JPH07135489A - Av光空間伝送の受光回路 - Google Patents

Av光空間伝送の受光回路

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JPH07135489A
JPH07135489A JP5283424A JP28342493A JPH07135489A JP H07135489 A JPH07135489 A JP H07135489A JP 5283424 A JP5283424 A JP 5283424A JP 28342493 A JP28342493 A JP 28342493A JP H07135489 A JPH07135489 A JP H07135489A
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Hideyuki Nakanishi
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 受光素子の端子間容量や抵抗、トランジスタ
の寄生容量を負性容量によりキャンセルし、周波数特性
の良好な受光回路を得る。 【構成】 光変調信号入力に応じて受光素子4に流れる
光信号電流は、光電流検出抵抗5により電圧に変換さ
れ、バッファ回路100を介して低インピーダンスで出
力する。V−I変換回路200のトランスコンダクタン
スは、受光素子4の端子間に寄生的に存在するコンデン
サ41のインピーダンスの逆数に等しい値にし、その出
力電流を光電流検出抵抗5にフィードバックして加算す
る構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線によってAV信号
を空間伝送する装置の受光回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、AV機器間の信号伝送をコードレ
スで行おうとする試みがなされている。その方法として
は、本来電波を用いるのが好ましいが、電波法の規制か
らもっぱら赤外線による光伝送が用いられている。図1
0は光伝送の代表的な構成図で、1は変調回路、2は発
光素子駆動回路、3は電気信号を光信号に変換する発光
素子である。これらの構成要素1〜3で送信回路8を構
成している。また、4は発光素子3から出力された光信
号を受けて電気信号(光電流)に変換する受光素子、5
は受光素子4から出力される光電流を検出し信号電圧に
変換して出力する光電流検出抵抗、6は光電流検出抵抗
5で発生する信号電圧を所定の振幅に増幅するオートゲ
インコントロール回路(以下、AGCと略記する。)、
7は元の信号に復調する復調回路である。これらの構成
要素4〜7で受信回路9を構成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図10に示す構成で光
伝送を実用化しようと考えた場合、S/Nを確保できる
到達距離をいかに延ばすかということが問題になってく
る。到達距離を延ばす(すなわち、受光信号レベルを大
きくする。)には例えば発光素子の発光パワーを大きく
すれば良いが、一般に発光素子の発光パワーと高速応答
性とはトレードオフ関係にあり、発光パワーを大きくす
れば、周波数特性が劣化し、伝送周波数帯まで周波数特
性を平坦にすることができなくなる。また、発光素子の
数を増やすことによって発光パワーを大きくする方法が
あるが、コスト上の問題や取付スペースの問題も出て来
る。受光側では、光電流検出抵抗5の値を大きくする
か、受光素子の受光面積を大きくする方法により、前者
は小さな光電流でも大きな信号電圧が得られ、後者は伝
送距離が長くても大きな光電流が得られるが、いずれも
受光素子の端子間容量の影響で、周波数特性が劣化する
ため、両者の値を大きくするにも限度がある等の問題点
を有していた。
【0004】本発明は上述の問題点を解消するためにな
されたもので、受光素子の端子間容量をキャンセルさせ
る回路を構築することにより、抵抗値の大きな光電流検
出抵抗や受光面積の大きな受光素子を用いても周波数特
性が劣化しない受光回路を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のAV光空間伝送の受光回路は、光変調信号が
入力されることによって光信号電流を出力する受光素子
と、前記受光素子の光信号電流を検出し信号電圧に変換
する光電流検出抵抗と、前記信号電圧が入力され、トラ
ンスコンダクタンスの値が前記光信号電流を前記信号電
圧に変換する過程で存在する1つ以上の寄生容量の和に
相当するアドミッタンス値に等しい電圧電流変換回路と
を備え、前記電圧電流変換回路の出力電流を光電流検出
抵抗に供給する構成とする。
【0006】また、光変調信号が入力されることによっ
て光信号電流を出力する受光素子と、前記受光素子の光
信号電流を検出し信号電圧に変換する光電流検出抵抗
と、前記出力信号が入力される増幅回路と前記増幅回路
の入力端子と出力端子の間に接続されたコンデンサを備
え、前記増幅回路と前記コンデンサのミラー効果によっ
て得られる容量値が前記光信号電流を前記信号電圧に変
換する過程に存在する1つ以上の寄生容量の和に等しく
設定する構成とする。
【0007】また、光変調信号が入力されることによっ
て光信号電流を出力する受光素子と、前記受光素子の光
信号電流を検出し信号電圧に変換する光電流検出抵抗
と、前記出力信号が入力される増幅回路と、前記受光素
子に逆バイアスを供給する手段とを備え、前記増幅回路
の出力電圧を前記受光素子の逆バイアス供給手段の出力
電圧に重畳して前記受光素子に供給する構成とする。
【0008】
【作用】本発明では上記した構成により、受光素子から
出力される光信号電流を信号電圧に変換する過程に存在
する1つ以上の寄生容量に流れる信号電流と同じ電流が
光電流検出抵抗に流れるため、寄生容量に信号電流が流
れることによる周波数特性の劣化を防止し、周波数特性
の良好な受光回路を得ることができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
【0010】図1は本発明の第1の実施例におけるAV
光空間伝送の受光回路のブロック図を示したものであ
る。図1において、41は受光素子4の端子間に寄生的
に存在するコンデンサ、100は光電流検出抵抗5で発
生する信号電圧をそのまま小さな出力インピーダンスで
出力するバッファ回路、200はトランスコンダクタン
ス(以下、gmと略記する。)の値が、受光素子4の端
子間コンデンサ41のインピーダンスの逆数に等しいV
−I変換回路である。以下、図1の回路の動作を説明す
る。
【0011】今、光信号を受けて受光素子4から出力さ
れる光信号電流をip、受光素子4の端子間コンデンサ
41の容量値をCj、光電流検出抵抗5の抵抗値をR
L、V−I変換回路200から出力される信号電流をi
1とすれば、光信号電流ipおよび信号電流i1は光電流
検出抵抗5および端子間コンデンサ41に流れることに
よって信号電圧が発生する。信号電圧V1は、
【0012】
【数1】
【0013】となる。また、信号電流i1は信号電圧V1
がV−I変換回路200に入力されることによって発生
する信号電流である。定義より、V−I変換回路200
のgmは受光素子4の端子間コンデンサ41のインピー
ダンスの逆数に等しく設定されているから、信号電流i
1は次式で求められる。
【0014】
【数2】
【0015】(数1)に(数2)のi1を代入して整理
すれば信号電圧V1は、
【0016】
【数3】
【0017】となる。(数3)は光電流検出抵抗5で発
生する信号電圧V1が周波数に関係なく一定の電圧であ
ることを示す。さらに通常、光電流検出抵抗5の値を大
きく設定すれば、CR時定数の増大により、周波数特性
が劣化するが、図1に示す本発明の場合、寄生容量成分
を除去するしくみになっているので、光電流検出抵抗5
の値にかかわらず周波数特性が劣化しない。従って、送
信−受信間の距離が長くなり、受光素子4に入力される
光パワーが小さくなって、光電流が小さくなっても、光
電流検出抵抗5の値を大きくすることで、光空間伝送の
到達距離およびS/Nを従来より改善することができ
る。また、図1に示す実施例のバッファ回路100は出
力インピーダンスを小さくする目的で付加したものであ
り、次段の入力インピーダンスが十分高く、また入力容
量が十分小さければ特に必要はない。また、本実施例で
は、V−I変換回路200のgmを受光素子4の端子間
コンデンサ41のインピーダンスの逆数になるように設
定したが、光電流検出抵抗5の寄生容量やバッファ回路
100の入力容量などを考慮した値にすれば(数3)は
さらに高周波まで成立することになり、さらに周波数特
性を改善できる。
【0018】図2は本発明における第2の実施例であ
り、上記第1の実施例のブロック図を具体化したときの
実施例を示す回路図である。図2において、101,2
02〜204はトランジスタ、102,205は電流源
回路、201はコンデンサであり、トランジスタ101
と電流源回路102で図1に示す第1の実施例中のバッ
ファ回路100を構成し、トランジスタ202〜20
4,電流源回路205およびコンデンサ201で図1に
示す第1の実施例中のV−I変換回路200を構成して
いる。また、図2において、トランジスタ203とトラ
ンジスタ204のエミッタ面積は等しくなるように設定
されている。
【0019】次いで、図2に示す回路の動作について説
明する。なお、ここでは説明を簡略にするためトランジ
スタの電流増幅率は無限大として説明する。まず、光電
流検出抵抗5で発生した信号電圧V1はトランジスタ1
01,電流源回路102からなるバッファ回路100を
介してトランジスタ202のベースに入力される。トラ
ンジスタ202はエミッタフォロワ回路を構成してお
り、トランジスタ202のベースに入力された信号電圧
1はそのままトランジスタ202のエミッタに出力さ
れる。従って、トランジスタ202で発生する信号電圧
1によってコンデンサ201で信号電流i1が発生する
が、この信号電流i1はコンデンサ201の容量値をC
とすれば、
【0020】
【数4】
【0021】となる。この信号電流i1は、電流源回路
205の電流とともにトランジスタ202のコレクタに
出力され、そのままトランジスタ203に流れることに
なる。ここでトランジスタ203,204はカレントミ
ラー回路を構成しており、さらに両者のエミッタ面積は
等しくなるように設定されているため、トランジスタ2
03とトランジスタ204のエミッタ電流はそれぞれ等
しい。従って、トランジスタ204のコレクタから(数
4)に示す信号電流i1と電流源回路205の電流がそ
のまま出力されることになる。電流源回路205の電流
は光電流検出抵抗5に流れてバイアス電圧を発生する
が、回路が飽和しないように電流源回路205の電流値
を決めれば特に問題はない。以下、この信号電流i1
受光素子4からの光信号電流ipが光電流検出抵抗5お
よび受光素子4の端子間コンデンサ41に流れることに
よって信号電圧V1が発生する動作は図1の実施例で説
明した通りであり、最終的に信号電圧V1は(数3)で
示すように得られる。つまり、図2に示す実施例も光電
流検出抵抗5で発生する信号電圧V1が周波数に関係な
く一定の電圧であることを示し、光電流検出抵抗5の値
を大きく設定しても、周波数特性の劣化はなく、光電流
検出抵抗5の値を大きく設定することにより、光信号電
流ipが小さくても大きな信号電圧が得られ、到達距離
の拡大や、S/N改善に大きな効果を有する。
【0022】図3は本発明における第3の実施例であ
り、上記第1の実施例のブロック図でバッファ回路10
0が存在しない場合の具体回路例である。図3におい
て、V−I変換回路200の構成および動作は、上記第
2の実施例と同様であり、V−I変換回路200中のト
ランジスタ202が次段へのバッファ回路を兼ねている
ものである。第3の実施例の場合もその効果は第1,第
2の実施例と同一である。
【0023】また、V−I変換回路200の構成例とし
て上記第2および第3の実施例以外にも、例えば図4に
示すように差動増幅器で構成するなど様々な構成例があ
ることは言うまでもない。
【0024】図5は本発明の第4の実施例におけるAV
光空間伝送の受光回路のブロック図を示したものであ
る。図5において、10はコンデンサ、300はゲイン
がAの増幅回路である。ここで、増幅回路300のゲイ
ンAおよびコンデンサ10の容量値は、便宜上次式を満
足するように設定されているものとする。
【0025】
【数5】
【0026】以下、図5の回路の動作を説明する。今、
光信号を受けて受光素子4から出力される光信号電流を
ip、受光素子4の端子間コンデンサ41の容量値をC
j、光電流検出抵抗5の抵抗値をRL、増幅回路300
の出力からコンデンサ10を介し、光電流検出抵抗5お
よび端子間コンデンサ41に流れる信号電流をi1、コ
ンデンサ10の容量値をCとすれば、光信号電流ipお
よび信号電流i1が光電流検出抵抗5と端子間コンデン
サ41の並列回路に流れることによって発生する信号電
圧V1は、
【0027】
【数6】
【0028】となる。また、この信号電圧V1が増幅回
路300に入力されることによって、増幅回路300の
出力からA・V1の信号電圧が出力される。これによっ
て、増幅回路300の出力からコンデンサ10を介し、
光電流検出抵抗5と端子間コンデンサ41の並列回路に
信号電流i1が流れるが、この信号電流i1は次式で求め
られる。
【0029】
【数7】
【0030】(数6),(数7)からi1を消去すれ
ば、
【0031】
【数8】
【0032】となる。ここで定義より、増幅回路300
のゲインAおよびコンデンサ10の容量値は(数5)を
満足するように設定されているから、(数8)はさら
に、次のように簡略化できる。
【0033】
【数9】
【0034】(数9)は光電流検出抵抗5で発生する信
号電圧V1が周波数に関係なく一定の電圧であることを
示す。従って、上記第1の実施例と同様、光電流検出抵
抗5の値を大きく設定できるので、受光素子4から出力
される光信号電流ipが小さくても大きな信号電圧を得
ることができ、到達距離の拡大、S/Nの改善に大きな
効果を有する。さらに第4の実施例の場合、(数5)か
ら明らかなように、増幅回路300のゲインを可変でき
るように調整機能を設ければ、光電流検出抵抗5の寄生
容量、増幅回路300の入力容量、および端子間コンデ
ンサ41のばらつきなども含めて精度良く周波数特性を
補正できるメリットも有している。
【0035】図6は本発明の第5の実施例におけるAV
光空間伝送の受光回路のブロック図を示したものであ
る。図6において、400は増幅回路、500は増幅回
路400から出力される信号電圧の交流成分のみを抜き
出して出力するハイパスフィルタ回路、600は受光素
子4に逆バイアス電圧を決める基準電圧源、700は基
準電圧源600の出力にハイパスフィルタ回路500か
ら出力される信号電圧を加算する加算回路、800は加
算回路700の出力電圧を受光素子4に供給する電力供
給回路である。以下、図6の回路の動作を説明する。
【0036】今、受光素子4から出力される光信号電流
をip、受光素子4の端子間コンデンサ41から光電流
検出抵抗5に流れ込む信号電流をic、光電流検出抵抗
5からアースに流れる信号電流をiRとし、増幅回路4
00およびAGC回路6の入力インピーダンスが十分大
きいとすれば、次式が成立する。
【0037】
【数10】
【0038】また、増幅回路400の入力端子で発生す
る信号電圧V1は、
【0039】
【数11】
【0040】であり、増幅回路400の出力信号電圧
は、A・V1となる。このA・V1の信号電圧はハイパス
フィルタ回路500を介し、加算回路700に入力さ
れ、加算回路700で基準電圧に重畳されて電力供給回
路800から出力される。従って、受光素子4の両端
で、A・V1−V1の信号電圧が発生することになる。受
光素子4の端子間抵抗は通常無視できるくらい小さいか
ら、端子間コンデンサ41には次の電流icが流れるこ
とになる。
【0041】
【数12】
【0042】となる。従って、(数10),(数1
1),(数12)から、信号電圧V1は、
【0043】
【数13】
【0044】となる。ここで、増幅回路400のゲイン
を1に設定すれば、
【0045】
【数14】
【0046】となり、周波数如何にかかわらずV1は一
定値となる。従って、上記第1の実施例と同様、光電流
検出抵抗5の値を大きく設定できるので、受光素子4か
ら出力される光信号電流ipが小さくても大きな信号電
圧を得ることができ、到達距離の拡大、S/Nの改善に
大きな効果を有する。さらに第5の実施例の場合、光電
流検出抵抗5の寄生容量や、増幅回路400の入力容量
を含めた寄生容量のキャンセルはできないが、上記第1
〜第4の実施例のような端子間容量キャンセル用のコン
デンサを必要とせず、増幅回路400のゲインを1に設
定することで、受光素子4の端子間容量を精度良くキャ
ンセルできるメリットがある。
【0047】また、ハイパスフィルタ回路500,基準
電圧源600,加算回路700,電力供給回路800は
受光素子4に逆バイアスを与えながら、増幅回路400
から出力される信号電圧A・V1を受光素子4に与える
ために設けたものであり、たとえば図7に示す回路でも
実現できる。図7において、501はコンデンサ、50
2は抵抗であり、コンデンサ501と抵抗502でハイ
パスフィルタ回路を構成している。また、基準電圧源6
00は回路電源VCCで実現しており、電力供給回路8
00も回路電源600で兼ねている。図7の場合、抵抗
502に受光素子4の光電流により電圧降下が発生する
が、抵抗502の抵抗値を、受光素子4の光電流を考慮
して設定すれば特に問題はない。
【0048】また、ゲインが1の増幅回路はオペアンプ
によるヴォルテージフォロワ回路や、エミッタフォロワ
回路等で比較的簡単な回路でしかも精度良く実現でき、
素子値ばらつきや温度変化に対してもその影響がほとん
どない回路が実現できる。例えば、図8はトランジスタ
401,電流源回路402からなるエミッタフォロワ回
路で増幅回路400を構成した例で、この場合、トラン
ジスタ401のエミッタ動抵抗によってややゲインが下
がるが、電流源回路402の電流値を大きくすることに
よりほとんど1に近いゲインが得られる。
【0049】さらに、図9はオペアンプ403によるヴ
ォルテージフォロワ回路で増幅回路400を構成した例
で、この場合、オペアンプ403の開ループゲインをA
とすれば、周知のように増幅回路300のゲインはA/
(A+1)になり、Aを大きく設定すれば限りなく1に
近いゲインが得られる。以上のように本実施例の場合、
Aの値を限りなく1に近い値に設定できるので高周波ま
で(数14)を満足する信号電圧V1が得られる。
【0050】
【発明の効果】以上のように本発明のAV光空間伝送の
受光回路では、受光素子の端子間容量をキャンセルし周
波数特性の良い受光回路を得ることができ、光電流検出
抵抗の抵抗値を大きくすることによるS/N改善、到達
距離の拡大が図れる等多大なる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるAV光空間伝送
の受光回路の構成を示すブロック図
【図2】本発明の第2の実施例におけるAV光空間伝送
の受光回路の構成を示すブロック図
【図3】本発明の第3の実施例におけるAV光空間伝送
の受光回路の構成を示すブロック図
【図4】図2,図3における電圧電流変換回路200の
他の実施例を示すブロック図
【図5】本発明の第4の実施例におけるAV光空間伝送
の受光回路の構成を示すブロック図
【図6】本発明の第5の実施例におけるAV光空間伝送
の受光回路の構成を示すブロック図
【図7】図6におけるハイパスフィルタ回路と基準電圧
供給手段の一具体回路例を示すブロック図
【図8】図6における増幅回路400の一具体回路例を
示すブロック図
【図9】図6における増幅回路400の他の具体回路例
を示すブロック図
【図10】従来のAV光空間伝送装置の構成を示すブロ
ック図
【符号の説明】
4 受光素子 5 光電流検出抵抗 10 コンデンサ 100 バッファ回路 200 電圧電流変換回路 300,400 増幅回路 500 ハイパスフィルタ回路 600 基準電圧源 700 加算回路 800 電力供給回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04B 10/06 H03F 3/08 7436−5J

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光変調信号が入力されることによって光
    信号電流を出力する受光素子と、 前記受光素子の光信号電流を検出し信号電圧に変換する
    光電流検出抵抗と、 前記信号電圧が入力され、トランスコンダクタンスの値
    が前記光信号電流を前記信号電圧に変換する過程で存在
    する1つ以上の寄生容量の和に相当するアドミッタンス
    値に等しい電圧電流変換回路とを備え、 前記電圧電流変換回路の出力電流を前記光電流検出抵抗
    に供給するようにしたことを特徴とするAV光空間伝送
    の受光回路。
  2. 【請求項2】 電圧電流変換手段は、第1のトランジス
    タと、前記第1のトランジスタのエミッタと基準電位点
    の間に接続されたコンデンサと、一方が前記第1のトラ
    ンジスタのコレクタに接続され、他方を出力端子に接続
    されたカレントミラー回路を備えたことを特徴とする請
    求項1記載のAV光空間伝送の受光回路。
  3. 【請求項3】 光変調信号が入力されることによって光
    信号電流を出力する受光素子と、 前記受光素子の光信号電流を検出し信号電圧に変換する
    光電流検出抵抗と、 前記出力信号が入力される増幅回路と前記増幅回路の入
    力端子と出力端子の間に接続されたコンデンサとを備
    え、 前記増幅回路と前記コンデンサのミラー効果によって得
    られる容量値が前記光信号電流を前記信号電圧に変換す
    る過程に存在する1つ以上の寄生容量の和に等しく設定
    されたことを特徴とするAV光空間伝送の受光回路。
  4. 【請求項4】 光変調信号が入力されることによって光
    信号電流を出力する受光素子と、 前記受光素子の光信号電流を検出し信号電圧に変換する
    光電流検出抵抗と、 前記出力信号が入力される増幅回路と、 前記受光素子に逆バイアスを供給する手段とを備え、 前記増幅回路の出力電圧を前記受光素子の逆バイアス供
    給手段の出力電圧に重畳して前記受光素子に供給するよ
    うにしたことを特徴とするAV光空間伝送の受光回路。
JP28342493A 1993-11-12 1993-11-12 Av光空間伝送の受光回路 Expired - Fee Related JP3214196B2 (ja)

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