JPH0714905A - 半導体製造装置における基板搬送機構付真空処理槽 - Google Patents

半導体製造装置における基板搬送機構付真空処理槽

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JPH0714905A
JPH0714905A JP15556893A JP15556893A JPH0714905A JP H0714905 A JPH0714905 A JP H0714905A JP 15556893 A JP15556893 A JP 15556893A JP 15556893 A JP15556893 A JP 15556893A JP H0714905 A JPH0714905 A JP H0714905A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
transfer mechanism
substrate transfer
vacuum
vacuum chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP15556893A
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English (en)
Inventor
Satoshi Sato
敏 佐藤
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Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空槽内排気を中心から行なえるようにしつ
つ、基板搬送機構でのフィードスルー部を最小にするこ
とのできる排気可能な基板搬送機構付真空処理槽を提供
する。 【構成】 真空槽1と、その真空槽1の内部のカソード
4と、アノード7と、基板8を搬送するロボットアーム
9と、基板上下シャフト11と、アノード上下シャフト
15とよりなり、真空槽1の中心には基板搬送機構を包
囲する大きさのプロセスガスの排気用マニホールド21
を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置における
基板搬送機構付真空処理槽に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置において、図3
は従来の装置の垂直断面図、図4はその直交方向の垂直
断面図で、右半分は基板搬送時,左半分は成膜時を示
す。処理を行う真空槽1において、図示のように外槽2
内には内槽3を設ける。内槽3内の上部にはカソード4
を設け、その中心には上方よりの外槽2の中心の供給孔
5に供給されたプロセスガスの通孔6を設ける。内槽3
の下方にはアノード7を設け、このアノード7内には処
理する基板8を載せた搬送用のロボットアーム9を挿入
し、このロボットアーム9は外槽2の搬送口10より次
の真空槽に基板8を搬送するものとする。
【0003】外槽2の下部中心には基板上下シャフト1
1を基板上下用エアシリンダ12により上下動すべく設
け、この基板上下シャフト11の上端に固定した基板上
下ベース13には基板8を上下動させる基板上下ピン1
4を植設する。外槽2の下部の周辺にはアノード上下シ
ャフト15をアノード上下用エアシリンダ16により上
下動すべく設け、このアノード上下シャフト15の上端
に固定したアノード上下ベース17には上記アノード7
を支持する。
【0004】基板8の搬送を行う機構が真空槽1の中心
に設けられているため、プロセスガスの排気は中心から
はずれた位置に設けた排気孔20を通して行っている。
図中、矢印はプロセスガスの通路を示す。また、図5,
6は真空槽1内の排気を、中心に設けた排気孔20によ
り行なえるようにした場合を示すもので、図3,4と同
じ部分は同じ符号を用いて説明する。この場合、排気孔
20は外槽2の下部中心に設けられ、基板上下シャフト
11はアノード上下シャフト15と同様に外槽2の下部
周辺の中心よりずれた位置に設けられている。この場合
基板上下シャフト11は真空槽1の下方に設けられる。
図中、矢印はプロセスガスの通路を示す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図3,4示の
装置はプロセスガスを真空槽1の中心からはずれた位置
で行っているため、基板1の外周より均一に排気するこ
とが難しいという欠点がある。また、図5,6示の装置
はフィードスルー部が増え、構造が複雑になり、また、
真空に対する信頼性(0リングの数が増え、Oリングか
らのアウトガスを含むリーク量が増える),保守性(定
期的にOリングを交換しなければならない、また、使っ
ている間にリークが発生する可能性がある)が落ちると
いう欠点がある。
【0006】本発明の目的は、従来の真空槽内排気を中
心から行なえるようにしつつ、基板搬送機構でのフィー
ドスルー部を最小にすることのできる均一排気可能な基
板搬送機構付真空処理槽を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題に鑑
みてなされたもので、真空槽1と、その真空槽1の内部
のカソード4と、アノード7と、基板8を搬送するロボ
ットアーム9と、基板上下シャフト11と、アノード上
下シャフト15とよりなり、真空槽1の中心には基板搬
送機構を包囲する大きさのプロセスガスの排気用マニホ
ールド21を設けてなるものである。
【0008】
【作用】排気用マニホールド21から排気することで真
空槽1内のプロセスガスの均一排気を可能にする。
【0009】
【実施例】以下図1,2につき本発明の一実施例を従来
例と同じ部分は同じ符号を用いて説明する。真空槽1内
排気を中心から行うためと、基板上下シャフト11,基
板上下用エアシリンダ12等の基板搬送機構を外槽2の
下部中心に設け、大気と真空のフィードスルー部を最小
にするために、上記基板上下シャフト11,基板上下用
エアシリンダ12等の基板搬送機構を包囲する大きさの
排気用マニホールド21を設け、この排気用マニホール
ド21の側面には排気管22を連結する。
【0010】本発明はかかる構成よりなるものであるか
ら、プロセスガスを真空槽1の中心に設けた排気用マニ
ホールド21の側面から排気することで真空槽1内を均
一に排気でき、また排気用マニホールド21底面に上記
基板搬送機構を設けることでフィードスルー部を最小に
することができる。この場合、真空槽1内容積をできる
だけ小さくするため、また真空槽1内をできるだけ均一
に排気するために、排気用マニホールド21内容積を小
容積にし、排気口をできるだけ中心よりにするとよい。
【0011】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、真空槽1
内のプロセスガスを均一に排気することが可能であるた
め、プロセスガスは処理基板8の外周から均一に排気さ
れ、基板処理の均一性は向上される。また、基板搬送機
構での大気と真空フィードスルー部を最小にすること
で、真空洩れの虞が減少し、信頼性,保守性が向上され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の垂直断面図である。
【図2】その直交方向の垂直断面図で、右半分は基板搬
送時,左半分は成膜時を示す。
【図3】従来の装置の垂直断面図である。
【図4】その直交方向の垂直断面図で、右半分は基板搬
送時,左半分は成膜時を示す。
【図5】従来の別の装置の垂直断面図である。
【図6】その直交方向の垂直断面図で、右半分は基板搬
送時,左半分は成膜時を示す。
【符号の説明】
1 真空槽 4 カソード 7 アノード 8 基板 9 ロボットアーム 11 基板上下シャフト 15 アノード上下シャフト 21 排気用マニホールド

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空槽と、その真空槽の内部のカソード
    と、アノードと、基板を搬送するロボットアームと、基
    板上下シャフトと、アノード上下シャフトとよりなり、
    真空槽の中心には基板搬送機構を包囲する大きさのプロ
    セスガスの排気用マニホールドを設け、この排気用マニ
    ホールドから排気することで真空槽内のプロセスガスの
    均一排気を可能にしたことを特徴とする半導体製造装置
    における基板搬送機構付真空処理槽。
JP15556893A 1993-06-25 1993-06-25 半導体製造装置における基板搬送機構付真空処理槽 Pending JPH0714905A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100429434B1 (ko) * 1997-07-04 2004-07-01 동경 엘렉트론 주식회사 기판반송장치및그를이용한기판처리장치
CN106591941A (zh) * 2016-10-31 2017-04-26 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种硅外延反应腔室
CN115188871A (zh) * 2022-09-13 2022-10-14 昆山鸿仕达智能科技股份有限公司 一种微小型led转移装置、转移方法及承载框

Cited By (4)

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CN115188871A (zh) * 2022-09-13 2022-10-14 昆山鸿仕达智能科技股份有限公司 一种微小型led转移装置、转移方法及承载框
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