JPH07105370B2 - 半導体ウエハの裏面加工方法 - Google Patents
半導体ウエハの裏面加工方法Info
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- JPH07105370B2 JPH07105370B2 JP61240040A JP24004086A JPH07105370B2 JP H07105370 B2 JPH07105370 B2 JP H07105370B2 JP 61240040 A JP61240040 A JP 61240040A JP 24004086 A JP24004086 A JP 24004086A JP H07105370 B2 JPH07105370 B2 JP H07105370B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体の製造工程における半導体ウェハの裏
面加工方法に関する。
面加工方法に関する。
〈従来の技術〉 従来から、ダイオードやトランジスタなどの一般的な半
導体の製造工程においては、第４図（ａ）の工程図に示
すように、シリコンからなる半導体ウェハの裏面に対し
てサンドブラストや砥石などによる研削加工を行って半
導体ウェハの厚みを薄くし、かつこの裏面をエッチング
処理により平滑に仕上げたうえ、平滑な裏面にメタル層
を形成することが行われている。
導体の製造工程においては、第４図（ａ）の工程図に示
すように、シリコンからなる半導体ウェハの裏面に対し
てサンドブラストや砥石などによる研削加工を行って半
導体ウェハの厚みを薄くし、かつこの裏面をエッチング
処理により平滑に仕上げたうえ、平滑な裏面にメタル層
を形成することが行われている。
この際、半導体ウェハ30の表面30aには、第５図に示す
ような加工パターン31,…が既に形成されているので、
裏面加工処理による影響を被らないために表面保護処理
が施される。このような表面保護処理の第１の方法とし
ては、第４図（ｂ）に手順を示すように、保護シートを
用い、かつレジスト膜を形成する方法、また、第２の方
法としては、第４図（ｃ）に手順を示すように、レジス
ト膜を２度にわたって形成する方法が知られている。な
お、第６図（ａ），（ｂ）は、これらの方法が実施され
た状態の半導体ウェハ30を示す側面図であって、第６図
（ａ）中の符号32は保護シート、第６図（ｂ）中の符号
33はレジスト膜である。
ような加工パターン31,…が既に形成されているので、
裏面加工処理による影響を被らないために表面保護処理
が施される。このような表面保護処理の第１の方法とし
ては、第４図（ｂ）に手順を示すように、保護シートを
用い、かつレジスト膜を形成する方法、また、第２の方
法としては、第４図（ｃ）に手順を示すように、レジス
ト膜を２度にわたって形成する方法が知られている。な
お、第６図（ａ），（ｂ）は、これらの方法が実施され
た状態の半導体ウェハ30を示す側面図であって、第６図
（ａ）中の符号32は保護シート、第６図（ｂ）中の符号
33はレジスト膜である。
つぎに、このような半導体ウェハの裏面加工方法につい
て、それぞれ説明する。
て、それぞれ説明する。
第１の方法においては、まず、半導体ウェハ30の表面30
aにプラスチックからなる保護シート32を貼付したの
ち、その裏面30bの研削加工を行い、この研削加工終了
後に保護シート32を除去する。つぎに、半導体ウェハ30
の表面30aに、エッチング溶液の侵入を防止し得るレジ
スト膜33を形成したうえで、液相もしくは気相によるエ
ッチング処理を行い、その裏面30bを平滑に仕上げたの
ち、レジスト膜33を除去する。そして、レジスト膜33を
除去したのち、蒸着処理によって半導体ウェハ30の裏面
30bにメタル層を形成している。
aにプラスチックからなる保護シート32を貼付したの
ち、その裏面30bの研削加工を行い、この研削加工終了
後に保護シート32を除去する。つぎに、半導体ウェハ30
の表面30aに、エッチング溶液の侵入を防止し得るレジ
スト膜33を形成したうえで、液相もしくは気相によるエ
ッチング処理を行い、その裏面30bを平滑に仕上げたの
ち、レジスト膜33を除去する。そして、レジスト膜33を
除去したのち、蒸着処理によって半導体ウェハ30の裏面
30bにメタル層を形成している。
このように、エッチング処理の前段で保護シート32を剥
離してレジスト膜33を形成するのは、つぎのような理由
による。すなわち、一般的に半導体ウェハ30の表面30a
では、第５図に示すように、加工パターン31,…を構成
する分割溝34,…が半導体ウェハ30の周縁にまで到達し
ている。半導体ウェハ表面30aに貼付した保護シート32
の接着剤35は分割溝34,…が微小な寸法であることか
ら、これらの分割溝34,…を埋め込んで密封してしまう
ことができない。そのため、裏面研削加工前に貼付した
保護シート32を半導体ウェハ表面30aに貼付した状態の
ままでエッチング処理を行うと、半導体ウェハ30の周縁
の開口した分割溝34,…からエッチング溶液、いわゆる
エッチャントが侵入して加工パターン31,…を浸食する
というような不都合が発生する。このような不都合の発
生を防止するために、保護シート32を剥離したうえ、レ
ジスト膜33を厚く形成して分割溝34,…の開口を埋め込
まなければならない。
離してレジスト膜33を形成するのは、つぎのような理由
による。すなわち、一般的に半導体ウェハ30の表面30a
では、第５図に示すように、加工パターン31,…を構成
する分割溝34,…が半導体ウェハ30の周縁にまで到達し
ている。半導体ウェハ表面30aに貼付した保護シート32
の接着剤35は分割溝34,…が微小な寸法であることか
ら、これらの分割溝34,…を埋め込んで密封してしまう
ことができない。そのため、裏面研削加工前に貼付した
保護シート32を半導体ウェハ表面30aに貼付した状態の
ままでエッチング処理を行うと、半導体ウェハ30の周縁
の開口した分割溝34,…からエッチング溶液、いわゆる
エッチャントが侵入して加工パターン31,…を浸食する
というような不都合が発生する。このような不都合の発
生を防止するために、保護シート32を剥離したうえ、レ
ジスト膜33を厚く形成して分割溝34,…の開口を埋め込
まなければならない。
また、第２の方法においては、半導体ウェハ30の表面30
aにレジスト膜33を形成したのち、その裏面30bの研削加
工を行い、この研削加工によって損傷を被ったレジスト
膜33を一旦除去して、再度、レジスト膜33を形成する。
つぎに、液相もしくは気相によるエッチング処理を行
い、半導体ウェハ30の裏面30bを平滑に仕上げたのち、
レジスト膜33を除去する。そして、このレジスト膜33を
除去したのち、半導体ウェハ30の裏面30bに対し蒸着処
理を行い、メタル層を形成している。
aにレジスト膜33を形成したのち、その裏面30bの研削加
工を行い、この研削加工によって損傷を被ったレジスト
膜33を一旦除去して、再度、レジスト膜33を形成する。
つぎに、液相もしくは気相によるエッチング処理を行
い、半導体ウェハ30の裏面30bを平滑に仕上げたのち、
レジスト膜33を除去する。そして、このレジスト膜33を
除去したのち、半導体ウェハ30の裏面30bに対し蒸着処
理を行い、メタル層を形成している。
〈発明が解決しようとする問題点〉 このように、第１および第２のいずれの裏面加工方法に
おいても、半導体ウェハ30のエッチング処理毎に、保護
シート32を剥離してレジスト膜33を形成したり、レジス
ト膜33を形成し直したりする必要があるため、半導体ウ
ェハ30の裏面加工処理は手間がかかり、かつ生産性の悪
いものとなっていた。しかも、厚みの薄い半導体ウェハ
30に対して耐酸性を得るためにレジスト膜33を厚く形成
しなければならないので、この点でも作業性が悪かっ
た。
おいても、半導体ウェハ30のエッチング処理毎に、保護
シート32を剥離してレジスト膜33を形成したり、レジス
ト膜33を形成し直したりする必要があるため、半導体ウ
ェハ30の裏面加工処理は手間がかかり、かつ生産性の悪
いものとなっていた。しかも、厚みの薄い半導体ウェハ
30に対して耐酸性を得るためにレジスト膜33を厚く形成
しなければならないので、この点でも作業性が悪かっ
た。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、表面保護処理に要
する手間を省いて生産性の向上を図ることができる半導
体ウェハの裏面加工方法の提供を目的とする。
する手間を省いて生産性の向上を図ることができる半導
体ウェハの裏面加工方法の提供を目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、半導体ウ
ェハの表面の周囲に加工パターンが形成されない平滑面
部を残存させておき、その表面に保護シートを貼付して
全面を覆ったのち、半導体ウェハの裏面に対して研削加
工を行い、かつ前記表面に前記保護シートを貼付した状
態で前記裏面をエッチング処理によって平滑に仕上げた
うえ、前記表面から前記保護シートを剥離したのち、前
記裏面にメタル層を形成することに特徴を有するもので
ある。
ェハの表面の周囲に加工パターンが形成されない平滑面
部を残存させておき、その表面に保護シートを貼付して
全面を覆ったのち、半導体ウェハの裏面に対して研削加
工を行い、かつ前記表面に前記保護シートを貼付した状
態で前記裏面をエッチング処理によって平滑に仕上げた
うえ、前記表面から前記保護シートを剥離したのち、前
記裏面にメタル層を形成することに特徴を有するもので
ある。
〈実施例〉 以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第１図は半導体ウェハの加工処理工程図、第２図は加工
処理される半導体ウェハの平面図、第３図は表面保護処
理が実施された状態の半導体ウェハの側面図である。第
２図および第３図における符号10はシリコンなどからな
る半導体ウェハであって、この半導体ウェハ10の表面10
aには分割溝11,…で区切られた多数の加工パターン12,
…が形成され、かつ表面10aの周囲には加工パターンが
形成されない平滑面部13が残存させられている。また、
第３図における符号14は、半導体ウェハ表面10aを保護
するための保護シートであって、耐酸性を有するプラス
チックなどからなっている。
処理される半導体ウェハの平面図、第３図は表面保護処
理が実施された状態の半導体ウェハの側面図である。第
２図および第３図における符号10はシリコンなどからな
る半導体ウェハであって、この半導体ウェハ10の表面10
aには分割溝11,…で区切られた多数の加工パターン12,
…が形成され、かつ表面10aの周囲には加工パターンが
形成されない平滑面部13が残存させられている。また、
第３図における符号14は、半導体ウェハ表面10aを保護
するための保護シートであって、耐酸性を有するプラス
チックなどからなっている。
つぎに、このような半導体ウェハ10に対する加工処理に
ついて、第１図（ａ）に示す裏面処理の工程図および第
１図（ｂ）の表面保護処理の工程図に基づき、順次説明
する。
ついて、第１図（ａ）に示す裏面処理の工程図および第
１図（ｂ）の表面保護処理の工程図に基づき、順次説明
する。
まず、半導体ウェハ10の表面10aに形成された加工パタ
ーン12,…が裏面加工処理によって不都合な影響を被ら
ないように、半導体ウェハ表面10に保護シート14を貼付
し、その全面を覆う。そののち、この半導体ウェハ10の
裏面10bに対してサンドブラストや砥石などによる研削
加工を行ってその厚みを薄くする。
ーン12,…が裏面加工処理によって不都合な影響を被ら
ないように、半導体ウェハ表面10に保護シート14を貼付
し、その全面を覆う。そののち、この半導体ウェハ10の
裏面10bに対してサンドブラストや砥石などによる研削
加工を行ってその厚みを薄くする。
つぎに、半導体ウェハ表面10aに保護シート14を貼付し
た状態のままで、液相もしくは気相によるエッチング処
理を行い、その裏面10bを平滑に仕上げる。このとき、
半導体ウェハ10の表面10aに形成された分割溝11,…は表
面10aの周縁にまで到達していないので周縁が保護シー
ト14によって封止され、半導体ウェハ表面10aにエッチ
ャントが侵入して加工パターン12,…に不都合な影響を
及ぼすことはない。
た状態のままで、液相もしくは気相によるエッチング処
理を行い、その裏面10bを平滑に仕上げる。このとき、
半導体ウェハ10の表面10aに形成された分割溝11,…は表
面10aの周縁にまで到達していないので周縁が保護シー
ト14によって封止され、半導体ウェハ表面10aにエッチ
ャントが侵入して加工パターン12,…に不都合な影響を
及ぼすことはない。
そして、このエッチング処理の終了後に保護シート14を
剥離したうえ、蒸着処理によって半導体ウェハ裏面10b
にメタル層を形成する。
剥離したうえ、蒸着処理によって半導体ウェハ裏面10b
にメタル層を形成する。
なお、以上の説明における保護シート14として、紫外線
硬化樹脂製の接着シートを使用すれば、紫外線の照射に
よりその接着剤15部分が硬化するので、半導体ウェハ10
から保護シート14を極めて容易に剥離することができ
る。そのため、剥離する際に半導体ウェハ10が割れると
いうような不都合を生じることはない。また、表面10a
の周囲に加工パターン12,…が形成されない平滑面部13
を有する半導体ウェハ10を製造するには、その加工パタ
ーン形成工程において使用するパターンマスクを変更す
ることのみで可能であるから、その製造工程を何等変更
する必要はなく、容易に実施できる。さらに、このよう
な半導体ウェハ10は次工程において分割されることにな
るが、この分割は表面10aに分割溝11,…を基準にダイシ
ングソーなどにより位置決めされたうえで実施されるの
で、半導体ウェハ表面10aの周囲に平滑面部13が形成さ
れていても支障はない。
硬化樹脂製の接着シートを使用すれば、紫外線の照射に
よりその接着剤15部分が硬化するので、半導体ウェハ10
から保護シート14を極めて容易に剥離することができ
る。そのため、剥離する際に半導体ウェハ10が割れると
いうような不都合を生じることはない。また、表面10a
の周囲に加工パターン12,…が形成されない平滑面部13
を有する半導体ウェハ10を製造するには、その加工パタ
ーン形成工程において使用するパターンマスクを変更す
ることのみで可能であるから、その製造工程を何等変更
する必要はなく、容易に実施できる。さらに、このよう
な半導体ウェハ10は次工程において分割されることにな
るが、この分割は表面10aに分割溝11,…を基準にダイシ
ングソーなどにより位置決めされたうえで実施されるの
で、半導体ウェハ表面10aの周囲に平滑面部13が形成さ
れていても支障はない。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、表面の周囲に加工パター
ンが形成されない平滑面部を有する半導体ウェハに保護
シートを貼付しているので、半導体ウェハ裏面に対する
エッチング処理時にその表面にエッチャントが侵入する
ことがないため、研削加工前に保護シートを貼付した状
態のままでエッチング処理を行うことができる。そのた
め、保護シートを剥離してレジスト膜を厚く形成した
り、レジスト膜を形成し直す必要がないので、表面保護
処理に要する手間を省くことができ、かつ生産性の向上
を図ることができる。
ンが形成されない平滑面部を有する半導体ウェハに保護
シートを貼付しているので、半導体ウェハ裏面に対する
エッチング処理時にその表面にエッチャントが侵入する
ことがないため、研削加工前に保護シートを貼付した状
態のままでエッチング処理を行うことができる。そのた
め、保護シートを剥離してレジスト膜を厚く形成した
り、レジスト膜を形成し直す必要がないので、表面保護
処理に要する手間を省くことができ、かつ生産性の向上
を図ることができる。
第１図ないし第３図は本発明の実施例を示し、第１図は
半導体ウェハの加工処理工程図、第２図は加工処理され
る半導体ウェハの平面図、第３図は表面保護処理が実施
された状態の半導体ウェハの側面図である。また、第４
図ないし第６図は従来例を示し、第４図は半導体ウェハ
の加工処理工程図、第５図は半導体ウェハの平面図、第
６図は表面保護処理が実施された状態の半導体ウェハの
側面図である。 10……半導体ウェハ、10a……半導体ウェハの表面、10b
……半導体ウェハの裏面、12……加工パターン、13……
平滑面部、14……保護シート。
半導体ウェハの加工処理工程図、第２図は加工処理され
る半導体ウェハの平面図、第３図は表面保護処理が実施
された状態の半導体ウェハの側面図である。また、第４
図ないし第６図は従来例を示し、第４図は半導体ウェハ
の加工処理工程図、第５図は半導体ウェハの平面図、第
６図は表面保護処理が実施された状態の半導体ウェハの
側面図である。 10……半導体ウェハ、10a……半導体ウェハの表面、10b
……半導体ウェハの裏面、12……加工パターン、13……
平滑面部、14……保護シート。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハの表面の周囲に加工パターン
が形成されない平滑面部を残存させておき、その表面に
保護シートを貼付して全面を覆ったのち、半導体ウェハ
の裏面に対して研削加工を行い、かつ前記表面に前記保
護シートを貼付した状態で前記裏面をエッチング処理に
よって平滑に仕上げたうえ、前記表面から前記保護シー
トを剥離したのち、前記裏面にメタル層を形成すること
を特徴とする半導体ウェハの裏面加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240040A JPH07105370B2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 半導体ウエハの裏面加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240040A JPH07105370B2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 半導体ウエハの裏面加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394630A JPS6394630A (ja) | 1988-04-25 |
| JPH07105370B2 true JPH07105370B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17053576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61240040A Expired - Fee Related JPH07105370B2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 半導体ウエハの裏面加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105370B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102593676B1 (ko) * | 2023-06-30 | 2023-10-25 | (주)하늘소프트 | 역방향 추적을 이용한 객체 검출 성능 향상 방법 및이를 위한 객체 추적 장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19502777A1 (de) * | 1994-02-22 | 1995-08-24 | Siemens Ag | Verfahren zur plasmaunterstützten Rückseitenätzung einer Halbleiterscheibe bei belackungsfreier Scheibenvorderseite |
| KR100407472B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2003-11-28 | 삼성전자주식회사 | 트렌치가 형성된 상부 칩을 구비하는 칩 적층형 패키지소자 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111796A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor element and its manufacture |
| JPS5571026A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for grinding wafer |
| JPS56169332A (en) * | 1980-05-31 | 1981-12-26 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5980940A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 絶縁物分離基板の製造方法 |
| JPS59103342A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0618190B2 (ja) * | 1984-05-29 | 1994-03-09 | 三井東圧化学株式会社 | ウエハ加工用フイルム |
| JPS618938A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Toshiba Corp | 半導体素子の製造方法 |
| JPS6167225A (ja) * | 1984-09-08 | 1986-04-07 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS61121335A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Rohm Co Ltd | ウエハの研削面の処理方法 |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61240040A patent/JPH07105370B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102593676B1 (ko) * | 2023-06-30 | 2023-10-25 | (주)하늘소프트 | 역방향 추적을 이용한 객체 검출 성능 향상 방법 및이를 위한 객체 추적 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6394630A (ja) | 1988-04-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |