JPH01166582A - レーザ駆動回路 - Google Patents
レーザ駆動回路Info
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- JPH01166582A JPH01166582A JP62325054A JP32505487A JPH01166582A JP H01166582 A JPH01166582 A JP H01166582A JP 62325054 A JP62325054 A JP 62325054A JP 32505487 A JP32505487 A JP 32505487A JP H01166582 A JPH01166582 A JP H01166582A
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- Japan
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- output
- circuit
- semiconductor laser
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Links
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光通信の光源として使用される半導体レー
ザの駆動回路に関する。
ザの駆動回路に関する。
従来より、この種の回路として第４図に示すようなもの
が用いられている。高速化のため電流切換えスイッチの
負荷に半導体レーザＬＤを接続したもので、電気入力信
号ＳＤおよびその反転信号ＳＤが波形整形回路１に入力
され、その正相出力および負相出力によって、トランジ
スタＱｌ。
が用いられている。高速化のため電流切換えスイッチの
負荷に半導体レーザＬＤを接続したもので、電気入力信
号ＳＤおよびその反転信号ＳＤが波形整形回路１に入力
され、その正相出力および負相出力によって、トランジ
スタＱｌ。
Ｑ２がオン・オフされる。半導体レーザＬＤには、別の
トランジスタＱ３を介して接続された電流源２により、
常にバイアス電流１ｂが流されており、トランジスタＱ
１がオンし電流源３による信号振幅電流■６が重複した
時のみ、発振しきい値電流を超える電流が半導体レーザ
ＬＤに流れ、光出力を生ずる。なお、トランジスタＱ３
のベースに与えられる電圧Ｖは、温度変化や経時変化に
応じてバイアス電流Ｉ、の値を調整するための基準電圧
で、これらの変化を補償して半導体レーザＬＤの出力パ
ワーを一定に保つ。
トランジスタＱ３を介して接続された電流源２により、
常にバイアス電流１ｂが流されており、トランジスタＱ
１がオンし電流源３による信号振幅電流■６が重複した
時のみ、発振しきい値電流を超える電流が半導体レーザ
ＬＤに流れ、光出力を生ずる。なお、トランジスタＱ３
のベースに与えられる電圧Ｖは、温度変化や経時変化に
応じてバイアス電流Ｉ、の値を調整するための基準電圧
で、これらの変化を補償して半導体レーザＬＤの出力パ
ワーを一定に保つ。
上記のような従来構成では、信号の有無にががわらず、
例えばバーストモードで信号を伝送する場合の無信号時
においても、一定のバイアス電流が半導体レーザＬＤに
流れているため無信号時においても、半導体レーザＬＤ
が発光ダイオード（ＬＥＤ）として動作しある一定の光
出力を発していた。このため、特に、スターカップラ等
を使用した光ＬＡＮなどの伝送系では、各分岐の半導体
レーザＬＤから生ずるＬＥＤモードの光出力が雑音とな
って光受信器に悪影響を及ぼすという問題があった。
例えばバーストモードで信号を伝送する場合の無信号時
においても、一定のバイアス電流が半導体レーザＬＤに
流れているため無信号時においても、半導体レーザＬＤ
が発光ダイオード（ＬＥＤ）として動作しある一定の光
出力を発していた。このため、特に、スターカップラ等
を使用した光ＬＡＮなどの伝送系では、各分岐の半導体
レーザＬＤから生ずるＬＥＤモードの光出力が雑音とな
って光受信器に悪影響を及ぼすという問題があった。
この発明のレーザ駆動回路は、電気入力信号の積分出力
により信号入力状態か無信号状態かを検知する検知回路
と、半導体レーザおよびバイアス電流源の間に位置し、
上記検知回路の出力により開閉して無信号時に半導体レ
ーザへのバイアス電流の供給を断つスイッチとを設けた
ものである。
により信号入力状態か無信号状態かを検知する検知回路
と、半導体レーザおよびバイアス電流源の間に位置し、
上記検知回路の出力により開閉して無信号時に半導体レ
ーザへのバイアス電流の供給を断つスイッチとを設けた
ものである。
バースト信号の入力により検知回路の積分出力が一定レ
ベルに達すると、これにより半導体レーザとバイアス電
流源間に挿入されたスイッチがオンされ、半導体レーザ
にバイアス電流が流れる。
ベルに達すると、これにより半導体レーザとバイアス電
流源間に挿入されたスイッチがオンされ、半導体レーザ
にバイアス電流が流れる。
したがって、半導体レーザは入力信号に応じて発振し光
出力を生ずる。これに対して無信号時には、検知回路の
積分出力が低く、上記スイッチはオフ状態となり、半導
体レーザにはバイアス電流が供給されないことから、半
導体レーザは全く発光しない。
出力を生ずる。これに対して無信号時には、検知回路の
積分出力が低く、上記スイッチはオフ状態となり、半導
体レーザにはバイアス電流が供給されないことから、半
導体レーザは全く発光しない。
以下、添付図面の第１図ないし第３図を参照して、この
発明の一実施例を説明する。なお、図面の説明において
同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略
する。
発明の一実施例を説明する。なお、図面の説明において
同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略
する。
第１図は、この発明の一実施例に係るレーザ駆動回路の
回路図である。同図において、４は抵抗Ｒ１およびコン
デンサＣ１からなる積分回路によって構成される検知回
路、５は波形整形回路である。次に、第２図によりこの
動作を説明する。
回路図である。同図において、４は抵抗Ｒ１およびコン
デンサＣ１からなる積分回路によって構成される検知回
路、５は波形整形回路である。次に、第２図によりこの
動作を説明する。
電気入力信号ＳＤとして第２図（ａ）に示すようなバー
スト信号が入力されると、波形整形回路１の正相出力信
号は同図（ｂ）に示すようになる。
スト信号が入力されると、波形整形回路１の正相出力信
号は同図（ｂ）に示すようになる。
この信号を、検知回路４を構成する積分回路に通すこと
により、同図（ｃ）に示すような積分出力が得られる。
により、同図（ｃ）に示すような積分出力が得られる。
この積分出力を波形整形回路５の入力とする。基準電圧
Ｖ「を調整して波形整形回路５のしきい値電圧を適当に
設定することにより、波形整形回路５には同図（ｄ）に
示すような正相出力信号が得られる。
Ｖ「を調整して波形整形回路５のしきい値電圧を適当に
設定することにより、波形整形回路５には同図（ｄ）に
示すような正相出力信号が得られる。
この正相出力信号がＨ（Ｈｌｇｈ）レベルの時のみ、ト
ランジスタＱ１１がオンとなって半導体レーザＬＤにバ
イアス電流が流れ、Ｌ （Ｌｏｗ ）レベルの時には、
トランジスタＱ１１がオフとなるためバイアス電流は全
く流れない。
ランジスタＱ１１がオンとなって半導体レーザＬＤにバ
イアス電流が流れ、Ｌ （Ｌｏｗ ）レベルの時には、
トランジスタＱ１１がオフとなるためバイアス電流は全
く流れない。
この結果、半導体レーザＬＤを流れる電流は、無信号時
においては、抵抗Ｒ１の抵抗値およびコンデンサＣ１の
容量値の積分定数によって決まる一定の過渡応答時間を
除いて零となるため、先出力を零にできる。同図（ｅ）
にこの光出力を示す。
においては、抵抗Ｒ１の抵抗値およびコンデンサＣ１の
容量値の積分定数によって決まる一定の過渡応答時間を
除いて零となるため、先出力を零にできる。同図（ｅ）
にこの光出力を示す。
なお、このようなバースト光信号は、第３図に示すよう
な測定系を用いて実験を行なうことによりオシロスコー
プ１１上で観測できる。同図において、１２は第２図（
ａ）に示したようなバースト信号を発生する信号発生回
路、１３は第１図に示した駆動回路、１４は光／電気変
換器である。
な測定系を用いて実験を行なうことによりオシロスコー
プ１１上で観測できる。同図において、１２は第２図（
ａ）に示したようなバースト信号を発生する信号発生回
路、１３は第１図に示した駆動回路、１４は光／電気変
換器である。
なお、第１図において、Ｒ２，Ｒ３およびＲ４゜Ｒ５は
プルダウン抵抗である。
プルダウン抵抗である。
この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、種
々の変形が可能である。
々の変形が可能である。
例えば、第１図では省略したが、温度変化および経時変
化を補償する補償回路を設けてもよいことはいうまでも
ない。
化を補償する補償回路を設けてもよいことはいうまでも
ない。
また、半導体レーザＬＤへのバイアス電流の供給を断続
するスイッチとしてトランジスタＱ１１゜Ｑ１２からな
る差動型の電流切換えスイッチを用い、これによって切
換動作の高速化を図っているが、他のスイッチ手段を用
いてもよい。同様に、検知回路４を構成する積分回路の
回路構成も、図示の例に限定されないことはもちろんで
ある。
するスイッチとしてトランジスタＱ１１゜Ｑ１２からな
る差動型の電流切換えスイッチを用い、これによって切
換動作の高速化を図っているが、他のスイッチ手段を用
いてもよい。同様に、検知回路４を構成する積分回路の
回路構成も、図示の例に限定されないことはもちろんで
ある。
以上説明したように、この発明によれば、電気入力信号
の積分出力により信号入力状態か無信号状態かを検知す
る検知回路と、その検知出力により開閉し、無信号時に
半導体レーザへのバイアス電流の供給を断つスイッチと
を設けたことにより、信号入力時における高速動作特性
を維持しながら、無信号時には光出力を零にできる効果
があり、特にスターカップラ等を用いた光ＬＡＮに利用
してきわめて効果的である。
の積分出力により信号入力状態か無信号状態かを検知す
る検知回路と、その検知出力により開閉し、無信号時に
半導体レーザへのバイアス電流の供給を断つスイッチと
を設けたことにより、信号入力時における高速動作特性
を維持しながら、無信号時には光出力を零にできる効果
があり、特にスターカップラ等を用いた光ＬＡＮに利用
してきわめて効果的である。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図はその
動作を説明するためのタイムチャート、第３図はその光
出力の測定系を示すブロック図、第４図は従来例を示す
回路図である。 １．５・・・波形整形回路、２．３・・・電流源、４・
・・検知回路、Ｃ１・・・コンデンサ、ＬＤ・・・半導
体レーザ、Ｑｌ、Ｑ２．Ｑｌｌ、Ｑｌ２・・・トランジ
スタ、Ｒ１・・・抵抗。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
塩 １） 辰 也第１図 第２図 第３図
動作を説明するためのタイムチャート、第３図はその光
出力の測定系を示すブロック図、第４図は従来例を示す
回路図である。 １．５・・・波形整形回路、２．３・・・電流源、４・
・・検知回路、Ｃ１・・・コンデンサ、ＬＤ・・・半導
体レーザ、Ｑｌ、Ｑ２．Ｑｌｌ、Ｑｌ２・・・トランジ
スタ、Ｒ１・・・抵抗。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
塩 １） 辰 也第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 電気入力信号を制御信号とし負荷に半導体レーザが接続
された電流切換えスイッチと、上記半導体レーザに一定
のバイアス電流を供給する電流源とを備えたレーザ駆動
回路において、電気入力信号の積分出力により信号入力
状態か無信号状態かを検知する検知回路と、上記半導体
レーザおよびバイアス電流源の間に位置し、上記検知回
路の出力により開閉して無信号時に半導体レーザへのバ
イアス電流の供給を断つスイッチとを設けたことを特徴
とするレーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325054A JPH01166582A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325054A JPH01166582A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166582A true JPH01166582A (ja) | 1989-06-30 |
Family
ID=18172634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62325054A Pending JPH01166582A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01166582A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1458068A2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
| JP2005167000A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ駆動回路および光通信装置 |
| WO2009104746A1 (ja) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | 日本電信電話株式会社 | 変調方法、変調プログラム、記録媒体、変調装置及び光送信器 |
| JP2010171460A (ja) * | 2010-04-23 | 2010-08-05 | Panasonic Corp | レーザ駆動回路および光通信装置 |
| JP2011198865A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ゲート回路およびレーザ駆動回路 |
| CN104767117A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-07-08 | 湖北工业大学 | 一种高速激光器驱动电路 |
| JPWO2016060134A1 (ja) * | 2014-10-15 | 2017-04-27 | 株式会社フジクラ | 光送信器、アクティブ光ケーブル、ｏｎｕ、及び光送信方法 |
| JPWO2016060133A1 (ja) * | 2014-10-15 | 2017-04-27 | 株式会社フジクラ | 光送信器、アクティブ光ケーブル、及び光送信方法 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62325054A patent/JPH01166582A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1458068A2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
| EP1458068A3 (en) * | 2003-03-13 | 2005-07-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
| JP2005167000A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ駆動回路および光通信装置 |
| US8094692B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-01-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Modulation method, modulation program, recording medium, modulation device, and optical transmitter |
| WO2009104746A1 (ja) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | 日本電信電話株式会社 | 変調方法、変調プログラム、記録媒体、変調装置及び光送信器 |
| JP5118157B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2013-01-16 | 日本電信電話株式会社 | 変調方法、変調プログラム、記録媒体、変調装置及び光送信器 |
| JP2011198865A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ゲート回路およびレーザ駆動回路 |
| JP2010171460A (ja) * | 2010-04-23 | 2010-08-05 | Panasonic Corp | レーザ駆動回路および光通信装置 |
| JPWO2016060134A1 (ja) * | 2014-10-15 | 2017-04-27 | 株式会社フジクラ | 光送信器、アクティブ光ケーブル、ｏｎｕ、及び光送信方法 |
| JPWO2016060133A1 (ja) * | 2014-10-15 | 2017-04-27 | 株式会社フジクラ | 光送信器、アクティブ光ケーブル、及び光送信方法 |
| US10097278B2 (en) | 2014-10-15 | 2018-10-09 | Fujikura Ltd. | Optical transmitter, active optical cable, and optical transmission method |
| US10122469B2 (en) | 2014-10-15 | 2018-11-06 | Fujikura Ltd. | Optical transmitter, active optical cable, and optical transmission method |
| CN104767117A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-07-08 | 湖北工业大学 | 一种高速激光器驱动电路 |
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