) を形成し、 (c) 該第1のグリーンシート(2) に導体ペーストを印刷
    して前記第1のビア(6) にそれぞれ接続された複数の第
    1の厚膜パッド(8) と、該第1の厚膜パッド(8) に接続
    された厚膜パターンを形成し、 (d) 前記ステップ (a)〜(c) を繰り返して前記第1のグ
    リーンシート(2) を複数用意し、 (e) 前記第1のガラスセラミックスグリーンシート(2)
    と同一組成の第2のガラスセラミックスグリーンシート
    (26)を用意し、 (f) 前記第2のグリーンシート(26)が最上層となるよう
    に、前記複数の第1のグリーンシート(2) と前記第2の
    グリーンシート(26)とを積層し、 (g) 積層された第1及び第2のグリーンシート(2,26)を
    加熱しながら加圧して前記第1及び第2のグリーンシー
    ト(2,26)を一体的に接着し、 (h) 接着された第1及び第2のグリーンシート(2,26)を
    所定温度で所定時間焼成し、 (i) 焼成されたガラスセラミックス(22)の表面層 (2
    6′) にエッチングにより第2の穴(27)を形成して前記
    第1のビア(6) を露出させ、 (j) 前記ガラスセラミックス(22)の表面層に導体ペース
    トを印刷して、その一部が前記第2の穴(27)中に埋め込
    まれた複数の第2の厚膜パッド (18′) を形成し、 (k) 前記第2の厚膜パッド (18′) を第2の所定温度で
    第2の所定時間焼成する、 ことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
  10. 【請求項10】 (a) 高融点ガラスを含んだ第1のガラ
    スセラミックスグリーンシート(2) に複数の第1の穴
    (4) を形成し、 (b) 該第1の穴(4) 中に導体を充填して前記第1のグリ
    ーンシート(4) に第1のビア(6) を形成し、 (c) 該第1のグリーンシート(2) に導体ペーストを印刷
    して前記第1のビア(6) にそれぞれ接続された複数の第
    1の厚膜パッド(8) と、該第1の厚膜パッド(8) に接続
    された厚膜パターンを形成し、 (d) 前記ステップ (a)〜(c) を繰り返して前記第1のグ
    リーンシート(2) を複数用意し、 (e) 低融点ガラスを含んだ第2のガラスセラミックスグ
    リーンシート(28)に複数の第2の穴を形成し、 (f) 該第2の穴中に導体を充填して前記第2のグリーン
    シートに第2のビア(16)を形成し、 (g) 該第2のグリーンシート(28)に導体ペーストを印刷
    して前記第2のビア(16)にそれぞれ接続された複数の第
    2の厚膜パッド(18)を形成し、 (h) 前記第2のグリーンシート(28)が最上層となるよう
    に、前記複数の第1のグリーンシート(2) と前記第2の
    グリーンシート(28)とを積層し、 (i) 積層された第1及び第2のグリーンシート(2,28)を
    加熱しながら加圧して前記第1及び第2のグリーンシー
    ト(2,28)を一体的に接着し、 (j) 接着された第1及び第2のグリーンシート(2,28)を
    所定温度で所定時間で焼成する、 ことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記第1及び第2のグリーンシート
    (2,12,26) の各々はアルミナ30wt%、石英ガラス3
    0wt%、ほうけい酸ガラス30wt%、アクリル樹脂
    8wt%、ジブチルフタレート2wt%の組成を有して
    いる請求項6又は9記載の多層セラミック基板の製造方
    法。
  12. 【請求項12】 前記所定温度は約980℃〜約1,0
    20℃の範囲内であり、前記所定時間は約3時間〜約5
    時間の範囲内である請求項1,6,9又は10のいずれ
    かに記載の多層セラミック基板の製造方法。
  13. 【請求項13】 前記第2の所定温度は約500℃〜約
    700℃の範囲内であり、前記第2の所定時間は約10
    分〜約30分の範囲内である請求項9記載の多層セラミ
    ック基板の製造方法。
  14. 【請求項14】 前記第1のグリーンシート(2) はアル
    ミナ30wt%、石英ガラス30wt%、ほうけい酸ガ
    ラス30wt%、アクリル樹脂8wt%、ジブチルフタ
    レート2wt%の組成を有しており、前記第2のグリー
    ンシート(28)はアルミナ30wt%、石英ガラス30w
    t%、鉛ほうけい酸ガラス30wt%、アクリル樹脂8
    wt%、ジブチルフタレート2wt%の組成を有してい
    る請求項10記載の多層セラミック基板の製造方法。
JP5321760A 1993-12-21 1993-12-21 多層セラミック基板の製造方法 Expired - Fee Related JP2783751B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5321760A JP2783751B2 (ja) 1993-12-21 1993-12-21 多層セラミック基板の製造方法
US08/519,178 US5549778A (en) 1993-12-21 1995-08-25 Manufacturing method for multilayer ceramic substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5321760A JP2783751B2 (ja) 1993-12-21 1993-12-21 多層セラミック基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07176864A true JPH07176864A (ja) 1995-07-14
JP2783751B2 JP2783751B2 (ja) 1998-08-06

Family

ID=18136142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5321760A Expired - Fee Related JP2783751B2 (ja) 1993-12-21 1993-12-21 多層セラミック基板の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5549778A (ja)
JP (1) JP2783751B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0954116A (ja) * 1995-08-10 1997-02-25 Nippon Denshi Zairyo Kk 高温測定用プローブカード
JPH10270854A (ja) * 1997-03-28 1998-10-09 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 多層配線基板
US6054652A (en) * 1997-04-18 2000-04-25 Fujitsu Limited Thin-film multi-layer substrate and electronic device
JP2002368419A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 低温焼成セラミック多層基板の製造方法
WO2008053956A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic substrate, electronic device and method for producing ceramic substrate
JP2009188229A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Koa Corp 積層セラミックス基板およびその製造方法
KR101040430B1 (ko) * 2007-12-28 2011-06-09 후지쯔 가부시끼가이샤 전자 부품
JP2012033664A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Hitachi Automotive Systems Ltd 車載用電子機器に用いる基板構造
WO2013147291A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 三菱マテリアル株式会社 フィルム型サーミスタセンサ

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3633028B2 (ja) * 1995-04-28 2005-03-30 株式会社デンソー 厚膜印刷基板及びその製造方法
US6121718A (en) * 1998-03-31 2000-09-19 Acuson Corporation Multilayer transducer assembly and the method for the manufacture thereof
US6284079B1 (en) * 1999-03-03 2001-09-04 International Business Machines Corporation Method and structure to reduce low force pin pull failures in ceramic substrates
US6187418B1 (en) 1999-07-19 2001-02-13 International Business Machines Corporation Multilayer ceramic substrate with anchored pad
JP3867523B2 (ja) * 2000-12-26 2007-01-10 株式会社デンソー プリント基板およびその製造方法
US6437487B1 (en) 2001-02-28 2002-08-20 Acuson Corporation Transducer array using multi-layered elements and a method of manufacture thereof
US6429574B1 (en) 2001-02-28 2002-08-06 Acuson Corporation Transducer array using multi-layered elements having an even number of elements and a method of manufacture thereof
US7344501B1 (en) 2001-02-28 2008-03-18 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Multi-layered transducer array and method for bonding and isolating
US6761688B1 (en) 2001-02-28 2004-07-13 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Multi-layered transducer array and method having identical layers
US6664717B1 (en) 2001-02-28 2003-12-16 Acuson Corporation Multi-dimensional transducer array and method with air separation
JP2003023250A (ja) 2001-07-06 2003-01-24 Denso Corp 多層基板のおよびその製造方法
US6900395B2 (en) * 2002-11-26 2005-05-31 International Business Machines Corporation Enhanced high-frequency via interconnection for improved reliability
JP4793447B2 (ja) * 2007-04-20 2011-10-12 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子部品
TWI434640B (zh) * 2008-01-30 2014-04-11 Murata Manufacturing Co Electronic parts and their construction methods
JP5456989B2 (ja) * 2008-06-02 2014-04-02 太陽誘電株式会社 電子部品の製造方法
CN103535121B (zh) * 2011-05-16 2017-06-20 株式会社村田制作所 陶瓷电子元器件及其制造方法
EP2548734A1 (de) * 2011-07-18 2013-01-23 Micro Systems Engineering GmbH Keramische Mehrlagenstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben
US20240222248A1 (en) * 2022-12-28 2024-07-04 Intel Corporation Architectures and methods for metal lamination on a glass layer

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160698A (ja) * 1984-01-31 1985-08-22 日本電気株式会社 多層セラミツク基板
JPS60169194A (ja) * 1984-02-13 1985-09-02 松下電器産業株式会社 ハイブリツド集積回路用基板
JPS61172353A (ja) * 1985-01-28 1986-08-04 Nec Corp セラミツク多層基板
JPH01138792A (ja) * 1987-11-25 1989-05-31 Narumi China Corp セラミック多層回路基板
JPH0537160A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Kyocera Corp 多層セラミツク回路基板
JPH0547209A (ja) * 1991-08-08 1993-02-26 Nippondenso Co Ltd 導体組成物およびそれを用いたセラミツク基板
JPH0590447A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Nec Corp 多層ガラスセラミツク基板とその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58122796A (ja) * 1982-01-14 1983-07-21 日立化成工業株式会社 セラミツク配線板の製造法
US4645552A (en) * 1984-11-19 1987-02-24 Hughes Aircraft Company Process for fabricating dimensionally stable interconnect boards
US4943470A (en) * 1985-01-11 1990-07-24 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic substrate for electrical devices
JPH02254791A (ja) * 1989-03-28 1990-10-15 Nec Corp 多層セラミック基板の製造方法
EP0396806B1 (en) * 1989-05-12 1994-02-02 Ibm Deutschland Gmbh Glass-ceramic structure and method for making same
JP2757574B2 (ja) * 1991-03-14 1998-05-25 日本電気株式会社 低誘電率ハイブリッド多層セラミック配線基板の製造方法
US5359767A (en) * 1993-08-26 1994-11-01 International Business Machines Corporation Method of making multilayered circuit board

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160698A (ja) * 1984-01-31 1985-08-22 日本電気株式会社 多層セラミツク基板
JPS60169194A (ja) * 1984-02-13 1985-09-02 松下電器産業株式会社 ハイブリツド集積回路用基板
JPS61172353A (ja) * 1985-01-28 1986-08-04 Nec Corp セラミツク多層基板
JPH01138792A (ja) * 1987-11-25 1989-05-31 Narumi China Corp セラミック多層回路基板
JPH0537160A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Kyocera Corp 多層セラミツク回路基板
JPH0547209A (ja) * 1991-08-08 1993-02-26 Nippondenso Co Ltd 導体組成物およびそれを用いたセラミツク基板
JPH0590447A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Nec Corp 多層ガラスセラミツク基板とその製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0954116A (ja) * 1995-08-10 1997-02-25 Nippon Denshi Zairyo Kk 高温測定用プローブカード
JPH10270854A (ja) * 1997-03-28 1998-10-09 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 多層配線基板
US6054652A (en) * 1997-04-18 2000-04-25 Fujitsu Limited Thin-film multi-layer substrate and electronic device
JP2002368419A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 低温焼成セラミック多層基板の製造方法
WO2008053956A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic substrate, electronic device and method for producing ceramic substrate
KR101040430B1 (ko) * 2007-12-28 2011-06-09 후지쯔 가부시끼가이샤 전자 부품
JP2009188229A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Koa Corp 積層セラミックス基板およびその製造方法
JP2012033664A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Hitachi Automotive Systems Ltd 車載用電子機器に用いる基板構造
WO2013147291A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 三菱マテリアル株式会社 フィルム型サーミスタセンサ
JP2013211433A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Mitsubishi Materials Corp フィルム型サーミスタセンサ
TWI555039B (zh) * 2012-03-30 2016-10-21 Mitsubishi Materials Corp Thin film type thermistor sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US5549778A (en) 1996-08-27
JP2783751B2 (ja) 1998-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2783751B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JP3173410B2 (ja) パッケージ基板およびその製造方法
US4645552A (en) Process for fabricating dimensionally stable interconnect boards
US20020117743A1 (en) Component built-in module and method for producing the same
JPH01236698A (ja) コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板
JPH10284836A (ja) セラミック一括積層配線基板及びその製造方法
JP3061282B2 (ja) セラミック多層回路板および半導体モジュール
KR100447032B1 (ko) 표면이 평탄한 저항 내장형 저온 동시소성 다층 세라믹기판 및 그 제조방법
JP2857552B2 (ja) 積層電子部品及びその製造方法
JP2000150303A (ja) 固体複合部品の製造方法
JP2006140513A (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP2000188475A (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP2001160681A (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法
JPH06310861A (ja) セラミック多層基板におけるサーマルビアの形成方法
JP2001015930A (ja) 多層配線基板およびその製造方法
JP2734404B2 (ja) セラミック配線基板およびその製造方法
JPH0878849A (ja) セラミック多層回路基板及びその製法
JPH11274372A (ja) 半導体装置及びその半導体パッケージ
JP3250166B2 (ja) 積層複合電子部品
JP2515165B2 (ja) 多層配線基板の製造方法
JP3117967B2 (ja) 多層セラミックス基板
KR100696859B1 (ko) 금속상 저온 동시 소성 세라믹 기판 제조 방법
JPH05152133A (ja) インダクタンス部品用グリーンシートおよびそれを用いたインダクタンス部品
JPH0821780B2 (ja) 積層複合セラミック基板およびその製造方法
JPS6226200B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980512

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080522

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090522

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090522

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100522

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100522

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110522

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees