JPH0661600A - フレキシブル回路基板 - Google Patents
フレキシブル回路基板Info
- Publication number
- JPH0661600A JPH0661600A JP21136092A JP21136092A JPH0661600A JP H0661600 A JPH0661600 A JP H0661600A JP 21136092 A JP21136092 A JP 21136092A JP 21136092 A JP21136092 A JP 21136092A JP H0661600 A JPH0661600 A JP H0661600A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- flexible circuit
- polyimide film
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ポリイミドフィルムと当該ポリイミドフィ
ルムの主面上に形成された銅薄膜ならびに当該ポリイミ
ドフィルムのもう一方の主面上に形成された低酸素透過
性の薄膜により構成されるフレキシブル回路基板。 【効果】 高温時における金属層とポリイミドフィル
ムとの接着力の低下を抑制した信頼性の高い金属層／ポ
リイミドフレキシブル回路基板用材料が提供される。
ルムの主面上に形成された銅薄膜ならびに当該ポリイミ
ドフィルムのもう一方の主面上に形成された低酸素透過
性の薄膜により構成されるフレキシブル回路基板。 【効果】 高温時における金属層とポリイミドフィル
ムとの接着力の低下を抑制した信頼性の高い金属層／ポ
リイミドフレキシブル回路基板用材料が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミドフィルムと銅
薄膜で構成されるフレキシブル回路基板用材料に関し、
特に、銅薄膜とポリイミドフィルムの接着性における高
温耐久性の良好なフレキシブル回路基板用材料に関す
る。
薄膜で構成されるフレキシブル回路基板用材料に関し、
特に、銅薄膜とポリイミドフィルムの接着性における高
温耐久性の良好なフレキシブル回路基板用材料に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】絶縁性のポリマーフィルム上に金属フィ
ルムが形成されたフレキシブル回路基板は、膜厚約１０
μｍ以上の金属フィルムとポリマーフィルムとを、通
常、接着剤で接合したものがあるが、接着剤の熱的性能
がポリマーフィルムの性能に劣ることや金属フィルムの
膜厚が１０μｍ以上と厚いために数十μｍの微細加工が
困難である等の理由から、半導体産業における高密度配
線に対応することができない、寸法安定性が悪い、製品
がそりあがる等の問題があった。
ルムが形成されたフレキシブル回路基板は、膜厚約１０
μｍ以上の金属フィルムとポリマーフィルムとを、通
常、接着剤で接合したものがあるが、接着剤の熱的性能
がポリマーフィルムの性能に劣ることや金属フィルムの
膜厚が１０μｍ以上と厚いために数十μｍの微細加工が
困難である等の理由から、半導体産業における高密度配
線に対応することができない、寸法安定性が悪い、製品
がそりあがる等の問題があった。
【０００３】これらの問題を解決するために接着剤なし
で金属フィルムを形成する技術が検討されてきた。真空
蒸着、スパッタリング等の薄膜形成方法により金属薄膜
を形成した後、回路パターンの形成を行うものである。
この材料においては金属薄膜の膜厚が１μｍ以下と薄い
ために数十μｍの微細加工も容易である。このようにし
て形成された回路パターンを基にして、電解メッキ等に
よりさらに金属を堆積、成長させることにより、微細加
工された電気導体を形成する技術である。後者の技術は
半導体産業における高密度配線を可能にする技術である
が、回路形成工程や電解メッキ工程等の後工程において
接着力の低下が問題となっていた。特開平０２−９８９
９４号公報には０．０１〜５μｍのクロム層をスパッタ
ーで形成すること、特開昭６２−１８１４８８号公報に
は５０〜１００００ のニッケル層やニッケルークロム
層を蒸着で形成すること、特開昭６２−６２５５１号公
報にはクロム層を蒸着で形成すること、特開昭６２−４
７９０８号公報にはニッケル層を蒸着して形成するこ
と、特開昭６１−１２８５９３号公報には金属層を蒸着
して形成すること、特公昭５７−１８３５７号公報には
ニッケル、コバルト、ジルコニウム、パラジウム等の金
属層をイオンプレーティング法で形成すること、特公昭
５７−１８３５６号公報にはニッケル、ニッケル含有の
合金層をイオンプレーティング法で形成すること等の技
術がすでに開示されている。しかしながら、これら公知
の技術は一部成功をおさめているものの、半導体産業に
おける高密度配線を可能にするための材料としては、未
だ満足される性能にはなく実用化の足かせになってい
た。すなわち、リソグラフィー技術を用いる回路パター
ン形成工程や通電抵抗の低下や機械的強度向上のために
形成パターン上に金属層を積層する電解メッキ工程等に
おいて金属層がポリイミドフイルムから剥離する問題は
一部解決されたが、金属層／ポリイミドフイルムからな
るフレキシブル回路基板用材料のめざす本来の特徴であ
る耐熱性において十分な性能が達成できていなかった。
例えば、本発明者らが検討したところによると、空気中
１５０℃程度の温度に２４時間程加熱した状態で保持す
るだけで、金属層とポリイミドフイルムの接着性が著し
く低下する問題が発生していた。この結果、金属層／ポ
リイミドフイルムからなるフレキシブル回路基板用材料
を前述のごとき過酷な製造プロセスをもつ半導体産業に
おいて実用に供することは困難であった。
で金属フィルムを形成する技術が検討されてきた。真空
蒸着、スパッタリング等の薄膜形成方法により金属薄膜
を形成した後、回路パターンの形成を行うものである。
この材料においては金属薄膜の膜厚が１μｍ以下と薄い
ために数十μｍの微細加工も容易である。このようにし
て形成された回路パターンを基にして、電解メッキ等に
よりさらに金属を堆積、成長させることにより、微細加
工された電気導体を形成する技術である。後者の技術は
半導体産業における高密度配線を可能にする技術である
が、回路形成工程や電解メッキ工程等の後工程において
接着力の低下が問題となっていた。特開平０２−９８９
９４号公報には０．０１〜５μｍのクロム層をスパッタ
ーで形成すること、特開昭６２−１８１４８８号公報に
は５０〜１００００ のニッケル層やニッケルークロム
層を蒸着で形成すること、特開昭６２−６２５５１号公
報にはクロム層を蒸着で形成すること、特開昭６２−４
７９０８号公報にはニッケル層を蒸着して形成するこ
と、特開昭６１−１２８５９３号公報には金属層を蒸着
して形成すること、特公昭５７−１８３５７号公報には
ニッケル、コバルト、ジルコニウム、パラジウム等の金
属層をイオンプレーティング法で形成すること、特公昭
５７−１８３５６号公報にはニッケル、ニッケル含有の
合金層をイオンプレーティング法で形成すること等の技
術がすでに開示されている。しかしながら、これら公知
の技術は一部成功をおさめているものの、半導体産業に
おける高密度配線を可能にするための材料としては、未
だ満足される性能にはなく実用化の足かせになってい
た。すなわち、リソグラフィー技術を用いる回路パター
ン形成工程や通電抵抗の低下や機械的強度向上のために
形成パターン上に金属層を積層する電解メッキ工程等に
おいて金属層がポリイミドフイルムから剥離する問題は
一部解決されたが、金属層／ポリイミドフイルムからな
るフレキシブル回路基板用材料のめざす本来の特徴であ
る耐熱性において十分な性能が達成できていなかった。
例えば、本発明者らが検討したところによると、空気中
１５０℃程度の温度に２４時間程加熱した状態で保持す
るだけで、金属層とポリイミドフイルムの接着性が著し
く低下する問題が発生していた。この結果、金属層／ポ
リイミドフイルムからなるフレキシブル回路基板用材料
を前述のごとき過酷な製造プロセスをもつ半導体産業に
おいて実用に供することは困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体産業
における高密度配線を可能にするための接着剤なしで形
成された金属層／ポリイミドフィルムからなるフレキシ
ブル回路基板用材料を提供することであり、さらに、回
路パターン形成工程や電解メッキ工程等の後工程におい
て、高温時における接着力の低下を防止して、金属層が
ポリイミドフイルムから剥離する問題を克服する技術を
提供することである。
における高密度配線を可能にするための接着剤なしで形
成された金属層／ポリイミドフィルムからなるフレキシ
ブル回路基板用材料を提供することであり、さらに、回
路パターン形成工程や電解メッキ工程等の後工程におい
て、高温時における接着力の低下を防止して、金属層が
ポリイミドフイルムから剥離する問題を克服する技術を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、接着剤な
しで形成された金属層／ポリイミドフィルムからなるフ
レキシブル回路基板用材料の高温時の性質を各種検討し
て、驚くべきことに、高温時の雰囲気が金属薄膜とポリ
イミドフィルムの接着力すなわちポリイミドフィルムか
らの金属薄膜の剥離強度を極めて顕著に支配することを
発見した。酸化性の雰囲気においては剥離強度が極めて
低下したが、非酸化性の雰囲気ならびに真空雰囲気にお
いては剥離強度の低下は大幅に緩和された。さらに、こ
の雰囲気はポリイミドフィルムを通して金属薄膜に影響
を与えていることを発見して、本発明を完成するに至っ
たものである。
しで形成された金属層／ポリイミドフィルムからなるフ
レキシブル回路基板用材料の高温時の性質を各種検討し
て、驚くべきことに、高温時の雰囲気が金属薄膜とポリ
イミドフィルムの接着力すなわちポリイミドフィルムか
らの金属薄膜の剥離強度を極めて顕著に支配することを
発見した。酸化性の雰囲気においては剥離強度が極めて
低下したが、非酸化性の雰囲気ならびに真空雰囲気にお
いては剥離強度の低下は大幅に緩和された。さらに、こ
の雰囲気はポリイミドフィルムを通して金属薄膜に影響
を与えていることを発見して、本発明を完成するに至っ
たものである。
【０００６】すなわち、本発明は、ポリイミドフィルム
と当該ポリイミドフィルムの主面上に形成された銅薄膜
ならびに当該ポリイミドフィルムのもう一方の主面上に
形成された低酸素透過性の薄膜により構成されるフレキ
シブル回路基板、であり、好ましくは、低酸素透過性の
薄膜の酸素透過率が10cc/ ｍ2/日以下であるフレキシブ
ル回路基板、である。
と当該ポリイミドフィルムの主面上に形成された銅薄膜
ならびに当該ポリイミドフィルムのもう一方の主面上に
形成された低酸素透過性の薄膜により構成されるフレキ
シブル回路基板、であり、好ましくは、低酸素透過性の
薄膜の酸素透過率が10cc/ ｍ2/日以下であるフレキシブ
ル回路基板、である。
【０００７】以下、添付図面を参照しながら、本発明の
構成を説明する。図１は、本発明のフレキシブル回路基
板基板用材料の一つの実施例であり、図２は、本発明の
フレキシブル回路基板基板用材料の一つの実施例であ
り、図３は、本発明のフレキシブル回路基板基板用材料
の一つの実施例である。ここで、１はポリイミドフィル
ム、２は低酸素透過性の薄膜、３は銅薄膜、４は回路用
銅膜を示す。
構成を説明する。図１は、本発明のフレキシブル回路基
板基板用材料の一つの実施例であり、図２は、本発明の
フレキシブル回路基板基板用材料の一つの実施例であ
り、図３は、本発明のフレキシブル回路基板基板用材料
の一つの実施例である。ここで、１はポリイミドフィル
ム、２は低酸素透過性の薄膜、３は銅薄膜、４は回路用
銅膜を示す。
【０００８】本発明における低酸素透過性の薄膜とは、
好ましくは、酸素透過率が10cc/ ｍ 2/日以下の薄膜であ
って、当該薄膜が、ポリイミドフィルムのもう一方の主
面上に形成された後、酸素の透過率を実施例に示す方法
で測定して、酸素の透過率が10cc/ ｍ2/日以下になる程
度に酸素透過率の少ない薄膜である。特に好ましくは、
酸素の透過率を５cc/ ｍ2/日以下に低下せしめる薄膜で
ある。
好ましくは、酸素透過率が10cc/ ｍ 2/日以下の薄膜であ
って、当該薄膜が、ポリイミドフィルムのもう一方の主
面上に形成された後、酸素の透過率を実施例に示す方法
で測定して、酸素の透過率が10cc/ ｍ2/日以下になる程
度に酸素透過率の少ない薄膜である。特に好ましくは、
酸素の透過率を５cc/ ｍ2/日以下に低下せしめる薄膜で
ある。
【０００９】本発明において、かかる低酸素透過性の薄
膜として用いるに有効な物質としては、金属や合金、金
属や合金の酸化物、炭化物、窒化物等の無機物はもちろ
ん有機物の薄膜も有効である。さらに具体的には、酸化
安定性に優れた金属や合金であるニッケル、クロム、ニ
クロム、チタン、モリブデン、タングステン、亜鉛、
錫、シリコン、モネルメタル等は勿論、導電性の良好な
金属である金、銀、銅、金銀合金、金銀銅合金、銅ニッ
ケル合金等も有効に利用できる。
膜として用いるに有効な物質としては、金属や合金、金
属や合金の酸化物、炭化物、窒化物等の無機物はもちろ
ん有機物の薄膜も有効である。さらに具体的には、酸化
安定性に優れた金属や合金であるニッケル、クロム、ニ
クロム、チタン、モリブデン、タングステン、亜鉛、
錫、シリコン、モネルメタル等は勿論、導電性の良好な
金属である金、銀、銅、金銀合金、金銀銅合金、銅ニッ
ケル合金等も有効に利用できる。
【００１０】本発明においては、主面上に銅薄膜が形成
されたポリイミドフィルムにおいて、当該ポリイミドフ
ィルムのもう一方の主面上に、これらの低酸素透過性の
薄膜形成する。その場合、好ましくは、酸素透過率を10
cc/ ｍ2/日以下に低減するためには、用いる物質に応じ
て、薄膜の膜厚を適宜選択することが望ましい。本発明
の効果を十分に発揮させるためには、これらの金属薄膜
の膜厚は50nm以上、好ましくは100 nm以上に形成される
が、最大の膜厚は10000nm 以下で十分である。膜厚を厚
くしすぎると、本発明の特徴の一つである可撓性が失わ
れてくることもあり、必要最小限度に膜厚を設計するこ
とがエッチング性やコスト面から好ましい条件となる。
されたポリイミドフィルムにおいて、当該ポリイミドフ
ィルムのもう一方の主面上に、これらの低酸素透過性の
薄膜形成する。その場合、好ましくは、酸素透過率を10
cc/ ｍ2/日以下に低減するためには、用いる物質に応じ
て、薄膜の膜厚を適宜選択することが望ましい。本発明
の効果を十分に発揮させるためには、これらの金属薄膜
の膜厚は50nm以上、好ましくは100 nm以上に形成される
が、最大の膜厚は10000nm 以下で十分である。膜厚を厚
くしすぎると、本発明の特徴の一つである可撓性が失わ
れてくることもあり、必要最小限度に膜厚を設計するこ
とがエッチング性やコスト面から好ましい条件となる。
【００１１】なお、導電性の金属薄膜を低酸素透過性の
薄膜として用いた場合には、当該薄膜を電気回路や磁気
回路等の材料として利用することができるので好都合で
ある。この場合には、当該薄膜の膜厚は最大でも10000n
m 以下であるから、適宜、当該薄膜上にメッキ等により
膜厚を増加して利用できることは、当業者の理解すると
ころである。
薄膜として用いた場合には、当該薄膜を電気回路や磁気
回路等の材料として利用することができるので好都合で
ある。この場合には、当該薄膜の膜厚は最大でも10000n
m 以下であるから、適宜、当該薄膜上にメッキ等により
膜厚を増加して利用できることは、当業者の理解すると
ころである。
【００１２】一方、電気回路や磁気回路等の材料として
利用する場合において、特に好ましい実施態様は、酸化
安定性の金属や合金と導電性の良好な金属等を積層して
用いることである。具体的には、ポリイミドフィルムの
もう一方の主面上に、酸化安定性の金属や合金を50nm以
上形成した後、導電性の良好な金属を必要な膜厚に積層
して用いることが効果的である。
利用する場合において、特に好ましい実施態様は、酸化
安定性の金属や合金と導電性の良好な金属等を積層して
用いることである。具体的には、ポリイミドフィルムの
もう一方の主面上に、酸化安定性の金属や合金を50nm以
上形成した後、導電性の良好な金属を必要な膜厚に積層
して用いることが効果的である。
【００１３】回路形成の目的のために、ポリイミドフィ
ルムの主面上に形成される銅薄膜の下地として金属薄膜
を形成することは差支えない。かかる、下地金属の薄膜
については、酸化安定性に優れた金属や合金であるニッ
ケル、クロム、ニクロム、チタン、モリブデン、タング
ステン、亜鉛、錫、インジウム、インジウム錫、シリコ
ン、モネルメタル等ならびにこれらの酸化物、炭化物、
窒化物等が有用である。当然のことながら、酸化安定性
に優れた物質であれば、もう一方の主面に形成される低
酸素透過性の薄膜を、この下地金属としても用いること
もできる。下地金属の膜厚は30nmから100nm で十分であ
る。30nm未満になると本発明の効果が十分に発揮されな
くなる。100nm を越えて膜厚を増大すると導電性の低
下、エッチングによる回路加工性の低下、コストの増加
等の問題が顕在化してくる。
ルムの主面上に形成される銅薄膜の下地として金属薄膜
を形成することは差支えない。かかる、下地金属の薄膜
については、酸化安定性に優れた金属や合金であるニッ
ケル、クロム、ニクロム、チタン、モリブデン、タング
ステン、亜鉛、錫、インジウム、インジウム錫、シリコ
ン、モネルメタル等ならびにこれらの酸化物、炭化物、
窒化物等が有用である。当然のことながら、酸化安定性
に優れた物質であれば、もう一方の主面に形成される低
酸素透過性の薄膜を、この下地金属としても用いること
もできる。下地金属の膜厚は30nmから100nm で十分であ
る。30nm未満になると本発明の効果が十分に発揮されな
くなる。100nm を越えて膜厚を増大すると導電性の低
下、エッチングによる回路加工性の低下、コストの増加
等の問題が顕在化してくる。
【００１４】下地金属上に、もしくはポリイミドフィル
ムの主面上に形成される銅薄膜については、当業者が容
易に理解するところの回路を形成しうる材料を意味する
ものであり、本発明においてとくに限定される要件はな
い。好ましくは純度は99.99%以上の銅が用いられる。銅
薄膜は好ましくは、100nm 以上の膜厚に形成されるが、
本発明はフレキシブル回路基板であり、そのままで用い
られるよりもメッキ工程、半田工程を経て回路が形成さ
れる。これらの後工程のことを考慮すると回路加工を容
易にするためには膜厚は200nm 以上であることが好まし
い。
ムの主面上に形成される銅薄膜については、当業者が容
易に理解するところの回路を形成しうる材料を意味する
ものであり、本発明においてとくに限定される要件はな
い。好ましくは純度は99.99%以上の銅が用いられる。銅
薄膜は好ましくは、100nm 以上の膜厚に形成されるが、
本発明はフレキシブル回路基板であり、そのままで用い
られるよりもメッキ工程、半田工程を経て回路が形成さ
れる。これらの後工程のことを考慮すると回路加工を容
易にするためには膜厚は200nm 以上であることが好まし
い。
【００１５】低酸素透過性の薄膜、下地金属薄膜、なら
びに銅薄膜の形成は真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等乾式の形成方法はも
ちろん、浸漬法、印刷法等の湿式の薄膜形成方法も利用
することができる。薄膜の接着性や薄膜の膜厚の制御性
に優れたスパッタリング法が特に用いるに好ましい方法
である。スパッタリングの方法において、特に限定され
る条件はない。形成すべき薄膜に対応させて適宜ターゲ
ットを選択して用いることは当業者の理解するところで
ある。スパッタリングの方式にも限定される条件はな
く、ＤＣマグネトロンスパッタリング、高周波マグネト
ロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング等の
方式が有効に用いられる。
びに銅薄膜の形成は真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等乾式の形成方法はも
ちろん、浸漬法、印刷法等の湿式の薄膜形成方法も利用
することができる。薄膜の接着性や薄膜の膜厚の制御性
に優れたスパッタリング法が特に用いるに好ましい方法
である。スパッタリングの方法において、特に限定され
る条件はない。形成すべき薄膜に対応させて適宜ターゲ
ットを選択して用いることは当業者の理解するところで
ある。スパッタリングの方式にも限定される条件はな
く、ＤＣマグネトロンスパッタリング、高周波マグネト
ロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング等の
方式が有効に用いられる。
【００１６】本発明で使用されるポリイミドフィルムの
膜厚にはとくに限定される条件はないが、通常２５μｍ
〜１２５μｍ程度の膜厚のポリイミドフィルムが用途に
応じて適宜選択されて用いられる。ポリイミドフィルム
としては具体的には、カプトン、ユーピレックス、アピ
カル等、市場で入手できるポリイミドフィルムを有効に
用いることができる。さらに、ピロメリット酸無水物、
ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタ
ル酸無水物等の酸無水物とメトキシジアミノベンゼン、
4,4'- オキシジアニリン、3,4'- オキシジアニリン、3,
3'- オキシジアニリン、ビスジアニリノメタン、3,3'-
ジアミノベンゾフェノン、p,p-アミノフェノキシベンゼ
ン、p,m-アミノフェノキシベンゼン、m,p-アミノフェノ
キシベンゼン、m,m-アミノフェノキシベンゼン、クロル
m-アミノフェノキシベンゼン、p-ピリジンアミノフェノ
キシベンゼン、m-ピリジンアミノフェノキシベンゼン、
p-アミノフェノキシビフェニル、m-アミノフェノキシビ
フェニル、p-ビスアミノフェノキシベンジルスルホン、
m-ビスアミノフェノキシベンジルスルホン、p-ビスアミ
ノフェノキシベンジルケトン、m-ビスアミノフェノキシ
ベンジルケトン、p-ビスアミノフェノキシベンジルヘキ
サフルオロプロパン、m-ビスアミノフェノキシベンジル
ヘキサフルオロプロパン、p-ビスアミノフェノキシベン
ジルプロパン、o-ビスアミノフェノキシベンジルプロパ
ン、m-ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、p-ジア
ミノフェノキシベンジルチオエーテル、m-ジアミノフェ
ノキシベンジルチオエーテル、インダンジアミン、スピ
ロビジアミン、ジケトンジアミン等のアミンと反応、イ
ミド化して形成されるポリイミドも本発明に効果的に用
いることができる。以下、実施例により本発明をさらに
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例になんら制
限されるものではない。
膜厚にはとくに限定される条件はないが、通常２５μｍ
〜１２５μｍ程度の膜厚のポリイミドフィルムが用途に
応じて適宜選択されて用いられる。ポリイミドフィルム
としては具体的には、カプトン、ユーピレックス、アピ
カル等、市場で入手できるポリイミドフィルムを有効に
用いることができる。さらに、ピロメリット酸無水物、
ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタ
ル酸無水物等の酸無水物とメトキシジアミノベンゼン、
4,4'- オキシジアニリン、3,4'- オキシジアニリン、3,
3'- オキシジアニリン、ビスジアニリノメタン、3,3'-
ジアミノベンゾフェノン、p,p-アミノフェノキシベンゼ
ン、p,m-アミノフェノキシベンゼン、m,p-アミノフェノ
キシベンゼン、m,m-アミノフェノキシベンゼン、クロル
m-アミノフェノキシベンゼン、p-ピリジンアミノフェノ
キシベンゼン、m-ピリジンアミノフェノキシベンゼン、
p-アミノフェノキシビフェニル、m-アミノフェノキシビ
フェニル、p-ビスアミノフェノキシベンジルスルホン、
m-ビスアミノフェノキシベンジルスルホン、p-ビスアミ
ノフェノキシベンジルケトン、m-ビスアミノフェノキシ
ベンジルケトン、p-ビスアミノフェノキシベンジルヘキ
サフルオロプロパン、m-ビスアミノフェノキシベンジル
ヘキサフルオロプロパン、p-ビスアミノフェノキシベン
ジルプロパン、o-ビスアミノフェノキシベンジルプロパ
ン、m-ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、p-ジア
ミノフェノキシベンジルチオエーテル、m-ジアミノフェ
ノキシベンジルチオエーテル、インダンジアミン、スピ
ロビジアミン、ジケトンジアミン等のアミンと反応、イ
ミド化して形成されるポリイミドも本発明に効果的に用
いることができる。以下、実施例により本発明をさらに
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例になんら制
限されるものではない。
【００１７】
【実施例】実施例１ ポリイミドフィルムとしてピロメリツク酸無水物とｐ，
ｐ−３，３’アミノフェノキシビフェニルとを反応させ
た後、３００℃でイミド化したフィルムを用いた。この
ポリイミドフィルムの一方の主面に銅をターゲットにし
て、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、平均膜
厚が約２００ｎｍの銅薄膜を形成した。銅薄膜が形成さ
れたポリイミドフィルムの酸素透過率をＡＳＴＭＤ１４
３４−６６に準拠して測定したところ酸素透過率は１０
ｃｃ／ｍ2 ／日であった。このポリイミドフィルムのも
う一方の主面に、酸素のグロー放電で処理した後、真空
状態を破ること無く、銅をターゲットにして、連続的に
ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、平均膜厚が約
６００ｎｍの銅薄膜を積層した。酸素透過率を低下させ
る目的で形成したもう一方の銅薄膜がメッキされないよ
うにマスクで保護した後、銅の電解メッキを施した。こ
の結果、ポリイミドフィルムの片面に１８μｍ厚みの銅
膜（このように、メッキにより膜厚を増加させた銅膜を
以下においては回路用銅膜と称する）を有し、もう一方
の面には約２００ｎｍの銅薄膜を有するフレキシブル回
路基板用材料を得た。この基板材料における回路用銅膜
のポリイミドフィルムに対する接着力を測定したとこ
ろ、常態強度は平均２．１ｋｇ／ｃｍであった。これを
１５０℃のオーブン中に１０日間保持した後同様に接着
力を測定したところ、平均１．５２ｋｇ／ｃｍであり、
接着力は７２．３％にやや低下したものの、依然として
１．５ｋｇ／ｃｍを越える極めて高い接着力を保持する
ことを確認した。
ｐ−３，３’アミノフェノキシビフェニルとを反応させ
た後、３００℃でイミド化したフィルムを用いた。この
ポリイミドフィルムの一方の主面に銅をターゲットにし
て、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、平均膜
厚が約２００ｎｍの銅薄膜を形成した。銅薄膜が形成さ
れたポリイミドフィルムの酸素透過率をＡＳＴＭＤ１４
３４−６６に準拠して測定したところ酸素透過率は１０
ｃｃ／ｍ2 ／日であった。このポリイミドフィルムのも
う一方の主面に、酸素のグロー放電で処理した後、真空
状態を破ること無く、銅をターゲットにして、連続的に
ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、平均膜厚が約
６００ｎｍの銅薄膜を積層した。酸素透過率を低下させ
る目的で形成したもう一方の銅薄膜がメッキされないよ
うにマスクで保護した後、銅の電解メッキを施した。こ
の結果、ポリイミドフィルムの片面に１８μｍ厚みの銅
膜（このように、メッキにより膜厚を増加させた銅膜を
以下においては回路用銅膜と称する）を有し、もう一方
の面には約２００ｎｍの銅薄膜を有するフレキシブル回
路基板用材料を得た。この基板材料における回路用銅膜
のポリイミドフィルムに対する接着力を測定したとこ
ろ、常態強度は平均２．１ｋｇ／ｃｍであった。これを
１５０℃のオーブン中に１０日間保持した後同様に接着
力を測定したところ、平均１．５２ｋｇ／ｃｍであり、
接着力は７２．３％にやや低下したものの、依然として
１．５ｋｇ／ｃｍを越える極めて高い接着力を保持する
ことを確認した。
【００１８】実施例２ ポリイミドフィルムとして、膜厚が５０．８μｍのカプ
トンーＶ（デュポン社製）を用い、この片面上に真空蒸
着法により、平均膜厚が約２５０ｎｍの銅薄膜を積層し
た。銅薄膜が形成されたポリイミドフィルムの酸素透過
率は１０ｃｃ／ｍ2 ／日であった。実施例１と全く同じ
手順を踏んでフレキシブル回路基板用材料を得た。この
回路用銅膜のポリイミドフィルムに対する接着力を測定
したところ常態強度は平均１．２ｋｇ／ｃｍであった。
これを１５０℃のオーブン中に１０日保持した後同様に
接着力を測定したところ、平均１．１ｋｇ／ｃｍであ
り、接着力は９１．６％にやや低下したものの、依然と
して１．０ｋｇ／ｃｍを越える高い接着力を保持するこ
とを確認した。
トンーＶ（デュポン社製）を用い、この片面上に真空蒸
着法により、平均膜厚が約２５０ｎｍの銅薄膜を積層し
た。銅薄膜が形成されたポリイミドフィルムの酸素透過
率は１０ｃｃ／ｍ2 ／日であった。実施例１と全く同じ
手順を踏んでフレキシブル回路基板用材料を得た。この
回路用銅膜のポリイミドフィルムに対する接着力を測定
したところ常態強度は平均１．２ｋｇ／ｃｍであった。
これを１５０℃のオーブン中に１０日保持した後同様に
接着力を測定したところ、平均１．１ｋｇ／ｃｍであ
り、接着力は９１．６％にやや低下したものの、依然と
して１．０ｋｇ／ｃｍを越える高い接着力を保持するこ
とを確認した。
【００１９】実施例３ ポリイミドフィルムとしてピロメリツク酸無水物とｐ，
ｐ−３，３’アミノフェノキシビフェニルとを反応させ
た後、３００℃でイミド化したフィルムを用いた。この
ポリイミドフィルムの一方の主面に浸漬法により、平均
膜厚が約２００ｎｍの二酸化珪素薄膜を形成した。二酸
化珪素薄膜が形成されたポリイミドフィルムの酸素透過
率は１０ｃｃ／ｍ2 ／日であった。実施例１と全く同じ
手順を踏んでフレキシブル回路基板用材料を得た。この
回路用銅膜のポリイミドフィルムに対する接着力を測定
したところ、常態強度は平均２．１ｋｇ／ｃｍであっ
た。これを１５０℃のオーブン中に１０日間保持した後
同様に接着力を測定したところ、平均１．５２ｋｇ／ｃ
ｍであり、接着力は７２．３％にやや低下したものの、
依然として１．５ｋｇ／ｃｍを越える極めて高い接着力
を保持することを確認した。
ｐ−３，３’アミノフェノキシビフェニルとを反応させ
た後、３００℃でイミド化したフィルムを用いた。この
ポリイミドフィルムの一方の主面に浸漬法により、平均
膜厚が約２００ｎｍの二酸化珪素薄膜を形成した。二酸
化珪素薄膜が形成されたポリイミドフィルムの酸素透過
率は１０ｃｃ／ｍ2 ／日であった。実施例１と全く同じ
手順を踏んでフレキシブル回路基板用材料を得た。この
回路用銅膜のポリイミドフィルムに対する接着力を測定
したところ、常態強度は平均２．１ｋｇ／ｃｍであっ
た。これを１５０℃のオーブン中に１０日間保持した後
同様に接着力を測定したところ、平均１．５２ｋｇ／ｃ
ｍであり、接着力は７２．３％にやや低下したものの、
依然として１．５ｋｇ／ｃｍを越える極めて高い接着力
を保持することを確認した。
【００２０】
【発明の効果】以上の実施例ならびに比較例から明らか
なように、本発明は半導体ＩＣチップの高集積化を実現
するための耐熱性を十分に満足しており、高密度配線の
ために必要な回路の微細化を可能にするフレキシブル回
路基板基板用材料の技術を提供するものであり、半導体
産業にとって、きわめて有用な発明である。
なように、本発明は半導体ＩＣチップの高集積化を実現
するための耐熱性を十分に満足しており、高密度配線の
ために必要な回路の微細化を可能にするフレキシブル回
路基板基板用材料の技術を提供するものであり、半導体
産業にとって、きわめて有用な発明である。
【図１】本発明のフレキシブル回路基板基板用材料の層
構成の一例。
構成の一例。
【図２】本発明のフレキシブル回路基板基板用材料の層
構成の一例。
構成の一例。
【図３】本発明のフレキシブル回路基板基板用材料の層
構成の一例。
構成の一例。
１ ポリイミドフィルム ２ 低酸素透過性の薄膜 ３ 銅薄膜 ４ 回路用銅膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ポリイミドフィルムと当該ポリイミドフ
ィルムの主面上に形成された銅薄膜ならびに当該ポリイ
ミドフィルムのもう一方の主面上に形成された低酸素透
過性の薄膜により構成されるフレキシブル回路基板。 - 【請求項２】 低酸素透過性の薄膜の酸素透過率が10cc
/ ｍ2/日以下である請求項１記載のフレキシブル回路基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21136092A JPH0661600A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | フレキシブル回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21136092A JPH0661600A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | フレキシブル回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661600A true JPH0661600A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16604684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21136092A Pending JPH0661600A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | フレキシブル回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661600A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679937A (en) * | 1994-08-22 | 1997-10-21 | Toyodenso Kabushiki Kaisha | Switching device |
| WO2003079495A1 (fr) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Couche souple a bonne conductivite et feuille conductrice anisotrope la comprenant |
| WO2003079496A1 (fr) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Feuille anisotrope conductrice et son procede de production |
| WO2003079498A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropically conductive block and its manufacturing method |
| JP2007011987A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 緊急通報システム |
| JP2007073935A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-03-22 | Seiko Instruments Inc | 回路基板とその製造方法、及び半導体装置 |
| JP2011131456A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Du Pont-Toray Co Ltd | ガスバリアー性ポリイミドフィルムおよびそれを用いた金属積層体 |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP21136092A patent/JPH0661600A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679937A (en) * | 1994-08-22 | 1997-10-21 | Toyodenso Kabushiki Kaisha | Switching device |
| WO2003079495A1 (fr) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Couche souple a bonne conductivite et feuille conductrice anisotrope la comprenant |
| WO2003079496A1 (fr) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Feuille anisotrope conductrice et son procede de production |
| WO2003079498A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropically conductive block and its manufacturing method |
| JP2007011987A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 緊急通報システム |
| JP4602853B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2010-12-22 | 日本電信電話株式会社 | 緊急通報システム |
| JP2007073935A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-03-22 | Seiko Instruments Inc | 回路基板とその製造方法、及び半導体装置 |
| JP2011131456A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Du Pont-Toray Co Ltd | ガスバリアー性ポリイミドフィルムおよびそれを用いた金属積層体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61185951A (ja) | 薄膜回路及びその製造方法 | |
| JP3447070B2 (ja) | フレキシブル回路基板用材料 | |
| JP2005219259A (ja) | 金属化ポリイミドフィルム | |
| JPH0661600A (ja) | フレキシブル回路基板 | |
| JPH0629634A (ja) | フレキシブル回路基板 | |
| JP3447075B2 (ja) | フレキシブル回路基板 | |
| JP2009031612A (ja) | 樹脂基板 | |
| JP2006123425A (ja) | 金属被覆基板及びその製造方法 | |
| JPH09201900A (ja) | 積層体 | |
| JPH0247257A (ja) | 金属層で基板を被覆する方法 | |
| JP2004319781A (ja) | フレキシブルプリント基板およびその製造方法 | |
| JP4222001B2 (ja) | 銅被覆プラスチック基板 | |
| JP3447122B2 (ja) | 金属酸化物層を有するフレキシブル回路基板 | |
| JPH08332697A (ja) | 金属ポリマーフィルム | |
| JPH08330695A (ja) | 高密着性フレキシブル回路基板 | |
| JPH08231717A (ja) | フレキシブル回路基板 | |
| US5190601A (en) | Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same | |
| JPH029457B2 (ja) | ||
| JPS61177792A (ja) | フレキシブルプリント基板の製造方法 | |
| JP3447147B2 (ja) | 金属化合物ポリマーフィルム | |
| JP2004154946A (ja) | 銅被覆プラスチック基板 | |
| JPH06163544A (ja) | 半導体集積回路配線構造体及び製造方法 | |
| JP2004314447A (ja) | フレキシブル積層板およびその製造方法 | |
| JPS63155743A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0232590A (ja) | 銅・有機絶縁膜配線板の製造方法 |