JPH0669331A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0669331A JPH0669331A JP21593192A JP21593192A JPH0669331A JP H0669331 A JPH0669331 A JP H0669331A JP 21593192 A JP21593192 A JP 21593192A JP 21593192 A JP21593192 A JP 21593192A JP H0669331 A JPH0669331 A JP H0669331A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線下の酸化膜厚を厚くすることなく、素子
の耐圧低下を小さくすること。 【構成】 誘電体分離基板６上に素子を形成する。すな
わち、シリコン単結晶ウエハ１が研磨されて形成された
単結晶島領域７内にダイオードのアノードとなるＰ領域
９、カソードとなるｎ+ 領域１０、それぞれの電極１
１，１２に加えてｎ領域（不純物領域）８をアノードの
配線（電極１１）の下部に構成する。このような構成と
することにより、配線（電極１１）の下の電界がｎ領域
８の部分で分散され、配線（電極１１）による電界集中
のために引き起こされる耐圧低下を低く抑えることがで
きる。
の耐圧低下を小さくすること。 【構成】 誘電体分離基板６上に素子を形成する。すな
わち、シリコン単結晶ウエハ１が研磨されて形成された
単結晶島領域７内にダイオードのアノードとなるＰ領域
９、カソードとなるｎ+ 領域１０、それぞれの電極１
１，１２に加えてｎ領域（不純物領域）８をアノードの
配線（電極１１）の下部に構成する。このような構成と
することにより、配線（電極１１）の下の電界がｎ領域
８の部分で分散され、配線（電極１１）による電界集中
のために引き起こされる耐圧低下を低く抑えることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁層分離基板を用い
た高耐圧の半導体装置に関するものである。
た高耐圧の半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、誘電体分離基板を利用した集積
回路内の一つの半導体単結晶領域に形成された高耐圧素
子の断面図を示している。端子間に高電圧がかかった場
合、高耐圧素子から他の素子への配線（図３のアノード
電極１１）によって側面に形成された高不純物領域の境
界部１４に電界が集中してしまい、本来の高耐圧素子の
耐圧より大きく低下してしまう。尚、１２は電極であ
る。
回路内の一つの半導体単結晶領域に形成された高耐圧素
子の断面図を示している。端子間に高電圧がかかった場
合、高耐圧素子から他の素子への配線（図３のアノード
電極１１）によって側面に形成された高不純物領域の境
界部１４に電界が集中してしまい、本来の高耐圧素子の
耐圧より大きく低下してしまう。尚、１２は電極であ
る。
【０００３】従来、この配線による耐圧の低下を減らす
ために、配線下の酸化膜厚１３を厚くし、配線の影響を
小さくしていた。
ために、配線下の酸化膜厚１３を厚くし、配線の影響を
小さくしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、酸化膜厚１３を厚くする必要があり、新しく
工程開発が必要である。また、段差が大きくなるので、
配線の断線の危険性が大きくなるという問題があった。
本発明は上述の点に鑑みて提供したものであって、配線
下の酸化膜厚を厚くすることなく、素子の耐圧低下を小
さくすることを目的とした半導体装置を提供するもので
ある。
方法では、酸化膜厚１３を厚くする必要があり、新しく
工程開発が必要である。また、段差が大きくなるので、
配線の断線の危険性が大きくなるという問題があった。
本発明は上述の点に鑑みて提供したものであって、配線
下の酸化膜厚を厚くすることなく、素子の耐圧低下を小
さくすることを目的とした半導体装置を提供するもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持体層上に
絶縁層で電気的に分離された半導体単結晶領域が複数設
けられ、上記半導体単結晶領域の底面及び側面部に半導
体単結晶領域と同種で濃度の高い不純物領域を有する絶
縁層分離基板上の素子において、半導体単結晶領域の端
部に該半導体単結晶領域と同種で濃度の高い不純物領域
を設けたものである。
絶縁層で電気的に分離された半導体単結晶領域が複数設
けられ、上記半導体単結晶領域の底面及び側面部に半導
体単結晶領域と同種で濃度の高い不純物領域を有する絶
縁層分離基板上の素子において、半導体単結晶領域の端
部に該半導体単結晶領域と同種で濃度の高い不純物領域
を設けたものである。
【０００６】
【作用】而して、配線下の酸化膜厚を厚くすることな
く、素子の耐圧低下を小さくすることができる。
く、素子の耐圧低下を小さくすることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図２（ａ）に示すように、ｎ- 型シリコン単結晶
ウエハ１上に、ＳｉＯ2 ２を形成し、パターニング後、
上記ＳｉＯ2 ２をエッチングし、シリコン単結晶部を異
方性エッチングする。次に、図２（ｂ）に示すように、
表面に残ったＳｉＯ2 ２をエッチング後、ｎ形不純物３
を表面より拡散する。さらに、図２（ｃ）に示すよう
に、絶縁層４を形成後、支持体層５を形成する。
する。図２（ａ）に示すように、ｎ- 型シリコン単結晶
ウエハ１上に、ＳｉＯ2 ２を形成し、パターニング後、
上記ＳｉＯ2 ２をエッチングし、シリコン単結晶部を異
方性エッチングする。次に、図２（ｂ）に示すように、
表面に残ったＳｉＯ2 ２をエッチング後、ｎ形不純物３
を表面より拡散する。さらに、図２（ｃ）に示すよう
に、絶縁層４を形成後、支持体層５を形成する。
【０００８】その後、図２（ｄ）に示すように、シリコ
ン単結晶ウエハ１側から、絶縁層４が現れるまで研磨を
行い、通常の誘電体分離基板６ができる。この誘電体分
離基板６上に図１に示すような素子を形成する。シリコ
ン単結晶ウエハ１が研磨されて形成された単結晶島領域
７内にダイオードのアノードとなるＰ領域９、カソード
となるｎ+ 領域１０、それぞれの電極１１，１２に加え
て本発明であるｎ領域（不純物領域）８をアノードの配
線（電極１１）の下部に図１に示すように構成する。
尚、１３は酸化膜厚である。
ン単結晶ウエハ１側から、絶縁層４が現れるまで研磨を
行い、通常の誘電体分離基板６ができる。この誘電体分
離基板６上に図１に示すような素子を形成する。シリコ
ン単結晶ウエハ１が研磨されて形成された単結晶島領域
７内にダイオードのアノードとなるＰ領域９、カソード
となるｎ+ 領域１０、それぞれの電極１１，１２に加え
て本発明であるｎ領域（不純物領域）８をアノードの配
線（電極１１）の下部に図１に示すように構成する。
尚、１３は酸化膜厚である。
【０００９】このｎ領域８は、ＭＯＳトランジスタのた
めのウエルと同程度の濃度でも良いので、ウエルと同時
に形成しても構わない。このような構成とすることによ
り、配線（電極１１）の下の電界がｎ領域８の部分で分
散され、配線（電極１１）による電界集中のために引き
起こされる耐圧低下を低く抑えることができる。
めのウエルと同程度の濃度でも良いので、ウエルと同時
に形成しても構わない。このような構成とすることによ
り、配線（電極１１）の下の電界がｎ領域８の部分で分
散され、配線（電極１１）による電界集中のために引き
起こされる耐圧低下を低く抑えることができる。
【００１０】また、単結晶島領域７内に形成される素子
はダイオード以外のトランジスタ等でも構わない。ま
た、単結晶島領域７がｐ型ならばｎ領域８をｐ型とすれ
ば、同様のものが得られる。
はダイオード以外のトランジスタ等でも構わない。ま
た、単結晶島領域７がｐ型ならばｎ領域８をｐ型とすれ
ば、同様のものが得られる。
【００１１】
【発明の効果】本発明は上述のように、支持体層上に絶
縁層で電気的に分離された半導体単結晶領域が複数設け
られ、上記半導体単結晶領域の底面及び側面部に半導体
単結晶領域と同種で濃度の高い不純物領域を有する絶縁
層分離基板上の素子において、半導体単結晶領域の端部
に該半導体単結晶領域と同種で濃度の高い不純物領域を
設けたものであるから、配線下の酸化膜厚を厚くするこ
となく、素子の耐圧低下を小さくすることができる効果
を奏するものである。
縁層で電気的に分離された半導体単結晶領域が複数設け
られ、上記半導体単結晶領域の底面及び側面部に半導体
単結晶領域と同種で濃度の高い不純物領域を有する絶縁
層分離基板上の素子において、半導体単結晶領域の端部
に該半導体単結晶領域と同種で濃度の高い不純物領域を
設けたものであるから、配線下の酸化膜厚を厚くするこ
となく、素子の耐圧低下を小さくすることができる効果
を奏するものである。
【図１】本発明の半導体装置の断面図である。
【図２】同上の半導体装置を形成する場合の工程を示す
図である。
図である。
【図３】従来例の半導体装置の断面図である。
１ シリコン単結晶ウエハ ２ ＳｉＯ2 ３ ｎ形不純物 ４ 絶縁層 ５ 支持体層 ６ 誘電体分離基板 ７ 単結晶島領域 ８ ｎ領域（不純物領域） １１ 電極 １３ 酸化膜厚
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲松▼本 多津彦 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 支持体層上に絶縁層で電気的に分離され
た半導体単結晶領域が複数設けられ、上記半導体単結晶
領域の底面及び側面部に半導体単結晶領域と同種で濃度
の高い不純物領域を有する絶縁層分離基板上の素子にお
いて、半導体単結晶領域の端部に該半導体単結晶領域と
同種で濃度の高い不純物領域を設けたことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21593192A JPH0669331A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21593192A JPH0669331A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669331A true JPH0669331A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16680635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21593192A Withdrawn JPH0669331A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7296561B2 (en) | 2004-12-27 | 2007-11-20 | Nissan Motor Co., Ltd. | Engine control apparatus |
-
1992
- 1992-08-13 JP JP21593192A patent/JPH0669331A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7296561B2 (en) | 2004-12-27 | 2007-11-20 | Nissan Motor Co., Ltd. | Engine control apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |