JPH065911A - 光結合型ｐｎｐｎスイッチ - Google Patents
光結合型ｐｎｐｎスイッチInfo
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- JPH065911A JPH065911A JP16284092A JP16284092A JPH065911A JP H065911 A JPH065911 A JP H065911A JP 16284092 A JP16284092 A JP 16284092A JP 16284092 A JP16284092 A JP 16284092A JP H065911 A JPH065911 A JP H065911A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＲGK値の設定によりターンオン特性及びdV/d
t耐量の限界が決定されてしまうという問題点を除去
し、それらの特性を同時に向上させることが出来る光結
合型ＰＮＰＮスイッチを提供する。 【構成】 本発明の光結合型ＰＮＰＮスイッチは、ＰＮ
ＰＮ素子の電極９とカソード間に、ターンオン動作の引
金となる光照射時に電極９に正電圧を印加するためのホ
トダイオード直列配列10と、光照射オフ時に電極９にチ
ャージされた電荷を除去するための通路としての抵抗11
が並列に接続されているので、ターンオン時（光照射
時）にのみ電極９とカソード間に正電圧を印加され、ゲ
ート・カソード間短絡抵抗（ＲGK）の抵抗値が大きくな
る。
t耐量の限界が決定されてしまうという問題点を除去
し、それらの特性を同時に向上させることが出来る光結
合型ＰＮＰＮスイッチを提供する。 【構成】 本発明の光結合型ＰＮＰＮスイッチは、ＰＮ
ＰＮ素子の電極９とカソード間に、ターンオン動作の引
金となる光照射時に電極９に正電圧を印加するためのホ
トダイオード直列配列10と、光照射オフ時に電極９にチ
ャージされた電荷を除去するための通路としての抵抗11
が並列に接続されているので、ターンオン時（光照射
時）にのみ電極９とカソード間に正電圧を印加され、ゲ
ート・カソード間短絡抵抗（ＲGK）の抵抗値が大きくな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光結合型ＰＮＰＮスイ
ッチのターンオン特性及びdV/dt耐量を同時に向上させ
る方式に関するものである。
ッチのターンオン特性及びdV/dt耐量を同時に向上させ
る方式に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、光結合型ＰＮＰＮスイッチは、図３
（ｂ）の等価回路に示すように、ＰＮＰトランジスタと
ＮＰＮトランジスタで構成され、（１）式の条件を満足
することによりターンオンされる。
（ｂ）の等価回路に示すように、ＰＮＰトランジスタと
ＮＰＮトランジスタで構成され、（１）式の条件を満足
することによりターンオンされる。
【０００３】αPNP＋αNPN ≧ １ ・・・（１） αPNP：ベース設置ＰＮＰトランジスタの増幅率 αNPN：ベース設置ＮＰＮトランジスタの増幅率 通常のＰＮＰＮ素子はαPNP，αNPNとも（１）式を満足
するように設計され、わずかなリーク電流で導通状態と
なる。阻止状態の維持は、ＮＰＮトランジスタのエミッ
タ・ベース間に短絡抵抗ＲGKを挿入し、実効的なαNPN
を極端に減少させることにより行う。
するように設計され、わずかなリーク電流で導通状態と
なる。阻止状態の維持は、ＮＰＮトランジスタのエミッ
タ・ベース間に短絡抵抗ＲGKを挿入し、実効的なαNPN
を極端に減少させることにより行う。
【０００４】ここで、以下にターンオン動作について述
べる。
べる。
【０００５】ＬＥＤにより光が照射されると、ＰＮＰト
ランジスタに光電流ＩPNPが発生する。この光電流ＩPNP
は、短絡抵抗ＲGKを流れ、ＲGKの端子間電圧ＶGK（＝Ｉ
PNP×ＲGK）を生じる。このＶGKがＮＰＮトランジスタ
を動作させるのに十分な約０.６ＶになるとαNPNが大き
くなり、前記（１）式が満足されターンオンする。従っ
て、ターンオン特性を向上（駆動ＬＥＤ電流を低減）さ
せるには、ＲGK値を大きくすることが有効な手段であ
る。
ランジスタに光電流ＩPNPが発生する。この光電流ＩPNP
は、短絡抵抗ＲGKを流れ、ＲGKの端子間電圧ＶGK（＝Ｉ
PNP×ＲGK）を生じる。このＶGKがＮＰＮトランジスタ
を動作させるのに十分な約０.６ＶになるとαNPNが大き
くなり、前記（１）式が満足されターンオンする。従っ
て、ターンオン特性を向上（駆動ＬＥＤ電流を低減）さ
せるには、ＲGK値を大きくすることが有効な手段であ
る。
【０００６】次に、dV/dt耐量について述べる。
【０００７】ＰＮＰＮ素子のアノード・カソード間に立
ち上がりの急峻な電圧がかかった時に、変位電流が発生
する。この変位電流は、前記ターンオン動作同様ＲGKに
流れることにより、ＰＮＰＮ素子を誤動作（ＯＮ状態
に）させる。従って、dV/dt耐量を向上させるには、Ｒ
GK値を小さくすることが有効な手段である。
ち上がりの急峻な電圧がかかった時に、変位電流が発生
する。この変位電流は、前記ターンオン動作同様ＲGKに
流れることにより、ＰＮＰＮ素子を誤動作（ＯＮ状態
に）させる。従って、dV/dt耐量を向上させるには、Ｒ
GK値を小さくすることが有効な手段である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記した様に、光結合
型ＰＮＰＮスイッチに於て、ターンオン特性及びdV/dt
耐量を向上させるには、ＲGK値に対して相反する特性を
要求するため、ＲGK値の設定により各々の特性の限界が
決定されてしまうという問題点があった。
型ＰＮＰＮスイッチに於て、ターンオン特性及びdV/dt
耐量を向上させるには、ＲGK値に対して相反する特性を
要求するため、ＲGK値の設定により各々の特性の限界が
決定されてしまうという問題点があった。
【０００９】本発明は以上述べた、ＲGK値の設定により
ターンオン特性及びdV/dt耐量の限界が決定されてしま
うという問題点を除去し、それらの特性を同時に向上さ
せることの出来る光結合型ＰＮＰＮスイッチを提供す
る。
ターンオン特性及びdV/dt耐量の限界が決定されてしま
うという問題点を除去し、それらの特性を同時に向上さ
せることの出来る光結合型ＰＮＰＮスイッチを提供す
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板
と、前記半導体基板中に形成された第１のＰ型領域と、
前記第１のＰ型領域に接合して前記半導体基板中に形成
された第１のＮ型領域と、前記第１のＮ型領域に接合し
て前記半導体基板中に形成された第２のＰ型領域と、前
記第２のＰ型領域に接合して前記半導体基板中に形成さ
れた第２のＮ型領域と、前記第１のＰ型領域上に前記第
１のＰ型領域と接続して形成されたアノード電極と、前
記第２のＮ型領域上に前記第２のＮ型領域と接続して形
成されたカソード電極と、前記第２のＮ型領域と前記第
２のＰ型領域とを接続するＰゲート・カソード間短絡抵
抗とを有し、光が照射されると前記第１のＰ型領域，第
１のＮ型領域及び第２のＰ型領域が形成するＰＮＰトラ
ンジスタに発生する光電流をきっかけにしてターンオン
動作する光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、前記ターン
オン動作時には前記ターンオン動作時以外の動作時に比
べて前記Ｐゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値を大き
くする手段を有する様にしたものである。
と、前記半導体基板中に形成された第１のＰ型領域と、
前記第１のＰ型領域に接合して前記半導体基板中に形成
された第１のＮ型領域と、前記第１のＮ型領域に接合し
て前記半導体基板中に形成された第２のＰ型領域と、前
記第２のＰ型領域に接合して前記半導体基板中に形成さ
れた第２のＮ型領域と、前記第１のＰ型領域上に前記第
１のＰ型領域と接続して形成されたアノード電極と、前
記第２のＮ型領域上に前記第２のＮ型領域と接続して形
成されたカソード電極と、前記第２のＮ型領域と前記第
２のＰ型領域とを接続するＰゲート・カソード間短絡抵
抗とを有し、光が照射されると前記第１のＰ型領域，第
１のＮ型領域及び第２のＰ型領域が形成するＰＮＰトラ
ンジスタに発生する光電流をきっかけにしてターンオン
動作する光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、前記ターン
オン動作時には前記ターンオン動作時以外の動作時に比
べて前記Ｐゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値を大き
くする手段を有する様にしたものである。
【００１１】そして、前記抵抗値を大きくする手段が受
光部を有しており、前記光が照射されているかどうかを
前記受光部で検知して前記ターンオン動作時であるかど
うかを判断する様にしたものである。
光部を有しており、前記光が照射されているかどうかを
前記受光部で検知して前記ターンオン動作時であるかど
うかを判断する様にしたものである。
【００１２】更に、半導体基板と、前記半導体基板中に
形成された第１のＰ型領域と、前記第１のＰ型領域に接
合して前記半導体基板中に形成された第１のＮ型領域
と、前記第１のＮ型領域に接合して前記半導体基板中に
形成された第２のＰ型領域と、前記第２のＰ型領域に接
合して前記半導体基板中に形成された第２のＮ型領域
と、前記第１のＰ型領域上に前記第１のＰ型領域と接続
して形成されたアノード電極と、前記第２のＮ型領域上
に前記第２のＮ型領域と接続して形成されたカソード電
極と、前記第２のＰ型領域と前記第２のＮ型領域との間
でＰゲート・カソード間短絡抵抗として機能する第３の
Ｐ型領域とを有し、光が照射されると前記第１のＰ型領
域，第１のＮ型領域及び第２のＰ型領域が形成するＰＮ
Ｐトランジスタに発生する光電流をきっかけにターンオ
ン動作するする光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、前記
第３のＰ型領域上に絶縁膜を介して形成された電極と、
前記電極と接続して前記ターンオン動作時に前記電極に
正電圧を印加する手段を有する様にしたものである。
形成された第１のＰ型領域と、前記第１のＰ型領域に接
合して前記半導体基板中に形成された第１のＮ型領域
と、前記第１のＮ型領域に接合して前記半導体基板中に
形成された第２のＰ型領域と、前記第２のＰ型領域に接
合して前記半導体基板中に形成された第２のＮ型領域
と、前記第１のＰ型領域上に前記第１のＰ型領域と接続
して形成されたアノード電極と、前記第２のＮ型領域上
に前記第２のＮ型領域と接続して形成されたカソード電
極と、前記第２のＰ型領域と前記第２のＮ型領域との間
でＰゲート・カソード間短絡抵抗として機能する第３の
Ｐ型領域とを有し、光が照射されると前記第１のＰ型領
域，第１のＮ型領域及び第２のＰ型領域が形成するＰＮ
Ｐトランジスタに発生する光電流をきっかけにターンオ
ン動作するする光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、前記
第３のＰ型領域上に絶縁膜を介して形成された電極と、
前記電極と接続して前記ターンオン動作時に前記電極に
正電圧を印加する手段を有する様にしたものである。
【００１３】より詳細には、前記正電圧を印加する手段
として、前記光が照射された時に前記光を受光可能な位
置に配置され且つ前記電極と前記カソード電極の間に接
続されたホトダイオードと、前記ホトダイオードと並列
に接続された抵抗とを設けたものである。
として、前記光が照射された時に前記光を受光可能な位
置に配置され且つ前記電極と前記カソード電極の間に接
続されたホトダイオードと、前記ホトダイオードと並列
に接続された抵抗とを設けたものである。
【００１４】
【作用】本発明は、光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、
ターンオン動作時にはターンオン動作時以外の動作時に
比べて前記Ｐゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値を大
きくする手段を設けたので各動作時に要求される抵抗値
を実現することができる。
ターンオン動作時にはターンオン動作時以外の動作時に
比べて前記Ｐゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値を大
きくする手段を設けたので各動作時に要求される抵抗値
を実現することができる。
【００１５】そして、光結合型ＰＮＰＮスイッチに於い
てはターンオン動作時即ち光照射時なので、抵抗値を大
きくする手段が受光部を有していれば、ターンオン動作
時であるかどうかを確実に判断することができる。
てはターンオン動作時即ち光照射時なので、抵抗値を大
きくする手段が受光部を有していれば、ターンオン動作
時であるかどうかを確実に判断することができる。
【００１６】更に、Ｐ型不純物を用いた拡散抵抗をＰゲ
ート・カソード間短絡抵抗として使用し、ターンオン動
作時には、この拡散抵抗領域上に絶縁膜を介して形成さ
れた電極に正電圧を印加すると、拡散抵抗領域の基板表
面付近に集まるキャリアの量が制御され、Ｐゲート・カ
ソード間短絡抵抗の抵抗値が増大する。
ート・カソード間短絡抵抗として使用し、ターンオン動
作時には、この拡散抵抗領域上に絶縁膜を介して形成さ
れた電極に正電圧を印加すると、拡散抵抗領域の基板表
面付近に集まるキャリアの量が制御され、Ｐゲート・カ
ソード間短絡抵抗の抵抗値が増大する。
【００１７】
【実施例】本発明の実施例である光結合型ＰＮＰＮスイ
ッチについて、ＰＮＰＮ素子の部分の断面図を図１に示
し、回路図を図２に示す。
ッチについて、ＰＮＰＮ素子の部分の断面図を図１に示
し、回路図を図２に示す。
【００１８】図１のＰＮＰＮ素子は、Ｎ型半導体基板の
第１のＮ型領域１内に、アノード電極が設けられた第１
のＰ型領域２と第２のＰ型領域３を形成し、次にこの第
２のＰ型領域３内にカソード電極が設けられた第２のＮ
型領域４を形成し、更に第１のＮ型領域１内に、この第
２のＰ型領域３に接する第３のＰ型領域５をＰゲート・
カソード間短絡抵抗ＲGKとして形成したものである。
第１のＮ型領域１内に、アノード電極が設けられた第１
のＰ型領域２と第２のＰ型領域３を形成し、次にこの第
２のＰ型領域３内にカソード電極が設けられた第２のＮ
型領域４を形成し、更に第１のＮ型領域１内に、この第
２のＰ型領域３に接する第３のＰ型領域５をＰゲート・
カソード間短絡抵抗ＲGKとして形成したものである。
【００１９】そして、Ｐゲート・カソード間短絡抵抗Ｒ
GKとして形成された第３のＰ型領域５では、この抵抗の
端部の電極６が、アルミニウム等の配線でカソード電極
７に接続されており、抵抗を形成する第３のＰ型領域５
上には、電圧を印加することによって基板表面付近に集
まるキャリアの量を制御し、ＲGK値を可変させるための
電極９が、絶縁膜８を介して、アルミニウム等の材質で
形成されている。
GKとして形成された第３のＰ型領域５では、この抵抗の
端部の電極６が、アルミニウム等の配線でカソード電極
７に接続されており、抵抗を形成する第３のＰ型領域５
上には、電圧を印加することによって基板表面付近に集
まるキャリアの量を制御し、ＲGK値を可変させるための
電極９が、絶縁膜８を介して、アルミニウム等の材質で
形成されている。
【００２０】図２は、前記した実施例の光結合型ＰＮＰ
Ｎスイッチの回路図である。
Ｎスイッチの回路図である。
【００２１】この回路図に示された前記ＰＮＰＮ素子に
は、電極９とカソード間に、ターンオン動作の引金とな
る光照射時に電極９に正電圧を印加するためのホトダイ
オード直列配列10と、光照射オフ時に電極９にチャージ
された電荷を除去するための通路としての抵抗11が並列
に接続され、光結合型ＰＮＰＮスイッチを構成してい
る。
は、電極９とカソード間に、ターンオン動作の引金とな
る光照射時に電極９に正電圧を印加するためのホトダイ
オード直列配列10と、光照射オフ時に電極９にチャージ
された電荷を除去するための通路としての抵抗11が並列
に接続され、光結合型ＰＮＰＮスイッチを構成してい
る。
【００２２】この光結合型ＰＮＰＮスイッチのターンオ
ン動作を説明する。
ン動作を説明する。
【００２３】ＰＮＰＮ素子自体の動作については前記し
た従来の光結合型ＰＮＰＮスイッチと同様である。そし
て、発光ダイオード12からの照射光によって、ＰＮＰＮ
素子のＰＮＰトランジスタに光電流が発生すると同時
に、ホトダイオード配列10にも電圧が発生する。この電
圧が電極９に正電圧として印加され、その結果第３のＰ
型領域５の不純物濃度が薄くなり、Ｐゲート・カソード
間短絡抵抗の抵抗値が増大する。
た従来の光結合型ＰＮＰＮスイッチと同様である。そし
て、発光ダイオード12からの照射光によって、ＰＮＰＮ
素子のＰＮＰトランジスタに光電流が発生すると同時
に、ホトダイオード配列10にも電圧が発生する。この電
圧が電極９に正電圧として印加され、その結果第３のＰ
型領域５の不純物濃度が薄くなり、Ｐゲート・カソード
間短絡抵抗の抵抗値が増大する。
【００２４】すなわち、ＲGKの端子間電圧（Ｐゲート・
カソード間電圧）ＶGK（＝ＩPNP×ＲGK）として、ＮＰ
Ｎトランジスタを動作させるのに十分な約０.６Ｖを発
生させることが出来る。
カソード間電圧）ＶGK（＝ＩPNP×ＲGK）として、ＮＰ
Ｎトランジスタを動作させるのに十分な約０.６Ｖを発
生させることが出来る。
【００２５】発光ダイオード12からの光照射がオフする
と、ターンオン動作は終了し、同時にホトダイオード配
列10も電圧を発生しなくなり、電極９にチャージされて
いた電価は抵抗11を伝わって除去される。その結果、第
３のＰ型領域５の不純物濃度は通常状態に戻り、増大し
ていたＰゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値は元の小
さな値になる。
と、ターンオン動作は終了し、同時にホトダイオード配
列10も電圧を発生しなくなり、電極９にチャージされて
いた電価は抵抗11を伝わって除去される。その結果、第
３のＰ型領域５の不純物濃度は通常状態に戻り、増大し
ていたＰゲート・カソード間短絡抵抗の抵抗値は元の小
さな値になる。
【００２６】従って、電極９に正電圧を印加する前のＰ
ゲート・カソード間短絡抵抗（ＲGK）の抵抗値を十分に
小さく設定しておくことが可能となるので、dV/dt耐量
を向上させることができる。
ゲート・カソード間短絡抵抗（ＲGK）の抵抗値を十分に
小さく設定しておくことが可能となるので、dV/dt耐量
を向上させることができる。
【００２７】本発明の光結合型ＰＮＰＮ素子の、ＲGK値
を可変させるための電極に用いる材質は導電材料であれ
ばよく、アルミニウム合金等であれば半導体素子形成に
一般的に用いられているので取扱が容易であるが、これ
ら一般的な材料に限定されるものではない。また、この
電極の構造並びに形状についても、電圧を印加すること
によって基板表面付近に集まるキャリアの量を制御し、
ＲGK値を可変させることができれば、特に制限を有する
ものではない。
を可変させるための電極に用いる材質は導電材料であれ
ばよく、アルミニウム合金等であれば半導体素子形成に
一般的に用いられているので取扱が容易であるが、これ
ら一般的な材料に限定されるものではない。また、この
電極の構造並びに形状についても、電圧を印加すること
によって基板表面付近に集まるキャリアの量を制御し、
ＲGK値を可変させることができれば、特に制限を有する
ものではない。
【００２８】また、本実施例ではＰゲート・カソード間
短絡抵抗（ＲGK）としてＰ型不純物を用いた拡散抵抗を
使用しているが、光結合型ＰＮＰＮ素子とは別の領域に
Ｎ型不純物を用いた拡散抵抗を形成し、第２のＰ型領域
と第２のＮ型領域に接続して、Ｐゲート・カソード間短
絡抵抗（ＲGK）としてもよい。この場合、Ｐゲート・カ
ソード間短絡抵抗（ＲGK）領域上に絶縁膜を介して形成
された電極とには、抵抗値を大きくするためには、ター
ンオン動作時に負電圧を印加する必要がある。
短絡抵抗（ＲGK）としてＰ型不純物を用いた拡散抵抗を
使用しているが、光結合型ＰＮＰＮ素子とは別の領域に
Ｎ型不純物を用いた拡散抵抗を形成し、第２のＰ型領域
と第２のＮ型領域に接続して、Ｐゲート・カソード間短
絡抵抗（ＲGK）としてもよい。この場合、Ｐゲート・カ
ソード間短絡抵抗（ＲGK）領域上に絶縁膜を介して形成
された電極とには、抵抗値を大きくするためには、ター
ンオン動作時に負電圧を印加する必要がある。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明の光
結合型ＰＮＰＮスイッチは、Ｐゲート・カソード間短絡
抵抗（ＲGK）領域上に抵抗値の可変を目的とした電極を
設け、光照射時にこの電極とカソード間に正電圧を印加
する回路を付加したものである。その結果、ターンオン
時（光照射時）には、前記電極とカソード間に正電圧を
印加されるので、Ｐゲート・カソード間短絡抵抗
（ＲGK）の抵抗値が大きくなる。つまり、ターンオン時
のみ抵抗値を大きくして、それ以外の時は抵抗値を低く
抑えておくことが可能なので、ターンオン特性及びdV/d
t耐量を同時に向上させることが可能となる。
結合型ＰＮＰＮスイッチは、Ｐゲート・カソード間短絡
抵抗（ＲGK）領域上に抵抗値の可変を目的とした電極を
設け、光照射時にこの電極とカソード間に正電圧を印加
する回路を付加したものである。その結果、ターンオン
時（光照射時）には、前記電極とカソード間に正電圧を
印加されるので、Ｐゲート・カソード間短絡抵抗
（ＲGK）の抵抗値が大きくなる。つまり、ターンオン時
のみ抵抗値を大きくして、それ以外の時は抵抗値を低く
抑えておくことが可能なので、ターンオン特性及びdV/d
t耐量を同時に向上させることが可能となる。
【００３０】更に、光照射時に前記電極とカソード間に
プラスの電圧を印加する回路として、直列に接続された
複数のホトダイオードと抵抗とを並列に配置したものを
付加したので、ターンオン時（光照射時）にＰＮＰＮ素
子のＰＮＰトランジスタに光電流が発生すると同時に、
ホトダイオードも光照射によって電圧を発生させるの
で、電圧を印可するタイミングを制御するための、特別
な手段を設ける必要がない。
プラスの電圧を印加する回路として、直列に接続された
複数のホトダイオードと抵抗とを並列に配置したものを
付加したので、ターンオン時（光照射時）にＰＮＰＮ素
子のＰＮＰトランジスタに光電流が発生すると同時に、
ホトダイオードも光照射によって電圧を発生させるの
で、電圧を印可するタイミングを制御するための、特別
な手段を設ける必要がない。
【図１】本発明の実施例の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例の構成図である
【図３】従来の光結合型ＰＮＰＮ素子の構成図及び等価
回路図である。
回路図である。
１ 第１のＮ型領域 ２ 第１のＰ型領域 ３ 第２のＮ型領域 ４ 第２のＰ型領域 ５ 第３のＰ型領域 ７ カソード電極 ８ 絶縁膜 ９ 電極 10 ホトダイオード直列配列 11 抵抗 12 発光ダイオード Ａ アノード Ｋ カソード
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板中に形成
された第１のＰ型領域と、前記第１のＰ型領域に接合し
て前記半導体基板中に形成された第１のＮ型領域と、前
記第１のＮ型領域に接合して前記半導体基板中に形成さ
れた第２のＰ型領域と、前記第２のＰ型領域に接合して
前記半導体基板中に形成された第２のＮ型領域と、前記
第１のＰ型領域上に前記第１のＰ型領域と接続して形成
されたアノード電極と、前記第２のＮ型領域上に前記第
２のＮ型領域と接続して形成されたカソード電極と、前
記第２のＮ型領域と前記第２のＰ型領域とを接続するＰ
ゲート・カソード間短絡抵抗とを有し、光が照射される
と前記第１のＰ型領域，第１のＮ型領域及び第２のＰ型
領域が形成するＰＮＰトランジスタに発生する光電流を
きっかけにしてターンオン動作する光結合型ＰＮＰＮス
イッチに於て、 前記ターンオン動作時には前記ターンオン動作時以外の
動作時に比べて前記Ｐゲート・カソード間短絡抵抗の抵
抗値を大きくする手段を有することを特徴とする光結合
型ＰＮＰＮスイッチ。 - 【請求項２】 半導体基板と、前記半導体基板中に形成
された第１のＰ型領域と、前記第１のＰ型領域に接合し
て前記半導体基板中に形成された第１のＮ型領域と、前
記第１のＮ型領域に接合して前記半導体基板中に形成さ
れた第２のＰ型領域と、前記第２のＰ型領域に接合して
前記半導体基板中に形成された第２のＮ型領域と、前記
第１のＰ型領域上に前記第１のＰ型領域と接続して形成
されたアノード電極と、前記第２のＮ型領域上に前記第
２のＮ型領域と接続して形成されたカソード電極と、前
記第２のＰ型領域と前記第２のＮ型領域との間でＰゲー
ト・カソード間短絡抵抗として機能する第３のＰ型領域
とを有し、光が照射されると前記第１のＰ型領域，第１
のＮ型領域及び第２のＰ型領域が形成するＰＮＰトラン
ジスタに発生する光電流をきっかけにターンオン動作す
るする光結合型ＰＮＰＮスイッチに於て、 前記第３のＰ型領域上に絶縁膜を介して形成された電極
と、前記電極と接続して前記ターンオン動作時に前記電
極に正電圧を印加する手段を有することを特徴とする光
結合型ＰＮＰＮスイッチ。 - 【請求項３】 請求項１記載の光結合型ＰＮＰＮスイッ
チに於て、前記抵抗値を大きくする手段が受光部を有し
ており、前記光が照射されているかどうかを前記受光部
で検知して前記ターンオン動作時であるかどうかを判断
することを特徴とする光結合型ＰＮＰＮスイッチ。 - 【請求項４】 請求項２記載の光結合型ＰＮＰＮスイッ
チに於て、前記正電圧を印加する手段として、 前記光が照射された時に前記光を受光可能な位置に配置
され且つ前記電極と前記カソード電極の間に接続された
ホトダイオードと、前記ホトダイオードと並列に接続さ
れた抵抗とを有することを特徴とする光結合型ＰＮＰＮ
スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16284092A JPH065911A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光結合型ｐｎｐｎスイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16284092A JPH065911A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光結合型ｐｎｐｎスイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065911A true JPH065911A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15762247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16284092A Pending JPH065911A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 光結合型ｐｎｐｎスイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065911A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008529058A (ja) * | 2005-01-20 | 2008-07-31 | インテル・コーポレーション | 光学トランジスタ |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16284092A patent/JPH065911A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008529058A (ja) * | 2005-01-20 | 2008-07-31 | インテル・コーポレーション | 光学トランジスタ |
| JP4696130B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-06-08 | インテル・コーポレーション | 光学トランジスタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001226 |