JPH07126616A - ポリチオフェンを用いたｅｌ素子 - Google Patents

ポリチオフェンを用いたｅｌ素子

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JPH07126616A
JPH07126616A JP17031294A JP17031294A JPH07126616A JP H07126616 A JPH07126616 A JP H07126616A JP 17031294 A JP17031294 A JP 17031294A JP 17031294 A JP17031294 A JP 17031294A JP H07126616 A JPH07126616 A JP H07126616A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 下記化１３で示される構造単位を有する重合
体、下記化１３で示される構造単位と下記化１４で示さ
れる構造単位を有する共重合体および下記化１５で示さ
れる重合体のうちの１種以上をＥＬ素子の有機化合物層
に用いる。 【化１３】 【化１４】 【化１５】 【効果】 高輝度の発光が安定して得られ、信頼性に優
れたポリチオフェンを用いたＥＬ素子が実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリチオフェンを用い
たＥＬ（電界発光）素子に関し、詳しくは、有機化合物
からなる積層構造薄膜に電界を印加して光を放出する素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜
に電子および正孔を注入して再結合させることにより励
起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活
する際の光の放出（蛍光、燐光）を利用して発光する素
子である。
【０００３】有機ＥＬ素子の特徴は、１０V 程度の低電
圧で１００〜１００００cd/m2 程度の高輝度の面発光が
可能であり、また蛍光物質の種類を選択することにより
青色から赤色までの発光が可能なことである。
【０００４】一方、有機ＥＬ素子の問題点は、発光寿命
が短く、保存耐久性、信頼性が低いことであり、この原
因としては、 有機化合物の物理的変化があること（結晶ドメイン
の成長などにより界面の不均一化が生じ、素子の電荷注
入能の劣化、短絡や絶縁破壊の原因となる。特に分子量
５００以下の低分子化合物を用いると結晶粒の出現や成
長が起こり、膜性が著しく低下する。また、ＩＴＯ等の
界面が荒れていても、顕著な結晶粒の出現や成長が起こ
り、発光効率の低下や、電流のリークを起こし、発光し
なくなる。また、部分的非発光部（ダークスポット）の
原因にもなる。）、
【０００５】 陰極の酸化や剥離があること（電子の
注入を容易にするために仕事関数の小さな金属としてＮ
ａ、Ｍｇ、Ａｌなどを用いてきたが、これらの金属は大
気中の水分や酸素と反応したり、有機化合物層と陰極の
剥離が起こり、電荷注入ができなくなる。特に高分子化
合物などを用い、スピンコートなどで成膜した場合、成
膜時の残留溶媒や分解物が電極の酸化反応を促進し、電
極の剥離が起こり部分的な非発光部を生じさせる。）、
【０００６】 発光効率が低く、発熱量が多いこと
（有機化合物中に電流を流すので、高い電界強度下に有
機化合物を置かねばならず、発熱からは逃れられない。
その熱のため、有機化合物の溶融、結晶化、熱分解など
により素子の劣化や破壊が起こる。）、
【０００７】有機化合物層の光化学的変化や電気化学
的変化が起こること、などが挙げられる。
【０００８】特に、上記の問題点を解決するため、低
分子アモルファス性化合物や、高分子化合物が検討され
たりしている。しかし低分子化合物は蒸着できるが十分
な薄膜安定性が得られない。また、高分子化合物は薄膜
安定性はあるが、蒸着できないので積層構造が採れず、
スピンコートなどで成膜するために残留溶媒や不純物が
混入し、電極や有機物の劣化が著しいなどプロセス上に
大きな問題がある。一方、最近蒸着できる高分子が報告
されているが（福田隆史ら、第４１回（１９９２年）高
分子学会年次大会予稿集ＩＬ−２９）、まだ実用的な輝
度の発光が得られていない。
【０００９】また透明電極は、表面抵抗の小さいこと
（１０〜３０Ω／□以下）が必要であるためＩＴＯガラ
スなどが用いられている。しかし走査型トンネル顕微鏡
（ＳＴＭ）や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の観察による
と、スパッタ成膜基板で２００オングストローム、ＥＢ
蒸着基板で４００オングストローム程度の凹凸があり、
さらにＩＴＯパターニング時のダメージによる表面荒れ
があり、有機薄膜の結晶化が促進されやすい環境にあ
る。
【００１０】このことを改善するため、ＩＴＯ表面にフ
タロシアニン膜を設けたり（特開昭６３−２９５６９５
号）、ポリアリレンビニレンをスピンコートするなどの
方策が採られてきた。しかし、フタロシアニンは微結晶
性であり必ずしも効果が現れず、ポリアリレンビニレン
はコンバージョン時の酸でＩＴＯがダメージを受けた
り、残留溶媒などにより電極の酸化が促進したり、スピ
ンコートで成膜した不均一な膜であるため、素子の信頼
性が向上しなかった。
【００１１】従って、これらの問題を改善することが可
能な有機化合物の適用が望まれている。
【００１２】一方、最近、素子性能の向上を目的とし
て、機能の異なる化合物を２種以上混合した混合層を設
けたＥＬ素子が種々提案されている。例えば、特開平２
−２５０２９２号公報には、輝度および耐久性の向上を
目的として、正孔輸送能および発光機能を有する有機化
合物と電子輸送能を有する有機化合物との積層構造の薄
膜あるいは混合体薄膜を発光層に用いる旨が、また特開
平２−２９１６９６号公報には、正孔輸送機能を有する
有機化合物と電子輸送能を有する蛍光有機化合物との混
合体薄膜を発光層に用いる旨が提案されている。さら
に、特開平３−１１４１９７号公報には、発光効率・発
光輝度の向上を目的として、電荷注入層と発光層との間
に電荷注入材料と有機蛍光体とを混合した混合層を設け
る旨が提案されている。また、特開平３−１９００８８
号公報には、発光層への正孔（ホール）および電子の注
入を容易にすることを目的として、正孔輸送層および／
または電子輸送層と有機発光層との間に、対面する両層
の構成材料を含む混合層を設けることが提案されてい
る。さらに、特開平４−３３４８９４号公報には、複数
の有機化合物層を構成する場合、異なる機能を有する化
合物を共存させた層、例えば正孔輸送性発光材料を含む
層と正孔輸送性発光材料と電子輸送性材料とが共存する
層等を設け、発光輝度を高くし、種々の発光色相を呈す
ることを可能にするとともに耐久性を向上させることが
提案されている。また、特開平５−１８２７６２号公報
には、発光層と電荷注入層の間に発光物質と電荷注入物
質からなる混合層を形成し、駆動電圧を低下させる旨が
提案されている。さらに、特開平３−２８９０９０号公
報には、発光層を正孔伝導性の有機化合物と希土類金属
の有機錯体が混合された薄膜よりなるものとし、発光ス
ペクトル幅が狭く単色性に優れ、しかも変換効率の良化
を図ることが提案されている。また、特開平４−１７８
４８７号公報及び特開平５−７８６５５公報には、有機
発光体薄膜層の成分が有機電荷材料と有機発光材料の混
合物からなる薄膜層を設け、濃度消光を防止して発光材
料の選択幅を広げ、高輝度なフルカラー素子とする旨が
提案されている。また、特開平４−３５７６９４号公報
には、層間に各層を形成する各々の成分で濃度勾配を設
けた傾斜構造層を形成し、駆動電圧の低下と耐久性の向
上を図ることが提案されている。
【００１３】さらに、有機化合物層にルブレンを用いた
ものが提案されている。ルブレンを有機化合物層にドー
プしたものとしては、有機化合物層としてヒドラジン誘
導体の混合膜からなる正孔輸送層とトリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウムの発光層とを有する有機ＥＬ素子
において、正孔輸送層にルブレンをドープしたもの、あ
るいは正孔輸送層の有機界面側半分と発光層全体にルブ
レンをドープしたものが提案されている。そして、正孔
輸送層にドープしたものでは、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウムとルブレンの両方から発光が起こるこ
とが、また正孔輸送層の半分と発光層にドープしたもの
では、発光効率が向上すること、さらには保存時におけ
るダークスポットの増加を抑制できることが報告されて
いる［金井、矢島、佐藤、第３９回応用物理学関係連合
講演会講演予稿集、２８ｐ−Ｑ−８（１９９２）：佐
藤、金井、有機エレクトロニクス材料研究会（ＪＯＥ
Ｍ）ワークショップ９２予稿集、３１（１９９２）］。
また、トリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）の正孔輸
送層にルブレンをドープしたものが提案されており、輝
度半減期が向上することが報告されている［藤井、佐
野、藤田、浜田、柴田、第５９回応用物理学学術講演会
講演予稿集、２９ｐ−ＺＣ−７（１９９３）］。
【００１４】また、特開平２−２０７４８８号公報に
は、ｐ型の無機半導体薄膜層とルブレンを主体とする層
からなる有機化合物薄膜層を設けたものが提案されてお
り、十分な発光輝度と発光輝度の安定性が得られること
が記載されている。
【００１５】しかし、これらのいずれのＥＬ素子におい
ても、発光寿命の向上という点で満足できるものではな
い。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に
物理的変化や光化学的変化、電気化学的変化の少ない光
電子機能材料を正孔注入輸送材料や発光材料として用
い、信頼性および発光効率の高い種々の発光色を持った
ポリチオフェンを用いたＥＬ素子を実現することであ
る。特に、分子量の大きな化合物を蒸着法で形成した有
機薄膜を用い、素子の駆動時の電圧上昇や電流のリー
ク、部分的な非発光部の出現や成長を抑えた高信頼性の
高輝度発光素子を実現することである。
【００１７】さらには、発光寿命の向上を図り、特に初
期の輝度低下を抑制したポリチオフェンを用いたＥＬ素
子を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（２０）の本発明により達成される。 （１）下記化４で示される構造単位を有する重合体およ
び下記化４で示される構造単位と下記化５で示される構
造単位とを有する共重合体のうちの少なくとも１種以上
を含有する層を少なくとも１層有するポリチオフェンを
用いたＥＬ素子。
【００１９】
【化４】
【００２０】
【化５】
【００２１】〔化４において、Ｒ1 およびＲ2 は、それ
ぞれ水素原子、芳香族炭化水素基または脂肪族炭化水素
基を表わし、これらは同一でも異なっていてもよい。化
５において、Ｒ3 およびＲ4 は、それぞれ水素原子、芳
香族炭化水素基または脂肪族炭化水素基を表わし、これ
らは同一でも異なっていてもよい。Ｒ3 とＲ4 とは互い
に結合して環を形成してもよい。ただし、いずれの重合
体および共重合体においても平均重合度は４〜１００で
あり、末端基は水素原子またはハロゲン原子である。〕 （２）前記重合体および前記共重合体のうちの少なくと
も１種以上を含有する層が真空蒸着法により形成された
上記（１）のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （３）発光層が前記重合体および前記共重合体のうちの
少なくとも１種以上を含有する上記（１）または（２）
のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （４）発光層が正孔注入輸送層を兼ねる上記（３）のポ
リチオフェンを用いたＥＬ素子。 （５）正孔注入輸送層と発光層とを有し、この正孔注入
輸送層が前記重合体および前記共重合体のうちの少なく
とも１種以上を含有する上記（１）または（２）のポリ
チオフェンを用いたＥＬ素子。 （６）前記重合体および前記共重合体のうちの少なくと
も１種以上を含有する正孔注入輸送層のほかに、さら
に、これとは異なる正孔注入輸送層を少なくとも１層有
する上記（５）のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （７）さらに、電子注入輸送層を有する上記（５）また
は（６）のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （８）正孔注入輸送層と発光層とを有し、この正孔注入
輸送層が下記化６で示される重合体のうちの少なくとも
１種以上を含有するポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
【００２２】
【化６】
【００２３】〔化６において、Ｒ3 およびＲ4 は、それ
ぞれ水素原子、芳香族炭化水素基または脂肪族炭化水素
基を表わし、これらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ
3 とＲ4 とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ1
およびＸ2 は、それぞれ水素原子またはハロゲン原子を
表わし、これらは同一でも異なっていてもよい。ｎは４
〜１００である。〕 （９）前記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有す
る層が真空蒸着法により形成された上記（８）のポリチ
オフェンを用いたＥＬ素子。 （１０）前記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有
する正孔注入輸送層のほかに、さらに、これとは異なる
正孔注入輸送層を少なくとも１層有する上記（８）また
は（９）のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１１）さらに、電子注入輸送層を有する上記（８）〜
（10）のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１２）上記（１）〜（11）のいずれかのポリチオフェ
ンを用いたＥＬ素子において、正孔注入輸送性化合物を
含有する層および電子注入輸送性化合物を含有する層を
各々少なくとも１層有し、前記層中における前記正孔注
入輸送正化合物と前記電子注入輸送性化合物とのイオン
化ポテンシャルＩｐの差もしくは電子親和力Ｅａの差、
またはこれら両者の差が０．２eV以上であるポリチオフ
ェンを用いたＥＬ素子。 （１３）前記正孔注入輸送性化合物を含有する層が、前
記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有する正孔注
入輸送層上に積層されており、前記電子注入輸送性化合
物を含有する層が、さらに前記正孔注入輸送性化合物を
含有する層上に積層されている上記（12）のポリチオフ
ェンを用いたＥＬ素子。 （１４）上記（１）〜（13）のいずれかのポリチオフェ
ンを用いたＥＬ素子において、正孔注入輸送性化合物と
電子注入輸送性化合物との混合物を含有する層を少なく
とも１層有するポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１５）前記混合物を含有する層が発光層である上記
（14）のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１６）前記正孔注入輸送性化合物と前記電子注入輸送
性化合物とのイオン化ポテンシャルＩｐの差もしくは電
子親和力Ｅａの差、またはこれら両者の差が０．２eV以
上である上記（14）または（15）のポリチオフェンを用
いたＥＬ素子。 （１７）前記正孔注入輸送性化合物のイオン化ポテンシ
ャルＩｐの絶対値が５．４eV以下である上記（12）〜
（16）のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１８）前記電子注入輸送性化合物がトリス（８−キノ
リノラトアルミニウム）錯体である上記（12）〜（17）
のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１９）蛍光性物質がドープされた層を有する上記
（１）〜（18）のいずれかのポリチオフェンを用いたＥ
Ｌ素子。 （２０）前記蛍光性物質がルブレンである上記（19）の
ポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
【００２４】
【作用】本発明では、化４で示される構造単位を有する
重合体（以下、「重合体Ｉ」ともいう。）および化４で
示される構造単位と化５で示される構造単位とを有する
共重合体（以下、「共重合体II」ともいう。）のうちの
１種以上を発光材料ないし正孔注入輸送材料として、ま
た化６で示される重合体（以下、「重合体III 」ともい
う。）を正孔注入輸送材料として、発光層や正孔注入輸
送層に用いている。
【００２５】上記重合体は、いずれも、π電子の過剰な
５員環を有するため、イオン化ポテンシャルが小さく、
正孔を注入する能力が非常に高いので、正孔材料として
用いたとき、駆動電圧を低くできる。また、分子自身が
比較的直線性で、膜状態での分子間の距離が短いため、
正孔移動度が高く、正孔輸送能に優れる。そのため、組
み合わせる発光層や電子注入輸送層、あるいは正孔注入
輸送層の膜厚をコントロールすることで、再結合領域の
設計の自由度が向上し、発光スペクトルの設計や、両電
極の干渉効果による発光輝度や、素子の発光領域の空間
分布の制御を可能にする。
【００２６】従って、上記重合体を、適宜、発光層や正
孔注入輸送層に用いることができ、特に正孔注入輸送層
に用いたときには１００〜１０００cdm-2 程度、あるい
はそれ以上の高輝度が安定して得られる。また、耐熱性
・耐久性が高く、素子電流密度１０００mAcm-2程度でも
安定した駆動が可能である。
【００２７】また、上記重合体の薄膜はほぼアモルファ
ス状となり膜質が良好なのでムラが無く均一な発光が可
能である。
【００２８】また、本発明のＥＬ素子は、低電圧で効率
よく発光する。
【００２９】なお、本発明のＥＬ素子の発光極大波長
は、３５０〜７００nm程度である。特に、上記重合体Ｉ
および共重合体IIのうちの１種以上を発光材料として発
光層に用いた場合の発光極大波長は、特に、重合度、結
合位置や置換基を選択することにより４００〜７００nm
までの任意のものとすることが可能である。従って、青
色発光も安定して得ることができる。
【００３０】なお、「福田隆史ら、第４１回（１９９２
年）高分子学会年次大会予稿集１Ｌ−２９」には、本発
明の重合体III と同じポリ（チオフェン−２，５−ジイ
ル）の真空蒸着膜を発光層としたＥＬ素子が報告されて
いる。このものは、ポリ（チオフェン−２，５−ジイ
ル）を発光材料として用いるもので、本発明のように、
他の蛍光性物質を発光層に用い、このような発光層のほ
かに、正孔注入輸送層を別途設け、この正孔注入輸送層
にポリ（チオフェン−２，５−ジイル）を用いた構成に
ついては示唆すらされていない。従って、ポリ（チオフ
ェン−２，５−ジイル）を正孔注入輸送層材料として用
いることは、この出願の発明によりはじめて明らかにさ
れたことである。
【００３１】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
【００３２】本発明のポリチオフェンを用いたＥＬ素子
（以下、「ＥＬ素子」ともいう。）は、特定構造のポリ
チオフェンである重合体Ｉ、共重合体II、重合体III を
用いたものである。この場合、重合体Ｉ、共重合体IIは
発光層や正孔注入輸送層に用いられ、重合体III は正孔
注入輸送層に用いられる。
【００３３】まず、重合体Ｉについて説明する。重合体
Ｉは化４の構造単位を有し、例えば化７で示されるもの
である。
【００３４】
【化７】
【００３５】化４、化７について記すと、Ｒ1 およびＲ
2 はそれぞれ水素原子、芳香族炭化水素基または脂肪族
炭化水素基を表わし、これらは同一でも異なるものであ
ってもよい。
【００３６】Ｒ1 およびＲ2 で表わされる芳香族炭化水
素基としては、無置換であっても置換基を有するもので
あってよく、炭素数６〜１５のものが好ましい。置換基
を有するときの置換基としてはアルキル基、アルコキシ
基、アミノ基、シアノ基等が挙げられる。芳香族炭化水
素基の具体例としては、フェニル基、トリル基、メトキ
シフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げら
れる。
【００３７】Ｒ1 およびＲ2 で表わされる脂肪族炭化水
素基としては、アルキル基、シクロアルキル基等が挙げ
られ、これらのものは無置換でも、置換基を有するもの
であってもよい。なかでも、炭素数１〜６のものが好ま
しく、具体的には、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル
基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。
【００３８】Ｒ1 、Ｒ2 としては、水素原子、芳香族炭
化水素基が好ましく、特には水素原子が好ましい。
【００３９】層中における重合体Ｉの平均重合度（化７
のｍ）は４〜１００、好ましくは５〜４０、さらに好ま
しくは５〜２０である。この場合、化４で示される繰り
返し単位が全く同一の重合体（ホモポリマー）であって
も、化４においてＲ1 とＲ2の組合せが異なる構造単位
から構成される共重合体（コポリマー）であってもよ
い。共重合体としては、ランダム共重合体、交互共重合
体、ブロック共重合体等のいずれであってもよい。
【００４０】また、層中における重合体Ｉの重量平均分
子量は３００〜１００００程度である。
【００４１】重合体Ｉの末端基（化７のＸ1 およびＸ
2 ）は、水素原子、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原
子である。この末端基は、一般に、重合体Ｉの合成の際
の出発原料に依存して導入される。さらには重合反応の
最終段階で他の置換基を導入することもできる。
【００４２】なお、重合体Ｉは化４の構造単位のみで構
成されることが好ましいが、１０モル％以下であれば他
のモノマー成分を含有していてもよい。
【００４３】重合体Ｉの具体例を化８に示す。化８中に
は化４ないし化７のＲ1 、Ｒ2 の組合せで示している。
【００４４】
【化８】
【００４５】次に、共重合体IIについて説明する。共重
合体IIは化４の構造単位と化５の構造単位とを有し、例
えば化９で示されるものである。
【００４６】
【化９】
【００４７】化４については重合体Ｉのものと同様であ
る。従って、化９中のＲ1 、Ｒ2 は化４のものと同様で
ある。
【００４８】また化５について記すと、Ｒ3 およびＲ4
は、それぞれ水素原子、芳香族炭化水素基または脂肪族
炭化水素基を表わし、これらは同一でも異なるものであ
ってもよい。
【００４９】Ｒ3 、Ｒ4 で表わされる芳香族炭化水素
基、脂肪族炭化水素基の具体例は、化４のＲ1 、Ｒ2 の
ところで挙げたものと同様のものを挙げることができ
る。また、Ｒ3 、Ｒ4 の好ましいものもＲ1 、Ｒ2 と同
様である。さらに、Ｒ3 とＲ4 とは互いに結合して環を
形成し、チオフェン環に縮合してもよい。この場合の縮
合環としては、ベンゼン環等が挙げられる。このＲ3 、
Ｒ4 については、化９においても同様である。
【００５０】層中における共重合体IIの平均重合度（化
９におけるｖ＋ｗ）は、重合体Ｉと同様に、４〜１０
０、好ましくは５〜４０、さらに好ましくは５〜２０で
ある。また、化４の構造単位と化５の構造単位との比率
は、化４の構造単位／化５の構造単位が、モル比で１０
／１〜１／１０程度である。
【００５１】層中における共重合体IIの重量平均分子量
は３００〜１００００程度である。
【００５２】また、共重合体IIの末端基（化９における
Ｘ1 およびＸ2 ）は重合体Ｉと同様のものであり、一般
に、共重合体IIの合成の際の出発原料ないしその比率に
依存する。
【００５３】なお、共重合体IIは、重合体Ｉと同様に、
化４の構造単位と化５の構造単位とで構成されることが
好ましいが、１０モル％以下であれば他のモノマー成分
を含有していてもよい。また、共重合体IIは、ランダム
共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体等のいずれ
であってもよく、化９の構造式はこのような構造を包含
するものである。さらに、化４、化５の構造単位同志
は、それぞれ同一であっても異なるものであってもよ
い。
【００５４】共重合体IIの具体例を化１０に示す。化１
０中には化４のＲ1 、Ｒ2 の組合せ、化５のＲ3 、Ｒ4
の組合せ、すなわち化９のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 の組
合せで示している。
【００５５】
【化１０】
【００５６】さらに、化６の重合体III について説明す
る。化６について記すと、Ｒ3 およびＲ4 は化５のもの
と同義であり、好ましいものも同様である。
【００５７】Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ同一でも異な
るものであってもよく、重合体Ｉ、共重合体IIの末端基
と同様に、水素原子または塩素、臭素、ヨウ素等のハロ
ゲン原子である。Ｘ1 およびＸ2 は重合体III の合成の
際の出発原料に依存する。
【００５８】ｎは平均重合度を表わし、層中では重合体
Ｉ、共重合体IIと同様に４〜１００、好ましくは５〜４
０、さらに好ましくは５〜２０である。この場合、Ｒ3
とＲ4 の組合せが同一の重合体（ホモポリマー）であっ
ても、Ｒ3 とＲ4 の組合せが異なる共重合体（コポリマ
ー）であってもよい。共重合体としては、ランダム共重
合体、交互共重合体、ブロック共重合体等のいずれであ
ってもよい。
【００５９】また、層中における重合体III の重量平均
分子量は３００〜１００００程度である。
【００６０】なお、重合体III は化６に示すような構造
であることが好ましいが、重合体Ｉ、共重合体IIと同様
に、１０モル％以下であれば他のモノマー成分を含有し
ていてもよい。
【００６１】重合体III の具体例を化１２に示す。化１
２中には化１１のＲ3 、Ｒ4 の組合せで示している。な
お、化１１は化６と同じものであるが、再掲する。
【００６２】
【化１１】
【００６３】
【化１２】
【００６４】本発明の重合体Ｉ、共重合体IIおよび重合
体III は、ジハロゲン化アリール化合物を縮重合するこ
とで得られる。好ましくは、（１）グリニャール反応を
行い、ジクロロ（２，２′−ビピリジン）ニッケル[NiC
l2(bpy)]などのＮｉ錯体などを用いて重合する方法[ Ya
mamoto T.,et al., Bull.Chem.Soc.Jpn.,56,1497(198
3)] や、（２）ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニ
ッケル[Ni(cod)2]を用いて重合する方法[ T.Yamamoto,e
t al., Polym.J.,22,187(1990)] 、などにより得られ
る。
【００６５】このような重合体の同定は、元素分析、赤
外吸収スペクトル（ＩＲ）、核磁気共鳴スペクトル（Ｎ
ＭＲ）等によって行うことができる。
【００６６】また、平均重合度（ｎ）、重量平均分子量
は、光散乱法、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）、液体クロマトグラフィー、マススペクト
ル等によって求めることができる。
【００６７】融点は３００℃以上、または融点を持たな
いものであり、真空蒸着によりアモルファス状態あるい
は微結晶状態の良質な膜が得られる。
【００６８】以下に、これらの重合体の合成例を示す。
併せて元素分析の結果を示す。
【００６９】合成例１ ポリ（チオフェン−２，４−ジ
イル）［重合体Ｉ−１：末端基ＨまたはＢｒ］の合成 ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（Ｎｉ
（ｃｏｄ）2 １．５８g（５．７１mmol）、２，２’−
ビピリジン０．９０g （５．７５mmol）と、１，５−シ
クロオクタジエン１．０mlを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド５０mlに窒素雰囲気中で混合し、さらに２，４−
ジブロモチオフェン１．１５g （４．７６mmol）を加
え、６０℃で１８ｈｒ攪拌した。その結果、赤茶色のポ
リマーを沈澱として得た。得られたポリマーからニッケ
ル化合物などを除去するため、塩酸−エタノール溶液、
エチレンジアミン水溶液、トルエン、熱水、エタノール
で洗浄した。収率は９１％であった。
【００７０】 元素分析 C H N Br 計算値 (%) 58.5 2.45 39.55 0.0 (C4H2S)n 測定値 (%) 57.07 2.07 35.50 5.56
【００７１】合成例２ ポリ（チオフェン−２，５−ジ
イル）［重合体III −１：末端基ＨまたはＢｒ］の合成 ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（Ｎｉ
（ｃｏｄ）2 ）１．５８g （５．７１mmol）、２，２’
−ビピリジン０．９０g （５．７５mmol）と、１，５−
シクロオクタジエン１．０mlを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド５０mlに窒素雰囲気中で混合し、さらに２，５
−ジブロモチオフェン１．１５g （４．７６mmol）を加
え、６０℃で１８ｈｒ攪拌した。その結果、赤茶色のポ
リマーを沈澱として得た。得られたポリマーからニッケ
ル化合物などを除去するため、塩酸−エタノールで洗浄
した。収率は９８％であった。
【００７２】 元素分析 C H N Br 計算値 (%) 58.5 2.45 39.55 0.0 (C4H2S)n 測定値 (%) 53.45 2.32 35.84 6.39
【００７３】合成例３ ポリ（３−フェニル−チオフェ
ン−２，４−ジイル）［重合体Ｉ−３：末端基Ｈまたは
Ｂｒ］ ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（Ｎｉ
（ｃｏｄ）2 ）１．５８g （５．７１mmol）、２，２’
−ビピリジン０．９０g （５．７５mmol）と、１，５−
シクロオクタジエン１．０mlを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド５０mlに窒素雰囲気中で混合し、さらに２，４
−ジブロモ−３−フェニルチオフェン１．１９g （５．
０mmol）を加え、６０℃で１８ｈｒ攪拌した。その結
果、うす茶色のポリマーを沈澱として得た。得られたポ
リマーからニッケル化合物などを除去するため、塩酸−
エタノール溶液、エチレンジアミン水溶液、トルエン、
熱水、エタノールで洗浄した。収率は９０％であった。
【００７４】 元素分析 C H N Br 計算値 (%) 75.8 3.8 20.2 0.0 (C10H6S)n 測定値 (%) 74.5 3.7 18.6 3.0
【００７５】合成例４ ポリ（３，４−ジメチルチオフ
ェン−２，５−ジイル）［重合体III−５：末端基Ｈま
たはＢｒ］の合成 ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（Ｎｉ
（ｃｏｄ）2 ）１．５８g （５．７１mmol）、２，２’
−ビピリジン０．９０g （５．７５mmol）と、１，５−
シクロオクタジエン１．０mlを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド５０mlに窒素雰囲気中で混合し、さらに２，５
−ジブロモ−３，４−ジメチルチオフェン１．４０g
（５．２mmol）を加え、６０℃で１８ｈｒ攪拌した。そ
の結果、オレンジ色のポリマーを沈澱として得た。得ら
れたポリマーからニッケル化合物などを除去するため、
塩酸−エタノール溶液、エチレンジアミン水溶液、トル
エン、熱水、エタノールで洗浄した。収率は８０％であ
った。
【００７６】 元素分析 C H N Br 計算値 (%) 65.4 5.48 29.1 0.0 (C6H6S)n 測定値 (%) 65.1 5.51 27.0 2.0
【００７７】合成例５ チオフェン−２，４−ジイル−
チオフェン−２，５−ジイル（１：１）共重合体〔共重
合体II−１：端末基ＨまたはＢｒ〕の合成 ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（Ｎｉ
（ｃｏｄ）2 ）１．５８g （５．７１mmol）、２，２’
−ビピリジン０．９０g （５．７５mmol）と、１，５−
シクロオクタジエン１．０mlを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド５０mlに窒素雰囲気中で混合し、さらに２，５
−ジブロモチオフェン０．６３g （２．６mmol）と、
２，４−ジブロモチオフェン０．６３g （２．６mmol）
とを加え、６０℃で１８hr攪拌した。その結果、赤茶色
のポリマーを沈澱として得た。得られたポリマーからニ
ッケル化合物などを除去するため、塩酸エタノール溶
液、エチレンジアミン水溶液、トルエン、熱水、エタノ
ールで洗浄した。収率は９３％であった。
【００７８】 元素分析 C H S Br 計算値／％ 58.5 2.45 39.55 0.0 (C4H2S)n 測定値／％ 57.1 2.10 36.2 4.0
【００７９】その他の例示化合物についても上記に従っ
て、あるいは上記に準じて同様に合成できる。
【００８０】本発明のＥＬ素子は、少なくとも１層の有
機化合物層を有し、少なくとも１層の有機化合物層が本
発明の重合体を含有する。本発明のＥＬ素子の構成例を
図１に示す。同図に示されるＥＬ素子１は、基板２上
に、陽極３、正孔注入輸送層４、発光層５、電子注入輸
送層６、陰極７を順次有する。
【００８１】発光層は、正孔および電子の注入機能、そ
れらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生
成させる機能を有する。正孔注入輸送層は、陽極からの
正孔の注入を容易にする機能、正孔を輸送する機能およ
び電子の輸送を妨げる機能を有し、電子注入輸送層は、
陰極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送す
る機能および正孔の輸送を妨げる機能を有するものであ
り、これらの層は、発光層へ注入される正孔や電子を増
大・閉じ込めさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率
を改善する。電子注入輸送層および正孔注入輸送層は、
発光層に用いる化合物の電子注入、電子輸送、正孔注
入、正孔輸送の各機能の高さを考慮し、必要に応じて設
けられる。例えば、発光層に用いる化合物の正孔注入輸
送機能または電子注入輸送機能が高い場合には、正孔注
入輸送層または電子注入輸送層を設けずに、発光層が正
孔注入輸送層または電子注入輸送層を兼ねる構成とする
ことができる。また、場合によっては正孔注入輸送層お
よび電子注入輸送層のいずれも設けなくてよい。また、
正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれにお
いて、注入機能をもつ層と輸送機能をもつ層とを別個に
設けてもよい。
【００８２】本発明の重合体Ｉおよび共重合体IIは、発
光層ないし正孔注入輸送層に用いることが好ましい。こ
の場合、発光層のみ、あるいは正孔注入輸送層のみに用
いるものとできるほか、正孔注入輸送層を兼ねた正孔注
入輸送・発光層に用いることも好ましい。また、場合に
よっては、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送
層を兼ねる形の発光層に用いてもよい。
【００８３】一方、本発明の重合体III は、正孔注入輸
送層に用いることが好ましい。
【００８４】まず、本発明の重合体Ｉ、共重合体IIを発
光層に用いる場合について説明する。この場合発光層に
は他の蛍光性物質を併用してもよい。このような蛍光性
物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９２号公
報に開示されているような化合物、例えば金属錯体色
素、クマリン、キナクリドン、ルブレン、スチリル系色
素等の化合物から選択される少なくとも１種が挙げられ
る。例えば、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導
体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等の有機
蛍光体である。このような蛍光性物質の含有量は、本発
明の重合体Ｉ、共重合体IIの５モル％以下とすることが
好ましい。このような化合物を適宜選択して添加するこ
とにより、発光光を長波長側にシフトすることができ
る。
【００８５】また、発光層には、一重項酸素クエンチャ
ーが含有されていてもよい。このようなクエンチャーと
しては、ニッケル錯体や、ルブレン、ジフェニルイソベ
ンゾフラン、三級アミン等が挙げられる。このようなク
エンチャーの含有量は、本発明の重合体Ｉ、共重合体II
の１０モル％以下とすることが好ましい。
【００８６】本発明の重合体Ｉ、共重合体IIを発光層に
用いる場合、正孔注入輸送層および電子注入輸送層に
は、通常の有機ＥＬ素子に用いられている各種有機化合
物、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報、特開平
２−１９１６９４号公報、特開平３−７９２号公報等に
記載されている各種有機化合物用いることができる。例
えば、正孔注入輸送層には、芳香族三級アミン、ヒドラ
ゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導
体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジア
ゾール誘導体等を用いることができ、また、電子注入輸
送層には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムな
どの有機金属錯体誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピ
リジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キ
ノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン
誘導体、フルオレン誘導体等を用いることができる。
【００８７】このほか、正孔注入輸送層には、本発明の
重合体Ｉ、共重合体II、重合体IIIを用いることもでき
る。また、正孔注入輸送層を別途設けることなく、発光
層を正孔注入輸送層と兼ねる形とすることも好ましい。
【００８８】正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層
とに分けて設層する場合は、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽極（ＩＴＯ等）側からイオン化ポテン
シャルの小さい化合物の層の順に積層することが好まし
い。また陽極表面には薄膜性の良好な化合物を用いるこ
とが好ましい。このような積層順については、正孔注入
輸送層を２層以上設けるときも同様である。このような
積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リ
ークの発生や部分的非発光部（ダークスポット）の発生
・成長を防ぐことができる。また、素子化する場合、蒸
着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜も、均一か
つピンホールフリーとすることができるため、正孔注入
層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をも
つような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸収
による効率の低下を防ぐことができる。
【００８９】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて設層する場合は、電子注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陰極側から電子親和力の値の大きい化合
物の層の順に積層することが好ましい。このような積層
順については電子注入輸送層を２層以上設けるときも同
様である。
【００９０】次に、本発明の重合体Ｉ、共重合体II、重
合体III を正孔注入輸送層に用いる場合について説明す
る。この場合、正孔注入輸送層には、前記したような正
孔注入輸送材料を併用することができる。また、このよ
うな正孔注入輸送材料を用いた正孔注入輸送層と積層す
ることもできる。特に好ましいのは、陽極表面に本発明
の重合体を用いた第一正孔注入輸送層を形成し、さらに
前記したような他の正孔注入輸送材料を用いた第二正孔
注入輸送層を積層することである。このような積層した
構成とすることにより、正孔注入輸送機能が向上し素子
としての性能が向上する。さらに、ＩＴＯ等の陽極表面
の荒れをカバーし、上部に積層する有機化合物層を安定
化する。
【００９１】特に、積層構成における第二正孔注入輸送
材料としてはテトラフェニルジアミノビフェニル誘導体
（ＴＰＤ）等の芳香族三級アミンなどが好ましい。この
ような化合物は、通常本発明の重合体よりもイオン化ポ
テンシャルが同等となるか、大きくなるので、本発明の
重合体を適宜選択することによって好ましい組合せを選
択することができるからである。
【００９２】本発明の重合体は、イオン化ポテンシャル
Ｉｐの絶対値が４．８〜５．４eV程度、電子親和力Ｅａ
の絶対値が１．８〜３．０eV程度のものである。
【００９３】本発明の重合体を正孔注入輸送層に用いる
場合、発光層に用いる蛍光性物質は、前記したようによ
り長波長の蛍光をもつものから選択すればよく、例え
ば、前記した発光層において本発明の重合体Ｉ、共重合
体IIと併用される蛍光性物質の１種以上から適宜選択す
ればよい。このような発光層としては、トリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウム等を用いたものであってよ
く、このような発光層は電子注入輸送層を兼ねる電子注
入輸送・発光層であってもよい。なお、本発明の重合体
を正孔注入輸送層に用いる場合、発光層にも本発明の重
合体Ｉ、共重合体IIを用いることができる。また、電子
注入輸送層には前記の電子注入輸送材料を用いることが
できる。その他の構成については、本発明の重合体を発
光層に用いる場合と同様である。
【００９４】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよ
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法に
よっても異なるが、１層当たり、通常、１〜１０００nm
程度、特に８〜２００nmとすることが好ましい。
【００９５】正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。電子もしくは正孔の、各々の注入層と輸送層を分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は２０nm以上と
するのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの
上限は、通常、注入層で１００nm程度、輸送層で１００
０nm程度である。このような膜厚については、注入輸送
層を２層設け、第一および第二注入輸送層とする場合も
同じである。
【００９６】また、組み合わせる発光層や電子注入輸送
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
（イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる）を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設計することが可能であり、発
光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光
スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能にで
きる。
【００９７】本発明において、電子注入輸送性化合物と
正孔注入輸送性化合物とを併用する場合、より具体的に
は、電子注入輸送性化合物を含有する層と正孔注入輸送
性化合物を含有する層とを有するＥＬ素子においては、
これらの層に含有される電子注入輸送性化合物と正孔注
入輸送性化合物とのイオン化ポテンシャルＩｐの差もし
くは電子親和力Ｅａの差、またはこれらの両者の差は
０．２eV以上であることが好ましい。
【００９８】これら両化合物同志のＩｐ差、Ｅａ差を上
記範囲とすることによって、電子注入輸送層と正孔注入
輸送層との組合せのように、電子注入輸送性化合物を含
有する層と正孔注入性化合物を含有する層のエネルギー
状態（レベル）が最適化されて、界面におけるキャリア
ブロッキング効果が高まり、極性的に劣勢あるいは不安
定なキャリアの注入はより起こりにくくなるので、各層
の有機化合物がダメージを受けにくくなり、キャリア再
結合領域や発光領域で、キャリアや励起子の失活ポイン
トを生じにくくなる。その結果、安定した発光が得ら
れ、寿命が大幅に向上する。これに対し、これらの差が
小さくなると、界面におけるキャリアブロッキング効果
が得られなくなる。
【００９９】上記において、電子注入輸送性化合物を含
有する層および正孔注入輸送性化合物を含有する層のい
ずれか一方あるいは両方が２層以上存在する場合は、電
子注入輸送性化合物を含有する層の少なくとも１層と正
孔注入輸送性化合物を含有する層の少なくとも１層との
間で上記関係を満たせばよいが、より近接する層同志で
上記関係を満たすことが好ましい。
【０１００】特に、正孔注入輸送層と電子注入輸送・発
光層、電子注入輸送層と正孔注入輸送・発光層、等のよ
うに、電子注入輸送性化合物を含有する層と正孔注入輸
送性化合物を含有する層とが積層された構成において、
上記各層中の電子注入輸送性化合物と正孔注入輸送性化
合物とのＩｐ差、Ｅａ差を上記範囲とすることが好まし
い。
【０１０１】より近接した層同志、特に積層構成では、
界面におけるキャリアブロッキング効果が発揮されやす
いからである。
【０１０２】さらには、上記の積層構成は、本発明の重
合体を含有する正孔注入輸送層を第一正孔注入輸送層と
した場合に適用することが好ましく、具体的には、この
第一正孔注入輸送層上に、上記の正孔注入輸送性化合物
を含有する層を例えば第二正孔注入輸送層等として設
け、さらにこの上に積層して上記の電子注入輸送性化合
物を含有する層を設けることが好ましい。
【０１０３】このような構成とすることによって、上記
のキャリアブロッキング効果に加え、さらに素子の安定
化効果を得ることができる。
【０１０４】上記における電子注入輸送性化合物は、前
記の電子注入輸送材料のなかから、また正孔注入輸送性
化合物は、前記の正孔注入輸送材料のなかから選択して
用いることができる。また、場合によっては本発明の重
合体から選択して用いてもよい。さらに、電子注入輸送
性化合物、正孔注入輸送性化合物は各々１種のみ用いて
も２種以上を併用してもよい。
【０１０５】なお、上記各層において、電子注入輸送性
化合物または正孔注入輸送性化合物を２種以上含有させ
るとき、上記のＩｐ差、Ｅａ差は、通常、主成分となる
化合物（通常５０wt% 以上の含有量）についての値を用
いて求める。
【０１０６】上記の差のなかでも、いずれかが上記範囲
にあればよいが、特には両方の差が上記範囲にあること
が好ましい。また、特に電子注入輸送材料としてトリス
（８−キノリノラト）アルミニウム錯体をも用いるとき
はＩｐの差が上記範囲にあることが好ましい。
【０１０７】このときの差の上限値には特に制限はない
が、通常１程度であり、上記の差はいずれも０．２〜１
eVの範囲にあることが好ましい。
【０１０８】上記において用いる正孔注入輸送材料は、
一般にイオン化ポテンシャルＩｐの絶対値が５．４eV以
下であり、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯
体との組合せで用いる場合は特にこの値のものであるこ
とが好ましい。この値の下限には特に制限はないが、通
常は４．８eV程度であり、この値は４．８〜５．４eVの
範囲にあることが好まし。
【０１０９】また、正孔注入輸送材料の電子親和力Ｅａ
の絶対値は１．８〜３．０eV程度であることが好まし
い。
【０１１０】これに対し、正孔注入輸送材料とともに用
いる電子注入輸送材料は、通常、イオン化ポテンシャル
Ｉｐの絶対値が５．４〜６．５eVの範囲、電子親和力Ｅ
ａの絶対値が２．５〜３．５eVの範囲にあるものから選
択することが好ましい。
【０１１１】特に、上記の構成において電子注入輸送材
料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
錯体を用いることが好ましい。この錯体のイオン化ポテ
ンシャルＩｐの絶対値は通常５．６〜５．７eV程度であ
り、電子親和力Ｅａの絶対値は２．９〜３．０eV程度で
ある。
【０１１２】上記において、好ましい正孔注入輸送材料
と電子注入輸送材料との組合せは以下のとおりである。
【０１１３】 電子注入輸送材料 正孔注入輸送材料 （１） トリス(8-キノリノラト)アルミニウム N,N'-ヒ゛ス(m-メチルフェニル)-N,N'-シ゛フェニル- 1,1'-ヒ゛フェニル-4,4'-シ゛アミン （２） トリス(8-キノリノラト)アルミニウム 1,1'-ヒ゛ス(4-シ゛-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン （３） トリス(8-キノリノラト)アルミニウム N,N'-ヒ゛ス(p-t-フ゛チルフェニル)-N,N'-シ゛フェニル- 1,1'-ヒ゛フェニル-4,4'-シ゛アミン （４） トリス(8-キノリノラト)アルミニウム N,N'-ヒ゛ス(p-n-フ゛チルフェニル)-N,N'-シ゛フェニル- 1,1'-ヒ゛フェニル-4,4'-シ゛アミン
【０１１４】本発明においては、電子注入輸送性化合物
と正孔注入輸送性化合物との混合物を含有する混合層を
設けることが好ましい。
【０１１５】このとき、混合層にはキャリアのホッピン
グ伝導パスができることになるので、各キャリアは極性
的により優勢な物質中を移動する。すなわち正孔は正孔
注入輸送性固体中を、また電子は電子注入輸送性固体中
を移動することになり、逆の正極のキャリア注入は起こ
りにくくなるので、各有機化合物がダメージを受けにく
くなり、キャリア再結合領域や発光領域で、キャリアや
励起子の失活ポイントを生じにくくなる。その結果、安
定した発光が得られ、寿命が大幅に向上する。
【０１１６】上記の混合層は、発光層であることが好ま
しく、電子注入輸送性化合物および正孔注入輸送性化合
物のうちの一方、あるいは両方が発光機能を併せ持つこ
とが好ましい。
【０１１７】上記の混合層における電子注入輸送性化合
物と正孔注入輸送性化合物との混合比は、キャリアの移
動度にもよるが、重量比で、電子注入輸送性化合物：正
孔注入輸送性化合物が６０：４０〜４０：６０であるこ
とが好ましく、特には５０：５０程度であることが好ま
しい。
【０１１８】この混合に供する電子注入輸送性化合物
は、前記の電子注入輸送材料のなかから、また正孔注入
輸送性化合物は、前記の正孔注入輸送材料のなかから選
択して用いることができる。また、場合によっては本発
明の重合体から選択して用いてもよい。さらに、混合層
において、電子注入輸送性化合物、正孔注入輸送性化合
物は各々１種のみ用いても２種以上を併用してもよい。
また、混合層には発光強度を高めるために、蛍光性物質
をドープして用いてもよい。このときの蛍光性物質とし
てはルブレンが好ましい。
【０１１９】上記の混合層に用いる正孔注入輸送材料と
電子注入輸送材料とのイオン化ポテンシャルＩｐの差も
しくは電子親和力Ｅａの差、またはこれら両者の差は、
０．２eV以上であることが好ましい。
【０１２０】材料同志のＩｐ差、Ｅａ差を上記範囲とす
ることによって、先に述べたキャリアのブロッキング効
果に加え、各キャリアが極性的により優勢な物質中を移
動する効果が向上し、発光がさらに安定するとともに、
素子の寿命がさらに向上する。これに対し、これらの差
が小さすぎると、上記のようなキャリアのブロッキング
や移動の効果が得られにくくなる。
【０１２１】上記の差のなかでも、いずれかが上記範囲
にあればよいが、特には両方の差が上記範囲にあること
が好ましいこと、また、特に電子注入輸送材料としてト
リス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体を用いると
きはＩｐの差が上記範囲にあることが好ましいこと、さ
らにはＩｐおよびＥａの差の上限値あるいはＩｐおよび
Ｅａの絶対値、また電子注入輸送材料としてトリス（８
−キノリノラト）アルミニウム錯体を用いることが好ま
しいことや併用する正孔注入輸送材料と電子注入輸送材
料との好ましい組合せ例については、前記と同じであ
る。
【０１２２】本発明において、上記のような混合層を設
ける場合、混合層を発光層として、電子注入輸送層と正
孔注入輸送層との間に、挟み込むようにして設けること
が好ましい。そして、混合層は接する両層の電子注入輸
送性化合物と正孔注入輸送性化合物とを用いて混合した
ものであることが好ましい。さらには、上記の正孔注入
輸送層は、本発明の重合体を正孔注入輸送材料とする第
一正孔注入輸送層上に、第二正孔注入輸送層として設層
することが好ましい。
【０１２３】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボート内で混合させておき、蒸着することもでき
る。
【０１２４】上記の混合層においては、両化合物を均一
に混合することが好ましいが、場合によっては化合物を
島状に存在させてもよい。また、混合層の厚さは、分子
層一層に相当する厚みから、有機化合物層の膜厚未満と
することが好ましく、具体的には１〜８５nmとすること
が好ましく、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmと
することが好ましい。なお、混合層は、素子中に存在す
る有機化合物層の一部とすることが好ましく、有機化合
物層をすべて混合層とすると高輝度な均一発光が得られ
にくくなることもある。
【０１２５】本発明におけるイオン化ポテンシャルＩｐ
は、白橋、磯部、宇田、電子材料、１２３（１９８５）
の記載に従う低エネルギー電子分光装置「 Model AC-1
」（理研計器製）を用い、１０〜２００nm厚の化合物
単層の蒸着膜をＩＴＯ透明電極を有する基板やスライド
ガラスなどの上に成膜したサンプルを使用して測定した
値である。
【０１２６】上記の低エネルギー電子分光装置は、図２
に示す構成のものである。
【０１２７】図２に示すように、分光装置１０は、紫外
線ランプ１１、モノクロメータ１２、低エネルギー電子
計数装置（検出器）１２、制御装置１４、演算表示装置
１５およびＸ−Ｙステージ１６により構成され、Ｘ−Ｙ
ステージ上にサンプルＳを載置して測定を行うものであ
る。
【０１２８】紫外線ランプ１１には重水素ランプを用
い、このランプから出た光をモノクロメータ１２により
２００〜３６０nmの任意の波長に分光し、サンプルＳ表
面に照射する。２００〜３６０nmの光は、Ｅ＝ｈν＝ｈ
（ｃ／λ）（Ｅ：エネルギー，ｈ：プランク定数，ν：
振動数，λ：波長）の式を用いてエネルギーに換算する
と、各々６．２〜３．４eVとなる。この光を励起エネル
ギーの低い方から高い方に向かってスイープしていく
と、あるエネルギーで光電効果による電子放出が始ま
る。このエネルギーが一般に光電的仕事関数といわれる
値である。このようにして放出された光電子を低エネル
ギー電子計数装置（検出器）１３を用いて計数し、バッ
グランド補正やデッドタイム中の数え落としの補正など
の演算をした後、図３に示すような励起エネルギー・放
出電子量特性（基本特性）を演算表示装置１５のディス
プレイ上に表示する。
【０１２９】基本特性に示すように、この光電子放出率
（ Count Per Second : CPS ）と励起エネルギー（eV）
の関係は、縦軸を光電子放出率のｎ乗（ＣＰＳ）n と
し、横軸を励起エネルギーとすると、直線関係で表すこ
とができる。ここで、ｎの値は通常１／２を採用してい
る。
【０１３０】なお制御装置１４は、モノクロメータ１２
の波長駆動、Ｘ−Ｙステージ１６によるサンプル位置の
制御および低エネルギー電子係数装置１３の計数制御を
行っている。
【０１３１】従って、本発明では、図３から得られる光
電的仕事関数をイオン化ポテンシャルＩｐとする。
【０１３２】一方、本発明における電子親和力Ｅａは、
分光学的方法から測定したものであり、紫外（ＵＶ）吸
収スペクトルの吸収端からエネルギーギャップを計算し
て求めたものである。
【０１３３】本発明では、ルブレンを有機化合物層にド
ープすることが好ましい。
【０１３４】ドープは有機化合物層全域に行ってよく、
好ましくは、正孔注入輸送層全域とするのがよい。後述
のとおり、特にキャリア再結合領域、発光領域およびそ
の近傍、例えば正孔注入輸送層の有機化合物層との接触
界面にルブレンが存在することが好ましいと考えられる
ので必ずしも正孔注入輸送層全域とする必要はなく、正
孔注入輸送層の、これに接する発光層（電子注入輸送層
を兼ねる場合も含む。）、もしくは電子注入輸送層（正
孔注入輸送層が発光層を兼ねる場合）側の半分の領域と
してもよいが、通常は正孔注入輸送層全域とする。ま
た、場合によっては、正孔注入輸送層全域または正孔注
入輸送層の、これに接する発光層もしくは電子注入輸送
層側の半分の領域と、発光層もしくは電子注入輸送層の
正孔注入輸送層側半分の領域とすることもできる。特
に、正孔注入輸送層において、正孔注入輸送材料とルブ
レンとの併用は好ましく、本発明の重合体を用いた第一
正孔注入輸送層上に、ルブレンをドープした第二正孔注
入輸送層を設けることが好ましい。
【０１３５】ルブレンのドーピング濃度は、ルブレンが
濃度消光を起こすことから高濃度の使用は好ましくな
く、ドープ層全体に対し０．１〜５０wt% とすることが
好ましく、さらには０．１〜３０wt% 、特には０．１〜
２０wt% とすることが好ましい。
【０１３６】前述のように、本発明において、好ましく
は正孔注入輸送層等の正孔注入輸送性化合物を含有する
層と電子注入輸送層等の電子注入輸送性化合物を含有す
る層とのイオン化ポテンシャルＩｐの差もしくは電子親
和力Ｅａの差、またはこれら両者の差が最適化されて、
界面におけるキャリアブロッキング効果が高まり、極性
的に劣勢あるいは不安定なキャリアの注入は起こりにく
くなるので、各層の有機化合物がダメージを受けにくく
なり、キャリア再結合領域や発光領域で、キャリアや励
起子の失活ポイントを生じにくくなる。これに加え、特
にルブレンをドープする場合、ルブレンはバイポーラー
な輸送性を有しており、ルブレンでもキャリア再結合が
起こるので、その分さらに有機化合物が受けるダメージ
は少なくなる。また、さらにルブレンがキャリア再結合
領域近傍に存在するため、励起子からルブレンへのエネ
ルギー移動が起こり、非放射的失活が少なくなり、その
結果、安定した発光が得られ、寿命が大幅に向上する。
【０１３７】本発明では、蛍光性物質としてルブレンを
用いることが好ましいが、ルブレンのほか、他の蛍光性
物質をドープしてもよい。
【０１３８】本発明において、陰極には、仕事関数の小
さい材料、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉ
ｎあるいはこれらの１種以上を含む合金を用いることが
好ましい。また、陰極は結晶粒が細かいことが好まし
く、特に、アモルファス状態であることが好ましい。陰
極の厚さは１０〜１０００nm程度とすることが好まし
い。
【０１３９】ＥＬ素子を面発光させるためには、少なく
とも一方の電極が透明ないし半透明である必要があり、
上記したように陰極の材料には制限があるので、好まし
くは発光光の透過率が８０％以上となるように陽極の材
料および厚さを決定することが好ましい。具体的には、
例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、
ドーパントをドープしたポリピロールなどを陽極に用い
ることが好ましい。また、陽極の厚さは１０〜５００nm
程度とすることが好ましい。また、素子の信頼性を向上
するために駆動電圧が低いことが必要であるが、好まし
いものとして１０〜３０Ω／□のＩＴＯが挙げられる。
【０１４０】基板材料に特に制限はないが、図示例では
基板側から発光光を取り出すため、ガラスや樹脂等の透
明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルタ
ー膜や誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールして
もよい。
【０１４１】なお、基板に不透明な材料を用いる場合に
は、図１に示される積層順序を逆にしてもよい。
【０１４２】次に、本発明のポリチオフェンを用いたＥ
Ｌ素子の製造方法を説明する。
【０１４３】陰極および陽極は、蒸着法やスパッタ法等
の気相成長法により形成することが好ましい。
【０１４４】正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸
送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空
蒸着法を用いることが好ましい。これにより、１〜１０
nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフリーとするこ
とができるので、発光色の色調変化や再吸収による効率
の低下を防ぐことができる。真空蒸着法を用いた場合、
アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm 以下の均
質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．１μm を超えてい
ると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしな
ければならなくなり、電荷の注入効率も著しく低下す
る。なお、上記の結晶粒径の下限には特に制限はない
が、通常０．００１μm 程度である。
【０１４５】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０-5Torr（１０-3Pa）以下の真空度とし、蒸着速度は
０．１〜１nm／sec 程度とすることが好ましい。また、
真空中で連続して各層を形成することが好ましい。真空
中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着す
ることを防げるため、高特性が得られる。また、素子の
駆動電圧を低くすることができる。
【０１４６】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
【０１４７】本発明の重合体を蒸着する際、好ましくは
５〜４０、さらに好ましくは５〜２０のモノマー単位と
なって蒸着される。蒸着された化合物が上記化合物であ
ることは、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）、液体クロマト
グラフィー、ＧＰＣ、マススペクトル、蛍光スペクト
ル、吸収スペクトル等で確認できる。より具体的には、
蒸着物をトルエン等の有機溶媒に溶解し、上記の方法に
よる測定を行えばよい。
【０１４８】本発明のＥＬ素子は、通常、直流駆動型の
ＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆
動することもできる。印加電圧は、通常、２〜２０V 程
度とされる。
【０１４９】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【０１５０】＜実施例１＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明電
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-6Torr（１．３×１０-4Pa）まで減圧
した。
【０１５１】次いで、化１２の重合体III −１［ポリ
（チオフェン−２，５−ジイル）］を蒸着速度０．２nm
/secで３０nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
【０１５２】次いで、減圧状態を保ったまま、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．２nm
/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送層を兼ね
た発光層とした。
【０１５３】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０１５４】このＥＬ素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、７V 、１００mA/cm2で５００cd/m2 の黄緑色
（発光極大波長λmax ＝５０１nm）の発光が確認され、
この発光は乾燥窒素雰囲気中で３０００時間以上安定し
ており、部分的非発光部の出現および成長は全くなかっ
た。
【０１５５】＜実施例２＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明電
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-6Torr（１．３×１０-4Pa）まで減圧
した。
【０１５６】次いで、化８の重合体Ｉ−１［ポリ（チオ
フェン−２，４−ジイル）］を蒸着速度０．２nm/secで
３０nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
【０１５７】次いで、減圧状態を保ったまま、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．２nm
/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送層を兼ね
た発光層、すなわち電子注入輸送・発光層とした。
【０１５８】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０１５９】このＥＬ素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、８V 、１００mA/cm2で８００cd/m2 の黄緑色
（発光極大波長λmax ＝５００nm）の発光が確認され、
この発光は乾燥窒素雰囲気中で３０００時間以上安定し
ており、部分的非発光部の出現および成長は全くなかっ
た。
【０１６０】＜実施例３＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明電
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-6Torr（１．３×１０-4Pa）まで減圧
した。
【０１６１】次いで、化１２の重合体III −１［ポリ
（チオフェン−２，５−ジイル）］を１０nmの厚さに蒸
着し、第一正孔注入輸送層とした。
【０１６２】次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｍ−メチルフェ
ニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ−１）を５０nmの厚さに
蒸着し、第二正孔注入輸送層とした。
【０１６３】次いで、減圧状態を保ったまま、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．２nm
/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層
とした。
【０１６４】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０１６５】このＥＬ素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、７V 、１００mA/cm2で３０００cd/m2 の黄緑
色（発光極大波長λmax ＝５００nm）の発光が確認さ
れ、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間まで、
部分的非発光部の出現および成長は全く無く、安定な発
光を示した。また、この素子と同様な１０個の素子を発
光させたところどの素子も電流リークは起こらなかっ
た。
【０１６６】＜実施例４＞実施例１において、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムの発光層のほかに、
電子注入輸送材料としてｍ−ビス［２−（４−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール］ベンゼンを
用い、電子注入輸送層を別途設けたＥＬ素子を作製し
た。この場合、発光層の厚さは５０nm、電子注入輸送層
の厚さは１０nmとし、電子注入輸送層は発光層と同様に
蒸着により形成した。
【０１６７】このような素子においても、実施例１と同
等の良好な結果が得られた。
【０１６８】＜比較例１＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明電
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-6Torr（１．３×１０-4Pa）まで減圧
した。
【０１６９】次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｍ−メチルフェ
ニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ−１）を５０nmの厚さに
蒸着し、正孔注入輸送層とした。
【０１７０】次いで、減圧状態を保ったまま、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．２nm
/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層
とした。
【０１７１】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０１７２】このＥＬ素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、１８V 、１００mA/cm2で２５００cd/m2 の黄
緑色（発光極大波長λmax ＝５０５nm）の発光が確認さ
れ、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１００時間にて、部
分的非発光部の出現および成長がみられた。また、この
素子と同様な１０個の素子を発光させたところ、３００
時間までに１０個の素子すべてが電流リークを起こし、
大幅な輝度の低下が起こった。
【０１７３】＜実施例５＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明電
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥し、真空蒸着装置の
基板ホルダーに固定して、真空槽を１×１０-6Torr
（１．３×１０-4Pa）まで減圧した。
【０１７４】まず、化１２の重合体III −１［ポリ（チ
オフェン−２，５−ジイル）］を蒸着速度約０．１nm/s
ecで約１０nmの厚さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とし
た。
【０１７５】次いで、１，１’−ビス（４−ジ−ｐ−ト
リルアミノフェニル）シクロヘキサンを蒸着速度０．１
〜０．２nm/secで約５０nmの厚さに蒸着し、第二正孔注
入輸送層とした。
【０１７６】さらに、減圧状態を保ったまま、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．１〜
０．２nm/secで約５０nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送
・発光層とした。
【０１７７】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで約２００
nmの厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０１７８】このＥＬ素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下１０mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には７．０V 、３００cd/m2 の黄緑色（発光極大波長
λmax ＝５００nm）の発光が確認された。輝度の半減時
間は２４時間で、その間の駆動電圧の上昇は２．１V で
あった。
【０１７９】＜比較例２＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明電
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板
ホルダーに固定して、１×１０-6Torr（１．３×１０-4
Pa）まで減圧した。
【０１８０】まず、１，１’−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサンを蒸着速度０．２nm
/secで５０nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
【０１８１】次いで、減圧状態を保ったまま、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．２nm
/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層
とした。
【０１８２】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
【０１８３】このＥＬ素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下１０mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には、８．５V 、３６０cd/m2 の黄緑色（発光極大波
長λmax ＝５００nm）の発光が確認された。３時間後に
は駆動電圧が１１．５V に上昇し、１９時間後には絶縁
破壊していた。
【０１８４】＜実施例６＞厚さ２００nmのＩＴＯ透明電
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥してＵＶ／Ｏ3 洗浄
した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、真空
槽を１×１０-4Pa以下まで減圧した。
【０１８５】まず、化１２の重合体III −１［ポリ（チ
オフェン−２，５−ジイル）］を蒸着速度約０．１nm/s
ecで約２０nmの厚さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とし
た。
【０１８６】次いで、真空槽を大気下に戻し、再び真空
槽を１×１０-4Pa以下まで減圧した後、Ｎ，Ｎ’−ビス
（ｍ−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ−１）
を蒸着速度０．１〜０．２nm/secで約５５nmの厚さに蒸
着し、第二正孔注入輸送層とした。
【０１８７】さらに、減圧状態を保ったまま、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．１〜
０．２nm/secで約５０nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送
・発光層とした。
【０１８８】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで約２００
nmの厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０１８９】このＥＬ素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下１０mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には５．６V 、２１０cd/m2 の黄緑色（発光極大波長
λmax ＝５００nm）の発光が確認された。輝度の半減時
間は１３０時間で、その間の駆動電圧の上昇は１．８V
であった。また、部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。さらにその後も電流リークは起こらず、安
定な発光を示した。
【０１９０】＜実施例７＞実施例６において、第二正孔
注入輸送層を約３５nm厚に形成したのち、さらに減圧状
態を保ったまま、前記第二正孔注入輸送材料と電子注入
輸送材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ムをほぼ同じ蒸着速度（０．１〜０．２nm/sec）で共蒸
着して、混合層を約４０nmの厚さに形成した。この混合
層は発光層である。
【０１９１】その後、実施例６と同様に、トリス（８−
キノリノラト）アルミニウムを用いて約３０nmの厚さの
電子注入輸送層を形成し、陰極を形成し、ＥＬ素子を得
た。
【０１９２】実施例６と同様に乾燥雰囲気下１０mA/cm2
の一定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．９V
、２８０cd/m2 の黄緑色（発光極大波長λmax ＝５０
５nm）の発光が確認された。輝度の半減時間は１０５０
時間で、その間の駆動電圧の上昇は３．２V であった。
また、部分的非発光部の出現および成長は全くなかっ
た。さらにその後も電流リークは起こらず、安定な発光
を示した。
【０１９３】混合層に用いたＮ，Ｎ’−ビス（ｍ−メチ
ルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ−１）のイオン化
ポテンシャルＩｐの絶対値は５．４０eVであり、電子親
和力Ｅａの絶対値は２．４０eVであった。一方、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムのイオン化ポテンシ
ャルＩｐの絶対値は５．６４eVであり、電子親和力Ｅａ
の絶対値は２．９５eVであった。
【０１９４】イオン化ポテンシャルＩｐは、ガラス基板
上に測定化合物の蒸着膜（蒸着速度０．２nm/sec）を約
１０nm厚に形成したサンプルの膜について、低エネルギ
ー電子分光装置ＡＣ−１（理研計器製）で測定して得ら
れたものである。また、電子親和力Ｅａは紫外吸収スペ
クトルから求めたものである。
【０１９５】また、重合体III −１のイオン化ポテンシ
ャルＩｐの絶対値は５．０eVであった。
【０１９６】＜実施例８＞実施例７において、混合層の
厚さを２０nmとするほかは同様にして素子を得、同様に
特性を調べた。
【０１９７】その結果、初期には、６．１V 、２８０cd
/m2 の黄緑色（発光極大波長λmax＝５００nm）の発光
が確認された。輝度の半減時間は１０００時間で、その
間の駆動電圧の上昇は３．１V であった。また、部分的
非発光部の出現および成長は全くなく、さらにその後も
電流リークは起こらず、安定な発光を示した。
【０１９８】＜実施例９＞実施例７において、混合層の
厚さを１０nmとするほかは同様にして素子を得、同様に
特性を調べた。
【０１９９】その結果、初期には、６．４V 、２９０cd
/m2 の黄緑色（発光極大波長λmax＝５００nm）の発光
が確認された。輝度の半減時間は８００時間で、その間
の駆動電圧の上昇は３．０V であった。また、部分的非
発光部の出現および成長は全くなく、さらにその後も電
流リークは起こらず、安定な発光を示した。
【０２００】＜実施例１０＞実施例７において、混合層
の厚さを５nmとするほかは同様にして素子を得、同様に
特性を調べた。
【０２０１】その結果、初期には、６．０V 、２５０cd
/m2 の黄緑色（発光極大波長λmax＝５００nm）の発光
が確認された。輝度の半減時間は５００時間で、その間
の駆動電圧の上昇は２．６V であった。また、部分的非
発光部の出現および成長は全くなく、さらにその後も電
流リークは起こらず、安定な発光を示した。
【０２０２】実施例６〜１０の結果から、混合層を設け
ることによって、初期の輝度が向上し、半減期が長くな
ることがわかる。
【０２０３】なお、実施例６、７において、［具体的構
成］の項に例示される上記（１）以外の（２）〜（４）
の化合物の組合せで、ＥＬ素子を作製し、特性を調べた
ところ、積層構造のものと混合層を設けたものとで、上
記と同様の傾向を示した。
【０２０４】＜実施例１１＞厚さ２００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥してＵＶ／Ｏ3 洗浄
した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、真空
槽を１×１０-4Pa以下まで減圧した。
【０２０５】まず、ポリ（チオフェン−２，５−ジイ
ル）を蒸着速度約０．１nm/secで約２０nmの厚さに蒸着
し、第一正孔注入輸送層とした。
【０２０６】次いで真空槽を大気下に戻し、再び真空槽
を１×１０-4Pa以下まで減圧した後、Ｎ，Ｎ’−ビス
（ｍ−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ−１）
とルブレンをそれぞれ蒸着速度０．１〜０．２nm/sec、
０．０１〜０．０２nm/secでトータル約５５nmの厚さに
共蒸着し、第二正孔注入輸送層とした。
【０２０７】さらに、減圧状態を保ったまま、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着速度０．１〜
０．２nm/secで約５０nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送
・発光層とした。
【０２０８】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで約２００
nmの厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０２０９】このＥＬ素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下１０mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には、５．３V 、２９０cd/m2 の黄色（発光極大波長
λmax ＝５５０nm）の発光が確認された。輝度の半減時
間は２６０時間で、その間の駆動電圧の上昇は１．６V
であった。
【０２１０】実施例１１の結果から、ルブレンをドープ
することによって、初期の輝度が向上し、半減期が長く
なることがわかる。
【０２１１】なお、実施例１〜１１において、正孔注入
輸送層に、上記重合体のかわりに、化７〜化１２に示さ
れる重合体ないし共重合体のうちの１種以上を用いてＥ
Ｌ素子を作製したところ、実施例１〜１１と同等の良好
な結果が得られた。
【０２１２】また、これらの重合体ないし共重合体のイ
オン化ポテンシャルＩｐの絶対値は、４．８〜５．４eV
の範囲にあり、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｍ−メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンまたは１，１’−ビス（４−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン（Ｉｐの絶対値＝５．
４０eV）等を第二正孔注入輸送層用化合物とする組合せ
で、第一正孔注入輸送層用とするのにふさわしい化合物
を選択することができた。
【０２１３】＜実施例１２＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-6Torr（１．３×１０-4Pa）まで減圧
した。
【０２１４】次いで、化８の重合体Ｉ−１［ポリ（チオ
フェン−２，４−ジイル）］を蒸着速度０．２nm/secで
３００nmの厚さに蒸着し、発光層とした。
【０２１５】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０２１６】このＥＬ素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、１１V 、１００mA/cm2で１０cd/m2 の青色
（発光極大波長λmax ＝４８０nm）の発光が確認され、
この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上安定し
ていた。
【０２１７】＜実施例１３＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-6Torr（１．３×１０-4Pa）まで減圧
した。
【０２１８】次いで、化１０の共重合体II−１［チオフ
ェン−２，４−ジイル−チオフェン−２，５−ジイルコ
ポリマー］を蒸着速度０．２nm/secで３０nmの厚さに蒸
着し、発光層とした。
【０２１９】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、ＥＬ素子を得た。
【０２２０】このＥＬ素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、１０V 、１００mA/cm2で１０cd/m2 の黄緑色
（発光極大波長λmax ＝５３０nm）の発光が確認され、
この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上安定し
ており、部分的非発光部の出現および成長は全くなかっ
た。
【０２２１】なお、実施例１２、１３において、発光層
に、上記重合体ないし共重合体のかわりに、化７〜化１
０の重合体ないし共重合体の１種以上を用いてＥＬ素子
を作製したところ、実施例１２、１３と同等の良好な結
果が得られた。
【０２２２】以上より、本発明のポリチオフェンを用い
たＥＬ素子は、電流リークがなく、非発光部分（ダーク
スポット）の発生成長がない、信頼性の高い素子である
ことは明らかである。
【０２２３】
【発明の効果】本発明によれば高輝度が安定して得られ
るポリチオフェンを用いたＥＬ素子が実現する。また、
耐熱性、耐久性が高く、安定した駆動が可能である。さ
らにはムラがなく均一な発光が可能であり、低電圧で効
率よく発光する。
【０２２４】混合層を発光層とするものでは、初期の輝
度の低下がなく、発光寿命が延びる。また、ルブレンを
ドープしたものでは、初期の輝度が向上し、発光寿命が
延びる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の構成例を示す側面図で
ある。
【図２】低エネルギー電子分光装置の構成を示すブロッ
ク図である。
【図３】励起エネルギーと電子イールドとの関係を示す
グラフである。
【符号の説明】
１ ＥＬ素子 ２ 基板 ３ 陽極 ４ 正孔注入輸送層 ５ 発光層 ６ 電子注入輸送層 ７ 陰極 １０ 低エネルギー電子分光装置 １１ 紫外線ランプ １２ モノクロメータ １３ 低エネルギー電子計数装置（検出器） １４ 制御装置 １５ 演算表示装置 １６ Ｘ−Ｙステージ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年８月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】〔化６において、Ｒ３およびＲ４は、それ
ぞれ水素原子、芳香族炭化水素基または脂肪族炭化水素
基を表わし、これらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ
３とＲ４とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ１
およびＸ２は、それぞれ水素原子またはハロゲン原子を
表わし、これらは同一でも異なっていてもよい。ｎは４
〜１００である。〕 （９）前記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有す
る層が真空蒸着法により形成された上記（８）のポリチ
オフェンを用いたＥＬ素子。 （１０）前記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有
する正孔注入輸送層のほかに、さらに、これとは異なる
正孔注入輸送層を少なくとも１層有する上記（８）また
は（９）のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１１）さらに、電子注入輸送層を有する上記（８）〜
（１０）のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素
子。 （１２）上記（１）〜（１１）のいずれかのポリチオフ
ェンを用いたＥＬ素子において、正孔注入輸送性化合物
を含有する層および電子注入輸送性化合物を含有する層
を各々少なくとも１層有し、前記層中における前記正孔
注入輸送性化合物と前記電子注入輸送性化合物とのイオ
ン化ポテンシャルＩｐの差もしくは電子親和力Ｅａの
差、またはこれら両者の差が０．２ｅＶ以上であるポリ
チオフェンを用いたＥＬ素子。 （１３）前記正孔注入輸送性化合物を含有する層が、前
記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有する正孔注
入輸送層上に積層されており、前記電子注入輸送性化合
物を含有する層が、さらに前記正孔注入輸送性化合物を
含有する層上に積層されている上記（１２）のポリチオ
フェンを用いたＥＬ素子。 （１４）上記（１）〜（１３）のいずれかのポリチオフ
ェンを用いたＥＬ素子において、正孔注入輸送性化合物
と電子注入輸送性化合物との混合物を含有する層を少な
くとも１層有するポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１５）前記混合物を含有する層が発光層である上記
（１４）のポリチオフェンを用いたＦＬ素子。 （１６）前記正孔注入輸送性化合物と前記電子注入輸送
性化合物とのイオン化ポテンシャルＩｐの差もしくは電
子親和力Ｅａの差、またはこれら両者の差が０．２ｅＶ
以上である上記（１４）または（１５）のポリチオフェ
ンを用いたＥＬ素子。 （１７）前記正孔注入輸送性化合物のイオン化ポテンシ
ャルＩｐの絶対値が５．４ｅＶ以下である上記（１２）
〜（１６）のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素
子。 （１８）前記電子注入輸送性化合物がトリス（８−キノ
リノラトアルミニウム）錯体である上記（１２）〜（１
７）のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１９）蛍光性物質がドープされた層を有する上記
（１）〜（１８）のいずれかのポリチオフェンを用いた
ＥＬ素子。 （２０）前記蛍光性物質がルブレンである上記（１９）
のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７０】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７２】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７４】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７６】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８４】まず、本発明の重合体Ｉ、共重合体ＩＩを
発光層に用いる場合について説明する。この場合発光層
には他の蛍光性物質を併用してもよい。このような蛍光
性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９２号
公報に開示されているような化合物、例えばクマリン、
キナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物か
ら選択される少なくとも１種が挙げられる。また、例え
ば、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレ
ン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色素な
どの有機蛍光体である。このような蛍光性物質の含有量
は、本発明の重合体Ｉ、共重合体ＩＩの５モル％以下と
することが好ましい。このような化合物を適宜選択して
添加することにより、発光光を長波長側にシフトするこ
とができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０６】上記の差のなかでも、いずれかが上記範囲
にあればよいが、特には両方の差が上記範囲にあること
が好ましい。また、特に電子注入輸送材料としてトリス
（８−キノリノラト）アルミニウム錯体を用いるときは
Ｉｐの差が上記範囲にあることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０８】上記において用いる正孔注入輸送材料は、
一般にイオン化ポテンシャルＩｐの絶対値が５．４ｅＶ
以下であり、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
錯体との組合せで用いる場合は特にこの値のものである
ことが好ましい。この値の下限には特に制限はないが、
通常は４．８ｅＶ程度であり、この値は４．８〜５．４
ｅＶの範囲にあることが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２０】材料同志のＩｐ差、Ｅａ差を上記範囲とす
ることによって、先に述べたキャリアのブロッキング効
果に加え、各キャリアが極性的により優勢な物質中を移
動する効果が向上し、発光がさらに安定化するととも
に、素子の寿命がさらに向上する。これに対し、これら
の差が小さすぎると、上記のようなキャリアのブロッキ
ングや移動の効果が得られにくくなる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２７】図２に示すように、分光装置１０は、紫外
線ランプ１１、モノクロメータ１２、検出器１３、低エ
ネルギー電子計数装置１４、制御装置１５、演算表示装
置１６およびＸ−Ｙステージ１７により構成され、Ｘ−
Ｙステージ上にサンプルＳを載置して測定を行うもので
ある。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２８】紫外線ランプ１１には重水素ランプを用
い、このランプから出た光をモノクロメータ１２により
２００〜３６０ｎｍの任意の波長に分光し、サンプルＳ
表面に照射する。２００〜３６０ｎｍの光は、Ｅ＝ｈν
＝ｈ（Ｃ／λ）（Ｅ：エネルギー，ｈ：プランク定数，
ν：振動数，λ：波長）の式を用いてエネルギーに換算
すると、各々６．２〜３．４ｅＶとなる。この光を励起
エネルギーの低い方から高い方に向かってスイープして
いくと、あるエネルギーで光電効果による電子放出が始
まる。このエネルギーが一般に光電的仕事関数といわれ
る値である。このようにして放出された光電子を検出器
１３および低エネルギー電子計数装置１４を用いて計数
し、バッグランド補正やデッドタイム中の数え落としの
補正などの演算をした後、図３に示すような励起エネル
ギー・放出電子量特性（基本特性）を演算表示装置１６
のディスプレイ上に表示する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１３０】なお制御装置１５は、モノクロメータ１２
の波長駆動、Ｘ−Ｙステージ１７によるサンプル位置の
制御および低エネルギー電子計数装置１４の計数制御を
行っている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １ ＥＬ素子 ２ 基板 ３ 陽極 ４ 正孔注入輪送層 ５ 発光層 ６ 電子注入輸送層 ７ 陰極 １０ 低エネルギー電子分光装置 １１ 紫外線ランプ １２ モノクロメータ １３ 検出器 １４ 低エネルギー電子計数装置 １５ 制御装置 １６ 演算表示装置 １７ Ｘ−Ｙステージ
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】さらに、有機化合物層にルブレンを用いた
ものが提案されている。ルブレンを有機化合物層にドー
プしたものとしては、有機化合物層としてヒドラジン誘
導体の混合膜からなる正孔輸送層とトリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウムの発光層とを有する有機ＥＬ素子
において、正孔輸送層にルブレンをドープしたもの、あ
るいは正孔輸送層の有機界面側半分と発光層全体にルブ
レンをドープしたものが提案されている。そして、正孔
輸送層にドープしたものでは、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウムとルブレンの両方から発光が起こるこ
とが、また正孔輸送層の半分と発光層にドープしたもの
では、発光効率が向上すること、さらには保存時におけ
るダークスポットの増加を抑制できることが報告されて
いる［金井、矢島、佐藤、第３９回応用物理学関係連合
講演会講演予稿集、２８ｐ−Ｑ−８（１９９２）：佐
藤、金井、有機エレクトロニクス材料研究会（ＪＯＥ
Ｍ）ワークショップ９２予稿集、３１（１９９２）］。
また、トリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）の正孔輸
送層にルブレンをドープしたものが提案されており、輝
度半減期が向上することが報告されている［藤井、佐
野、藤田、浜田、柴田、第５４回応用物理学学術講演会
講演予稿集、２９ｐ−ＺＣ−７（１９９３）］。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】〔化６において、Ｒ３およびＲ４は、それ
ぞれ水素原子、芳香族炭化水素基または脂肪族炭化水素
基を表わし、これらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ
３とＲ４とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ１
およびＸ２は、それぞれ水素原子またはハロゲン原子を
表わし、これらは同一でも異なっていてもよい。ｎは４
〜１００である。〕 （９）前記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有す
る層が真空蒸着法により形成された上記（８）のポリチ
オフェンを用いたＥＬ素子。 （１０）前記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有
する正孔注入輸送層のほかに、さらに、これとは異なる
正孔注入輸送層を少なくとも１層有する上記（８）また
は（９）のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１１）さらに、電子注入輸送層を有する上記（８）〜
（１０）のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素
子。 （１２）上記（１）〜（１１）のいずれかのポリチオフ
ェンを用いたＥＬ素子において、正孔注入輸送性化合物
を含有する層および電子注入輸送性化合物を含有する層
を各々少なくとも１層有し、前記層中における前記正孔
注入輸送性化合物と前記電子注入輸送性化合物とのイオ
ン化ポテンシャルＩｐの差もしくは電子親和力Ｅａの
差、またはこれら両者の差が０．２ｅＶ以上であるポリ
チオフェンを用いたＥＬ素子。 （１３）前記正孔注入輸送性化合物を含有する層が、前
記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有する正孔注
入輸送層上に積層されており、前記電子注入輸送性化合
物を含有する層が、さらに前記正孔注入輸送性化合物を
含有する層上に積層されている上記（１２）のポリチオ
フェンを用いたＥＬ素子。 （１４）上記（１）〜（１３）のいずれかのポリチオフ
ェンを用いたＥＬ素子において、正孔注入輸送性化合物
と電子注入輸送性化合物との混合物を含有する層を少な
くとも１層有するポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１５）前記混合物を含有する層が発光層である上記
（１４）のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１６）前記正孔注入輸送性化合物と前記電子注入輸送
性化合物とのイオン化ポテンシャルＩｐの差もしくは電
子親和力Ｅａの差、またはこれら両者の差が０．２ｅＶ
以上である上記（１４）または（１５）のポリチオフェ
ンを用いたＥＬ素子。 （１７）前記正孔注入輸送性化合物のイオン化ポテンシ
ャルＩｐの絶対値が５．４ｅＶ以下である上記（１２）
〜（１６）のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素
子。 （１８）前記電子注入輸送性化合物がトリス（８−キノ
リノラト）アルミニウムである上記（１２）〜（１７）
のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 （１９）蛍光性物質がドープされた層を有する上記
（１）〜（１８）のいずれかのポリチオフェンを用いた
ＥＬ素子。 （２０）前記蛍光性物質がルブレンである上記（１９）
のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５３】なお、共重合体ＩＩは、重合体Ｉと同様
に、化４の構造単位と化５の構造単位とで構成されるこ
とが好ましいが、１０モル％以下であれば他のモノマー
成分を含有していてもよい。また、共重合体ＩＩは、ラ
ンダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体等の
いずれであってもよく、化９の構造式はこのような構造
を包含するものである。さらに、化４、化５の構造単位
同士は、それぞれ同一であっても異なるものであっても
よい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６９】合成例１ ポリ（チオフェン−２，４−ジ
イル）［重合体Ｉ−１：末端基ＨまたはＢｒ］の合成 ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（Ｎｉ
（ｃｏｄ）２）１．５８ｇ（５．７１ｍｍｏｌ）、２，
２’−ビピリジン０．９０ｇ（５．７５ｍｍｏｌ）と、
１，５−シクロオクタジエン１．０ｍｌを、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド５０ｍｌに窒素雰囲気中で混合し、
さらに２，４−ジブロモチオフェン１．１５ｇ（４．７
６ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で１８ｈｒ撹拌した。その
結果、赤茶色のポリマーを沈澱として得た。得られたポ
リマーからニッケル化合物などを除去するため、塩酸−
エタノール溶液、エチレンジアミン水溶液、トルエン、
熱水、エタノールで洗浄した。収率は９１％であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７７】合成例５ チオフェン−２，４−ジイル−
チオフェン−２，５−ジイル（１：１）共重合体〔共重
合体ＩＩ−１：端末基ＨまたはＢｒ〕の合成 ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（Ｎｉ
（ｃｏｄ）２）１．５８ｇ（５．７１ｍｍｏｌ）、２，
２’−ビピリジン０．９０ｇ（５．７５ｍｍｏｌ）と、
１，５−シクロオクタジエン１．０ｍｌを、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド５０ｍｌに窒素雰囲気中で混合し、
さらに２，５−ジブロモチオフェン０．６３ｇ（２．６
ｍｍｏｌ）と、２，４−ジブロモチオフェン０．６３ｇ
（２．６ｍｏｌ）とを加え、６０℃で１８ｈｒ撹拌し
た。その結果、赤茶色のポリマーを沈澱として得た。得
られたポリマーからニッケル化合物などを除去するた
め、塩酸−エタノール溶液、エチレンジアミン水溶液、
トルエン、熱水、エタノールで洗浄した。収率は９３％
であった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９８】これら両化合物同士のＩｐ差、Ｅａ差を上
記範囲とすることによって、電子注入輸送層と正孔注入
輸送層との組合せのように、電子注入輸送性化合物を含
有する層と正孔注入性化合物を含有する層のエネルギー
状態（レベル）が最適化されて、界面におけるキャリア
ブロッキング効果が高まり、極性的に劣勢あるいは不安
定なキャリアの注入はより起こりにくくなるので、各層
の有機化合物がダメージを受けにくくなり、キャリア再
結合領域や発光領域で、キャリアや励起子の失活ポイン
トを生じにくくなる。その結果、安定した発光が得ら
れ、寿命が大幅に向上する。これに対し、これらの差が
小さくなると、界面におけるキャリアブロッキング効果
が得られなくなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９９】上記において、電子注入輸送性化合物を含
有する層および正孔注入輸送性化合物を含有する層のい
ずれか一方あるいは両方が２層以上存在する場合は、電
子注入輸送性化合物を含有する層の少なくとも１層と正
孔注入輸送性化合物を含有する層の少なくとも１層との
間で上記関係を満たせばよいが、より近接する層同士で
上記関係を満たすことが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０１】より近接した層同士、特に積層構成では、
界面におけるキャリアブロッキング効果が発揮されやす
いからである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０６】上記の差のなかでも、いずれかが上記範囲
にあればよいが、特には両方の差が上記範囲にあること
が好ましい。また、特に電子注入輸送材料としてトリス
（８−キノリノラト）アルミニウムを用いるときはＩｐ
の差が上記範囲にあることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０７】このときの差の上限値には特に制限はない
が、通常１ｅＶ程度であり、上記の差はいずれも０．２
〜１ｅＶの範囲にあることが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０８】上記において用いる正孔注入輸送材料は、
一般にイオン化ポテンシャルＩｐの絶対値が５．４ｅＶ
以下であり、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
との組合せで用いる場合は特にこの値のものであること
が好ましい。この値の下限には特に制限はないが、通常
は４．８ｅＶ程度であり、この値は４．８〜５．４ｅＶ
の範囲にあることが好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１１】特に、上記の構成において電子注入輸送材
料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
を用いることが好ましい。この錯体のイオン化ポテンシ
ャルＩｐの絶対値は通常５．６〜５．７ｅＶ程度であ
り、電子親和力Ｅａの絶対値は２．９〜３．０ｅＶ程度
である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１３】
【他１／】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１５】このとき、混合層にはキャリアのホッピン
グ伝導パスができることになるので、各キャリアは極性
的により優勢な物質中を移動する。すなわち正孔は正孔
注入輸送性固体中を、また電子は電子注入輸送性固体中
を移動することになり、逆の極性のキャリア注入は起こ
りにくくなるので、各有機化合物がダメージを受けにく
くなり、キャリア再結合領域や発光領域で、キャリアや
励起子の失活ポイントを生じにくくなる。その結果、安
定した発光が得られ、寿命が大幅に向上する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２０】材料同士のＩｐ差、Ｅａ差を上記範囲とす
ることによって、先に述べたキャリアのブロッキング効
果に加え、各キャリアが極性的により優勢な物質中を移
動する効果が向上し、発光がさらに安定化するととも
に、素子の寿命がさらに向上する。これに対し、これら
の差が小さすぎると、上記のようなキャリアのブロッキ
ングや移動の効果が得られにくくなる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２１】上記の差のなかでも、いずれかが上記範囲
にあればよいが、特には両方の差が上記範囲にあること
が好ましいこと、また、特に電子注入輸送材料としてト
リス（８−キノリノラト）アルミニウムを用いるときは
Ｉｐの差が上記範囲にあることが好ましいこと、さらに
はＩｐおよびＥａの差の上限値あるいはＩｐおよびＥａ
の絶対値、また電子注入輸送材料としてトリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウムを用いることが好ましいこと
や併用する正孔注入輸送材料と電子注入輸送材料との好
ましい組合せ例については、前記と同じである。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２８】紫外線ランプ１１には重水素ランプを用
い、このランプから出た光をモノクロメータ１２により
２００〜３６０ｎｍの任意の波長に分光し、サンプルＳ
表面に照射する。２００〜３６０ｎｍの光は、Ｅ＝ｈν
＝ｈ（ｃ／λ）（Ｅ：エネルギー，ｈ：プランク定数，
ν：振動数，λ：波長）の式を用いてエネルギーに換算
すると、各々６．２〜３．４ｅＶとなる。この光を励起
エネルギーの低い方から高い方に向かってスイープして
いくと、あるエネルギーで光電効果による電子放出が始
まる。このエネルギーが一般に光電的仕事関数といわれ
る値である。このようにして放出された光電子を検出器
１３および低エネルギー電子計数装置１４を用いて計数
し、バックグランド補正やデッドタイム中の数え落とし
の補正などの演算をした後、図３に示すような励起エネ
ルギー・放出電子量特性（基本特性）を演算表示装置１
６のディスプレイ上に表示する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１６６】＜実施例４＞実施例１において、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムの発光層のほかに、
電子注入輸送材料としてｍ−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール］
ベンゼンを用い、電子注入輸送層を別途設けたＥＬ素子
を作製した。この場合、発光層の厚さは５０ｎｍ、電子
注入輸送層の厚さは１０ｎｍとし、電子注入輸送層は発
光層と同様に蒸着により形成した。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１７５】次いで、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサンを蒸着速度０．１〜
０．２ｎｍ／ｓｅｃで約５０ｎｍの厚さに蒸着し、第二
正孔注入輸送層とした。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１８０】まず、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサンを蒸着速度０．２ｎｍ
／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層と
した。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２１２】また、これらの重合体ないし共重合体のイ
オン化ポテンシャルＩｐの絶対値は、４．８〜５．４ｅ
Ｖの範囲にあり、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｍ−メチルフェニ
ル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−
４，４，−ジアミンまたは１，１−ビス（４−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン（Ｉｐの絶対値＝
５．４０ｅＶ）等を第二正孔注入輸送層用化合物とする
組合せで、第一正孔注入輸送層用とするのにふさわしい
化合物を選択することができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 鉄司 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 中谷 賢司 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記化１で示される構造単位を有する重
    合体および下記化１で示される構造単位と下記化２で示
    される構造単位とを有する共重合体のうちの少なくとも
    １種以上を含有する層を少なくとも１層有するポリチオ
    フェンを用いたＥＬ素子。 【化１】 【化２】 〔化１において、Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ水素原
    子、芳香族炭化水素基または脂肪族炭化水素基を表わ
    し、これらは同一でも異なっていてもよい。化２におい
    て、Ｒ3 およびＲ4 は、それぞれ水素原子、芳香族炭化
    水素基または脂肪族炭化水素基を表わし、これらは同一
    でも異なっていてもよい。Ｒ3 とＲ4 とは互いに結合し
    て環を形成してもよい。ただし、いずれの重合体および
    共重合体においても平均重合度は４〜１００であり、末
    端基は水素原子またはハロゲン原子である。〕
  2. 【請求項２】 前記重合体および前記共重合体のうちの
    少なくとも１種以上を含有する層が真空蒸着法により形
    成された請求項１のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
  3. 【請求項３】 発光層が前記重合体および前記共重合体
    のうちの少なくとも１種以上を含有する請求項１または
    ２のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
  4. 【請求項４】 発光層が正孔注入輸送層を兼ねる請求項
    ３のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
  5. 【請求項５】 正孔注入輸送層と発光層とを有し、この
    正孔注入輸送層が前記重合体および前記共重合体のうち
    の少なくとも１種以上を含有する請求項１または２のポ
    リチオフェンを用いたＥＬ素子。
  6. 【請求項６】 前記重合体および前記共重合体のうちの
    少なくとも１種以上を含有する正孔注入輸送層のほか
    に、さらに、これとは異なる正孔注入輸送層を少なくと
    も１層有する請求項５のポリチオフェンを用いたＥＬ素
    子。
  7. 【請求項７】 さらに、電子注入輸送層を有する請求項
    ５または６のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
  8. 【請求項８】 正孔注入輸送層と発光層とを有し、この
    正孔注入輸送層が下記化３で示される重合体のうちの少
    なくとも１種以上を含有するポリチオフェンを用いたＥ
    Ｌ素子。 【化３】 〔化３において、Ｒ3 およびＲ4 は、それぞれ水素原
    子、芳香族炭化水素基または脂肪族炭化水素基を表わ
    し、これらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ3 とＲ4
    とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ1 およびＸ
    2 は、それぞれ水素原子またはハロゲン原子を表わし、
    これらは同一でも異なっていてもよい。ｎは４〜１００
    である。〕
  9. 【請求項９】 前記重合体のうちの少なくとも１種以上
    を含有する層が真空蒸着法により形成された請求項８の
    ポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
  10. 【請求項１０】 前記重合体のうちの少なくとも１種以
    上を含有する正孔注入輸送層のほかに、さらに、これと
    は異なる正孔注入輸送層を少なくとも１層有する請求項
    ８または９のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
  11. 【請求項１１】 さらに、電子注入輸送層を有する請求
    項８〜１０のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素
    子。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれかのポリチオ
    フェンを用いたＥＬ素子において、正孔注入輸送性化合
    物を含有する層および電子注入輸送性化合物を含有する
    層を各々少なくとも１層有し、前記層中における前記正
    孔注入輸送正化合物と前記電子注入輸送性化合物とのイ
    オン化ポテンシャルＩｐの差もしくは電子親和力Ｅａの
    差、またはこれら両者の差が０．２eV以上であるポリチ
    オフェンを用いたＥＬ素子。
  13. 【請求項１３】 前記正孔注入輸送性化合物を含有する
    層が、前記重合体のうちの少なくとも１種以上を含有す
    る正孔注入輸送層上に積層されており、前記電子注入輸
    送性化合物を含有する層が、さらに前記正孔注入輸送性
    化合物を含有する層上に積層されている請求項１２のポ
    リチオフェンを用いたＥＬ素子。
  14. 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかのポリチオ
    フェンを用いたＥＬ素子において、正孔注入輸送性化合
    物と電子注入輸送性化合物との混合物を含有する層を少
    なくとも１層有するポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
  15. 【請求項１５】 前記混合物を含有する層が発光層であ
    る請求項１４のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
  16. 【請求項１６】 前記正孔注入輸送性化合物と前記電子
    注入輸送性化合物とのイオン化ポテンシャルＩｐの差も
    しくは電子親和力Ｅａの差、またはこれら両者の差が
    ０．２eV以上である請求項１４または１５のポリチオフ
    ェンを用いたＥＬ素子。
  17. 【請求項１７】 前記正孔注入輸送性化合物のイオン化
    ポテンシャルＩｐの絶対値が５．４eV以下である請求項
    １２〜１６のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素
    子。
  18. 【請求項１８】 前記電子注入輸送性化合物がトリス
    （８−キノリノラトアルミニウム）錯体である請求項１
    ２〜１７のいずれかのポリチオフェンを用いたＥＬ素
    子。
  19. 【請求項１９】 蛍光性物質がドープされた層を有する
    請求項１〜１８のいずれかのポリチオフェンを用いたＥ
    Ｌ素子。
  20. 【請求項２０】 前記蛍光性物質がルブレンである請求
    項１９のポリチオフェンを用いたＥＬ素子。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10255985A (ja) * 1997-02-27 1998-09-25 Xerox Corp 有機ｅｌデバイス
JP2000091081A (ja) * 1998-09-12 2000-03-31 Bayer Ag エレクトロルミネッセンス組立体用の補助層
JP2000133453A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000164359A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000514590A (ja) * 1996-07-05 2000-10-31 バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト エレクトロルミネッセンス装置
JP2001247861A (ja) * 1999-12-20 2001-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体、その製造方法および高分子発光素子
JP2001261796A (ja) * 2000-03-14 2001-09-26 Japan Science & Technology Corp アルコキシポリチオフェンとアルコキシチオフェン
JP2003013055A (ja) * 2001-06-26 2003-01-15 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体の製造方法及び高分子発光素子
KR100410876B1 (ko) * 2001-01-27 2003-12-18 주식회사 엘리아테크 적색 유기 발광소자용 고분자 화합물 및 이를 이용한발광소자
JP2006502535A (ja) * 2002-08-22 2006-01-19 アグフア−ゲヴエルト 実質的に透明な伝導層構成の製造方法
KR100712151B1 (ko) * 1998-03-20 2007-05-02 하.체. 스타르크 게엠베하 블렌드 시스템을 사용한 전자발광 어셈블리
JP2008098665A (ja) * 1998-05-01 2008-04-24 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2008534751A (ja) * 2005-04-01 2008-08-28 カーネギー メロン ユニバーシティ レジオレギュラーポリマー、ポリチオフェンおよびブロックコポリマーを含む導電性ポリマーのリビング合成法
JP2008202053A (ja) * 2008-03-13 2008-09-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ
KR100863142B1 (ko) * 2000-12-28 2008-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스 및 전자 기기
US7585933B2 (en) 2002-07-18 2009-09-08 Sharp Kabushiki Kaisha Dendritic polymer and electronic device element employing the polymer
JP2010219448A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Ricoh Co Ltd 有機薄膜太陽電池

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3428152B2 (ja) * 1994-07-13 2003-07-22 松下電器産業株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
JP2850820B2 (ja) * 1995-02-09 1999-01-27 株式会社デンソー Ｅｌ素子
JP3529543B2 (ja) * 1995-04-27 2004-05-24 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3712760B2 (ja) * 1995-05-17 2005-11-02 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
US5719467A (en) * 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
CN1169015C (zh) * 1996-05-15 2004-09-29 精工爱普生株式会社 具有涂敷膜的薄膜器件、液晶屏以及薄膜器件的制造方法
KR980005265A (ko) * 1996-06-06 1998-03-30 빈센트 비. 인그라시아 정공수송층으로 부터 방출되는 유기 전자발광장치
DE19627069A1 (de) * 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von lamellaren Elektroden
US5902688A (en) * 1996-07-16 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display device
DE69735023T2 (de) * 1996-09-19 2006-08-17 Seiko Epson Corp. Verfahren zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung
US20020075422A1 (en) * 1996-09-19 2002-06-20 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and manufacturing method thereof
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
US5757139A (en) * 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
US5929172A (en) * 1997-03-20 1999-07-27 Adhesives Research, Inc. Conductive heterocyclic graft copolymer
US5929182A (en) * 1997-03-20 1999-07-27 Adhesives Research, Inc. Heterocyclic macromers
US6130001A (en) * 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
US6843937B1 (en) * 1997-07-16 2005-01-18 Seiko Epson Corporation Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element
KR100243089B1 (ko) * 1997-07-29 2000-02-01 정선종 이오노머를전하수송층으로하는고분자/유기물전기발광소자의구조및그제조방법
JP3861400B2 (ja) * 1997-09-01 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子およびその製造方法
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6451455B1 (en) 1998-04-01 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties
JPH11251067A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
GB9805476D0 (en) 1998-03-13 1998-05-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US6287712B1 (en) 1998-04-10 2001-09-11 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
US6312836B1 (en) * 1998-04-10 2001-11-06 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
US8198096B2 (en) * 1998-05-05 2012-06-12 Massachusetts Institute Of Technology Emissive polymers and devices incorporating these polymers
EP1080162B1 (en) * 1998-05-05 2004-03-10 Massachusetts Institute Of Technology Emissive polymers and devices incorporating these polymers
US20050147534A1 (en) * 1998-05-05 2005-07-07 Massachusetts Institute Of Technology Emissive sensors and devices incorporating these sensors
US6114055A (en) * 1998-06-01 2000-09-05 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium containing rubrene
US6194089B1 (en) * 1998-06-11 2001-02-27 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with improved reliability
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6361886B2 (en) * 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
WO2000041893A1 (en) 1999-01-15 2000-07-20 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US7001536B2 (en) 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP2001019947A (ja) * 1999-07-06 2001-01-23 Fuji Photo Film Co Ltd 新規重合体、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
US6730929B2 (en) * 1999-12-24 2004-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7560175B2 (en) * 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
KR100721656B1 (ko) * 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
KR100377321B1 (ko) * 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US8206838B2 (en) * 2000-06-12 2012-06-26 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Polymer matrix electroluminescent materials and devices
CN1441826A (zh) † 2000-06-12 2003-09-10 美商·麦克斯登股份有限公司 聚合物基质电致发光材料及装置
WO2002009478A1 (fr) * 2000-07-24 2002-01-31 Tdk Corporation Dispositif luminescent
WO2002016463A2 (en) 2000-08-21 2002-02-28 Massachusetts Institute Of Technology Polymers with high internal free volume
JP4078053B2 (ja) * 2000-09-29 2008-04-23 キヤノン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6573651B2 (en) * 2000-12-18 2003-06-03 The Trustees Of Princeton University Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
JP2002289355A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置
US6861497B2 (en) * 2001-04-20 2005-03-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Polyimides having an unusually low and tunable electrical resistivity useful for electrical and optical applications
US20030097003A1 (en) * 2001-04-20 2003-05-22 Lindsay Geoffrey A. Monomers for polyimides having an unusually low and tunable electrical resistivity
DE60239198D1 (de) * 2001-05-16 2011-03-31 Univ Princeton Hocheffiziente mehrfarbige elektrophosphoreszente oleds
US6649433B2 (en) * 2001-06-26 2003-11-18 Sigma Technologies International, Inc. Self-healing flexible photonic composites for light sources
WO2003023876A1 (fr) 2001-09-05 2003-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Structure polymere, element fonctionnel comportant une telle structure ; transistor et ecran presentant cette structure
US10211268B1 (en) 2012-09-28 2019-02-19 Imaging Systems Technology, Inc. Large area OLED display
DE10152939B4 (de) * 2001-10-26 2008-04-03 Qimonda Ag Polythiophene mit hohen Ladungsträgerbeweglichkeiten
US7462325B2 (en) * 2001-11-30 2008-12-09 Nomadics, Inc. Luminescent polymer particles
JP2003303683A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
KR100578424B1 (ko) * 2002-05-07 2006-05-11 주식회사 엘지화학 새로운 유기 발광용 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2004007634A2 (en) * 2002-07-15 2004-01-22 Massachusetts Institute Of Technology Emissive, high charge transport polymers
US20040121337A1 (en) * 2002-12-19 2004-06-24 Nomadics, Inc. Luminescent polymers and methods of use thereof
US6995445B2 (en) * 2003-03-14 2006-02-07 The Trustees Of Princeton University Thin film organic position sensitive detectors
DE602004016858D1 (de) * 2003-08-06 2008-11-13 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von regioregulären polymeren
US7732808B2 (en) 2003-09-26 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
US7270871B2 (en) 2004-01-12 2007-09-18 Air Products And Chemicals, Inc. Dispersions and films comprising conducting polymer for optoelectronic devices
US8129906B1 (en) 2004-04-26 2012-03-06 Imaging Systems Technology, Inc. Lumino-shells
US7550915B2 (en) * 2004-05-11 2009-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic electronic device with hole injection
JP2008510312A (ja) * 2004-08-19 2008-04-03 エルジー・ケム・リミテッド バッファ層を含む有機発光素子およびその製作方法
WO2006034081A2 (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Massachusetts Institute Of Technology Polymers for analyte detection
GB0428403D0 (en) * 2004-12-24 2005-02-02 Cambridge Display Tech Ltd Optical devices and their manufacture
US7262264B2 (en) * 2005-01-12 2007-08-28 Honeywell International Inc. Halogenated thiophene monomer for the preparation of regioregular polythiophenes
US9070884B2 (en) * 2005-04-13 2015-06-30 Universal Display Corporation Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters
TWI471058B (zh) * 2005-06-01 2015-01-21 Univ Princeton 螢光之經過濾電磷光作用
US7474048B2 (en) * 2005-06-01 2009-01-06 The Trustees Of Princeton University Fluorescent filtered electrophosphorescence
US20070018153A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Osram-Opto Semiconductors Gmbh Thick light emitting polymers to enhance oled efficiency and lifetime
WO2007034841A1 (ja) * 2005-09-21 2007-03-29 Mitsubishi Chemical Corporation 有機半導体材料及び有機電界効果トランジスタ
KR100890862B1 (ko) * 2005-11-07 2009-03-27 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN101371619B (zh) * 2006-01-18 2013-11-13 Lg化学株式会社 具有堆叠式有机发光单元的oled
US8158437B2 (en) * 2006-08-04 2012-04-17 Massachusetts Institute Of Technology Luminescent detection of hydrazine and hydrazine derivatives
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
WO2008042289A2 (en) 2006-09-29 2008-04-10 Massachusetts Institute Of Technology Polymer synthetic technique
US8802447B2 (en) * 2006-10-05 2014-08-12 Massachusetts Institute Of Technology Emissive compositions with internal standard and related techniques
US20090215189A1 (en) 2006-10-27 2009-08-27 Massachusetts Institute Of Technology Sensor of species including toxins and chemical warfare agents
US7997342B2 (en) * 2006-12-29 2011-08-16 Halliburton Energy Services, Inc. Subterranean treatment fluids comprising viscoelastic surfactant gels
WO2008092490A1 (en) * 2007-01-31 2008-08-07 Merck Patent Gmbh Process of preparing regioregular polymers
WO2008117353A1 (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Pioneer Corporation 有機電界発光素子、有機電界発光素子を内蔵する表示装置、及び発電装置
KR20090010883A (ko) * 2007-07-23 2009-01-30 소니 가부시끼가이샤 유기 전계발광 소자 및 표시 장치
US20090091242A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Liang-Sheng Liao Hole-injecting layer in oleds
WO2010062558A1 (en) 2008-10-27 2010-06-03 Plextronics Inc. Charge injection and transport layers
KR101402526B1 (ko) 2011-12-26 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 수명이 향상된 유기발광소자 및 그 제조방법
US9024526B1 (en) 2012-06-11 2015-05-05 Imaging Systems Technology, Inc. Detector element with antenna
US9711748B2 (en) 2012-08-29 2017-07-18 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED devices with internal outcoupling
CN102983274B (zh) * 2012-11-20 2015-02-25 溧阳市生产力促进中心 一种包括电子传输层和空穴传输层的太阳能电池
CN102969449B (zh) * 2012-11-20 2015-02-25 溧阳市生产力促进中心 一种包括电子传输层的太阳能电池
KR20170021589A (ko) * 2015-08-18 2017-02-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106531769B (zh) * 2016-12-16 2019-06-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720432A (en) * 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH02207488A (ja) * 1989-02-07 1990-08-17 Mitsui Toatsu Chem Inc 薄膜型発光素子
JP2869446B2 (ja) * 1989-01-13 1999-03-10 株式会社リコー 電界発光素子
JP2879080B2 (ja) * 1989-03-23 1999-04-05 株式会社リコー 電界発光素子
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5142343A (en) * 1989-08-18 1992-08-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device with oligomers
JP2773297B2 (ja) * 1989-09-28 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3005909B2 (ja) * 1989-12-11 2000-02-07 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JPH03190088A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子
US5128587A (en) * 1989-12-26 1992-07-07 Moltech Corporation Electroluminescent device based on organometallic membrane
DE69110922T2 (de) * 1990-02-23 1995-12-07 Sumitomo Chemical Co Organisch elektrolumineszente Vorrichtung.
JP2788531B2 (ja) * 1990-04-03 1998-08-20 三井化学株式会社 有機錯体発光素子
JPH04178487A (ja) * 1990-11-13 1992-06-25 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH04334894A (ja) * 1991-05-10 1992-11-20 Ricoh Co Ltd 有機薄膜型電界発光素子
JPH04357694A (ja) * 1991-06-03 1992-12-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜ｅｌ素子
JP2999577B2 (ja) * 1991-06-07 2000-01-17 サンスター技研株式会社 ポリ塩化ビニルプラスチゾル系シーラー組成物
JP2949966B2 (ja) * 1991-11-06 1999-09-20 富士電機株式会社 有機薄膜発光素子
JPH05182762A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
EP0553950A3 (en) * 1992-01-07 1994-11-23 Toshiba Kk Organic electroluminescent device
JP3033317B2 (ja) * 1992-01-30 2000-04-17 富士電機株式会社 有機薄膜発光素子
JPH05271652A (ja) * 1992-03-30 1993-10-19 Toppan Printing Co Ltd 有機薄膜ｅｌ素子

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000514590A (ja) * 1996-07-05 2000-10-31 バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト エレクトロルミネッセンス装置
JPH10255985A (ja) * 1997-02-27 1998-09-25 Xerox Corp 有機ｅｌデバイス
KR100712151B1 (ko) * 1998-03-20 2007-05-02 하.체. 스타르크 게엠베하 블렌드 시스템을 사용한 전자발광 어셈블리
JP2008098665A (ja) * 1998-05-01 2008-04-24 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
KR100613311B1 (ko) * 1998-09-12 2006-08-21 바이엘 악티엔게젤샤프트 전자발광 어셈블리용 보조층
JP2000091081A (ja) * 1998-09-12 2000-03-31 Bayer Ag エレクトロルミネッセンス組立体用の補助層
JP2011061235A (ja) * 1998-09-12 2011-03-24 Hc Starck Clevios Gmbh エレクトロルミネッセンス組立体
JP2000133453A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000164359A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001247861A (ja) * 1999-12-20 2001-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体、その製造方法および高分子発光素子
JP2001261796A (ja) * 2000-03-14 2001-09-26 Japan Science & Technology Corp アルコキシポリチオフェンとアルコキシチオフェン
KR101021049B1 (ko) * 2000-12-28 2011-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 발광 소자
KR100863142B1 (ko) * 2000-12-28 2008-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스 및 전자 기기
US7572522B2 (en) 2000-12-28 2009-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device
KR100410876B1 (ko) * 2001-01-27 2003-12-18 주식회사 엘리아테크 적색 유기 발광소자용 고분자 화합물 및 이를 이용한발광소자
JP2003013055A (ja) * 2001-06-26 2003-01-15 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体の製造方法及び高分子発光素子
US7585933B2 (en) 2002-07-18 2009-09-08 Sharp Kabushiki Kaisha Dendritic polymer and electronic device element employing the polymer
US7687598B2 (en) 2002-07-18 2010-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Dendrimer and electronic device element employing the same
JP2006502535A (ja) * 2002-08-22 2006-01-19 アグフア−ゲヴエルト 実質的に透明な伝導層構成の製造方法
JP2008534751A (ja) * 2005-04-01 2008-08-28 カーネギー メロン ユニバーシティ レジオレギュラーポリマー、ポリチオフェンおよびブロックコポリマーを含む導電性ポリマーのリビング合成法
JP2012184438A (ja) * 2005-04-01 2012-09-27 Carnegie Mellon Univ レジオレギュラーポリマー、ポリチオフェンおよびブロックコポリマーを含む導電性ポリマーのリビング合成法
JP2008202053A (ja) * 2008-03-13 2008-09-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ
JP2010219448A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Ricoh Co Ltd 有機薄膜太陽電池

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