JPH07114898A - 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 - Google Patents
蛍光膜及び蛍光膜形成方法Info
- Publication number
- JPH07114898A JPH07114898A JP25792893A JP25792893A JPH07114898A JP H07114898 A JPH07114898 A JP H07114898A JP 25792893 A JP25792893 A JP 25792893A JP 25792893 A JP25792893 A JP 25792893A JP H07114898 A JPH07114898 A JP H07114898A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- fluorescent screen
- film
- photosensitive resin
- luminous efficiency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
- C09K11/641—Chalcogenides
- C09K11/642—Chalcogenides with zinc or cadmium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】加速電圧0 .1〜2kV の電子線によって高い発光
効率で発光する蛍光膜を提供する。 【構成】蛍光体粒子の表面にケイ酸カリ、シリカ、Zn
で耐熱保護層を形成する。スチリルピリジニウム感光基
を有する感光性樹脂と前記蛍光体粒子を混合してスラリ
ー液を形成する。前記スラリー液を用いてフォトリソグ
ラフィ法で基板上に所定のパターンで蛍光膜を形成す
る。前記蛍光膜が形成された基板を450 〜480 ℃で焼成
する。原料物質中に蛍光体の発光効率を低減させるキラ
ー成分は含まれない。前記感光性樹脂は熱安定度が高い
が、高温焼成により熱分解され、残存したバインダ成分
等が蛍光体の発光輝度を低下させることはない。高温焼
成に対し、蛍光体は耐熱性の保護層で被覆されている。
表面は酸化せず、蛍光体の発光効率は低下しない。
効率で発光する蛍光膜を提供する。 【構成】蛍光体粒子の表面にケイ酸カリ、シリカ、Zn
で耐熱保護層を形成する。スチリルピリジニウム感光基
を有する感光性樹脂と前記蛍光体粒子を混合してスラリ
ー液を形成する。前記スラリー液を用いてフォトリソグ
ラフィ法で基板上に所定のパターンで蛍光膜を形成す
る。前記蛍光膜が形成された基板を450 〜480 ℃で焼成
する。原料物質中に蛍光体の発光効率を低減させるキラ
ー成分は含まれない。前記感光性樹脂は熱安定度が高い
が、高温焼成により熱分解され、残存したバインダ成分
等が蛍光体の発光輝度を低下させることはない。高温焼
成に対し、蛍光体は耐熱性の保護層で被覆されている。
表面は酸化せず、蛍光体の発光効率は低下しない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光膜及び蛍光膜の製
造方法に係わり、特に概ね0.1〜2kVの範囲の加速
電圧で加速された電子の射突により励起・発光する蛍光
膜と、係る蛍光膜を感光性樹脂を使用して製造する方法
に関するものである。
造方法に係わり、特に概ね0.1〜2kVの範囲の加速
電圧で加速された電子の射突により励起・発光する蛍光
膜と、係る蛍光膜を感光性樹脂を使用して製造する方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えばR,G,Bの3色に発光する多数
の画素を備えたフルカラーグラフィック蛍光表示管の蛍
光膜は、次のような蛍光体を使用して形成している。例
えば、R(赤)の蛍光体はY2 O2 S:Euで、Euの
付活量は1×10-2〜1.5×10-1g/g(1〜15
%)、G(緑)の蛍光体はZnS:Cu,Alで、Cu
の付活量は150ppm、B(青)の蛍光体はZnS:
Ag,Alで、Agの付活量は200ppmである。
の画素を備えたフルカラーグラフィック蛍光表示管の蛍
光膜は、次のような蛍光体を使用して形成している。例
えば、R(赤)の蛍光体はY2 O2 S:Euで、Euの
付活量は1×10-2〜1.5×10-1g/g(1〜15
%)、G(緑)の蛍光体はZnS:Cu,Alで、Cu
の付活量は150ppm、B(青)の蛍光体はZnS:
Ag,Alで、Agの付活量は200ppmである。
【0003】表示部に蛍光膜を用いた表示装置の技術分
野において、蛍光体を所定パターンの蛍光膜に形成する
方法は各種知られている。しかしながら、前述したフル
カラーグラフィック蛍光表示管の蛍光膜のように、R,
G,Bの3種類の蛍光体で所定パターンの蛍光膜を形成
する場合等には、不必要な蛍光体が物理的に付着するの
を避けられない電着法は好ましくなく、カラーブラウン
管の製造においてR,G,B蛍光体を高精細にパターニ
ングする方法として知られるスラリー法が適している。
野において、蛍光体を所定パターンの蛍光膜に形成する
方法は各種知られている。しかしながら、前述したフル
カラーグラフィック蛍光表示管の蛍光膜のように、R,
G,Bの3種類の蛍光体で所定パターンの蛍光膜を形成
する場合等には、不必要な蛍光体が物理的に付着するの
を避けられない電着法は好ましくなく、カラーブラウン
管の製造においてR,G,B蛍光体を高精細にパターニ
ングする方法として知られるスラリー法が適している。
【0004】スラリー法によれば、まずPVA(ポリビ
ニルアルコール)水溶性樹脂に感光材として重クロム酸
アンモニウム(ADC)を混合し、感光性樹脂水溶液を
得る。これに蛍光体粒子を混合し、スラリー液を形成す
る。
ニルアルコール)水溶性樹脂に感光材として重クロム酸
アンモニウム(ADC)を混合し、感光性樹脂水溶液を
得る。これに蛍光体粒子を混合し、スラリー液を形成す
る。
【0005】前記スラリー液を、蛍光膜を形成する対象
物、例えばガラス基板上に均一に塗布して乾燥する。所
定パターンのマスクを通してこれに紫外線を露光し、水
現像によって露光した部分のみを残す。R,G,Bの3
種類の蛍光体を用いる場合は、前記工程を3回繰り返
す。
物、例えばガラス基板上に均一に塗布して乾燥する。所
定パターンのマスクを通してこれに紫外線を露光し、水
現像によって露光した部分のみを残す。R,G,Bの3
種類の蛍光体を用いる場合は、前記工程を3回繰り返
す。
【0006】その後、430〜450℃で前記ガラス基
板を10〜20分焼成してPVA及びADCを熱分解
し、これを蒸発させて除去し、蛍光膜が完成する。
板を10〜20分焼成してPVA及びADCを熱分解
し、これを蒸発させて除去し、蛍光膜が完成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】感光材としてADCを
使用した場合には、ADCがCrを含有しているため、
焼成後には酸化クロムCrOが蛍光膜の表面に残ってし
まうことがあった。このCr等は蛍光体に微量含有され
ただけで発光のキラーとして作用することが知られてい
るが、CRTのように高速電子線で蛍光体の内部まで発
光させる場合には、キラー効果は生じない。しかしなが
ら、比較的低速な電子線(例えば加速電圧0.1〜2k
V)によって発光する蛍光体の場合には、このキラー効
果によって発光効率が50%以上も低下してしまうこと
がある。
使用した場合には、ADCがCrを含有しているため、
焼成後には酸化クロムCrOが蛍光膜の表面に残ってし
まうことがあった。このCr等は蛍光体に微量含有され
ただけで発光のキラーとして作用することが知られてい
るが、CRTのように高速電子線で蛍光体の内部まで発
光させる場合には、キラー効果は生じない。しかしなが
ら、比較的低速な電子線(例えば加速電圧0.1〜2k
V)によって発光する蛍光体の場合には、このキラー効
果によって発光効率が50%以上も低下してしまうこと
がある。
【0008】前記キラーが蛍光面に残存しない他の蛍光
面の形成方法としては、PVA−SbQ法が知られてい
る。この方法で用いられる感光材は、PVAを主鎖と
し、感光基としてスチリルピリジニウム基(SbQと略
称される)を側鎖に有する水溶性感光樹脂である。な
お、その使用方法はADCを感光材として使用したスラ
リー法の場合と同じである。
面の形成方法としては、PVA−SbQ法が知られてい
る。この方法で用いられる感光材は、PVAを主鎖と
し、感光基としてスチリルピリジニウム基(SbQと略
称される)を側鎖に有する水溶性感光樹脂である。な
お、その使用方法はADCを感光材として使用したスラ
リー法の場合と同じである。
【0009】前述したPVA−SbQ法には、ADCの
ような欠点はない。しかしながら、SbQ基は紫外線で
反応して重合すると熱安定度の高い樹脂を形成するの
で、ADCのように450℃以下の温度では完全には熱
分解することができない。従って、450℃以下の温度
で焼成したのでは、バインダー成分が蛍光体の表面に付
着し、または残存したバインダー成分吸収作用により、
蛍光体の発光が妨げられてしまう。
ような欠点はない。しかしながら、SbQ基は紫外線で
反応して重合すると熱安定度の高い樹脂を形成するの
で、ADCのように450℃以下の温度では完全には熱
分解することができない。従って、450℃以下の温度
で焼成したのでは、バインダー成分が蛍光体の表面に付
着し、または残存したバインダー成分吸収作用により、
蛍光体の発光が妨げられてしまう。
【0010】そこで、焼成温度を480℃程度にまで上
げれば前記樹脂を完全に熱分解できるが、そうすると蛍
光体、特に硫化物系蛍光体の表面が熱酸化してしまう。
前述した比較的低速な電子線は蛍光体の表面を発光させ
るので、樹脂を完全に熱分解するために焼成温度を45
0℃以上とすると、蛍光体の表面が酸化して発光効率が
低下するという別の問題が生じてしまう。
げれば前記樹脂を完全に熱分解できるが、そうすると蛍
光体、特に硫化物系蛍光体の表面が熱酸化してしまう。
前述した比較的低速な電子線は蛍光体の表面を発光させ
るので、樹脂を完全に熱分解するために焼成温度を45
0℃以上とすると、蛍光体の表面が酸化して発光効率が
低下するという別の問題が生じてしまう。
【0011】また、前述のようにして形成された蛍光膜
においては、蛍光体の密着強度が十分でないという問題
もあった。
においては、蛍光体の密着強度が十分でないという問題
もあった。
【0012】本発明は、キラー成分を含まず、450℃
以上の温度で焼成しても蛍光体粒子が熱酸化せず、しか
も緻密で密着力が高く、比較的低速な電子線(例えば加
速電圧0.1〜2kV)によって高い発光効率で発光す
る蛍光膜と、その製造方法を提供することを目的として
いる。
以上の温度で焼成しても蛍光体粒子が熱酸化せず、しか
も緻密で密着力が高く、比較的低速な電子線(例えば加
速電圧0.1〜2kV)によって高い発光効率で発光す
る蛍光膜と、その製造方法を提供することを目的として
いる。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載された蛍
光膜は、表面に耐熱保護層が形成された蛍光体粒子と、
スチリルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂から成
ることを特徴とする。
光膜は、表面に耐熱保護層が形成された蛍光体粒子と、
スチリルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂から成
ることを特徴とする。
【0014】請求項2に記載された蛍光膜形成方法は、
蛍光体粒子の表面に耐熱保護層を形成する工程と、スチ
リルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂と前記蛍光
体粒子を混合して蛍光体スラリーを形成する工程と、前
記蛍光体スラリーを用いてフォトリソグラフィ法で基板
上に所定のパターンで蛍光体の膜を形成する工程と、前
記蛍光体の膜が形成されたを450℃以上で焼成する工
程を有することを特徴としている。
蛍光体粒子の表面に耐熱保護層を形成する工程と、スチ
リルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂と前記蛍光
体粒子を混合して蛍光体スラリーを形成する工程と、前
記蛍光体スラリーを用いてフォトリソグラフィ法で基板
上に所定のパターンで蛍光体の膜を形成する工程と、前
記蛍光体の膜が形成されたを450℃以上で焼成する工
程を有することを特徴としている。
【0015】
【実施例】加速電圧0.1〜2kVの電子線によって高
輝度で発光する本実施例の蛍光膜の構成及びその製造方
法について説明する。まず、本実施例の蛍光膜を構成す
る蛍光体における付活剤の濃度について、本発明者等の
知見を説明する。
輝度で発光する本実施例の蛍光膜の構成及びその製造方
法について説明する。まず、本実施例の蛍光膜を構成す
る蛍光体における付活剤の濃度について、本発明者等の
知見を説明する。
【0016】前述したR,G,Bの蛍光体を100V以
下の低速電子線で発光させる場合、従来はIn2 O3 等
の導電物質を蛍光体に数%程度混合して抵抗を小さくし
ていたので、CuやAgの付活量は150〜200pp
m程度とあまり高くする必要はなかった。
下の低速電子線で発光させる場合、従来はIn2 O3 等
の導電物質を蛍光体に数%程度混合して抵抗を小さくし
ていたので、CuやAgの付活量は150〜200pp
m程度とあまり高くする必要はなかった。
【0017】しかしながら、本発明者等の認識する所に
よれば、数百V(例えば0.1〜2kVの範囲)の加速
電圧で加速された電子線で蛍光体を発光させる場合に
は、TV用の高速電子線によって発光させる蛍光体の付
活量に近い付活量とした方が蛍光体の発光輝度は高くな
る。
よれば、数百V(例えば0.1〜2kVの範囲)の加速
電圧で加速された電子線で蛍光体を発光させる場合に
は、TV用の高速電子線によって発光させる蛍光体の付
活量に近い付活量とした方が蛍光体の発光輝度は高くな
る。
【0018】次は、0.1〜2kVの範囲の加速電圧で
加速された電子線で発光させるG,B,Rの各発光色の
蛍光体において、その発光輝度が従来よりも高くなるよ
うな付活量の一例を示すものである。 (G) ZnS:Cu,Al 付活量はCu600〜1
500ppm,Al500〜1500ppm (B) ZnS:Ag,Al 付活量はAg1000〜
3000ppm,Al400〜900ppm (R) Y2 O2 S:Eu 付活量はEu1〜15%
加速された電子線で発光させるG,B,Rの各発光色の
蛍光体において、その発光輝度が従来よりも高くなるよ
うな付活量の一例を示すものである。 (G) ZnS:Cu,Al 付活量はCu600〜1
500ppm,Al500〜1500ppm (B) ZnS:Ag,Al 付活量はAg1000〜
3000ppm,Al400〜900ppm (R) Y2 O2 S:Eu 付活量はEu1〜15%
【0019】本実施例の蛍光体は、前述のような蛍光体
にケイ酸カリ、シリカ、Znで耐熱処理を施し、各粒子
の表面にこれらの物質からなる保護層を形成したもので
ある。従って、高い温度で焼成しても蛍光体粒子の表面
が酸化することはない。
にケイ酸カリ、シリカ、Znで耐熱処理を施し、各粒子
の表面にこれらの物質からなる保護層を形成したもので
ある。従って、高い温度で焼成しても蛍光体粒子の表面
が酸化することはない。
【0020】また、本実施例の蛍光体は、その粒子径が
2〜8μm、より好ましくは2〜4μmと細かい。この
ため所定形状の蛍光膜に形成する時のパターニング性が
良好で構造も緻密になるため粒子間の密着性が強く、蛍
光膜としての強度が高い。
2〜8μm、より好ましくは2〜4μmと細かい。この
ため所定形状の蛍光膜に形成する時のパターニング性が
良好で構造も緻密になるため粒子間の密着性が強く、蛍
光膜としての強度が高い。
【0021】次に、本実施例の蛍光膜を構成する以上の
ような蛍光体の製造工程について、2種類の蛍光体を例
に挙げてより具体的に説明する。 (1)ZnS:Cu,Al蛍光体の場合 原料調整 ZnSに、Cu600〜1500ppm,Al500〜
1000ppm,NaCl等のフラックスを適当量添加
し、原料を調整する。一例としては、ZnSを1kg、
CuSO4 を2.51g(Cuに換算して1000pp
m)、Al2 (SO4 )3 を5.38g(Alに換算し
て850ppm)、NaClを1g(フラックスとして
添加)、湿式で混合して乾燥する。ここで、Cu量を変
更する場合は上記と同じ比率になるようにAl量も変更
する。
ような蛍光体の製造工程について、2種類の蛍光体を例
に挙げてより具体的に説明する。 (1)ZnS:Cu,Al蛍光体の場合 原料調整 ZnSに、Cu600〜1500ppm,Al500〜
1000ppm,NaCl等のフラックスを適当量添加
し、原料を調整する。一例としては、ZnSを1kg、
CuSO4 を2.51g(Cuに換算して1000pp
m)、Al2 (SO4 )3 を5.38g(Alに換算し
て850ppm)、NaClを1g(フラックスとして
添加)、湿式で混合して乾燥する。ここで、Cu量を変
更する場合は上記と同じ比率になるようにAl量も変更
する。
【0022】焼成 上記原料をルツボに移し、H2 Sの還元雰囲気において
800〜1000℃で焼成する。一例としては、内容量
1lの石英製ルツボに上記原料を移し、H2 Sの還元雰
囲気において900℃で焼成する。ここで、目標とする
蛍光体の粒子径に応じて焼成温度を調整する。焼成温度
を高くすると粒子径は大きくなり、低くすると小さくな
る。
800〜1000℃で焼成する。一例としては、内容量
1lの石英製ルツボに上記原料を移し、H2 Sの還元雰
囲気において900℃で焼成する。ここで、目標とする
蛍光体の粒子径に応じて焼成温度を調整する。焼成温度
を高くすると粒子径は大きくなり、低くすると小さくな
る。
【0023】処理 純水5lを攪拌しながら前記蛍光体1kgを投入し、3
0分間攪拌して余分なフラックスを洗い流す。この洗浄
操作を5回繰り返す。
0分間攪拌して余分なフラックスを洗い流す。この洗浄
操作を5回繰り返す。
【0024】洗浄した前記蛍光体に純水を加えて全量を
5lとし、超音波を30分間用いて蛍光体を分散させ、
固まりをほぐす。
5lとし、超音波を30分間用いて蛍光体を分散させ、
固まりをほぐす。
【0025】熱処理工程での蛍光体の劣化を防ぐため、
ケイ酸カリ・シリカ(粒径50nm)・Znを、純水中
に分散した前記蛍光体に添加し、PHを7.4に調節す
ることによってこれらの物質で蛍光体の表面をコートす
る。一例としては、ケイ酸カリ(SiO2 換算で0.1
g)、シリカ5gを添加後、攪拌しながらZnSO4溶
液(Zn0.5g含有)を滴下する。その後、アンモニ
ア水を用い、PHを7.4に調整する。
ケイ酸カリ・シリカ(粒径50nm)・Znを、純水中
に分散した前記蛍光体に添加し、PHを7.4に調節す
ることによってこれらの物質で蛍光体の表面をコートす
る。一例としては、ケイ酸カリ(SiO2 換算で0.1
g)、シリカ5gを添加後、攪拌しながらZnSO4溶
液(Zn0.5g含有)を滴下する。その後、アンモニ
ア水を用い、PHを7.4に調整する。
【0026】蛍光膜を製造する際の塗布特性安定化のた
め、脱水・乾燥後、ナイロン#460を用いて前記蛍光
体をふるいにかけ、粗大粒子を除去する。蛍光体の粒子
は所定の粒度に揃えられ、蛍光膜を製造する際の塗布特
性が向上し、製造された蛍光膜の結合強度が高まる。
め、脱水・乾燥後、ナイロン#460を用いて前記蛍光
体をふるいにかけ、粗大粒子を除去する。蛍光体の粒子
は所定の粒度に揃えられ、蛍光膜を製造する際の塗布特
性が向上し、製造された蛍光膜の結合強度が高まる。
【0027】(1)ZnS:Ag,Al蛍光体の場合 原料調整 ZnSに、Ag1000〜3000ppm,Al400
〜900ppm,NaCl等のフラックスを適当量添加
し、原料を調整する。一例としては、ZnSを1kg、
Ag2 SO4 を2.05g(Agに換算して1500p
pm)、Al2(SO4 )3 を4.75g(Alに換算
して750ppm)、NaClを1g(フラックスとし
て添加)、湿式で混合して乾燥する。ここで、Ag量を
変更する場合は上記と同じ比率になるようにAl量も変
更する。
〜900ppm,NaCl等のフラックスを適当量添加
し、原料を調整する。一例としては、ZnSを1kg、
Ag2 SO4 を2.05g(Agに換算して1500p
pm)、Al2(SO4 )3 を4.75g(Alに換算
して750ppm)、NaClを1g(フラックスとし
て添加)、湿式で混合して乾燥する。ここで、Ag量を
変更する場合は上記と同じ比率になるようにAl量も変
更する。
【0028】焼成 上記原料をルツボに移し、H2 Sの還元雰囲気において
800〜1000℃で焼成する。一例としては、内容量
1lの石英製ルツボに上記原料を移し、H2 Sの還元雰
囲気において900℃で焼成する。ここで、目標とする
蛍光体の粒子径に応じて焼成温度を調整する。焼成温度
を高くすると粒子径は大きくなり、低くすると小さくな
る。
800〜1000℃で焼成する。一例としては、内容量
1lの石英製ルツボに上記原料を移し、H2 Sの還元雰
囲気において900℃で焼成する。ここで、目標とする
蛍光体の粒子径に応じて焼成温度を調整する。焼成温度
を高くすると粒子径は大きくなり、低くすると小さくな
る。
【0029】処理 純水5lを攪拌しながら前記蛍光体1kgを投入し、3
0分間攪拌して余分なフラックスを洗い流す。この洗浄
操作を5回繰り返す。
0分間攪拌して余分なフラックスを洗い流す。この洗浄
操作を5回繰り返す。
【0030】洗浄した前記蛍光体に純水を加えて全量を
5lとし、超音波を30分間用いて蛍光体を分散させ、
固まりをほぐす。
5lとし、超音波を30分間用いて蛍光体を分散させ、
固まりをほぐす。
【0031】熱処理工程での蛍光体の劣化を防ぐため、
ケイ酸カリ・シリカ(粒径50nm)・Znを、純水中
に分散した前記蛍光体に添加し、PHを7.4に調節す
ることによってこれらの物質で蛍光体の表面をコートす
る。一例としては、ケイ酸カリ(SiO2 換算で0.1
g)、シリカ5gを添加後、攪拌しながらZnSO4溶
液(Zn0.5g含有)を滴下する。その後、アンモニ
ア水を用い、PHを7.4に調整する。
ケイ酸カリ・シリカ(粒径50nm)・Znを、純水中
に分散した前記蛍光体に添加し、PHを7.4に調節す
ることによってこれらの物質で蛍光体の表面をコートす
る。一例としては、ケイ酸カリ(SiO2 換算で0.1
g)、シリカ5gを添加後、攪拌しながらZnSO4溶
液(Zn0.5g含有)を滴下する。その後、アンモニ
ア水を用い、PHを7.4に調整する。
【0032】蛍光膜を製造する際の塗布特性安定化のた
め、脱水・乾燥後、ナイロン#460を用いて前記蛍光
体をふるいにかけ、粗大粒子を除去する。蛍光体の粒子
は所定の粒度に揃えられ、蛍光膜を製造する際の塗布特
性が向上し、製造された蛍光膜の結合強度が高まる。
め、脱水・乾燥後、ナイロン#460を用いて前記蛍光
体をふるいにかけ、粗大粒子を除去する。蛍光体の粒子
は所定の粒度に揃えられ、蛍光膜を製造する際の塗布特
性が向上し、製造された蛍光膜の結合強度が高まる。
【0033】次に、感光基としてスチリルピリジニウム
基(SbQ)が1〜5%導入されているPVA(ポリビ
ニルアルコール)を感光性樹脂として使用し、前記蛍光
体を用いて下記のような成分比でスラリー液を製造す
る。
基(SbQ)が1〜5%導入されているPVA(ポリビ
ニルアルコール)を感光性樹脂として使用し、前記蛍光
体を用いて下記のような成分比でスラリー液を製造す
る。
【0034】 蛍光体 25wt% PVA−SbQ 10wt% 分散剤(界面活性剤) 0.2wt% 純水 64.8wt%
【0035】R,G,Bの各発光色の蛍光体について、
それぞれ上記スラリー液を調合する。そして、各スラリ
ー液ごとに、フォトリソグラフィ法でガラス基板上に所
定のパターンを形成していく。蛍光膜のパターンが形成
された後、該ガラス基板を450℃以上好ましくは45
0〜480℃で20分間焼成する。
それぞれ上記スラリー液を調合する。そして、各スラリ
ー液ごとに、フォトリソグラフィ法でガラス基板上に所
定のパターンを形成していく。蛍光膜のパターンが形成
された後、該ガラス基板を450℃以上好ましくは45
0〜480℃で20分間焼成する。
【0036】本実施例によれば、蛍光膜を形成する原料
物質中に蛍光体の発光効率を低減させるキラー成分は含
まれていない。また、本実施例で用いた感光性樹脂とし
てのPVA−SbQは熱安定度が高いが、感光剤として
ADCを用いた従来の方法に比べて高い温度で焼成する
ので、このPVA−SbQは確実に熱分解される。従っ
て、残存したPVA−SbQのバインダ成分等によって
蛍光体の発光輝度が低下してしまうことはない。さら
に、このような比較的高温の焼成を行っても、本実施例
の蛍光体は各粒子が耐熱性の保護層で被覆されているの
で、その表面が酸化してしまうことはなく、この点にお
いても蛍光体の発光効率が低下するおそれはない。
物質中に蛍光体の発光効率を低減させるキラー成分は含
まれていない。また、本実施例で用いた感光性樹脂とし
てのPVA−SbQは熱安定度が高いが、感光剤として
ADCを用いた従来の方法に比べて高い温度で焼成する
ので、このPVA−SbQは確実に熱分解される。従っ
て、残存したPVA−SbQのバインダ成分等によって
蛍光体の発光輝度が低下してしまうことはない。さら
に、このような比較的高温の焼成を行っても、本実施例
の蛍光体は各粒子が耐熱性の保護層で被覆されているの
で、その表面が酸化してしまうことはなく、この点にお
いても蛍光体の発光効率が低下するおそれはない。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、蛍光体を耐熱性の保護
層で覆ったので、SbQ基を有するキラー成分を含まな
い感光性樹脂を用いてパターニングした後、比較的高温
で焼成して前記SbQ基を完全に熱分解することができ
る。このため、0.1〜2kVの加速電圧で加速された
電子線によって高輝度に発光する蛍光膜を得ることがで
きた。
層で覆ったので、SbQ基を有するキラー成分を含まな
い感光性樹脂を用いてパターニングした後、比較的高温
で焼成して前記SbQ基を完全に熱分解することができ
る。このため、0.1〜2kVの加速電圧で加速された
電子線によって高輝度に発光する蛍光膜を得ることがで
きた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山浦 辰雄 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 表面に耐熱保護層が形成された蛍光体粒
子と、スチリルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂
から成る蛍光膜。 - 【請求項2】 蛍光体粒子の表面に耐熱保護層を形成す
る工程と、スチリルピリジニウム感光基を有する感光性
樹脂と前記蛍光体粒子を混合して蛍光体スラリーを形成
する工程と、前記蛍光体スラリーを用いてフォトリソグ
ラフィ法で基板上に所定のパターンで蛍光体の膜を形成
する工程と、前記蛍光体の膜が形成された基板を450
℃以上で焼成する工程を有する蛍光膜形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25792893A JPH07114898A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 |
FR9412266A FR2711272A1 (fr) | 1993-10-15 | 1994-10-14 | Boue luminophore entrant dans la composition d'une couche excitée par des électrons à basse vitesse dans un écran de visualisation fluorescent et procédé de fabrication de ladite couche luminophore. |
KR1019940026461A KR100191560B1 (ko) | 1993-10-15 | 1994-10-15 | 형광 디스플레이 장치에서 저속 전자- 여기 형광막을 생성하는데 사용하기 위한 형광체 슬러리 및 그 형광막의 제조방법 |
CN94117297A CN1097285C (zh) | 1993-10-15 | 1994-10-15 | 荧光层及其制备方法 |
TW083109596A TW336253B (en) | 1993-10-15 | 1994-10-17 | Phosphor layer comprized phosphor particles having a heat resistant and protective layer for use in a fluorescent-display device and method for producing said phosphor layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25792893A JPH07114898A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07114898A true JPH07114898A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17313147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25792893A Pending JPH07114898A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07114898A (ja) |
KR (1) | KR100191560B1 (ja) |
CN (1) | CN1097285C (ja) |
FR (1) | FR2711272A1 (ja) |
TW (1) | TW336253B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5994008A (en) * | 1996-04-18 | 1999-11-30 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Composition for forming fluorescent film for display and method of forming fluorescent film for display |
KR100229316B1 (ko) * | 1996-10-14 | 1999-11-01 | 구자홍 | 칼라음극선관의 형광막 슬러리 조성물 |
FR2867897A1 (fr) * | 2004-03-22 | 2005-09-23 | Saint Gobain | Systeme eclairant a haute performance mecanique et optique |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3887753A (en) * | 1966-07-22 | 1975-06-03 | Matsushita Electronics Corp | Fluorescent film for color picture tube and process of preparing same |
JPS5559649A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-06 | Toshiba Corp | Quick start fluorescent lamp |
DE3277086D1 (en) * | 1981-12-11 | 1987-10-01 | Toshiba Kk | Composition for and method of making picture tube fluorescent screen |
JPS58164677A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Toshiba Corp | 受像管螢光面形成用組成物及び受像管螢光面形成方法 |
JPS5949278A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Toshiba Corp | カラ−受像管「けい」光面形成方法 |
JP3033976B2 (ja) * | 1990-05-18 | 2000-04-17 | 化成オプトニクス株式会社 | 蛍光体及びその製造方法 |
JP3007893B2 (ja) * | 1990-07-09 | 2000-02-07 | 化成オプトニクス株式会社 | 低速電子線用発光組成物 |
JP2837619B2 (ja) * | 1993-09-27 | 1998-12-16 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光面形成用感光性組成物 |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP25792893A patent/JPH07114898A/ja active Pending
-
1994
- 1994-10-14 FR FR9412266A patent/FR2711272A1/fr active Granted
- 1994-10-15 CN CN94117297A patent/CN1097285C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-15 KR KR1019940026461A patent/KR100191560B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-10-17 TW TW083109596A patent/TW336253B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1097285C (zh) | 2002-12-25 |
FR2711272B1 (ja) | 1997-02-28 |
KR100191560B1 (ko) | 1999-06-15 |
CN1111807A (zh) | 1995-11-15 |
TW336253B (en) | 1998-07-11 |
FR2711272A1 (fr) | 1995-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6021675B2 (ja) | カラ−テレビジョン用螢光体 | |
US3005708A (en) | Method of making a screen member | |
JPH07114898A (ja) | 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 | |
JP2001303037A (ja) | カラープラズマディスプレイパネル用青色蛍光体 | |
EP0025211B1 (en) | Method of forming fluorescent screens of color picture tubes | |
JPS6241371B2 (ja) | ||
US4425528A (en) | Color picture tubes and method of manufacturing the same | |
JP3190568B2 (ja) | ディスプレイ用蛍光膜形成組成物及びディスプレイ用蛍光膜の形成方法 | |
JPH10172460A (ja) | 二重層蛍光膜およびその製造方法 | |
JPH08106859A (ja) | カラー陰極線管 | |
JPH09263755A (ja) | 蛍光体およびカラー陰極線管 | |
JPS6160534B2 (ja) | ||
JPH0559357A (ja) | 窒化ホウ素で表面処理された蛍光体 | |
JP3491448B2 (ja) | 陰極線管用蛍光体および蛍光体スラリー | |
JPH06139951A (ja) | カラー陰極線管の蛍光面 | |
JPS5981832A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
KR100199558B1 (ko) | 플리커리스 브라운관용 가시 형광체 및 uv 형광체의 이중 형광막 | |
JPH11162348A (ja) | 蛍光体膜の形成方法、蛍光体膜形成液及び蛍光体膜 | |
JP3243093B2 (ja) | 硫化亜鉛蛍光体およびそれを用いた陰極線管 | |
KR20040111712A (ko) | 표시장치 | |
JPS63307645A (ja) | カラ−陰極線管 | |
JP2723717B2 (ja) | 蛍光表示管 | |
JPH1050212A (ja) | 蛍光面形成方法 | |
JPS5973829A (ja) | けい光面の形成方法 | |
JPS63279539A (ja) | 陰極線管の製造方法 |