JPH065911A - Optically coupled pnpn switch - Google Patents
Optically coupled pnpn switchInfo
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- JPH065911A JPH065911A JP16284092A JP16284092A JPH065911A JP H065911 A JPH065911 A JP H065911A JP 16284092 A JP16284092 A JP 16284092A JP 16284092 A JP16284092 A JP 16284092A JP H065911 A JPH065911 A JP H065911A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光結合型ＰＮＰＮスイ
ッチのターンオン特性及びdV/dt耐量を同時に向上させ
る方式に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for simultaneously improving turn-on characteristics and dV / dt withstand capability of an optical coupling type PNPN switch.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来、光結合型ＰＮＰＮスイッチは、図３
（ｂ）の等価回路に示すように、ＰＮＰトランジスタと
ＮＰＮトランジスタで構成され、（１）式の条件を満足
することによりターンオンされる。2. Description of the Related Art Conventionally, an optical coupling type PNPN switch is shown in FIG.
As shown in the equivalent circuit of (b), it is composed of a PNP transistor and an NPN transistor, and is turned on when the condition of the expression (1) is satisfied.
【０００３】αPNP＋αNPN ≧ １ ・・・（１） αPNP：ベース設置ＰＮＰトランジスタの増幅率 αNPN：ベース設置ＮＰＮトランジスタの増幅率 通常のＰＮＰＮ素子はαPNP，αNPNとも（１）式を満足
するように設計され、わずかなリーク電流で導通状態と
なる。阻止状態の維持は、ＮＰＮトランジスタのエミッ
タ・ベース間に短絡抵抗ＲGKを挿入し、実効的なαNPN
を極端に減少させることにより行う。Α PNP + α NPN ≧ 1 (1) α PNP : Amplification factor of PNP transistor with base installed α NPN : Amplification factor of NPN transistor with base installed In a normal PNPN element, both α PNP and α NPN are expressed by equation (1). It is designed to satisfy the above condition and becomes conductive with a small leak current. To maintain the blocking state, insert a short-circuit resistor R GK between the emitter and base of the NPN transistor to ensure effective α NPN.
Is extremely reduced.
【０００４】ここで、以下にターンオン動作について述
べる。The turn-on operation will be described below.
【０００５】ＬＥＤにより光が照射されると、ＰＮＰト
ランジスタに光電流ＩPNPが発生する。この光電流ＩPNP
は、短絡抵抗ＲGKを流れ、ＲGKの端子間電圧ＶGK（＝Ｉ
PNP×ＲGK）を生じる。このＶGKがＮＰＮトランジスタ
を動作させるのに十分な約０.６ＶになるとαNPNが大き
くなり、前記（１）式が満足されターンオンする。従っ
て、ターンオン特性を向上（駆動ＬＥＤ電流を低減）さ
せるには、ＲGK値を大きくすることが有効な手段であ
る。When the LED emits light, a photocurrent I PNP is generated in the PNP transistor. This photocurrent I PNP
Flows through the short circuit resistance R GK, terminal voltage V GK of R GK (= I
PNP x RGK ). When this V GK becomes about 0.6 V, which is sufficient to operate the NPN transistor, α NPN becomes large, and the equation (1) is satisfied to turn on. Therefore, in order to improve the turn-on characteristics (reduce the driving LED current), increasing the R GK value is an effective means.
【０００６】次に、dV/dt耐量について述べる。Next, the dV / dt withstand capability will be described.
【０００７】ＰＮＰＮ素子のアノード・カソード間に立
ち上がりの急峻な電圧がかかった時に、変位電流が発生
する。この変位電流は、前記ターンオン動作同様ＲGKに
流れることにより、ＰＮＰＮ素子を誤動作（ＯＮ状態
に）させる。従って、dV/dt耐量を向上させるには、Ｒ
GK値を小さくすることが有効な手段である。A displacement current is generated when a sharp rising voltage is applied between the anode and the cathode of the PNPN element. This displacement current flows through R GK as in the turn-on operation, causing the PNPN element to malfunction (turn on). Therefore, in order to improve dV / dt tolerance, R
Reducing the GK value is an effective means.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】前記した様に、光結合
型ＰＮＰＮスイッチに於て、ターンオン特性及びdV/dt
耐量を向上させるには、ＲGK値に対して相反する特性を
要求するため、ＲGK値の設定により各々の特性の限界が
決定されてしまうという問題点があった。As described above, in the optical coupling type PNPN switch, the turn-on characteristic and dV / dt.
To improve tolerance, to request the contradictory properties against R GK values, the limits of each property there is a problem that is determined by the setting of the R GK value.
【０００９】本発明は以上述べた、ＲGK値の設定により
ターンオン特性及びdV/dt耐量の限界が決定されてしま
うという問題点を除去し、それらの特性を同時に向上さ
せることの出来る光結合型ＰＮＰＮスイッチを提供す
る。The present invention eliminates the above-mentioned problems that the turn-on characteristic and the limit of dV / dt withstand capability are determined by the setting of the R GK value, and improves the characteristics at the same time. Provide a PNPN switch.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板
と、前記半導体基板中に形成された第１のＰ型領域と、
前記第１のＰ型領域に接合して前記半導体基板中に形成
された第１のＮ型領域と、前記第１のＮ型領域に接合し
て前記半導体基板中に形成された第２のＰ型領域と、前
記第２のＰ型領域に接合して前記半導体基板中に形成さ
れた第２のＮ型領域と、前記第１のＰ型領域上に前記第
１のＰ型領域と接続して形成されたアノード電極と、前
記第２のＮ型領域上に前記第２のＮ型領域と接続して形
成されたカソード電極と、前記第２のＮ型領域と前記第
２のＰ型領域とを接続するＰゲート・カソード間短絡抵
抗とを有し、光が照射されると前記第１のＰ型領域，第
１のＮ型領域及び第２のＰ型領域が形成するＰＮＰトラ
ンジスタに発生する光電流をきっかけにしてターンオン
動作する光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、前記ターン
オン動作時には前記ターンオン動作時以外の動作時に比
べて前記Ｐゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値を大き
くする手段を有する様にしたものである。According to the present invention, a semiconductor substrate and a first P-type region formed in the semiconductor substrate are provided.
A first N-type region formed in the semiconductor substrate by being joined to the first P-type region, and a second P-type region formed in the semiconductor substrate by being joined to the first N-type region. A type region, a second N-type region formed in the semiconductor substrate in contact with the second P-type region, and connected to the first P-type region on the first P-type region. A cathode electrode formed on the second N-type region by being connected to the second N-type region, the second N-type region and the second P-type region. Generated in a PNP transistor formed by the first P-type region, the first N-type region and the second P-type region having a P-gate / cathode short-circuit resistance connecting In a photo-coupled PNPN switch that is turned on by a photocurrent that causes Than that in the operation other than the turn-on operation is obtained by the manner and means for increasing the resistance value of the P gate-cathode short circuit resistance.
【００１１】そして、前記抵抗値を大きくする手段が受
光部を有しており、前記光が照射されているかどうかを
前記受光部で検知して前記ターンオン動作時であるかど
うかを判断する様にしたものである。Further, the means for increasing the resistance value has a light receiving portion, and the light receiving portion detects whether or not the light is emitted to judge whether the turn-on operation is being performed. It was done.
【００１２】更に、半導体基板と、前記半導体基板中に
形成された第１のＰ型領域と、前記第１のＰ型領域に接
合して前記半導体基板中に形成された第１のＮ型領域
と、前記第１のＮ型領域に接合して前記半導体基板中に
形成された第２のＰ型領域と、前記第２のＰ型領域に接
合して前記半導体基板中に形成された第２のＮ型領域
と、前記第１のＰ型領域上に前記第１のＰ型領域と接続
して形成されたアノード電極と、前記第２のＮ型領域上
に前記第２のＮ型領域と接続して形成されたカソード電
極と、前記第２のＰ型領域と前記第２のＮ型領域との間
でＰゲート・カソード間短絡抵抗として機能する第３の
Ｐ型領域とを有し、光が照射されると前記第１のＰ型領
域，第１のＮ型領域及び第２のＰ型領域が形成するＰＮ
Ｐトランジスタに発生する光電流をきっかけにターンオ
ン動作するする光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、前記
第３のＰ型領域上に絶縁膜を介して形成された電極と、
前記電極と接続して前記ターンオン動作時に前記電極に
正電圧を印加する手段を有する様にしたものである。Further, a semiconductor substrate, a first P-type region formed in the semiconductor substrate, and a first N-type region formed in the semiconductor substrate in contact with the first P-type region. A second P-type region formed in the semiconductor substrate by being joined to the first N-type region, and a second P-type region formed in the semiconductor substrate by being joined to the second P-type region. An N-type region, an anode electrode formed on the first P-type region and connected to the first P-type region, and a second N-type region on the second N-type region. A cathode electrode formed by connection, and a third P-type region that functions as a P gate-cathode short-circuit resistance between the second P-type region and the second N-type region, A PN formed by the first P-type region, the first N-type region, and the second P-type region when irradiated with light.
In an optical coupling type PNPN switch which is turned on by a photocurrent generated in a P-transistor, an electrode formed on the third P-type region through an insulating film,
It has means for connecting to the electrode and applying a positive voltage to the electrode during the turn-on operation.
【００１３】より詳細には、前記正電圧を印加する手段
として、前記光が照射された時に前記光を受光可能な位
置に配置され且つ前記電極と前記カソード電極の間に接
続されたホトダイオードと、前記ホトダイオードと並列
に接続された抵抗とを設けたものである。More specifically, as a means for applying the positive voltage, a photodiode arranged at a position where the light can be received when the light is irradiated, and a photodiode connected between the electrode and the cathode electrode. A resistor connected in parallel with the photodiode is provided.
【００１４】[0014]
【作用】本発明は、光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、
ターンオン動作時にはターンオン動作時以外の動作時に
比べて前記Ｐゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値を大
きくする手段を設けたので各動作時に要求される抵抗値
を実現することができる。The present invention relates to an optical coupling type PNPN switch,
Since the means for increasing the resistance value of the P-gate / cathode short-circuit resistance is provided during the turn-on operation as compared with the operation other than the turn-on operation, the resistance value required in each operation can be realized.
【００１５】そして、光結合型ＰＮＰＮスイッチに於い
てはターンオン動作時即ち光照射時なので、抵抗値を大
きくする手段が受光部を有していれば、ターンオン動作
時であるかどうかを確実に判断することができる。Since the photocoupler PNPN switch is in the turn-on operation, that is, in the light irradiation, if the means for increasing the resistance value has the light receiving portion, it is surely judged whether the turn-on operation is in progress. can do.
【００１６】更に、Ｐ型不純物を用いた拡散抵抗をＰゲ
ート・カソード間短絡抵抗として使用し、ターンオン動
作時には、この拡散抵抗領域上に絶縁膜を介して形成さ
れた電極に正電圧を印加すると、拡散抵抗領域の基板表
面付近に集まるキャリアの量が制御され、Ｐゲート・カ
ソード間短絡抵抗の抵抗値が増大する。Further, when a diffusion resistance using P-type impurities is used as a P-gate / cathode short-circuit resistance, a positive voltage is applied to an electrode formed on the diffusion resistance region via an insulating film during turn-on operation. The amount of carriers gathering near the substrate surface in the diffusion resistance region is controlled, and the resistance value of the P gate-cathode short-circuit resistance increases.
【００１７】[0017]
【実施例】本発明の実施例である光結合型ＰＮＰＮスイ
ッチについて、ＰＮＰＮ素子の部分の断面図を図１に示
し、回路図を図２に示す。1 is a sectional view of a PNPN element portion of an optical coupling type PNPN switch according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram thereof.
【００１８】図１のＰＮＰＮ素子は、Ｎ型半導体基板の
第１のＮ型領域１内に、アノード電極が設けられた第１
のＰ型領域２と第２のＰ型領域３を形成し、次にこの第
２のＰ型領域３内にカソード電極が設けられた第２のＮ
型領域４を形成し、更に第１のＮ型領域１内に、この第
２のＰ型領域３に接する第３のＰ型領域５をＰゲート・
カソード間短絡抵抗ＲGKとして形成したものである。The PNPN device of FIG. 1 has a first N-type semiconductor substrate having an anode electrode provided in a first N-type region 1.
Second P-type region 2 and second P-type region 3 are formed, and then a second N-type electrode provided with a cathode electrode in the second P-type region 3 is formed.
A mold region 4 is formed, and a third P-type region 5 which is in contact with the second P-type region 3 is formed in the first N-type region 1 as a P-gate.
It is formed as a short circuit resistance R GK between the cathodes.
【００１９】そして、Ｐゲート・カソード間短絡抵抗Ｒ
GKとして形成された第３のＰ型領域５では、この抵抗の
端部の電極６が、アルミニウム等の配線でカソード電極
７に接続されており、抵抗を形成する第３のＰ型領域５
上には、電圧を印加することによって基板表面付近に集
まるキャリアの量を制御し、ＲGK値を可変させるための
電極９が、絶縁膜８を介して、アルミニウム等の材質で
形成されている。The short-circuit resistance R between the P gate and the cathode
In the third P-type region 5 formed as GK , the electrode 6 at the end of the resistor is connected to the cathode electrode 7 by a wire such as aluminum, and the third P-type region 5 forming the resistor is formed.
An electrode 9 for controlling the amount of carriers gathered near the surface of the substrate by applying a voltage and changing the R GK value is formed of a material such as aluminum with an insulating film 8 therebetween. .
【００２０】図２は、前記した実施例の光結合型ＰＮＰ
Ｎスイッチの回路図である。FIG. 2 shows the optically coupled PNP of the above-mentioned embodiment.
It is a circuit diagram of N switch.
【００２１】この回路図に示された前記ＰＮＰＮ素子に
は、電極９とカソード間に、ターンオン動作の引金とな
る光照射時に電極９に正電圧を印加するためのホトダイ
オード直列配列10と、光照射オフ時に電極９にチャージ
された電荷を除去するための通路としての抵抗11が並列
に接続され、光結合型ＰＮＰＮスイッチを構成してい
る。In the PNPN element shown in this circuit diagram, a photodiode series arrangement 10 for applying a positive voltage to the electrode 9 at the time of light irradiation which triggers a turn-on operation is provided between the electrode 9 and the cathode. A resistor 11 is connected in parallel as a passage for removing the electric charge charged in the electrode 9 when the irradiation is turned off, thereby forming an optical coupling type PNPN switch.
【００２２】この光結合型ＰＮＰＮスイッチのターンオ
ン動作を説明する。The turn-on operation of this optically coupled PNPN switch will be described.
【００２３】ＰＮＰＮ素子自体の動作については前記し
た従来の光結合型ＰＮＰＮスイッチと同様である。そし
て、発光ダイオード12からの照射光によって、ＰＮＰＮ
素子のＰＮＰトランジスタに光電流が発生すると同時
に、ホトダイオード配列10にも電圧が発生する。この電
圧が電極９に正電圧として印加され、その結果第３のＰ
型領域５の不純物濃度が薄くなり、Ｐゲート・カソード
間短絡抵抗の抵抗値が増大する。The operation of the PNPN element itself is the same as that of the above-mentioned conventional optically coupled PNPN switch. Then, by the irradiation light from the light emitting diode 12, the PNPN
At the same time that a photocurrent is generated in the PNP transistor of the device, a voltage is also generated in the photodiode array 10. This voltage is applied as a positive voltage to the electrode 9 so that the third P
The impurity concentration of the mold region 5 becomes thin, and the resistance value of the P gate-cathode short-circuit resistance increases.
【００２４】すなわち、ＲGKの端子間電圧（Ｐゲート・
カソード間電圧）ＶGK（＝ＩPNP×ＲGK）として、ＮＰ
Ｎトランジスタを動作させるのに十分な約０.６Ｖを発
生させることが出来る。That is, the voltage across the terminals of R GK (P gate
Cathode voltage) V GK (= I PNP × R GK )
It is possible to generate about 0.6 V, which is sufficient to operate the N-transistor.
【００２５】発光ダイオード12からの光照射がオフする
と、ターンオン動作は終了し、同時にホトダイオード配
列10も電圧を発生しなくなり、電極９にチャージされて
いた電価は抵抗11を伝わって除去される。その結果、第
３のＰ型領域５の不純物濃度は通常状態に戻り、増大し
ていたＰゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値は元の小
さな値になる。When the light irradiation from the light emitting diode 12 is turned off, the turn-on operation ends, and at the same time, the photodiode array 10 stops generating a voltage, and the electric charge charged in the electrode 9 is removed through the resistor 11. As a result, the impurity concentration of the third P-type region 5 returns to the normal state, and the increased resistance value of the P gate-cathode short-circuit resistance becomes the original small value.
【００２６】従って、電極９に正電圧を印加する前のＰ
ゲート・カソード間短絡抵抗（ＲGK）の抵抗値を十分に
小さく設定しておくことが可能となるので、dV/dt耐量
を向上させることができる。Therefore, P before applying a positive voltage to the electrode 9
Since the resistance value of the gate-cathode short-circuit resistance (R GK ) can be set to be sufficiently small, the dV / dt withstand capability can be improved.
【００２７】本発明の光結合型ＰＮＰＮ素子の、ＲGK値
を可変させるための電極に用いる材質は導電材料であれ
ばよく、アルミニウム合金等であれば半導体素子形成に
一般的に用いられているので取扱が容易であるが、これ
ら一般的な材料に限定されるものではない。また、この
電極の構造並びに形状についても、電圧を印加すること
によって基板表面付近に集まるキャリアの量を制御し、
ＲGK値を可変させることができれば、特に制限を有する
ものではない。The material used for the electrode for varying the R GK value of the optically coupled PNPN element of the present invention may be any conductive material, and if it is an aluminum alloy or the like, it is generally used for semiconductor element formation. Therefore, it is easy to handle, but is not limited to these general materials. Also, regarding the structure and shape of this electrode, the amount of carriers gathered near the substrate surface is controlled by applying a voltage,
If the R GK value can be changed, there is no particular limitation.
【００２８】また、本実施例ではＰゲート・カソード間
短絡抵抗（ＲGK）としてＰ型不純物を用いた拡散抵抗を
使用しているが、光結合型ＰＮＰＮ素子とは別の領域に
Ｎ型不純物を用いた拡散抵抗を形成し、第２のＰ型領域
と第２のＮ型領域に接続して、Ｐゲート・カソード間短
絡抵抗（ＲGK）としてもよい。この場合、Ｐゲート・カ
ソード間短絡抵抗（ＲGK）領域上に絶縁膜を介して形成
された電極とには、抵抗値を大きくするためには、ター
ンオン動作時に負電圧を印加する必要がある。Further, in this embodiment, a diffusion resistance using a P-type impurity is used as the P gate-cathode short-circuit resistance (R GK ). It is also possible to form a diffusion resistance by using the above and connect it to the second P-type region and the second N-type region to form a P gate-cathode short circuit resistance (R GK ). In this case, in order to increase the resistance value, it is necessary to apply a negative voltage to the electrode formed on the P gate-cathode short-circuit resistance (R GK ) region via the insulating film. .
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明の光
結合型ＰＮＰＮスイッチは、Ｐゲート・カソード間短絡
抵抗（ＲGK）領域上に抵抗値の可変を目的とした電極を
設け、光照射時にこの電極とカソード間に正電圧を印加
する回路を付加したものである。その結果、ターンオン
時（光照射時）には、前記電極とカソード間に正電圧を
印加されるので、Ｐゲート・カソード間短絡抵抗
（ＲGK）の抵抗値が大きくなる。つまり、ターンオン時
のみ抵抗値を大きくして、それ以外の時は抵抗値を低く
抑えておくことが可能なので、ターンオン特性及びdV/d
t耐量を同時に向上させることが可能となる。As described above in detail, the optical coupling type PNPN switch of the present invention is provided with an electrode for changing the resistance value on the P gate-cathode short-circuit resistance (R GK ) region. A circuit for applying a positive voltage between the electrode and the cathode at the time of irradiation is added. As a result, at the time of turn-on (during light irradiation), a positive voltage is applied between the electrode and the cathode, so that the resistance value of the P gate-cathode short-circuit resistance (R GK ) increases. In other words, it is possible to increase the resistance value only at turn-on and keep it low at other times, so turn-on characteristics and dV / d
It is possible to improve the t tolerance at the same time.
【００３０】更に、光照射時に前記電極とカソード間に
プラスの電圧を印加する回路として、直列に接続された
複数のホトダイオードと抵抗とを並列に配置したものを
付加したので、ターンオン時（光照射時）にＰＮＰＮ素
子のＰＮＰトランジスタに光電流が発生すると同時に、
ホトダイオードも光照射によって電圧を発生させるの
で、電圧を印可するタイミングを制御するための、特別
な手段を設ける必要がない。Furthermore, since a circuit in which a plurality of photodiodes connected in series and a resistor are arranged in parallel is added as a circuit for applying a positive voltage between the electrode and the cathode during light irradiation, at the time of turn-on (light irradiation When a photocurrent is generated in the PNP transistor of the PNPN element,
Since the photodiode also generates a voltage by light irradiation, it is not necessary to provide a special means for controlling the timing of applying the voltage.
【図１】本発明の実施例の構造を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例の構成図であるFIG. 2 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.
【図３】従来の光結合型ＰＮＰＮ素子の構成図及び等価
回路図である。FIG. 3 is a configuration diagram and an equivalent circuit diagram of a conventional optically coupled PNPN element.
１ 第１のＮ型領域 ２ 第１のＰ型領域 ３ 第２のＮ型領域 ４ 第２のＰ型領域 ５ 第３のＰ型領域 ７ カソード電極 ８ 絶縁膜 ９ 電極 10 ホトダイオード直列配列 11 抵抗 12 発光ダイオード Ａ アノード Ｋ カソード 1 1st N type area 2 1st P type area 3 2nd N type area 4 2nd P type area 5 3rd P type area 7 cathode electrode 8 insulating film 9 electrode 10 photodiode series arrangement 11 resistance 12 Light emitting diode A Anode K Cathode
Claims (4)
された第１のＰ型領域と、前記第１のＰ型領域に接合し
て前記半導体基板中に形成された第１のＮ型領域と、前
記第１のＮ型領域に接合して前記半導体基板中に形成さ
れた第２のＰ型領域と、前記第２のＰ型領域に接合して
前記半導体基板中に形成された第２のＮ型領域と、前記
第１のＰ型領域上に前記第１のＰ型領域と接続して形成
されたアノード電極と、前記第２のＮ型領域上に前記第
２のＮ型領域と接続して形成されたカソード電極と、前
記第２のＮ型領域と前記第２のＰ型領域とを接続するＰ
ゲート・カソード間短絡抵抗とを有し、光が照射される
と前記第１のＰ型領域，第１のＮ型領域及び第２のＰ型
領域が形成するＰＮＰトランジスタに発生する光電流を
きっかけにしてターンオン動作する光結合型ＰＮＰＮス
イッチに於て、 前記ターンオン動作時には前記ターンオン動作時以外の
動作時に比べて前記Ｐゲート・カソード間短絡抵抗の抵
抗値を大きくする手段を有することを特徴とする光結合
型ＰＮＰＮスイッチ。1. A semiconductor substrate, a first P-type region formed in the semiconductor substrate, and a first N-type region formed in the semiconductor substrate in contact with the first P-type region. A second P-type region formed in the semiconductor substrate by being joined to the first N-type region, and a second P-type region formed in the semiconductor substrate by being joined to the second P-type region. An N-type region, an anode electrode formed on the first P-type region and connected to the first P-type region, and a second N-type region on the second N-type region. P for connecting the cathode electrode formed by connecting, and the second N-type region and the second P-type region
And a gate-cathode short-circuit resistance, which is triggered by a photocurrent generated in a PNP transistor formed by the first P-type region, the first N-type region and the second P-type region when irradiated with light. In the optical coupling type PNPN switch which is turned on as described above, there is provided means for increasing the resistance value of the P-gate / cathode short-circuit resistance in the turn-on operation as compared with the operation other than the turn-on operation. Optically coupled PNPN switch.
された第１のＰ型領域と、前記第１のＰ型領域に接合し
て前記半導体基板中に形成された第１のＮ型領域と、前
記第１のＮ型領域に接合して前記半導体基板中に形成さ
れた第２のＰ型領域と、前記第２のＰ型領域に接合して
前記半導体基板中に形成された第２のＮ型領域と、前記
第１のＰ型領域上に前記第１のＰ型領域と接続して形成
されたアノード電極と、前記第２のＮ型領域上に前記第
２のＮ型領域と接続して形成されたカソード電極と、前
記第２のＰ型領域と前記第２のＮ型領域との間でＰゲー
ト・カソード間短絡抵抗として機能する第３のＰ型領域
とを有し、光が照射されると前記第１のＰ型領域，第１
のＮ型領域及び第２のＰ型領域が形成するＰＮＰトラン
ジスタに発生する光電流をきっかけにターンオン動作す
るする光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、 前記第３のＰ型領域上に絶縁膜を介して形成された電極
と、前記電極と接続して前記ターンオン動作時に前記電
極に正電圧を印加する手段を有することを特徴とする光
結合型ＰＮＰＮスイッチ。2. A semiconductor substrate, a first P-type region formed in the semiconductor substrate, and a first N-type region formed in the semiconductor substrate in contact with the first P-type region. A second P-type region formed in the semiconductor substrate by being joined to the first N-type region, and a second P-type region formed in the semiconductor substrate by being joined to the second P-type region. An N-type region, an anode electrode formed on the first P-type region and connected to the first P-type region, and a second N-type region on the second N-type region. A cathode electrode formed by connection, and a third P-type region that functions as a P gate-cathode short-circuit resistance between the second P-type region and the second N-type region, When exposed to light, the first P-type region, the first
In an optical coupling type PNPN switch that is turned on by a photocurrent generated in a PNP transistor formed by the N-type region and the second P-type region of the PNP transistor, wherein an insulating film is provided on the third P-type region. An optical coupling type PNPN switch comprising: an electrode formed as described above; and means for connecting to the electrode and applying a positive voltage to the electrode during the turn-on operation.
チに於て、前記抵抗値を大きくする手段が受光部を有し
ており、前記光が照射されているかどうかを前記受光部
で検知して前記ターンオン動作時であるかどうかを判断
することを特徴とする光結合型ＰＮＰＮスイッチ。3. The optical coupling type PNPN switch according to claim 1, wherein the means for increasing the resistance value has a light receiving section, and the light receiving section detects whether or not the light is irradiated. An optical coupling type PNPN switch characterized by determining whether or not the turn-on operation is being performed.
チに於て、前記正電圧を印加する手段として、 前記光が照射された時に前記光を受光可能な位置に配置
され且つ前記電極と前記カソード電極の間に接続された
ホトダイオードと、前記ホトダイオードと並列に接続さ
れた抵抗とを有することを特徴とする光結合型ＰＮＰＮ
スイッチ。4. The optical coupling type PNPN switch according to claim 2, wherein the means for applying the positive voltage is arranged at a position capable of receiving the light when the light is irradiated and the electrode and the electrode. A photo-coupled PNPN having a photodiode connected between cathode electrodes and a resistor connected in parallel with the photodiode.
switch.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16284092A JPH065911A (en) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Optically coupled pnpn switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16284092A JPH065911A (en) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Optically coupled pnpn switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065911A true JPH065911A (en) | 1994-01-14 |
Family
ID=15762247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16284092A Pending JPH065911A (en) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Optically coupled pnpn switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065911A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008529058A (en) * | 2005-01-20 | 2008-07-31 | インテル・コーポレーション | Optical transistor |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16284092A patent/JPH065911A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008529058A (en) * | 2005-01-20 | 2008-07-31 | インテル・コーポレーション | Optical transistor |
| JP4696130B2 (en) * | 2005-01-20 | 2011-06-08 | インテル・コーポレーション | Optical transistor |
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