JPH07135168A - アライメント方法及びそれを用いた位置検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体製造の際のマスクとウエハとのアライ
メントを高精度に行うことのできるアライメント方法及
びそれを用いた位置検出装置を得ること。 【構成】 光源からの光束を対向配置した第１物体と第
２物体を介して受光手段面上に導光し、該受光手段から
の出力信号を利用して該第１物体と第２物体の相対的位
置検出を行う際、該受光手段により該第１物体又は／及
び第２物体から生じるノイズ光に基づくノイズ成分を予
め検出し、記憶手段に記憶しており、該第１物体と第２
物体の相対的位置検出を行う際には該受光手段で得られ
る出力信号から該記憶手段に記憶したノイズ成分を除去
し、該ノイズ成分を除去した信号成分を利用して行って
いること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアライメント方法及びそ
れを用いた位置検出装置に関し、例えば半導体素子製造
用の露光装置において、マスクやレチクル（以下「マス
ク」という。）等の第１物体面上に形成されている微細
な電子回路パターンをウエハ等の第２物体面上に露光転
写する際にマスクとウエハとの面内方向又は／及び間隔
方向の相対的な位置ずれ量を求め、双方の位置決め（ア
ライメント）を行う場合に好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体製造用の露光装置におい
て、マスクとウエハの相対的な位置合わせは性能向上を
図る為の重要な一要素となっている。

【０００３】特に最近の露光装置における位置合わせに
おいては、半導体素子の高集積化の為に例えばサブミク
ロン以下の位置合わせ精度を有するものが要求されてい
る。多くの位置検出装置においては、マスク及びウエハ
面上に位置合わせ用の所謂アライメントマークを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。

【０００４】このときのアライメント方法としては、例
えば双方のアライメントマークのずれ量を画像処理を行
うことにより検出したり、又は米国特許第 4037969号や
米国特許第 4514858号公報や特開昭 56-157033号公報で
提案されているようにアライメントマークとしてゾーン
プレートを用い、該ゾーンプレートに光束を照射し、こ
のときゾーンプレートから射出した光束の所定面上にお
ける集光点位置を検出すること等により行っている。

【０００５】一般にゾーンプレートを利用したアライメ
ント方法は単なるアライメントマークを用いた方法に比
べてアライメントマークの欠損に影響されずに比較的高
精度のアライメントができる特徴がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】一般にマスク面のスク
ライブライン上に波面変換作用を有するアライメントマ
ークを設け、又ウエハ面上に波面変換作用を有するアラ
イメントマークを設け、投光手段からの光束のうちマス
ク面上のアライメントマークとウエハ面上のアライメン
トマークで各々波面変換作用を受けた光束を受光面上に
導光し、受光面上における光束の入射位置を検出するこ
とにより、マスクとウエハとの相対的位置ずれを検出す
る位置検出装置においては投光手段からの光束がマスク
面上のアライメントマーク領域外の、例えばＩＣパター
ンが描画されている領域等に入射してしまう。

【０００７】このとき、アライメントマーク領域以外の
領域からは回折光や散乱光等の不要光（ノイズ光）が発
生し、このノイズ光が受光面上に入射してしまい、マス
クとウエハとのアライメント誤差になるという問題点が
あった。

【０００８】本発明はアライメントマーク領域以外から
生ずるノイズ光に基づくノイズ成分を予め検出し、該ノ
イズ成分を受光手段で得られる出力信号により除去する
ことによりマスクとウエハとのアライメントを高精度に
行うことのできるアライメント方法及びそれを用いた位
置検出装置の提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のアライメント方
法は、光源からの光束を対向配置した第１物体と第２物
体を介して受光手段面上に、該第１物体又は／及び第２
物体に設けたアライメントマークで偏向させた後に導光
し、該受光手段からの出力信号を利用して該第１物体と
第２物体のアライメントを行う際、該受光手段により該
第１物体又は／及び第２物体から生じるノイズ光に基づ
くノイズ成分を予め検出し、該ノイズ成分を記憶手段に
記憶する工程と、該受光手段で得られる出力信号から該
記憶手段に記憶したノイズ成分を除去する工程そして該
ノイズ成分を除去した信号成分を利用して該第１物体と
第２物体とのアライメントを行う工程とを用いているこ
とを特徴としている。

【００１０】本発明の位置検出装置は、光源からの光束
を対向配置した第１物体と第２物体を介して受光手段面
上に導光し、該受光手段からの出力信号を利用して該第
１物体と第２物体の相対的位置検出を行う際、該光源か
らの光束は該第１物体又は／及び第２物体面上に設けた
アライメントマークで偏向した後に該受光手段に入射し
ており、該受光手段により該第１物体又は／及び第２物
体から生じるノイズ光に基づくノイズ成分を予め検出
し、該ノイズ成分は記憶手段に記憶しており、該第１物
体と第２物体の相対的位置検出を行う際には該受光手段
で得られる出力信号から該記憶手段に記憶したノイズ成
分を除去し、該ノイズ成分を除去した信号成分を利用し
て行っていることを特徴としている。

【００１１】又本発明のアライメント方法及び位置検出
装置では、相対的位置検出として前記第１物体と第２物
体との相対的間隔ｇを検出する際、前記光源からの光束
のコヒーレント長をＬｃとしたとき Ｌｃ＜２ｇ となるように各要素を設定したことを特徴としている。

【００１２】

【実施例】図１は本発明の位置検出装置の実施例１の要
部概略図、図２は図１の要部正面図、図３は本実施例の
動作を示すフローチャート、図４，図５は図１の一部分
の拡大説明図である。

【００１３】同図においてマスクＭはマスクホルダー１
１７に取り付けてあり、それをアライナー本体１１５に
マスクチャック１１６を介して支持している。アライナ
ー本体１１５上部にアライメントヘッド１１４が配置さ
れている。マスクＭとウエハＷの位置合わせを行う為に
マスクアライメントマークＭＭ及びウエハアライメント
マークＷＭがそれぞれマスクＭとウエハＷに焼き付けら
れている。

【００１４】アライメントヘッド１１４内の光源３から
出射された光束９は投光レンズ系１１１により平行光と
なり、ハーフミラー１１２を通りマスクアライメントマ
ークＭＭへ入射する。マスクアライメントマークＭＭは
透過型のゾーンプレートより成り、入射した光束は回折
されその＋１次回折光は点Ｑへ集光する凸レンズ作用を
受ける。

【００１５】又ウエハアライメントマークＷＭは反射型
のゾーンプレートより成り、点Ｑへ集光する光を反射回
折させ検出面（センサー面）１１９上へ結像する凸面鏡
の作用（発散作用）を持っている。

【００１６】このときウエハアライメントマークＷＭで
−１次で反射回折作用を受けた信号光束はマスクアライ
メントマークＭＭを通過する際、レンズ作用を受けずに
０次光として透過し、検出面１１９上に集光してくるも
のである。

【００１７】同図の位置検出装置においてはマスクＭに
対しウエハＷが面内において相対的に所定量位置ずれし
ていると、その位置ずれ量Δσｗに対して検出面１１９
上に入射する光束の入射位置（光量の重心位置）がずれ
てくる。このときの検出面１１９上のずれ量Δδｗと位
置ずれ量Δσｗとは一定の関係があり、このときの検出
面１１９上のずれ量Δδｗを検出することによりマスク
ＭとウエハＷとの相対的な位置ずれ量Δσｗを検出して
いる。

【００１８】同図に示すようにマスクＭから出射する信
号光束の集光位置ＱからウエハＷまでの距離をａｗ、ウ
エハＷから検出面１１９までの距離をｂｗとしたとき検
出面１１９上の位置ずれ量Δδｗは Δδｗ＝Δσｗ・｛（ｂｗ／ａｗ）−１｝ ・・・・・ （ａ） となる。（ａ）式より明かのように（ｂｗ／ａｗ−１）
倍に位置ずれ量が拡大される。この（ｂｗ／ａｗ−１）
が位置ずれ検出倍率となる。

【００１９】尚、本実施例において光源３と投影レンズ
系１１１は図１に示す如くＸＺ面内に存在するが、図２
では便宜上ＹＺ平面内にある如く示している。

【００２０】アライメントヘッド１１４はピックアップ
ステージ（不図示）により駆動可能であり、このステー
ジを駆動することによりビーム９がマスクアライメント
マークＭＭに対し位置決めされる。

【００２１】１８は信号処理部であり、本発明において
は不要光である散乱光成分としての参照波形ｇ（ｘ）と
センサーで得られる信号波形ｆ（ｘ）の記憶装置部と、
波形ｆ（ｘ）と波形ｇ（ｘ）との差に基づく波形ｈ
（ｘ）から波形の中心位置（例えば重心）を計算すると
きの演算部の両方の機能を兼ねている。

【００２２】一般に図１に示すような位置検出装置では
図５に示すように光源３から出射された光束はハーフミ
ラー１１２を通り、有限の大きさを持ったスポット９と
してマスク側のアライメントマークＭＭ−２を照射す
る。アライメントマークＭＭ−２全体を均一な照度分布
をもった平行光で照射しようとすると、Ｙ方向のスポッ
ト径はスクライブライン幅Ｓよりも必然的に大きくな
り、よって光束の一部は図４に示すようにＩＣパターン
が描画されている領域７Ｍ−２や、それ以外のマスク領
域７Ｍ−１を照射する。

【００２３】これらの領域に入射した光束は不規則な回
折・散乱を受ける。このときその一部がノイズとなって
信号光束と重なり合い、センサー４に入射するとセンサ
ー面上に入射する光束のスポット位置より、即ち測定信
号の強度分布（アライメント信号波形）から被測定物の
位置情報を得る方式においては大きな検出誤差となって
くる。

【００２４】そこで本実施例ではアライメント信号波形
を計測するセンサーと、その波形を記憶する記憶装置を
備え、アライメントを実行する前にアライメント実行時
に信号光と共に発生する不要な光成分（ノイズ成分）を
予め検出・記憶しておき、アライメント実行時に上記不
要光成分をアライメント信号波形から除去した後に位置
情報を算出することによって前記不要光による検出誤
差、即ち計測再現性の劣化を防ぎ、高精度なアライメン
トを達成している。

【００２５】次に本実施例におけるマスクとウエハのア
ライメント方法を図３のフローチャートを用いて説明す
る。

【００２６】本実施例ではセンサーで得られる成分ｆ
（ｘ）からマスク表面に基づく不要散乱光成分ｇ（ｘ）
を除去して信号波形ｈ（ｘ）を得て、これよりマスクと
ウエハとのアライメントを行っている。

【００２７】半導体素子製造の際のプロセスにおいては
各レイヤー毎にＩＣパターンの焼き付けを行う前に半導
体露光装置において次のレイヤーの焼き付けに使うマス
クへの交換が行われる。マスクの装着が終わった後には
マスクの露光装置に対する位置決めが行われる。これを
一般にマスクアライメントといっている。マスクアライ
メントが終了した後には今度はファインアライメント
（マスク／ウエハのアライメント）マークへのアライメ
ントビームの位置決めが行われる（ＳＴＥＰ１）。

【００２８】このときの状態を図４（Ｂ）と図５に示
す。図５はマスク側のファインアライメントマークＭＭ
−２にアライメントビーム９が当っている様子を示し、
図４（Ｂ）はこのときの断面図を示す。マスクＭからの
散乱光分布ｇ（ｘ）はこのような状態の下で計測されメ
モリーに記憶される（ＳＴＥＰ２）。

【００２９】アライメントビーム９はマスクマークＭＭ
−２に対し、位置決めされるがビーム９のＹ方向の径が
スクライブライン幅Ｓよりも一般に大きいのでビーム９
の一部はＩＣパターン描画領域７Ｍ−２や、それ以外の
マスク領域７Ｍ−１にはみ出して照射する。ＩＣパター
ン描画領域７Ｍ−２やマスク領域７Ｍ−１に入射した光
束はＩＣパターンのエッジによりランダムな回折・散乱
を受け、或は吸収体の凹凸によって散乱された光はスペ
ックルとなりセンサー４に入射する。このときセンサー
４で得られる散乱光に基づく波形ｇ（ｘ）を図６（Ｂ）
に示す。

【００３０】このようなＩＣパターンに基づくノイズは
当然のことながらマスク毎に形状が異なり、スペックル
ノイズもマスク表面のラフネスに依存している為、マス
ク毎の再現性はない。

【００３１】ところが本方式のようにアライメント光の
センサー面上における光量分布そのものが位置情報を与
える方式においてはある特定のマスク／ウエハの位置関
係においては再現性のある信号波形が要求され、従って
上記不要光はアライメント精度を劣化させる原因とな
る。波形ｇ（ｘ）の計測時に注意すべきことは計測中に
マスクマークＭＭの下に反射率を有する物体を置かない
ことである。逆にマスクマークＭＭの下にアライメント
光を吸収する物体を配置するのも良い。

【００３２】センサー４で散乱光に基づく波形ｇ（ｘ）
を計測した後にウエハマークＷＭをマスクマークＭＭの
下に移動する（ＳＴＥＰ３）。このときの状態を図４
（Ａ）に示す。これが通常のアライメント波形を得る状
態で本方式でマスクマークＭＭ，ウエハマークＷＭで各
々１回ずつ回折した光がアライメント信号としてセンサ
ー４に入射する。

【００３３】アライメント光本来の波形は対称性の良い
滑らかな波形であるが、先に示したようなノイズ光とな
る波形ｇ（ｘ）等が混入する為、図６（Ａ）に示したよ
うな非対称なギザギザした波形ｆ（ｘ）となる。このと
きの波形をｆ（ｘ）としメモリーに記憶する（ＳＴＥＰ
４）。

【００３４】ＳＴＥＰ５ではＳＴＥＰ４でメモリー上に
記憶したラインセンサー４の各ビット毎の出力波形ｆ
（ｘ）からＳＴＥＰ２で記憶した出力波形ｇ（ｘ）を減
算し、信号となる波形ｈ（ｘ）を得る。波形ｈ（ｘ）で
はマスクからの直接散乱光成分に基づく波形ｇ（ｘ）が
取り除かれているので図６（ｃ）で示したようにアライ
メント光本来に近い波形を得ることができる。

【００３５】このような波形ｈ（ｘ）を基にセンサー面
１１９に入射した光束の重心位置を計算し、基準位置か
らのずれ量Δσｗを求める（ＳＴＥＰ６）ことにより、
マスク上にあるＩＣパターンの形状の影響を受けずに高
精度なアライメントを達成している。

【００３６】図７は本発明の位置検出装置の実施例２の
一部分の説明図である。図８は実施例２の動作を示すフ
ローチャートである。

【００３７】本実施例はセンサーで得られる成分ｆ
（ｘ）からウエハＷ表面に基づく不要散乱光成分ｇ
（ｘ）を除去して信号波形ｈ（ｘ）を得て、これよりマ
スクとウエハとのアライメントを行っている。

【００３８】次に本実施例の動作を図８のフローチャー
トに基づいて説明する。

【００３９】まずアライメントビーム９をマスクＭ側の
アライメントマークＭＭに位置決めし（ＳＴＥＰ１）、
それからウエハマークＷＭをマスクマークＭＭの下に移
動する（ＳＴＥＰ２）。このときアライメントビーム９
とウエハマークＷＭがアライメント計測時の位置関係に
固定される。

【００４０】この後アライメントビーム９とウエハマー
クＷＭの相対位置関係は固定したままビーム位置を制御
するピックアップステージとウエハステージ１７を各々
マスクＭ上にパターンがない領域まで（ΔＸ１，ΔＹ
１）だけ移動する（ＳＴＥＰ３）。このパターンのない
領域は少なくともアライメントビーム９の径よりも広い
領域がマスクＭ上のＩＣ描画領域、アライメントパター
ン領域以外に予め用意される。

【００４１】図７はこのときの断面図を示している。図
７において５はマスクメンブレンでほとんど光を透過す
る為、このときセンサー４で計測される波形ｇ（ｘ）は
ウエハＷからの直接散乱光と見なすことができ、これを
メモリーに記憶する（ＳＴＥＰ４）。波形ｇ（ｘ）を計
測後、ビーム９とウエハマークＷＭはピックアップステ
ージとウエハステージ１７により一体駆動され、マスク
マークＭＭの下に再び戻される（−ΔＸ１，−ΔＹ１）
（ＳＴＥＰ５）。このあとは図３のＳＴＥＰ４へ行き、
通常のアライメントシーケンスと同じである。

【００４２】図９は本発明の位置検出装置の実施例３の
一部分の説明図である。図１０は実施例３の動作を示す
フローチャートである。

【００４３】本実施例ではセンサー４で得られる成分ｆ
（ｘ）からマスク表面とウエハ表面の双方に基づく不要
散乱光成分を同時に除去して信号波形ｈ（ｘ）を得て、
これよりマスクとウエハとのアライメントを行ってい
る。

【００４４】次に本実施例の動作を図１０のフローチャ
ートに基づいて説明する。

【００４５】ＳＴＥＰ２までは図８に示す実施例２と同
様である。ＳＴＥＰ３ではウエハマークＷＭがビーム投
射領域９から外れるまでスクライブライン方向に距離Δ
Ｘ２だけウエハステージを移動する。この方向のビーム
９の径をＲｘとするとΔＸ２＞Ｒｘ／２である必要があ
る。図８はこのときの状態を示している。

【００４６】本実施例と図４（Ａ）（アライメント波形
計測時）との差はウエハマークＷＭがないことである。
この状態での波形をｇ（ｘ）として参照信号してメモリ
に記憶する（ＳＴＥＰ４）。

【００４７】ウエハマークＷＭがマスクマークＭＭの下
にくるようにウエハステージ１７を駆動する（ＳＴＥＰ
５）。その後は図３のＳＴＥＰ４へ行き、通常のアライ
メントシーケンスを行う。

【００４８】本実施例ではマスク／ウエハからの直接散
乱不要光及び本方式においては不要回折光となるウエハ
０次反射を含む回折光が除去されるという特徴を有して
いる。

【００４９】本発明においては前述した実施例１〜３は
次のように使い分けている。

【００５０】通常のプロセスでは実施例１が有用であ
る。マスク上のパターンには入射光束の略１００％が照
射されるが、ウエハマークへ入射した光束については平
均的にマスク上の約５０％が吸収体によって遮光されて
いると考えると、往復で光量は約１／４になる。

【００５１】更にマスクメンブレンの透過率や吸収を考
慮すると結局光量は１桁近く下がるので不要光の大部分
がマスクからの散乱光だと考えられるからである。更に
重要なことはアライメントギャップ（マスクとウエハと
の間隔）とアライメント光のコヒーレント長Ｌｃの関係
をＬｃ＜２×ｇ （ｇ：アライメントギャップ）と設
定することによりマスクからの直接散乱光ｇ（ｘ）とア
ライメント信号光ｈ（ｘ）は干渉性がなくなり、波形ｆ
（ｘ）は純粋に波形ｇ（ｘ）と波形ｈ（ｘ）の和信号と
して表され、よって本方式の効果がより顕著に示され
る。

【００５２】実施例２が適用されるのはウエハからの直
接散乱光がマスクからのそれに比べて著しく強い場合で
ある。例えばウエハにアルミ（Ａｌ）が蒸着されている
場合、ウエハの反射率がマスクの反射率に比して著しく
高くなり、本実施例の適用が考えられる。

【００５３】実施例３が適用されるのはマスク／ウエハ
からの不要光の強度が同程度の場合である。同実施例で
は信号光以外の略全ての不要光を参照光として除去でき
るので実用上効果が高い。

【００５４】図１１は本発明の位置検出装置の実施例４
のマスクとウエハとのアライメントを行う際のフローチ
ャートである。

【００５５】本実施例の光学配置は図４（Ａ）と同様で
ある。

【００５６】本実施例ではマスク及びウエハからの高周
波のスペックルノイズを除去していることを特徴として
いる。次に本実施例の動作を図１１のフローチャートに
基づき説明する。

【００５７】ウエハマークＷＭをマスクマークＭＭの下
に移動するところまでは図８に示す通常のアライメント
シーケンスと同じである。（ＳＴＥＰ１，２）。次に信
号波形ｆ１（ｘ）を計測する（ＳＴＥＰ３）。次にアラ
イメント方向にある微小量ΔＸだけシフトし（ＳＴＥＰ
４）、信号波形ｆ２（ｘ）を計測する（ＳＴＥＰ５）。
次に波形ｆ１（ｘ），波形ｆ２（ｘ）をハイパスフィル
ターにかけ（ＳＴＥＰ６，７）、波形Ｆ１（ｘ），波形
Ｆ２（ｘ）を得る。ここで信号波形ｆ１（ｘ），ｆ２
（ｘ）をハイパスフィルターにかける意味は信号成分を
除去することである。

【００５８】さて、波形Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）には高
周波成分のノイズと高周波成分の信号が残る。

【００５９】本実施例で波形ｆ１，ｆ２と信号を２回計
測した意味はこの両者を比較して変動成分と固定成分を
分離することにある。

【００６０】即ち、変動成分は信号として、固定成分は
ノイズとして考えると波形Ｆ１（ｘ），Ｆ２（ｘ）の各
画素（ｘ）出力を比較し、小さい方をその画素の値（ｇ
（ｘ））とすれば波形ｇ（ｘ）は高周波の固定ノイズ成
分として抽出できる（ＳＴＥＰ８）。

【００６１】このように本実施例は高周波のスペックル
ノイズを除去するのに特に有用である。

【００６２】波形ｇ（ｘ）をメモリに記憶した後（ＳＴ
ＥＰ８）は図３のＳＴＥＰ４へ行き、通常のアライメン
トシーケンスを行っている。

【００６３】以上、アライメント計測時に信号光以外の
不要光成分を除去する方法について述べたが、本発明は
マスクとウエハとの間隔を計測する位置合わせ装置、例
えば特開平４−１２５２３号公報，特開平４−３６６０
５号公報，特開平４−１４８８１０号公報等で提案され
ている装置にも同様に適用することができる。

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば以上のように、アライメ
ントマーク領域以外から生ずるノイズ光に基づくノイズ
成分を予め検出し、該ノイズ成分を受光手段で得られる
出力信号により除去することによりマスクとウエハとの
アライメントを高精度に行うことのできるアライメント
方法及びそれを用いた位置検出装置を達成することがで
きる。

【００６５】特に本発明によれば、半導体露光プロセス
のアライメント計測前にＩＣパターン等から発生する固
定不要光成分を予め計測しておき、アライメント実行時
の波形から前記不要光成分の波形を除去した後、光束の
重心位置の検出を行うことにより前記不要光による計測
再現性の劣化を防ぎ、高精度なアライメントを達成する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の位置検出装置の実施例１の要部概
略図

【図２】 図１の要部正面図

【図３】 本発明の実施例１のフローチャート

【図４】 図１の一部分の説明図

【図５】 図１の一部分の説明図

【図６】 図１のセンサーで得られる信号波形図

【図７】 本発明の実施例２の一部分の説明図

【図８】 本発明の実施例２のフローチャート

【図９】 本発明の実施例３の一部分の説明図

【図１０】 本発明の実施例３のフローチャート

【図１１】 本発明の実施例４のフローチャート

【符号の説明】

Ｍ マスク Ｗ ウエハ ＭＭ マスクアライメントマーク ＷＭ ウエハアライメントマーク ３ 光源 ４ センサー ５ マスクメンブレム １８ 信号処理部 １９ ウエハステージ駆動制御部 １１４ アライメントヘッド

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源からの光束を対向配置した第１物体
   と第２物体を介して受光手段面上に導光し、該受光手段
   からの出力信号を利用して該第１物体と第２物体の相対
   的位置検出を行う際、該光源からの光束は該第１物体又
   は／及び第２物体面上に設けたアライメントマークで偏
   向した後に該受光手段に入射しており、該受光手段によ
   り該第１物体又は／及び第２物体から生じるノイズ光に
   基づくノイズ成分を予め検出し、該ノイズ成分は記憶手
   段に記憶しており、該第１物体と第２物体の相対的位置
   検出を行う際には該受光手段で得られる出力信号から該
   記憶手段に記憶したノイズ成分を除去し、該ノイズ成分
   を除去した信号成分を利用して行っていることを特徴と
   する位置検出装置。
2. 【請求項２】 相対的位置検出として前記第１物体と第
   ２物体との相対的間隔ｇを検出する際、前記光源からの
   光束のコヒーレント長をＬｃとしたとき Ｌｃ＜２ｇ となるように各要素を設定したことを特徴とする請求項
   １の位置検出装置。
3. 【請求項３】 光源からの光束を対向配置した第１物体
   と第２物体を介して受光手段面上に、該第１物体又は／
   及び第２物体に設けたアライメントマークで偏向させた
   後に導光し、該受光手段からの出力信号を利用して該第
   １物体と第２物体のアライメントを行う際、該受光手段
   により該第１物体又は／及び第２物体から生じるノイズ
   光に基づくノイズ成分を予め検出し、該ノイズ成分を記
   憶手段に記憶する工程と、該受光手段で得られる出力信
   号から該記憶手段に記憶したノイズ成分を除去する工程
   そして該ノイズ成分を除去した信号成分を利用して該第
   １物体と第２物体とのアライメントを行う工程とを用い
   ていることを特徴とするアライメント方法。
4. 【請求項４】 相対的位置検出として前記第１物体と第
   ２物体との相対的間隔ｇを検出する際、前記光源からの
   光束のコヒーレント長をＬｃとしたとき Ｌｃ＜２ｇ となるように各要素を設定したことを特徴とする請求項
   ３のアライメント方法。