JPH07169739A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH07169739A JPH07169739A JP31225093A JP31225093A JPH07169739A JP H07169739 A JPH07169739 A JP H07169739A JP 31225093 A JP31225093 A JP 31225093A JP 31225093 A JP31225093 A JP 31225093A JP H07169739 A JPH07169739 A JP H07169739A
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Abstract
ト層エッチング時のアンダーカットによる寸法変換差を
防止する。 【構成】 上層レジストパターンおよび中間層パターン
をマスクとして、下層レジストをエッチングする場合、
上層レジストパターンがエッチオフされる迄の第1のエ
ッチングと、上層レジストパターンがエッチオフされた
後の第2のエッチングで構成する。 【効果】 上層レジストパターンがエッチオフされる
と、反応生成物による側壁保護膜の効果が低下する。そ
こで第2のエッチング工程ではエッチング条件を切り替
えて、酸素ラジカルを低減したり、側壁保護膜の形状を
助長することにより、下層レジストパターンのアンダー
カットが防止できる。
Description
関し、特に例えば多層レジストプロセスにおいて、有機
材料層である下層レジストを異方性加工してレジストパ
ターンを形成する際にアンダカットを防止し、寸法変換
差のない下層レジストパターンを形成する方法に関す
る。
がハーフミクロンからクォータミクロンのレベルへと微
細化されるに伴い、フォトリソグラフィやドライエッチ
ング等の微細加工技術に対する要求は一段と厳しさを増
している。フォトリソグラフィ技術においては、近年微
細なデザインルールを達成するために、高解像度を求め
て露光波長が短波長化され、さらに多層配線構造を採る
ために下地基板の表面段差が増大していることから、多
層レジストプロセスの採用が必須となりつつある。多層
レジストプロセスは、下地基板の表面段差を吸収して平
坦面を形成するに充分な厚さを有する下層レジストと、
下層レジストをエッチングする際の実質的なマスクパタ
ーンを構成するための無機材料からなる薄い中間層と、
高解像度を達成するに充分な薄い上層レジストとを組み
合わせて使用するいわゆる3層レジストプロセスの概念
が、J.M.MorranらによりJ.Vac.Sci.Technol., 16, 1620
(1979) に報告されている。また多層レジストのドライ
エッチング方法について、月刊セミコンダクターワール
ド誌1987年11月号101〜106ページに詳細な
解説記事が掲載されている。
ーン形成方法を図2を参照して説明する。
いて上層レジストパターン5が形成された被エッチング
基板の断面形状を示している。すなわち、まず段差を有
する層間絶縁膜1上にこの段差にならった、例えばAl
合金等からなる下地材料層2を形成し、この段差を吸収
して平坦な表面を形成しうる充分な厚さを有する下層レ
ジスト層3、および例えば回転塗布ガラス(SOG)か
らなるSiO2 系中間層4、そしてさらにこの中間層4
上に薄い上層レジスト層をこの順に順次形成する。この
上層レジスト層をフォトリソグラフィと現像によりパタ
ーニングして、上述のレジストパターン5を得る。この
際のフォトリソグラフィは平坦面への露光であるから解
像度は高く、上記上層レジストパターン5は例えば0.
35μm幅の明瞭な矩形形状を有する。
して中間層4をRIEによりパターニングし、図2
(b)に示すように中間層パターン4aを形成する。こ
の中間層パターン4aも0.35μm幅の明瞭な矩形形
状を有する。
ターン4aをマスクとし、O2 ガスを用い下層レジスト
層3を異方性エッチングすることにより、図2(c)に
示すように目的とする下層レジストパターン3aを形成
する。このエッチング過程では、薄い上層レジストパタ
ーン5は中途でエッチオフされて消失する。
スクとして下地材料層2をRIE等の異方性エッチング
によりパターニングして、所望の例えばAl合金配線パ
ターン(図示せず)を得るのである。このとき、中間層
パターン4aは残したまま下層材料層をエッチングして
もよいし、別途除去して下層レジストパターン3aのみ
で下層材料層2をエッチングしてもよい。このような多
層レジストのプロセスを踏むことにより、段差基板上に
あっても制御性のよい下地材料層、例えばAl合金配線
パターンの形成が可能となるのである。
3のエッチングにはO2 ガスによるRIEが一般的に用
いられる。下層レジスト層3は3層レジストプロセスの
趣旨にもとづき、被エッチング基板の表面段差を吸収す
るのに充分な膜厚に形成した層であるから、そのエッチ
ングには高速性が要求される。そこで、エッチングレー
トの向上を意図して高ガス圧力条件とし、酸素ラジカル
(以下、O* と記す)を増加させてラジカル反応を主体
としてエッチングすると、O* が中間層パターン4a下
部にまでまわりこみ、等方的酸化反応によるアンダーカ
ットが発生し、下層レジストパターン3aの形状が悪化
する。
止し、高異方性エッチングを達成するためには、低ガス
圧かつ高バイアス電力といった、イオンの平均自由行程
と基板バイアスを高めた条件を採用することが必要とな
る。つまり、酸素イオン(以下、O+ と記す)の垂直入
射性と大きな運動エネルギを利用して、スパッタリング
を併用しながらイオンモードのエッチングを行うことに
より、高異方性エッチングを行うのである。ところが、
かかるエッチング条件の採用は、高いエッチングレート
を得ることが困難であること、および下地材料層との選
択比低下を招き、下地材料層がスパッタされてその一部
は下層レジストパターン3aの側壁に再付着する。この
問題を図3を参照して説明する。
より、下層レジストパターン3aが完成した状態を示
す。段差上部の下層レジストパターンは膜厚が薄いので
早期に形成される。すると、段差上部の露出した下地材
料層2は、段差下部の下層レジストパターンが形成され
る迄、O+ の不所望な照射を継続して受けることにな
る。このため下地材料層2はスパッタされ、その一部は
下層レジストパターン3aの側壁に付着して再付着物層
2aを形成する。特に下地材料層2がCuを含む金属配
線材料層である場合、この再付着物層2aは除去が困難
であり、基板上に残留してパーティクル汚染源になる。
また、上記再付着物層は下層レジストパターン3aの実
質的な線幅を太らせるので、下地材料層のエッチングに
際して寸法変換差が発生し易くなる。
3回応用物理学関係連合講演会(1986年春季年会) 講演
予稿集 p.542, 講演番号 2p-Q-8 で指摘されており、周
知のところである。再付着物層の形成を抑制するために
は、入射イオンエネルギの低減が効果的であることは明
白であるが、これでは前述の等方的反応が優勢となり、
異方性が低下し、アンダーカットが発生してしまう。
高異方性の達成とを両立しうる下層レジスト層のドライ
エッチング方法が切望されている。
人はこれまでにラジカル成分の低減とイオン成分の増強
のみに依存して達成するのではなく、エッチングの反応
生成物による側壁保護膜を積極的に利用して高異方性形
状を達成するという思想にもとづく発明を出願してい
る。すなわち側壁保護膜を併用すれば、O* のアタック
をカバーしつつ、エッチングレートを実用上支障ない程
度に確保しながら、イオン入射エネルギを低減すること
が可能となる。
にCl系ガスを添加したエッチングガスを使用すること
により、レジストとCl系ガスとの反応生成物であるC
Cl x を側壁保護膜として堆積しながら下層レジスト層
の異方性エッチングを行う技術を示した。
度を50℃以下に制御して、NH3を主体とするエッチ
ングガスを用いてレジスト材料層をエッチングする技術
を提案している。この方法によれば、N、CおよびOを
構成元素として含む反応生成物が側壁保護膜の役割を果
たす。
にBr系ガスを添加したエッチングガスを使用すること
により、レジストとBr系ガスとの反応生成物であるC
Br x を側壁保護膜として堆積しながら下層レジスト層
の異方性エッチングを行う技術を開示した。
た上述の各ドライエッチング方法は、実用的なエッチン
グレートを確保した上で、実用的温度領域において、低
イオンエネルギによる異方性エッチングを達成した点に
おいて画期的な技術である。これらの技術により、下地
材料層のスパッタによる下層レジストパターン側壁への
再付着は大きく抑制されるに至った。
進み、より微細化した下層レジストパターンの異方性加
工を行おうとするとき、その加工寸法変換差が顕在化す
る場合も懸念される。この問題を図4を参照して説明す
る。
び中間層パターン4aをマスクに下層レジストを中途ま
でエッチングした状態であり、未完成の下層レジストパ
ターン側壁には前述したカーボン系の側壁保護膜6が形
成されている。この側壁保護膜6は、上層レジストパタ
ーンおよび下層レジスト3から供給されるカーボンと、
エッチングガスとの反応生成物であり、下層レジストパ
ターンのアンダーカットを防ぎ、異方性加工に寄与して
いる。ところが、上層レジストパターンが一旦エッチオ
フされ中間層4aが露出した時点からは、反応生成物の
供給が大幅に減少するため、下層レジスト層の異方性加
工に必要なだけの側壁保護膜が形成されず、下層レジス
ト層の残余部3bのエッチングを継続すると、アンダー
カット7が発生するという現象がしばしば生じるように
なった。このようなアンダーカット7による下層レジス
トパターン3aの加工寸法変換差の発生は、多層レジス
トプロセスの実用化を図る上で障害となりつつある。
セスにおける下層レジストのパターニングにおいて、上
層レジストのエッチオフ前後でのエッチング反応生成物
の供給量減少にともなうアンダーカットを防止し、寸法
変換差のない異方性にすぐれたドライエッチング方法を
提供することである。
タリングによる下層レジストパターン側壁への再付着を
防止し、パーティクル汚染のないクリーンなドライエッ
チング方法を提供することである。
チングレートを確保しつつ、上記課題を達成することで
ある。
グ方法は、上述の課題を解決するために発案したもので
あり、下層レジスト層のドライエッチング工程を2段階
に分け、上層レジストパターンがエッチオフされる迄の
第1のドライエッチング工程と、上層レジストパターン
がエッチオフされた後の第2のドライエッチング工程と
で構成し、第2のドライエッチング工程では第1のドラ
イエッチング工程とは異なるエッチング条件を用いるよ
うにした。
素ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガスを用い、第2の
エッチング工程においては、ハロゲン系ガスの混合比を
高めるようにした。
酸素ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガスを用い、第2
のエッチング工程においては、エッチング圧力を低下す
る構成とした。
は、酸素ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガスを用い、
第2のエッチング工程においては、希ガスを添加するよ
うにした。
酸素ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガスを用い、第2
のエッチング工程においては、基板バイアス電圧を高め
る構成をとるようにした。
ングを2段階に分け、上層レジストがエッチオフされる
迄の第1のエッチング工程と、上層レジストがエッチオ
フされた後の第2のエッチング工程とで構成し、第2の
エッチング工程の条件を第1のエッチング工程の条件と
異ならしめたことにある。これにより、上層レジストパ
ターンがエッチオフされた後も、エッチング反応生成物
の供給不足にともなう側壁保護膜形成機能の弱体化を補
い、下層レジストパターンのアンダーカットを防止でき
る。
成物を側壁保護膜の形成に寄与させるような、例えば酸
素ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスを用いてエッチン
グし、第2のエッチング工程においてはハロゲン系ガス
の混合比率を高めることにより、未反応のエッチング活
性種であるO* が過剰に存在することを防止する。また
同時に、エッチング反応生成物であるCClx 、CBr
x 等の生成を促進し、側壁保護膜の強化を図るのであ
る。これにより、下層レジストパターンのアンダーカッ
トを防止できる。
ゲン系ガスとの混合ガスを用いてエッチングし、第2の
エッチング工程においてはエッチング圧力を低下するこ
とにより、O+ の平均自由工程を増大させ、このイオン
の高い運動エネルギを利用して異方性エッチングを達成
し、アンダカットを防止するのである。
ハロゲン系ガスとの混合ガスを用いてエッチングし、第
2のエッチング工程においては希ガスを添加することに
より、エッチング活性種であるO* の濃度を相対的に下
げ、これにより下層レジストパターンのアンダーカット
が防止できる。
ゲン系ガスとの混合ガスを用いてエッチングし、第2の
エッチング工程においては基板バイアス電圧を高めるこ
とにより、イオンの運動エネルギを高めて異方性エッチ
ングを達成し、アンダカットを防止するのである。
下層レジストのパターニング時にエッチング条件を2段
階に分ける技術的思想は、一例として下地材料層が一部
露出した後でエッチング条件を変化する方法が知られて
いる。すなわち、オーバーエッチング条件を異ならしめ
て、例えば下地材料層のダメージ等を防止するものであ
る。ここで述べた従来の2段エッチングは、上層レジス
ト層がエッチオッフされた時点で側壁保護膜形成にあず
かる反応生成物の減少を補うという本発明の技術的思想
とは別個のものである。
照しながら説明する。
%Si−0.5%Cu合金からなる下地材料層上に形成
された下層レジスト層を、O2 とCl2 との混合ガスを
用いてパターニングする場合、エッチングを2段階に分
け、上層レジストパターンがエッチオフされた後にはC
l2 の混合比を高めてエッチングを行なった例である。
このドライエッチング方法を図1を参照して説明する。
なお、同図において、従来の技術で説明した箇所と同じ
部分には、同一の参照番号を付与することとする。
ング基板として、例えば5インチ径のSiウェハ上に形
成された、段差を有するSiO2 系層間絶縁膜1上に、
この段差にならったAl−1%Si−0.5%Cu合金
層2をO.7μmの厚さに形成して、これを下地材料層
とする。なお、ここでは層間絶縁膜1下の下層配線等は
図示を省略する。つぎにこの上に一例としてノボラック
系ポジ型フォトレジスト(東京応化工業株式会社製、商
品名OFPR−800)を塗布して下層レジスト層3を
形成する。ここで、段差下部に対応する領域の下層レジ
スト層3の厚さは約1.0μmであり、表面は段差を吸
収して平坦面となるように形成する。この下層レジスト
層3の上には、SOG(東京応化工業株式会社製、商品
名OCD−Type2)をスピンコートし、厚さ約0.
2μmのSiO2 系中間層4を形成する。さらに、この
中間層4上には所定の形状にパターニングした上層レジ
ストパターン5を形成する。この上層レジストパターン
5は、一例としてネガ型化学増幅系レジスト(シプレー
社製、商品名SAL−601)からなる厚さ約0.7μ
mの塗布膜に対し、KrFエキシマレーザ露光および現
像処理を行うことにより形成する。この上層レジストパ
ターン5のパターン幅は、一例として0.35μmであ
る。
ソード型ドライエッチング装置にセットし、上層レジス
トパターン5をマスクとして中間層4をエッチングす
る。このときのエッチング条件は、例えば下記のとおり
とした。 CHF3 75 sccm O2 8 sccm ガス圧力 6.5 Pa RFバイアスパワー 1350 W(13.56MH
z) この結果、図1(b)に示したように、上層レジストパ
ターン5の直下に中間層パターン4aが形成された。
ス印加型ECRプラズマエッチング装置に移設し、一例
として下記条件で下層レジスト層3をエッチングした。 O2 40 sccm Cl2 10 sccm ガス圧力 2.0 Pa マイクロ波パワー 900 W(2.45GHz) RFバイアスパワー 200 W(2MHz) 基板温度 室温
的酸化反応が、O+ 、Cl+ 等のイオンにアシストされ
る機構で下層レジスト層3のエッチングが進行すると同
時に、上層レジストパターン5のエッチングも進行す
る。また、エッチングガスと、上層レジストパターン5
および下層レジスト層3から供給される炭素系の分解生
成物に起因して反応生成物CClx が発生するが、これ
はプラズマ中で重合し、炭素系プラズマポリマが生成し
た。この炭素系プラズマポリマは、パターン側壁部に堆
積して側壁保護膜6を形成し、異方性エッチングに寄与
する。この結果、図1(c)に示したように、異方性形
状を保った下層レジストパターン中途迄形成された。
層レジストパターン5もエッチオフされ、中間層パター
ン4aが露出する。しかしこの段階では下層レジスト層
の残余部3bが未だ存在する。
のように切り替え、下層レジスト層の残余部3bのエッ
チングを行う。 O2 20 sccm Cl2 30 sccm ガス圧力 2.0 Pa マイクロ波パワー 900 W(2.45GHz) RFバイアスパワー 200 W(2MHz) 基板温度 室温 この第2のエッチング工程では、O2 の混合比を低下さ
せCl2 の混合比を増加し、他のエッチング条件は同一
とした。すなわち、上層レジストパターンがエッチオフ
されたことによる未反応のO* が過剰に存在することが
防止され、同時に側壁保護膜として機能するCClx の
生成を助長する。この結果、図1(d)に示すように、
下層レジストパターン3aがアンダカットなく、異方性
形状を保って形成された。
ガスを用いてエッチングする場合に、エッチングを2段
階に分け、上層レジストパターンがエッチオフされた後
はエッチング圧力を低下すると同時に、マイクロ波パワ
ーも下げて2段目のエッチングをおこなった例であり、
同じく図1を参照して説明する。
と同じであるので説明は省略する。図1(b)の被エッ
チング基板を有磁場マイクロ波エッチング装置にセッテ
ィングし、一例として下記条件で下層レジスト層3をエ
ッチングした。 O2 40 sccm HCl 10 sccm ガス圧力 2.0 Pa マイクロ波パワー 900 W(2.45GHz) RFバイアスパワー 200 W(2MHz) 基板温度 室温
的酸化反応がH+ 、Cl+ およびO + 等のイオンにアシ
ストされてエッチングが進行する一方、エッチング反応
生成物CClx がプラズマ重合物となり側壁保護膜の形
成に寄与する。この結果、図1(c)に示したように、
異方性形状を保った下層レジストパターンが中途迄形成
された。
層レジストパターン5も同時にエッチオフされ、中間層
パターン4aが露出する。しかしこの段階では下層レジ
スト層の残余部3bが未だ存在する。
のように切り替え、下層レジスト層の残余部3bのエッ
チングを行う。 O2 40 sccm HCl 10 sccm ガス圧力 1.0 Pa マイクロ波パワー 450 W(2.45GHz) RFバイアスパワー 200 W(2MHz) 基板温度 室温 この第2のエッチング工程では、上層レジストパターン
5がエッチオフされた時点から反応生成物CClx の生
成量が減少し、相対的に過剰となるO* の生成量をマイ
クロ波パワーの低下により減少させたこと、および低圧
力化により平均自由工程の伸びたH+ 、Cl+ およびO
+ 等のイオンの直進性により、図1(d)に示すように
下層レジストパターン3aにアンダーカットを生じるこ
となく、良好な異方性形状が達成された。
ガスを用いてエッチングする場合に、エッチングを2段
階に分け、上層レジストパターンがエッチオフされた後
はArガスを添加すると同時に、基板バイアスを増加し
て2段目のエッチングを行なった例であり、同じく図1
を参照して説明する。
と同じであるので説明は省略する。図1(b)の被エッ
チング基板を有磁場マイクロ波エッチング装置にセッテ
ィングし、一例として下記条件で下層レジスト層3をエ
ッチングした。 O2 40 sccm HBr 10 sccm ガス圧力 2.0 Pa マイクロ波パワー 900 W(2.45GHz) RFバイアスパワー 200 W(2MHz) 基板温度 室温
的酸化反応がH+ 、Br+ およびO + 等のイオンにアシ
ストされてエッチングが進行する一方、エッチング反応
生成物CBrx がプラズマ重合物として側壁保護膜の形
成に寄与する。この結果、図1(c)に示したように、
異方性形状を保った下層レジストパターンが中途迄形成
された。
のように切り替え、下層レジスト層の残余部3bのエッ
チングを行う。 O2 40 sccm HBr 10 sccm Ar 90 sccm ガス圧力 2.0 Pa マイクロ波パワー 900 W(2.45GHz) RFバイアスパワー 300 W(2MHz) 基板温度 室温 この第2のエッチング工程では、上層レジストパターン
5がエッチオフされた時点から側壁保護膜6の形成に寄
与する反応生成物CClx の生成量が減少しするが、希
釈ガスとしてArを添加したことにより、未反応のO*
が過剰に存在することが防止された。またRFバイアス
パワーの増加により、H+ 、Br+ およびO+ 等のイオ
ン入射強度が大きくなり、これにAr+ も加わりイオン
アシストによるエッチングが進行した。これらの相乗効
果により、図1(d)に示すように下層レジストパター
ン3aにアンダーカットを生じることなく、良好な異方
性形状が達成された。
が大きく反応性の低いBr系の化学種を用いることによ
り、中間層パターン4aやAl−Si−Cu下地材料層
2に対する層に対する選択比が向上する効果もみられ
た。
エッチング工程に切り替えるタイミングは、上層レジス
トパターンがエッチオフされる時点から以後、反応生成
物であるCO2 ガスの生成量が減少する事を利用し、4
83.5nmにおけるCO*の発光スペクトル強度が減
少し始める時点に設定すればよい。
したが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもので
はない。
を切り替える時点として、上記実施例では上層レジスト
パターン5がエッチオフされた後としたが、厳密に上層
レジストパターンが消失した時点以後と限定する必要は
ない。本発明の基本的な原理にしたがえば、上層レジス
トパターンがエッチオフされる近傍に切り替えのタイミ
ングを設定すれば下層レジストのアンダーカットを防止
する効果が充分に得られるものである。
Cl2 、HClおよびHBrを用いたが、その他側壁保
護膜の形成に寄与するガス、例えばBCl3 、CC
l4 、SiCl4 、Br2 、BBr3 、HI等ハロゲン
原子を含むガスを広く用いることが可能である。
用いたが、Si3 N4 系、Al2 O 3 系、a−Siや各
種金属等の無機薄膜を使用することが可能であり、その
成膜法もスパッタリング、蒸着、各種CVD等を用いる
ことができる。
各実施例ではノボラック系ポジ型フォトレジストを用い
たが、その他各種レジスト材料を用いることが可能であ
る。本有機材料層は、段差下地の平坦化をはかれば良い
のであるから、感光性である必要はなく、ポリイミド他
各種有機材料を利用できる。
ング条件、エッチング装置等は適宜変更可能である。エ
ッチングガス組成には、その他N2 、H2 、CO、CO
2 、NOx 系、SOx 系ガス等を添加してもよい。
く、上層レジストパターンのエッチオフ以後、下層レジ
ストパターンのアンダーカットを防止しうる機能を有す
る第2のエッチングを適宜導入すれば本発明の効果が顕
れることはいう迄もない。
は3層レジストプロセスにおける下層レジスト等有機材
料層のエッチングにおいて、上層レジストのエッチオフ
以後の反応生成物減少にともなう側壁保護膜機能低下に
よる下層レジストパターンのアンダーカットを効果的に
防止し、寸法変換差のない異方性形状にすぐれた多層レ
ジストのドライエッチング方法が実現できる。
タリングによる下層レジストパターン側壁への再付着を
防止し、パターンシフトを防ぎつつパーティクル汚染の
ないクリーンな多層レジストのドライエッチング方法を
行える。
レートを確保した上で、下層レジストパターンのアンダ
ーカットと寸法変換差を排除し、かつ下地スパッタの無
い清浄な多層レジストのドライエッチング方法を達成で
きる。
セスの実用性を高めることができ、高集積度、高信頼性
を要求される、微細なデサインルールにもとづく多層配
線構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて有効
である。本発明は、上記半導体装置のみにとどまらず、
高段差基板上等でパターニングする必要のあるOEI
C、バブルドメイン記憶装置さらには薄膜磁気ヘッドコ
イル等のパターニングにおいても高い効果を発揮する。
の工程順に説明する概略断面図であり、(a)は段差を
有するAl−Si−Cu合金下地材料層上に下層レジス
ト層、中間層および上層レジストパターンが順次形成さ
れた状態、(b)は中間層パターンが形成された状態、
(c)は上層レジストパターンおよび中間層パターンを
マスクに下層レジスト層に第1のエッチング工程を施す
ことにより、下地レジストパターンが中途まで形成され
た状態であり、上層レジストパターンはエッチオッフさ
れて消失した状態、(d)は中間層パターンをマスクに
下層レジストの残余部に第2のエッチング工程を施し下
層レジストパターンが完成した状態である。
する概略断面図であり、(a)は段差を有する下地材料
層上に下層レジスト層、中間層および上層レジストパタ
ーンが順次形成された状態、(b)は中間層パターンが
形成された状態、(c)は上層レジストパターンおよび
中間層パターンをマスクに下層レジスト層をエッチング
して下層レジストパターンが完成した状態である。
面図であり、段差上部の下層レジストパターン側壁に、
下地材料層のスパッタ再付着物層が形成された状態であ
る。
順に説明する概略断面図であり、(a)は上層レジスト
パターンと中間層をマスクに下層レジスト層をエッチン
グし、上層レジストパターンがエッチオフされた直後の
状態、(b)は中間層パターンをマスクに下層レジスト
の残余部をエッチングして下層レジストパターンが完成
した状態である。
Claims (5)
- 【請求項1】 下地材料層上に有機材料層、中間層およ
び上層レジストパターンを順次形成し、該上層レジスト
パターンをマスクに上記中間層をパターニングし、つぎ
に少なくとも中間層パターンをマスクに上記有機材料層
をパターニングする多層レジストのドライエッチング方
法において、 上記有機材料層のパターニングは、上記上層レジストパ
ターンがエッチオフされる迄の第1のエッチング工程
と、上記上層レジストパターンがエッチオフされた後
の、該第1のエッチング工程とは異なるエッチング条件
の第2のエッチング工程とを有することを特徴とするド
ライエッチング方法。 - 【請求項2】 酸素ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガ
スを用い、第2のエッチング工程においては、該ハロゲ
ン系ガスの混合比を高めることを特徴とする請求項1記
載のドライエッチング方法。 - 【請求項3】 酸素ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガ
スを用い、第2のエッチング工程においては、エッチン
グ圧力を低下することを特徴とする請求項1記載のドラ
イエッチング方法。 - 【請求項4】 酸素ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガ
スを用い、第2のエッチング工程においては、希ガスを
添加することを特徴とする請求項1記載のドライエッチ
ング方法。 - 【請求項5】 酸素ガスとハロゲン系ガスを含む混合ガ
スを用い、第2のエッチング工程においては、基板バイ
アス電圧を高めること特徴とする請求項1記載のドライ
エッチング方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31225093A JP3277652B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31225093A JP3277652B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07169739A true JPH07169739A (ja) | 1995-07-04 |
JP3277652B2 JP3277652B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=18026976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31225093A Expired - Lifetime JP3277652B2 (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3277652B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6402838B1 (en) | 1999-08-02 | 2002-06-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Crystal growth vessel and crystal growth method |
US6492278B2 (en) | 2000-03-13 | 2002-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2008505497A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-02-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 二層レジストプラズマエッチングの方法 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP31225093A patent/JP3277652B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6402838B1 (en) | 1999-08-02 | 2002-06-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Crystal growth vessel and crystal growth method |
US6758899B2 (en) | 1999-08-02 | 2004-07-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Crystal growth vessel and crystal growth method |
US6492278B2 (en) | 2000-03-13 | 2002-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2008505497A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-02-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 二層レジストプラズマエッチングの方法 |
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