JPH07151818A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH07151818A JPH07151818A JP5320848A JP32084893A JPH07151818A JP H07151818 A JPH07151818 A JP H07151818A JP 5320848 A JP5320848 A JP 5320848A JP 32084893 A JP32084893 A JP 32084893A JP H07151818 A JPH07151818 A JP H07151818A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ベース電圧をチップ外部から印加することな
く、抵抗値の絶対精度に依存せず、寄生発振が生じにく
く、バイポーラトランジスタの電流増幅率βを高精度且
つ容易に測定可能ならしめる半導体集積回路装置の提
供。 【構成】半導体基板又は半絶縁性基板にバイポーラトラ
ンジスタを形成する半導体集積回路装置において、バイ
ポーラトランジスタを備え、該バイポーラトランジスタ
のベース−エミッタ間に第1の抵抗を接続し、ベース−
コレクタ間に第2の抵抗を接続し、コレクタに第3の抵
抗を介して電源パッドを接続し、エミッタにグランドパ
ッドを接続し、ベースに第1のチェックパッドを接続
し、更にコレクタに第2のチェックパッドを接続して成
る。
く、抵抗値の絶対精度に依存せず、寄生発振が生じにく
く、バイポーラトランジスタの電流増幅率βを高精度且
つ容易に測定可能ならしめる半導体集積回路装置の提
供。 【構成】半導体基板又は半絶縁性基板にバイポーラトラ
ンジスタを形成する半導体集積回路装置において、バイ
ポーラトランジスタを備え、該バイポーラトランジスタ
のベース−エミッタ間に第1の抵抗を接続し、ベース−
コレクタ間に第2の抵抗を接続し、コレクタに第3の抵
抗を介して電源パッドを接続し、エミッタにグランドパ
ッドを接続し、ベースに第1のチェックパッドを接続
し、更にコレクタに第2のチェックパッドを接続して成
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板又は半絶縁
性基板上にバイポーラトランジスタを形成する半導体集
積回路装置に関し、特にLSIテスタ等でバイポーラト
ランジスタの電流増幅率βを精度良く容易に測定し得る
半導体集積回路装置に関する。
性基板上にバイポーラトランジスタを形成する半導体集
積回路装置に関し、特にLSIテスタ等でバイポーラト
ランジスタの電流増幅率βを精度良く容易に測定し得る
半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置において、バイポー
ラトランジスタの電流増幅率β(直流電流増幅率でhFE
ともいう)は、製造バラツキが最も大きい特性パラメー
タの一つである。例えば、製造プロセスを注意深く制御
しても、電流増幅率βが設計中心値の半分あるいは2倍
になってしまうことがしばしば起こる。
ラトランジスタの電流増幅率β(直流電流増幅率でhFE
ともいう)は、製造バラツキが最も大きい特性パラメー
タの一つである。例えば、製造プロセスを注意深く制御
しても、電流増幅率βが設計中心値の半分あるいは2倍
になってしまうことがしばしば起こる。
【0003】このため、ウェハ段階で電流増幅率βを、
ウェハプローバ、LSIテスタを用いて精度良く測定
し、所望の規格範囲に収まる良品を選別することが、品
質確保、歩留りの向上、コスト低減の観点からきわめて
重要とされている。
ウェハプローバ、LSIテスタを用いて精度良く測定
し、所望の規格範囲に収まる良品を選別することが、品
質確保、歩留りの向上、コスト低減の観点からきわめて
重要とされている。
【0004】バイポーラトランジスタの電流増幅率βを
測定する最も基本的な手法(「第1の従来例」という)
を図5(A)に示す。同図に示すように、バイポーラト
ランジスタのコレクタに電源パッドを、エミッタにグラ
ンドパッドを、ベースにチェックパッド1を形成し、プ
ローブを介して電源電圧VCCとベース電圧V1を印加す
る。ベース電流IBとコレクタ電流ICを測定し、 β=IC/IB から電流増幅率βを求める。
測定する最も基本的な手法(「第1の従来例」という)
を図5(A)に示す。同図に示すように、バイポーラト
ランジスタのコレクタに電源パッドを、エミッタにグラ
ンドパッドを、ベースにチェックパッド1を形成し、プ
ローブを介して電源電圧VCCとベース電圧V1を印加す
る。ベース電流IBとコレクタ電流ICを測定し、 β=IC/IB から電流増幅率βを求める。
【0005】上記第1の従来例に対し、バイポーラトラ
ンジスタのベース電圧を半導体チップ外部から印加せず
に、自己バイアスする測定手法(「第2の従来例」とい
う)を図5(B)に示す。
ンジスタのベース電圧を半導体チップ外部から印加せず
に、自己バイアスする測定手法(「第2の従来例」とい
う)を図5(B)に示す。
【0006】図5(B)に示すように、ベース−エミッ
タ間に抵抗R1を、ベース−コレクタ間に抵抗R2を接続
し、電源パッドから電源電圧VCCを印加する。電源電流
ICCとチェックパッド1の電圧V1を測定し、次式
(1)から電流増幅率βを求める。
タ間に抵抗R1を、ベース−コレクタ間に抵抗R2を接続
し、電源パッドから電源電圧VCCを印加する。電源電流
ICCとチェックパッド1の電圧V1を測定し、次式
(1)から電流増幅率βを求める。
【0007】
【数1】
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記第1の従
来例においては、バイポーラトランジスタのコレクタ電
流ICはベース電圧V1に指数関数的に依存するため、特
定のバイアス点における電流増幅率βを測定するには、
ベース電圧V1を半導体チップの外部から精度良く印加
しなければならないという問題がある。
来例においては、バイポーラトランジスタのコレクタ電
流ICはベース電圧V1に指数関数的に依存するため、特
定のバイアス点における電流増幅率βを測定するには、
ベース電圧V1を半導体チップの外部から精度良く印加
しなければならないという問題がある。
【0009】また、近時、バイポーラトランジスタの高
周波化に伴い寄生発振が生じ、このため電流増幅率βを
正確に測定できない場合がある。
周波化に伴い寄生発振が生じ、このため電流増幅率βを
正確に測定できない場合がある。
【0010】以下、この寄生発振に関して具体的数値を
用いて簡単に説明する。ボンディングパッドの寄生容量
Cと、プローブの寄生インダクタンスLとの共振周波数
fは、次式(2)で表わされる。
用いて簡単に説明する。ボンディングパッドの寄生容量
Cと、プローブの寄生インダクタンスLとの共振周波数
fは、次式(2)で表わされる。
【0011】
【数2】
【0012】例えば典型的な数値として、 C=1pF L=10nH を用いると、共振周波数fは、 f=1.6GHz となり、これは、数十ギガヘルツの遮断周波数を有する
最先端バイポーラトランジスタでは十分に発振し得る周
波数である。
最先端バイポーラトランジスタでは十分に発振し得る周
波数である。
【0013】また、前記第2の従来例では、上式(1)
に示す通り、電流増幅率βの測定値は抵抗R2の絶対値
に依存してしまう。一般的に、半導体集積回路装置で用
いられる抵抗体の絶対精度は数十パーセントとされ、こ
の結果、電流増幅率βの測定誤差が大きくなるという問
題がある。
に示す通り、電流増幅率βの測定値は抵抗R2の絶対値
に依存してしまう。一般的に、半導体集積回路装置で用
いられる抵抗体の絶対精度は数十パーセントとされ、こ
の結果、電流増幅率βの測定誤差が大きくなるという問
題がある。
【0014】また、この第2の従来例は、前記第1の従
来例と比較して寄生発振は生じ難いが、コレクタがチッ
プ外部に直接引き出されているために、依然として寄生
発振が起こり得るという問題が残る。
来例と比較して寄生発振は生じ難いが、コレクタがチッ
プ外部に直接引き出されているために、依然として寄生
発振が起こり得るという問題が残る。
【0015】特開平1−237466号公報には、抵抗
値の絶対精度に依存せずにトランジスタの電流増幅率β
を測定する計測回路が提案されている。しかし、この計
測回路は、精度の良いオペアンプとカレントミラー回路
を必要とするので、素子数が多くなるという欠点があ
る。また、デジタルLSIでは精度の良いオペアンプを
集積化することは一般的に難しいという問題があり、こ
のため、デジタルLSI等の半導体チップ上にこのよう
な電流増幅率計測回路を形成することは、回路素子数の
増大、製造コスト、精度の点から実際上困難である。
値の絶対精度に依存せずにトランジスタの電流増幅率β
を測定する計測回路が提案されている。しかし、この計
測回路は、精度の良いオペアンプとカレントミラー回路
を必要とするので、素子数が多くなるという欠点があ
る。また、デジタルLSIでは精度の良いオペアンプを
集積化することは一般的に難しいという問題があり、こ
のため、デジタルLSI等の半導体チップ上にこのよう
な電流増幅率計測回路を形成することは、回路素子数の
増大、製造コスト、精度の点から実際上困難である。
【0016】以上説明したように前記従来の電流増幅率
βの測定手法では、(1)ベース電圧をチップ外部から精
度良く印加しなければならない、(2)抵抗値の絶対精度
に依存する、(3)寄生発振を起こしやすい、(4)デジタル
LSI上に集積化することが困難である等の問題があ
る。
βの測定手法では、(1)ベース電圧をチップ外部から精
度良く印加しなければならない、(2)抵抗値の絶対精度
に依存する、(3)寄生発振を起こしやすい、(4)デジタル
LSI上に集積化することが困難である等の問題があ
る。
【0017】従って、本発明の目的は、前記問題点を解
消し、ベース電圧をチップ外部から印加する必要がな
く、抵抗値の絶対精度に依存せず、寄生発振を防止で
き、かつ容易に集積化可能で且つLSIテスタによるテ
ストを容易化する、電流増幅率βの測定手段を備えた半
導体集積回路装置を提供することにある。
消し、ベース電圧をチップ外部から印加する必要がな
く、抵抗値の絶対精度に依存せず、寄生発振を防止で
き、かつ容易に集積化可能で且つLSIテスタによるテ
ストを容易化する、電流増幅率βの測定手段を備えた半
導体集積回路装置を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、半導体基板又は半絶縁性基板にバイポー
ラトランジスタを形成する半導体集積回路装置におい
て、バイポーラトランジスタを備え、該バイポーラトラ
ンジスタのベース−エミッタ間に第1の抵抗を接続し、
ベース−コレクタ間に第2の抵抗を接続し、コレクタに
第3の抵抗を介して電源パッドを接続し、エミッタにグ
ランドパッドを接続し、ベースに第1のチェックパッド
を接続し、更にコレクタに第2のチェックパッドを接続
して成ることを特徴とする半導体集積回路装置を提供す
る。
め、本発明は、半導体基板又は半絶縁性基板にバイポー
ラトランジスタを形成する半導体集積回路装置におい
て、バイポーラトランジスタを備え、該バイポーラトラ
ンジスタのベース−エミッタ間に第1の抵抗を接続し、
ベース−コレクタ間に第2の抵抗を接続し、コレクタに
第3の抵抗を介して電源パッドを接続し、エミッタにグ
ランドパッドを接続し、ベースに第1のチェックパッド
を接続し、更にコレクタに第2のチェックパッドを接続
して成ることを特徴とする半導体集積回路装置を提供す
る。
【0019】本発明においては、電流増幅率βは前記電
源パッドとグランドパッド間に電源電圧を印加し、前記
第1のチェックパッドの電圧と第2のチェックパッドの
電圧を測定することにより測定される。
源パッドとグランドパッド間に電源電圧を印加し、前記
第1のチェックパッドの電圧と第2のチェックパッドの
電圧を測定することにより測定される。
【0020】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0021】
【実施例1】図1は本発明の一実施例の回路構成を示す
概念図である。図1に示すように、バイポーラトランジ
スタ(被測定トランジスタ)のベース−エミッタ間には
抵抗R1が、ベース−コレクタ間には抵抗R2がそれぞれ
接続されている。バイポーラトランジスタのエミッタは
グランドパッドと、ベースはチェックパッド1と、コレ
クタは抵抗R3を介して電源パッドとそれぞれ接続さ
れ、更にコレクタにはチェックパッド2と接続されてい
る。
概念図である。図1に示すように、バイポーラトランジ
スタ(被測定トランジスタ)のベース−エミッタ間には
抵抗R1が、ベース−コレクタ間には抵抗R2がそれぞれ
接続されている。バイポーラトランジスタのエミッタは
グランドパッドと、ベースはチェックパッド1と、コレ
クタは抵抗R3を介して電源パッドとそれぞれ接続さ
れ、更にコレクタにはチェックパッド2と接続されてい
る。
【0022】本実施例において、電流増幅率βの測定
は、電源パッドとグランドパッド間に電源電圧VCCをプ
ローブで印加し、チェックパッド1の電圧V1とチェッ
クパッド2の電圧V2をプローブで測定することにより
行なう。
は、電源パッドとグランドパッド間に電源電圧VCCをプ
ローブで印加し、チェックパッド1の電圧V1とチェッ
クパッド2の電圧V2をプローブで測定することにより
行なう。
【0023】電源電流をICC、ベース電流をIB、コレ
クタ電流をICとすると、キルヒホッフの法則より、下
記の式が成り立つ。 V1=R1・(ICC−IC−IB) V2−V1=R2・(ICC−IC) VCC−V2=R3・ICC
クタ電流をICとすると、キルヒホッフの法則より、下
記の式が成り立つ。 V1=R1・(ICC−IC−IB) V2−V1=R2・(ICC−IC) VCC−V2=R3・ICC
【0024】これらの式から電源電流ICCを消去し、コ
レクタ電流ICとベース電流IBについて解き、 β=IC/IB に代入して電流増幅率βを求めると、次式(3)で与え
られる。
レクタ電流ICとベース電流IBについて解き、 β=IC/IB に代入して電流増幅率βを求めると、次式(3)で与え
られる。
【0025】
【数3】
【0026】上式(3)から判る通り、本実施例におい
ては、電流増幅率βは、抵抗R1,R2,R3の相互の相
対値(即ち、R1/R3,R3/R2,R1/R2)にのみ依
存し、各抵抗の絶対値には全く依存しない。半導体集積
回路で用いられる抵抗体の相対精度は1%から高々数%
程度とされ、このため、本実施例は電流増幅率βの測定
精度を前記第2の従来例と比較して大幅に向上してい
る。
ては、電流増幅率βは、抵抗R1,R2,R3の相互の相
対値(即ち、R1/R3,R3/R2,R1/R2)にのみ依
存し、各抵抗の絶対値には全く依存しない。半導体集積
回路で用いられる抵抗体の相対精度は1%から高々数%
程度とされ、このため、本実施例は電流増幅率βの測定
精度を前記第2の従来例と比較して大幅に向上してい
る。
【0027】また、これらの抵抗によりバイポーラトラ
ンジスタをあらかじめ所望のバイアスに設定できるの
で、高精度のベース電圧を外部から印加する必要がな
く、LSIテスタによるテストを容易化している。
ンジスタをあらかじめ所望のバイアスに設定できるの
で、高精度のベース電圧を外部から印加する必要がな
く、LSIテスタによるテストを容易化している。
【0028】さらに、コレクタは抵抗R3を介してから
外部に接続されるため、従来例と比較してLC共振によ
る寄生発振が生じにくい構成になっている。
外部に接続されるため、従来例と比較してLC共振によ
る寄生発振が生じにくい構成になっている。
【0029】
【実施例2】本発明の第2の実施例を図2に示す。本実
施例では、単位抵抗R0を直列又は並列形態に接続し
て、抵抗R1,R2,R3を構成する。
施例では、単位抵抗R0を直列又は並列形態に接続し
て、抵抗R1,R2,R3を構成する。
【0030】ところで、バイポーラトランジスタを作る
工程で行なわれる、ベース拡散(エミッタ拡散について
も同様)のもつ抵抗を利用して作成されるベース拡散抵
抗について説明すると、ベース拡散抵抗の幅をW、長さ
をL、シート抵抗をρsとすると、抵抗値Rは、 R=ρs・L/W [Ω] と表わされる。
工程で行なわれる、ベース拡散(エミッタ拡散について
も同様)のもつ抵抗を利用して作成されるベース拡散抵
抗について説明すると、ベース拡散抵抗の幅をW、長さ
をL、シート抵抗をρsとすると、抵抗値Rは、 R=ρs・L/W [Ω] と表わされる。
【0031】拡散抵抗の抵抗値Rは、長さLに比例し幅
Wに反比例し、高抵抗を得るには幅Wを狭くして長さL
を長くし、低抵抗を得るには幅Wを広くして長さLを短
くすればよい。従って、幅Wと長さLを所望の寸法とし
て単位抵抗R0が得られる。なお、半導体集積回路の抵
抗体は、拡散抵抗と同様ポリシリコン抵抗を用いてもよ
い。
Wに反比例し、高抵抗を得るには幅Wを狭くして長さL
を長くし、低抵抗を得るには幅Wを広くして長さLを短
くすればよい。従って、幅Wと長さLを所望の寸法とし
て単位抵抗R0が得られる。なお、半導体集積回路の抵
抗体は、拡散抵抗と同様ポリシリコン抵抗を用いてもよ
い。
【0032】本実施例では、抵抗R1,R2,R3と単位
抵抗R0との関係は、 R1=3R0 R2=2R0 R3=R0/2 とされる。
抵抗R0との関係は、 R1=3R0 R2=2R0 R3=R0/2 とされる。
【0033】一般的に、半導体集積回路装置で用いられ
る抵抗体の比精度は、1パーセント程度と小さいので、
電流増幅率βの測定誤差を小さくできるという利点があ
る。
る抵抗体の比精度は、1パーセント程度と小さいので、
電流増幅率βの測定誤差を小さくできるという利点があ
る。
【0034】本発明に係る半導体集積回路装置は、最低
限バイポーラトランジスタ1個と抵抗3個の素子で構成
できるので、半導体チップ上にきわめて容易に集積化可
能である。
限バイポーラトランジスタ1個と抵抗3個の素子で構成
できるので、半導体チップ上にきわめて容易に集積化可
能である。
【0035】
【実施例3】図3に、本発明に係る半導体集積回路装置
の別の実施例として、半導体集積回路においてテスト用
のバイポーラトランジスタと本来の半導体集積回路
(「他の回路」という)とを同一の半導体チップ上に形
成した構成の一部を示す。なお、図3のバイポーラトラ
ンジスタと抵抗(R1〜R3)、およびパッドの構成は
前記第1、又は第2の実施例に従う。
の別の実施例として、半導体集積回路においてテスト用
のバイポーラトランジスタと本来の半導体集積回路
(「他の回路」という)とを同一の半導体チップ上に形
成した構成の一部を示す。なお、図3のバイポーラトラ
ンジスタと抵抗(R1〜R3)、およびパッドの構成は
前記第1、又は第2の実施例に従う。
【0036】図3に示すように、同一の半導体チップ上
に他の回路と電気的に完全に分離してテスト用のバイポ
ーラトランジスタが形成され、電源パッドとグランドパ
ッドは他の回路と独立して形成されている。図3に示す
構成によれば、LSIテスタを用いてウェハ段階で電流
増幅率βを容易に測定できるので、半導体集積回路装置
の品質確保、歩留りの向上、コスト低減に貢献できる。
に他の回路と電気的に完全に分離してテスト用のバイポ
ーラトランジスタが形成され、電源パッドとグランドパ
ッドは他の回路と独立して形成されている。図3に示す
構成によれば、LSIテスタを用いてウェハ段階で電流
増幅率βを容易に測定できるので、半導体集積回路装置
の品質確保、歩留りの向上、コスト低減に貢献できる。
【0037】
【実施例4】また、本発明においては、前述した通り電
流増幅率βの測定において、電源電流ICCの測定を行わ
ないため、図4に示すように、テスト用に形成されたバ
イポーラトランジスタと同一半導体チップ上に形成され
た他の回路とが、電源パッド及びグランドパッドを共有
することが可能とされ、このためテスト用のパッド数を
削減できるという利点もある。
流増幅率βの測定において、電源電流ICCの測定を行わ
ないため、図4に示すように、テスト用に形成されたバ
イポーラトランジスタと同一半導体チップ上に形成され
た他の回路とが、電源パッド及びグランドパッドを共有
することが可能とされ、このためテスト用のパッド数を
削減できるという利点もある。
【0038】以上、本発明を上記各種実施例に即して説
明したが、本発明は、これらの実施例の実施態様にのみ
に限定されるものでなく、本発明の原理に準ずる各種実
施態様を含む。例えば、本発明は好ましくは半導体集積
回路装置に実装されるが、本発明は、本発明の原理に従
うトランジスタの電流増幅率βの計測装置全てを含んで
いる。
明したが、本発明は、これらの実施例の実施態様にのみ
に限定されるものでなく、本発明の原理に準ずる各種実
施態様を含む。例えば、本発明は好ましくは半導体集積
回路装置に実装されるが、本発明は、本発明の原理に従
うトランジスタの電流増幅率βの計測装置全てを含んで
いる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間に、ベー
ス−コレクタ間に、コレクタ−電源パッド間にそれぞれ
第1から第3の抵抗(R1〜R3)を接続し、電源パッド
とエミッタに接続したグランドパッド間に電源電圧VCC
を印加し、ベースに接続したチェックパッド1の電圧V
1とコレクタに接続したチェックパッド2の電圧V2を測
定し、上式(3)からβを求める構成により、(1)ベー
ス電圧をチップ外部から印加する必要がないという利点
を有し、(2)また、電流増幅率βが抵抗値の絶対精度に
依存せず抵抗比にのみ依存するため高精度の測定が実現
され、(3)更に、寄生発振が起きにくく、(4)簡易な回路
構成により容易に集積化可能な電流増幅率β測定手段を
提供できるという効果を有する。
バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間に、ベー
ス−コレクタ間に、コレクタ−電源パッド間にそれぞれ
第1から第3の抵抗(R1〜R3)を接続し、電源パッド
とエミッタに接続したグランドパッド間に電源電圧VCC
を印加し、ベースに接続したチェックパッド1の電圧V
1とコレクタに接続したチェックパッド2の電圧V2を測
定し、上式(3)からβを求める構成により、(1)ベー
ス電圧をチップ外部から印加する必要がないという利点
を有し、(2)また、電流増幅率βが抵抗値の絶対精度に
依存せず抵抗比にのみ依存するため高精度の測定が実現
され、(3)更に、寄生発振が起きにくく、(4)簡易な回路
構成により容易に集積化可能な電流増幅率β測定手段を
提供できるという効果を有する。
【0040】また、本発明によれば、 バイポーラトラ
ンジスタと3つの抵抗という簡易な回路構成でありなが
ら電流増幅率βの測定精度を従来例と比較して特段に向
上している。
ンジスタと3つの抵抗という簡易な回路構成でありなが
ら電流増幅率βの測定精度を従来例と比較して特段に向
上している。
【0041】さらに、本発明に係る半導体集積回路装置
を、半導体チップ上に他の回路と電気的に完全に分離
し、電源パッドとグランドパッドを独立して用意した場
合、LSIテスタを用いてウェハ段階で電流増幅率βが
容易に測定できるため、半導体集積回路装置の品質確
保、歩留りの向上、及びコスト低減に貢献できる。
を、半導体チップ上に他の回路と電気的に完全に分離
し、電源パッドとグランドパッドを独立して用意した場
合、LSIテスタを用いてウェハ段階で電流増幅率βが
容易に測定できるため、半導体集積回路装置の品質確
保、歩留りの向上、及びコスト低減に貢献できる。
【0042】さらにまた、本発明においては、電流増幅
率βの測定において、電源電流の測定を行わないため、
同一半導体チップ上の他の回路と電源パッドとグランド
パッドを共有することが可能とされ、パッド数を削減で
きるという利点を有する。
率βの測定において、電源電流の測定を行わないため、
同一半導体チップ上の他の回路と電源パッドとグランド
パッドを共有することが可能とされ、パッド数を削減で
きるという利点を有する。
【0043】そして、本発明は、半導体チップ上に電流
増幅率β測定用のバイポーラトランジスタ及び測定回路
が同一半導体チップ上の他の回路と同一プロセスで製造
され、特に従来外部からプローブが困難とされたディジ
タル集積回路内部のトランジスタの電流増幅率βのテス
トを可能とし、本発明はウェハプローバ及びLSIテス
タによるテストを特段に容易化すると共に、半導体集積
回路の歩留りの向上、コスト低減に特段に貢献するもの
である。
増幅率β測定用のバイポーラトランジスタ及び測定回路
が同一半導体チップ上の他の回路と同一プロセスで製造
され、特に従来外部からプローブが困難とされたディジ
タル集積回路内部のトランジスタの電流増幅率βのテス
トを可能とし、本発明はウェハプローバ及びLSIテス
タによるテストを特段に容易化すると共に、半導体集積
回路の歩留りの向上、コスト低減に特段に貢献するもの
である。
【図1】本発明の第1の実施例の構成概念図である。
【図2】本発明の第2の実施例の構成概念図である。
【図3】本発明に係る半導体集積回路装置を半導体チッ
プに搭載した構成概念図である(他の回路と電気的に完
全に分離した場合)。
プに搭載した構成概念図である(他の回路と電気的に完
全に分離した場合)。
【図4】本発明に係る半導体集積回路装置を半導体チッ
プに搭載した構成概念図である(他の回路と電源パッド
とグランドパッドを共有した場合)。
プに搭載した構成概念図である(他の回路と電源パッド
とグランドパッドを共有した場合)。
【図5】電流増幅率βの従来の測定の構成概念図であ
る。 (A) バイアスを外部から印加した場合の構成であ
る。 (B) 自己バイアスの構成である。
る。 (A) バイアスを外部から印加した場合の構成であ
る。 (B) 自己バイアスの構成である。
IC コレクタ電流 IB ベース電流 R1,R2,R3 抵抗 R0 単位抵抗 ICC 電源電流
Claims (5)
- 【請求項1】半導体基板又は半絶縁性基板にバイポーラ
トランジスタを形成する半導体集積回路装置において、
バイポーラトランジスタを備え、該バイポーラトランジ
スタのベース−エミッタ間に第1の抵抗を接続し、ベー
ス−コレクタ間に第2の抵抗を接続し、コレクタに第3
の抵抗を介して電源パッドを接続し、エミッタにグラン
ドパッドを接続し、ベースに第1のチェックパッドを接
続し、更にコレクタに第2のチェックパッドを接続して
成ることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】前記第1抵抗乃至第3の抵抗が単位抵抗を
直列又は並列形態に接続して構成されることを特徴とす
る請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項3】同一のチップ上に前記バイポーラトランジ
スタとは別の半導体集積回路を有し、該別の半導体集積
回路を前記バイポーラトランジスタと電気的に絶縁した
ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項4】同一のチップ上に前記バイポーラトランジ
スタとは別の半導体集積回路を有し、該別の半導体集積
回路の電源配線又は接地配線を前記バイポーラトランジ
スタの電源配線又は接地配線とそれぞれ相互に接続した
ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項5】前記電源パッドとグランドパッド間に電源
電圧を印加し、前記第1のチェックパッドの電圧と第2
のチェックパッドの電圧を測定することにより前記バイ
ポーラトランジスタの電流増幅率を測定する請求項1乃
至4のいずれか一に記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5320848A JP2661528B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 半導体集積回路装置 |
US08/350,062 US5625295A (en) | 1993-11-29 | 1994-11-29 | Bipolar transistor circuit capable of high precision measurement of current amplification factor |
KR1019940031863A KR0140949B1 (ko) | 1993-11-29 | 1994-11-29 | 반도체 장치 및 반도체기판에 형성된 더미 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭율 측정용 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5320848A JP2661528B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07151818A true JPH07151818A (ja) | 1995-06-16 |
JP2661528B2 JP2661528B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=18125926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5320848A Expired - Fee Related JP2661528B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 半導体集積回路装置 |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US5625295A (ja) |
JP (1) | JP2661528B2 (ja) |
KR (1) | KR0140949B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006857A (ja) * | 2002-05-15 | 2004-01-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 集積回路チップ及びそれの製造方法 |
US20220357212A1 (en) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | Apple Inc. | Process-Insensitive Sensor Circuit |
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CN111308304B (zh) * | 2020-03-02 | 2022-06-28 | 上海料聚微电子有限公司 | 一种检测双极型晶体管电流放大倍数的电路和方法 |
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JPS55175243U (ja) * | 1979-06-01 | 1980-12-16 | ||
JPH02277263A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 抵抗ネットワーク |
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US3348145A (en) * | 1963-10-18 | 1967-10-17 | Test Equipment Corp | Apparatus for testing and measuring a. c. parameters of active elements connected incircuit |
US3376568A (en) * | 1964-09-29 | 1968-04-02 | Gen Motors Corp | Transistor switching circuit |
US4268798A (en) * | 1977-12-19 | 1981-05-19 | Motorola, Inc. | High performance summing amplifier |
US4275453A (en) * | 1980-01-25 | 1981-06-23 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Smoothing filter for digital to analog conversion |
JPH01237466A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Nec Corp | トランジスタの電流増幅率計測回路 |
US5286656A (en) * | 1992-11-02 | 1994-02-15 | National Semiconductor Corporation | Individualized prepackage AC performance testing of IC dies on a wafer using DC parametric test patterns |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP5320848A patent/JP2661528B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-29 KR KR1019940031863A patent/KR0140949B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-11-29 US US08/350,062 patent/US5625295A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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US11988565B2 (en) * | 2021-05-06 | 2024-05-21 | Apple Inc. | Process-insensitive sensor circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2661528B2 (ja) | 1997-10-08 |
US5625295A (en) | 1997-04-29 |
KR950015756A (ko) | 1995-06-17 |
KR0140949B1 (ko) | 1998-07-15 |
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