JPH07169324A - ケーブル用の絶縁構造物 - Google Patents
ケーブル用の絶縁構造物Info
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- JPH07169324A JPH07169324A JP6225054A JP22505494A JPH07169324A JP H07169324 A JPH07169324 A JP H07169324A JP 6225054 A JP6225054 A JP 6225054A JP 22505494 A JP22505494 A JP 22505494A JP H07169324 A JPH07169324 A JP H07169324A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B9/00—Power cables
- H01B9/02—Power cables with screens or conductive layers, e.g. for avoiding large potential gradients
- H01B9/027—Power cables with screens or conductive layers, e.g. for avoiding large potential gradients composed of semi-conducting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B9/00—Power cables
- H01B9/02—Power cables with screens or conductive layers, e.g. for avoiding large potential gradients
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- Organic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
- Installation Of Indoor Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 時間的に安定した絶縁特性を示す、直流電流
または交流電流を通おす中圧、高圧、及び超高圧ケーブ
ル用の絶縁構造物を提供する。 【構成】 本発明は、ケーブル心線に隣接しこれと同軸
である少なくとも１つの半導電体第１層を含むケーブル
用のもので、前記第１層が電気絶縁性第２層によって囲
まれ、第２層自体が半導電体第３層によって被覆されて
いる、絶縁構造物であって、前記半導電体層が専ら非極
性重合体を含む基質から成り、この非極性重合体の成分
が１０００以上の分子量と導電性装入物を有することを
特徴とする。
または交流電流を通おす中圧、高圧、及び超高圧ケーブ
ル用の絶縁構造物を提供する。 【構成】 本発明は、ケーブル心線に隣接しこれと同軸
である少なくとも１つの半導電体第１層を含むケーブル
用のもので、前記第１層が電気絶縁性第２層によって囲
まれ、第２層自体が半導電体第３層によって被覆されて
いる、絶縁構造物であって、前記半導電体層が専ら非極
性重合体を含む基質から成り、この非極性重合体の成分
が１０００以上の分子量と導電性装入物を有することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直流電流または交流電
流を通す中圧、高圧、及び超高圧ケーブル用の絶縁構造
物に関する。
流を通す中圧、高圧、及び超高圧ケーブル用の絶縁構造
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】これらのケーブルは一般に、同軸の絶縁
構造物で囲まれた導電性心線から構成される。この構造
物は、ケーブル心線に接触して配置された少なくとも１
つの半導電体第１層を含み、これ自体は電気絶縁性第２
層によって囲まれ、後者は半導電体第３層によって被覆
されている。その他の外部層はケーブルの保護に役立
つ。
構造物で囲まれた導電性心線から構成される。この構造
物は、ケーブル心線に接触して配置された少なくとも１
つの半導電体第１層を含み、これ自体は電気絶縁性第２
層によって囲まれ、後者は半導電体第３層によって被覆
されている。その他の外部層はケーブルの保護に役立
つ。
【０００３】絶縁層は通常、高密度または低密度のポリ
エチレン、網状ポリエチレン、またはメチレン主鎖を持
つエチレン・プロピレン・ジエンの三元ポリマーをベー
スとしている（ＥＰＤＭ）。
エチレン、網状ポリエチレン、またはメチレン主鎖を持
つエチレン・プロピレン・ジエンの三元ポリマーをベー
スとしている（ＥＰＤＭ）。
【０００４】半導電体層は一般に、極性基質、大抵の場
合は、カーボン・ブラックを装荷するエチレンとアルキ
ル・アクリル酸塩の共重合体から成る。装入量は使用さ
れるカーボン・ブラックの性質によって異なる。アセチ
レン・ブラックまたはファーネス・ブラックでは、装入
量の比率は一般に２８％から４０％の間に含まれる。
合は、カーボン・ブラックを装荷するエチレンとアルキ
ル・アクリル酸塩の共重合体から成る。装入量は使用さ
れるカーボン・ブラックの性質によって異なる。アセチ
レン・ブラックまたはファーネス・ブラックでは、装入
量の比率は一般に２８％から４０％の間に含まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなケーブルの
絶縁耐力は、半導電体層と絶縁層との間の界面の品質に
大きく左右される。この界面のレベルでざらつきが小さ
いと、電界の増強をもたらし、絶縁層の破壊と穿穴を生
じる可能性がある。
絶縁耐力は、半導電体層と絶縁層との間の界面の品質に
大きく左右される。この界面のレベルでざらつきが小さ
いと、電界の増強をもたらし、絶縁層の破壊と穿穴を生
じる可能性がある。
【０００６】押出しの際にできるだけ滑らかな界面を得
るために、現在市販の高圧ケーブルの半導電体層の基質
は一般に、１７程度という高い流動性係数すなわち高い
「メルト・インデックス」を有し（高い「メルト・イン
デックス」は低い分子量の存在を示す標識であり、これ
はＡＳＴＭ参照Ｄ１２３８またはＮＦＴ５１−０１６規
格によって測定される）、非常に幅広い分子量分布を有
する重合体をベースとする。しかし絶縁層では、半導電
体層の近くで空間電荷の発生が確認されており、その蓄
積は絶縁体の絶縁耐力を劣化させ、破壊に至ることがあ
る。
るために、現在市販の高圧ケーブルの半導電体層の基質
は一般に、１７程度という高い流動性係数すなわち高い
「メルト・インデックス」を有し（高い「メルト・イン
デックス」は低い分子量の存在を示す標識であり、これ
はＡＳＴＭ参照Ｄ１２３８またはＮＦＴ５１−０１６規
格によって測定される）、非常に幅広い分子量分布を有
する重合体をベースとする。しかし絶縁層では、半導電
体層の近くで空間電荷の発生が確認されており、その蓄
積は絶縁体の絶縁耐力を劣化させ、破壊に至ることがあ
る。
【０００７】いくつかの半導電体メーカが、エチレン共
重合体（ＥＰＲ：エチレンプロピレン熱可塑性エラスト
マ、またはＥＰＤＭ：メチレン主鎖を持つエチレン・プ
ロピレン・ジエンの三元ポリマー）をベースとする非極
性基質を使用しており、これらに、半導電体層の良好な
表面状態を容易に得るために油剤または可塑剤が加えら
れる。これらの油剤または可塑剤は絶縁層中で拡散し、
半導電体層と絶縁層との間の電界が最も高い界面レベル
に、絶縁耐力が最も低い領域を形成する。
重合体（ＥＰＲ：エチレンプロピレン熱可塑性エラスト
マ、またはＥＰＤＭ：メチレン主鎖を持つエチレン・プ
ロピレン・ジエンの三元ポリマー）をベースとする非極
性基質を使用しており、これらに、半導電体層の良好な
表面状態を容易に得るために油剤または可塑剤が加えら
れる。これらの油剤または可塑剤は絶縁層中で拡散し、
半導電体層と絶縁層との間の電界が最も高い界面レベル
に、絶縁耐力が最も低い領域を形成する。
【０００８】本発明は、現在までに既知の絶縁特性より
時間的に安定した絶縁特性を示す、直流電流または交流
電流を通す中圧、高圧、及び超高圧ケーブル用の絶縁構
造物を入手することを目的とする。
時間的に安定した絶縁特性を示す、直流電流または交流
電流を通す中圧、高圧、及び超高圧ケーブル用の絶縁構
造物を入手することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ケーブ
ル心線に隣接しこれと同軸である少なくとも１つの半導
電体第１層を含むケーブル用のもので、前記第１層が電
気絶縁性第２層によって囲まれ、第２層自体が半導電体
第３層によって被覆されている、絶縁構造物である。半
導電体層は専ら非極性重合体を含む基質から成り、この
非極性重合体の成分は１０００以上の分子量と導電性装
入物を有する、絶縁構造物である。
ル心線に隣接しこれと同軸である少なくとも１つの半導
電体第１層を含むケーブル用のもので、前記第１層が電
気絶縁性第２層によって囲まれ、第２層自体が半導電体
第３層によって被覆されている、絶縁構造物である。半
導電体層は専ら非極性重合体を含む基質から成り、この
非極性重合体の成分は１０００以上の分子量と導電性装
入物を有する、絶縁構造物である。
【００１０】基質の成分は５０００以上の分子量を有す
ることが好ましい。
ることが好ましい。
【００１１】半導電体層が油剤や可塑剤のような分子量
の小さい化合物または添加剤を含む場合には、これらの
化合物は絶縁層中を移動する。この現象は、空間電荷の
形成をもたらして電界の強化を生じ、最終的には破壊を
もたらすことがある。電界の強化は形成される電荷の量
に関係するが、またその移動度にも関係する。すなわ
ち、均等に配分された電荷は、局在化された電荷ほど大
きな電界の強化をもたらさない。この移動は、ケーブル
工事中またはケーブルの動作中に発生する可能性があ
る。
の小さい化合物または添加剤を含む場合には、これらの
化合物は絶縁層中を移動する。この現象は、空間電荷の
形成をもたらして電界の強化を生じ、最終的には破壊を
もたらすことがある。電界の強化は形成される電荷の量
に関係するが、またその移動度にも関係する。すなわ
ち、均等に配分された電荷は、局在化された電荷ほど大
きな電界の強化をもたらさない。この移動は、ケーブル
工事中またはケーブルの動作中に発生する可能性があ
る。
【００１２】分子量の大きい化合物しか含まない本発明
による組成の半導電体層を採用すると、絶縁層内におけ
る空間の移動が防止され、またこれによって界面近くの
空間電荷の蓄積も防止される。
による組成の半導電体層を採用すると、絶縁層内におけ
る空間の移動が防止され、またこれによって界面近くの
空間電荷の蓄積も防止される。
【００１３】第１変形例では、基質は、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリスチレン、及びこれらの共重合
体、ポリエチレンとポリプロピレンとポリスチレン及び
これらの共重合体から選ばれた重合体の複合物、及びポ
リエチレンとポリプロピレンとポリスチレン及びこれら
の共重合体及び前記複合物から選ばれた化合物の混合物
のうちから選ばれる。
ポリプロピレン、ポリスチレン、及びこれらの共重合
体、ポリエチレンとポリプロピレンとポリスチレン及び
これらの共重合体から選ばれた重合体の複合物、及びポ
リエチレンとポリプロピレンとポリスチレン及びこれら
の共重合体及び前記複合物から選ばれた化合物の混合物
のうちから選ばれる。
【００１４】第２変形例では、基質は、ポリオレフィン
熱可塑性エラストマとこれらの混合物のうちから選ばれ
る。
熱可塑性エラストマとこれらの混合物のうちから選ばれ
る。
【００１５】基質を構成する重合体の選択は、絶縁層と
の界面の品質と、得られる半導電体層の機械的特性とに
依存し、添加剤に頼る必要はない。
の界面の品質と、得られる半導電体層の機械的特性とに
依存し、添加剤に頼る必要はない。
【００１６】本発明は、分子量の小さな化合物の移動を
抑えて、絶縁構造物の絶縁特性を安定させるという利点
を有する。その結果、異なる層間の界面の品質はパラメ
ータとして重大性はより低くなる。
抑えて、絶縁構造物の絶縁特性を安定させるという利点
を有する。その結果、異なる層間の界面の品質はパラメ
ータとして重大性はより低くなる。
【００１７】装入物は、不純物をできるだけ含まないよ
うにしたカーボン・ブラックである。ファーネス・ブラ
ックまたは“ＫＥＴＪＥＮ”ブラックを利用することは
できるが、非常に純粋なアセチレン・ブラックを選ぶこ
とが好ましい。
うにしたカーボン・ブラックである。ファーネス・ブラ
ックまたは“ＫＥＴＪＥＮ”ブラックを利用することは
できるが、非常に純粋なアセチレン・ブラックを選ぶこ
とが好ましい。
【００１８】ある場合には、基質はさらに網状化剤を含
む。押出しで材料を成形した後、熱力学的特性を改善す
るという観点から、これを網状にすることができる。こ
れらの特性は交流電流を通すケーブルには特に重要であ
る。
む。押出しで材料を成形した後、熱力学的特性を改善す
るという観点から、これを網状にすることができる。こ
れらの特性は交流電流を通すケーブルには特に重要であ
る。
【００１９】本発明のその他の特徴と利点は、添付の図
を参照しながら、当然例示的なものであって限定的なも
のではない下記の実施例を読めば明らかになろう。
を参照しながら、当然例示的なものであって限定的なも
のではない下記の実施例を読めば明らかになろう。
【００２０】
【実施例】図１に示す装置を使用して圧力波の試験を実
施した。このテストによって、絶縁構造物の中の電界の
強化を評価することができる。
施した。このテストによって、絶縁構造物の中の電界の
強化を評価することができる。
【００２１】圧力波試験用の絶縁構造物のサンプル１
を、図２には上面図で示し、図３には断面図で示す。直
径Ａが２０mmの円形表面の上に、 − 厚さＢが０．５mmの半導電体第１層２、 − 厚さＣが０．８mmの電気的絶縁性第２層３、 − 層２と同じ半導電体第３層４、が重なって置かれて
いる。
を、図２には上面図で示し、図３には断面図で示す。直
径Ａが２０mmの円形表面の上に、 − 厚さＢが０．５mmの半導電体第１層２、 − 厚さＣが０．８mmの電気的絶縁性第２層３、 − 層２と同じ半導電体第３層４、が重なって置かれて
いる。
【００２２】図１の装置はレーザ１０“ＹＡｇ”で構成
され、そのレーザ光線はサンプル１に相当する標的１１
に当てられ、標的の各半導電体は電極（＋）と（−）を
構成する。電極２（−）の表面に吸収されたこのレーザ
光線は、その表面を熱分解によって分解し、発生するガ
スはサンプルを横切る圧力波をひき起こす。この波は電
極上の電荷イメージを変調し、サンプル中の体積電荷密
度にアクセスできるようにする。
され、そのレーザ光線はサンプル１に相当する標的１１
に当てられ、標的の各半導電体は電極（＋）と（−）を
構成する。電極２（−）の表面に吸収されたこのレーザ
光線は、その表面を熱分解によって分解し、発生するガ
スはサンプルを横切る圧力波をひき起こす。この波は電
極上の電荷イメージを変調し、サンプル中の体積電荷密
度にアクセスできるようにする。
【００２３】フォトダイオード１２によって、検出器１
３はレーザ１０に同調することができる。回路は、抵抗
１５を備えた高圧給電線によって給電される。記録され
るデータはコンピュータ１６処理のために転送され、グ
ラフィック・レジスタ１７上に時間に応じて表示され
る。レーザ１０は波を標的１１に送り、空間電荷の出現
と電界分配の変更を起こさせ、次いでこの電界分配の変
更が検出器１３によって測定される。
３はレーザ１０に同調することができる。回路は、抵抗
１５を備えた高圧給電線によって給電される。記録され
るデータはコンピュータ１６処理のために転送され、グ
ラフィック・レジスタ１７上に時間に応じて表示され
る。レーザ１０は波を標的１１に送り、空間電荷の出現
と電界分配の変更を起こさせ、次いでこの電界分配の変
更が検出器１３によって測定される。
【００２４】例１ 図２に示すサンプルに似た従来技術による絶縁構造物の
サンプルを作成する。このサンプルは、 − エチレンとアルキル・アクリル酸塩の共重合体をベ
ースとする極性基質から成る半導電体第１層であって、
この共重合体の「メルト・インデックス」は８の値を有
し、そのエステル含有率は２０％であり、これにアセチ
レン・ブラック装入物が基質１００重量部に対して６６
重量部になる比率で加えられた、前記の第１層と、 − オレフィン熱可塑性エラストマから成る電気絶縁性
第２層と、 − 第１層と同じ半導電体第３層を含む。
サンプルを作成する。このサンプルは、 − エチレンとアルキル・アクリル酸塩の共重合体をベ
ースとする極性基質から成る半導電体第１層であって、
この共重合体の「メルト・インデックス」は８の値を有
し、そのエステル含有率は２０％であり、これにアセチ
レン・ブラック装入物が基質１００重量部に対して６６
重量部になる比率で加えられた、前記の第１層と、 − オレフィン熱可塑性エラストマから成る電気絶縁性
第２層と、 − 第１層と同じ半導電体第３層を含む。
【００２５】こうして、このサンプルを図１に示す装置
を使用して圧力波試験にかける。カソード２に負電荷が
かなりの比率で出現することが認められる。そこで電界
の強化は２０％以上であり、電力を遮断した後も数時
間、電荷は材料中に捕獲されたまま残存する。
を使用して圧力波試験にかける。カソード２に負電荷が
かなりの比率で出現することが認められる。そこで電界
の強化は２０％以上であり、電力を遮断した後も数時
間、電荷は材料中に捕獲されたまま残存する。
【００２６】例２ 図２に示すサンプルに似た従来技術による絶縁構造物の
サンプルを作成する。このサンプルは、 − エチレンとアルキル・アクリル酸塩の共重合体をベ
ースとする極性基質から成る半導電体第１層であって、
この共重合体の「メルト・インデックス」は８の値を有
し、そのエステル含有率は２０％であり、これにアセチ
レン・ブラック装入物が基質１００重量部に対して６６
重量部の比率で加えられた、前記第１層と、 − 化学的に網状化されたポリエチレン（ＰＲＣ）から
成る電気絶縁性第２層と、 − 第１層と同じ半導電体第３層とを含む。
サンプルを作成する。このサンプルは、 − エチレンとアルキル・アクリル酸塩の共重合体をベ
ースとする極性基質から成る半導電体第１層であって、
この共重合体の「メルト・インデックス」は８の値を有
し、そのエステル含有率は２０％であり、これにアセチ
レン・ブラック装入物が基質１００重量部に対して６６
重量部の比率で加えられた、前記第１層と、 − 化学的に網状化されたポリエチレン（ＰＲＣ）から
成る電気絶縁性第２層と、 − 第１層と同じ半導電体第３層とを含む。
【００２７】次に、このサンプルを図１に示す装置を使
用して圧力波の試験にかける。カソード２の近くに負電
荷がかなりの比率で出現すること、また電力遮断後も電
荷は基質中に捕捉されたまま残存することが認められ
る。電界の強化は２０％以上である。
用して圧力波の試験にかける。カソード２の近くに負電
荷がかなりの比率で出現すること、また電力遮断後も電
荷は基質中に捕捉されたまま残存することが認められ
る。電界の強化は２０％以上である。
【００２８】例３ 図２に示すサンプルに似た本発明による絶縁構造物のサ
ンプルを作成する。このサンプルは、 − 非極性基質から成る半導電体第１層であって、この
基質にアセチレン・ブラック装入物が基質１００重量部
に対して６６重量部の比率で加えられ、基質は、「メル
ト・インデックス」価が２で、分子量が１０3 〜１０7
の範囲に含まれ、１．１×１０6 を中心とするポリエチ
レン（ＰＥ）２０％と、（ＮＦＴ４３００５規格によっ
て測定された）“ＭＯＯＮＥＹ”粘性が４０程度で、分
子量が１０3 〜１０7 の範囲に含まれ１．２×１０5 を
中心とする、エチレンを約５０重量％含むエチレンとプ
ロピレンの共重合体８０％を含む、前記の第１層と、 − 化学的に網状化されたポリエチレン（ＰＲＣ）から
成る電気絶縁性第２層と、 − 第１層と同じ半導電体第３層とを含む。
ンプルを作成する。このサンプルは、 − 非極性基質から成る半導電体第１層であって、この
基質にアセチレン・ブラック装入物が基質１００重量部
に対して６６重量部の比率で加えられ、基質は、「メル
ト・インデックス」価が２で、分子量が１０3 〜１０7
の範囲に含まれ、１．１×１０6 を中心とするポリエチ
レン（ＰＥ）２０％と、（ＮＦＴ４３００５規格によっ
て測定された）“ＭＯＯＮＥＹ”粘性が４０程度で、分
子量が１０3 〜１０7 の範囲に含まれ１．２×１０5 を
中心とする、エチレンを約５０重量％含むエチレンとプ
ロピレンの共重合体８０％を含む、前記の第１層と、 − 化学的に網状化されたポリエチレン（ＰＲＣ）から
成る電気絶縁性第２層と、 − 第１層と同じ半導電体第３層とを含む。
【００２９】次に、このサンプルを図１に示す装置を使
用して圧力波試験にかける。電界の強化は１０％以下で
あり、また電力遮断後は捕捉電荷は絶縁材料中に存続し
ない。
用して圧力波試験にかける。電界の強化は１０％以下で
あり、また電力遮断後は捕捉電荷は絶縁材料中に存続し
ない。
【００３０】例４ 図２に示すサンプルに似た本発明による絶縁構造物のサ
ンプルを作成する。このサンプルは、 − 非極性基質から成る半導電体第１層であって、この
基質にアセチレン・ブラック装入物が基質１００重量部
に対して６６重量部の比率で加えられ、基質は、「メル
ト・インデックス」価が２で、分子量が１．１×１０6
を中心とするポリエチレン（ＰＥ）２０％と、（ＮＦＴ
４３００５規格によって測定された）“ＭＯＯＮＥＹ”
粘性が４０程度で分子量が１０3 〜１０7 の範囲に含ま
れ１．２×１０5 を中心とする、エチレンを約５０重量
％含むエチレンとプロピレンの共重合体８０％を含む、
前記の第１層と、 − オレフィン熱可塑性エラストマから成る電気絶縁性
第２層と、 − 第１層と同じ半導電体第３層とを含む。
ンプルを作成する。このサンプルは、 − 非極性基質から成る半導電体第１層であって、この
基質にアセチレン・ブラック装入物が基質１００重量部
に対して６６重量部の比率で加えられ、基質は、「メル
ト・インデックス」価が２で、分子量が１．１×１０6
を中心とするポリエチレン（ＰＥ）２０％と、（ＮＦＴ
４３００５規格によって測定された）“ＭＯＯＮＥＹ”
粘性が４０程度で分子量が１０3 〜１０7 の範囲に含ま
れ１．２×１０5 を中心とする、エチレンを約５０重量
％含むエチレンとプロピレンの共重合体８０％を含む、
前記の第１層と、 − オレフィン熱可塑性エラストマから成る電気絶縁性
第２層と、 − 第１層と同じ半導電体第３層とを含む。
【００３１】次に、このサンプルを図１に示す装置を使
用して圧力波試験にかける。電界の強化は１０％以下で
あり、また電力遮断後は捕捉電荷が絶縁材料中に存続し
ない。
用して圧力波試験にかける。電界の強化は１０％以下で
あり、また電力遮断後は捕捉電荷が絶縁材料中に存続し
ない。
【００３２】例５ 比較 例４に記載のサンプルに類似のサンプルを準備するが、
半導電体層の基質に、パラフィン油を基質に対して５重
量％の割合で加える。
半導電体層の基質に、パラフィン油を基質に対して５重
量％の割合で加える。
【００３３】次に、このサンプルを図１に示す装置を使
用して圧力波試験にかける。この場合の電界の強化は１
４０％である。
用して圧力波試験にかける。この場合の電界の強化は１
４０％である。
【００３４】もちろん、本発明は記載された実施態様に
限定されるものではなく、本発明の意図からずれること
なく、当業者にはアクセス可能な多くの変形を行うこと
ができる。特に、本発明の範囲を逸脱することなく、手
段のすべてを等価の手段によって置き換えることができ
る。
限定されるものではなく、本発明の意図からずれること
なく、当業者にはアクセス可能な多くの変形を行うこと
ができる。特に、本発明の範囲を逸脱することなく、手
段のすべてを等価の手段によって置き換えることができ
る。
【図１】圧力波試験装置の全体概念図である。
【図２】圧力波試験用の絶縁構造物のサンプルの上面図
である。
である。
【図３】図２のサンプルの断面概要図である。
１ サンプル ２ 半導電体第１層、電極（−） ３ 電気絶縁性第２層 ４ 半導電体第３層 １０ レーザ １１ 標的 １２ フォトダイオード １３ 検出器 １４ 高圧電源 １５ 抵抗 １６ コンピュータ １７ グラフィック・レジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヨゼ・ベジイーユ フランス国、59240・ダンケルク、リユ・ デ・プワリユ、32 (72)発明者 アキム・ジヤナ フランス国、62100・サンガツト、リユ・ デユ・セマフオール、８
Claims (6)
- 【請求項１】 ケーブル心線に隣接しこれと同軸である
少なくとも１つの半導電体第１層を含むケーブル用のも
ので、前記第１層が電気絶縁性第２層によって囲まれ、
第２層自体が半導電体第３層によって被覆されている、
絶縁構造物において、前記半導電体層が専ら非極性重合
体を含む基質から成り、非極性重合体の成分が１０００
以上の分子量と導電性装入物を有することを特徴とする
絶縁構造物。 - 【請求項２】 前記基質の成分が５０００以上の分子量
を有することを特徴とする請求項１に記載の構造物。 - 【請求項３】 前記基質が、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリスチレン、及びこれらの共重合体、ポリエチ
レンとポリプロピレンとポリスチレン及びこれらの共重
合体から選ばれた重合体の複合物、及び前記化合物の混
合物のうちから選ばれることを特徴とする請求項１また
は２に記載の構造物。 - 【請求項４】 前記基質が、ポリオレフィン熱可塑性エ
ラストマとこれらの混合物のうちから選ばれることを特
徴とする請求項１または２に記載の構造物。 - 【請求項５】 前記装入物がアセチレン・ブラックであ
ることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記
載の構造物。 - 【請求項６】 前記基質がさらに架橋剤を含むことを特
徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の構造
物。
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