JPH065634B2 - ハイブリツドｉｃ - Google Patents
ハイブリツドｉｃInfo
- Publication number
- JPH065634B2 JPH065634B2 JP58166455A JP16645583A JPH065634B2 JP H065634 B2 JPH065634 B2 JP H065634B2 JP 58166455 A JP58166455 A JP 58166455A JP 16645583 A JP16645583 A JP 16645583A JP H065634 B2 JPH065634 B2 JP H065634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bent portion
- hybrid
- lead member
- terminal
- series
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Mounting Components In General For Electric Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はハイブリッドＩＣに係り、特に車輛用のエン
ジン制御、イグナイタ等に用いられるハイブリッドＩＣ
に関する。
ジン制御、イグナイタ等に用いられるハイブリッドＩＣ
に関する。
一例の車輛用のハイブリッドＩＣにつき第１図にその要
部を示す。図において、１は合成樹脂の外囲器で外部へ
出力するための端子板２，２′…が側壁を貫通して埋込
まれている。また、外囲器に内装されたセラミック基板
３上の端子3aはリード部材４で上記端子板にろう接架橋
されて外部へ導出される。
部を示す。図において、１は合成樹脂の外囲器で外部へ
出力するための端子板２，２′…が側壁を貫通して埋込
まれている。また、外囲器に内装されたセラミック基板
３上の端子3aはリード部材４で上記端子板にろう接架橋
されて外部へ導出される。
上記リード部材による接続部を第２図に示す。図におい
て、１は外囲器、２は出力端子板、３はセラミック基
板、3aはセラミック基板上の端子で、出力端子板２との
間がリード部材４によってはんだ接続されている。な
お、５ははんだ層を示すとともに、リード部材４の接続
前の形状を第３図に示し、以下に詳述する。
て、１は外囲器、２は出力端子板、３はセラミック基
板、3aはセラミック基板上の端子で、出力端子板２との
間がリード部材４によってはんだ接続されている。な
お、５ははんだ層を示すとともに、リード部材４の接続
前の形状を第３図に示し、以下に詳述する。
リード部材４はその下端に板厚方向に２回同方向の折曲
げを施して、側面図（第２図）に見られるように直列に
２つの折曲部41，42が片仮名のコ字型をなして形成さ
れ、さらに上記と直列に板厚方向に２回同方向の折曲げ
を施して折曲部43，44が片仮名の逆コ字型をなして形成
されている。上記コ字型と逆コ字型の折曲部は、ＩＣの
作動による温度上昇によってこれと外囲器の構成材との
熱膨張係数の差に基因する引張応力を吸収する如く設計
されている。しかし、叙上の折曲部41ははんだ層５の這
上りによって封入され自由でなくなり、実質的に１個の
直角方向折曲と逆コ字型となる。このため上記引張応力
を完全に吸収することが出来ず、セラミック基板上のハ
イブリッドチップの端子部におけるはんだ接続が破壊さ
れるという重大な問題がある。
げを施して、側面図（第２図）に見られるように直列に
２つの折曲部41，42が片仮名のコ字型をなして形成さ
れ、さらに上記と直列に板厚方向に２回同方向の折曲げ
を施して折曲部43，44が片仮名の逆コ字型をなして形成
されている。上記コ字型と逆コ字型の折曲部は、ＩＣの
作動による温度上昇によってこれと外囲器の構成材との
熱膨張係数の差に基因する引張応力を吸収する如く設計
されている。しかし、叙上の折曲部41ははんだ層５の這
上りによって封入され自由でなくなり、実質的に１個の
直角方向折曲と逆コ字型となる。このため上記引張応力
を完全に吸収することが出来ず、セラミック基板上のハ
イブリッドチップの端子部におけるはんだ接続が破壊さ
れるという重大な問題がある。
この発明は上記従来の問題点に鑑みハイブリッドＩＣの
構造を改良する。
構造を改良する。
この発明に係るハイブリッドＩＣは、外囲器に内装され
たハイブリッドチップの端子と外囲器を貫通して設けら
れた端子板との間を板厚方向の折曲部が形成されたリー
ド部材により該リード部材の端部にろう接が施されて架
橋を形成したハイブリッドＩＣにおいて、前記リード部
材が、板厚方向に直角方向に形成されハイブリッド側に
ろう接により固定される第一の折曲部と、前記第一の折
曲部に直列でろうの這上りを抑止するために板厚方向に
対し直角方向に形成された第二の折曲部と、前記ハイブ
リッドチップの端子と端子板との間の応力を吸収するた
めに前記第二の折曲部に直列に形成されたコ字型とさら
に直列に形成された逆コ字型との折曲部を具備したこと
を特徴とする。
たハイブリッドチップの端子と外囲器を貫通して設けら
れた端子板との間を板厚方向の折曲部が形成されたリー
ド部材により該リード部材の端部にろう接が施されて架
橋を形成したハイブリッドＩＣにおいて、前記リード部
材が、板厚方向に直角方向に形成されハイブリッド側に
ろう接により固定される第一の折曲部と、前記第一の折
曲部に直列でろうの這上りを抑止するために板厚方向に
対し直角方向に形成された第二の折曲部と、前記ハイブ
リッドチップの端子と端子板との間の応力を吸収するた
めに前記第二の折曲部に直列に形成されたコ字型とさら
に直列に形成された逆コ字型との折曲部を具備したこと
を特徴とする。
次にこの発明を一実施例につき図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第４図ないし第６図に示すリード部材14はハイブリッド
チップの端子側（下端）で板厚方向に直角に形成された
第一の折曲部141は従来例におけると同様にはんだ層５
に封入される。次に、上記第一の折曲部141と直列に板
厚方向に直角に形成された第二の折曲部142が設けられ
ており、これではんだ層の這上りを抑止する。また、上
記第二の折曲部142と直列に板厚方向に直角方向でかつ
同方向に折曲げ形成されて片仮名のコ字型をなす第三の
折曲部143と第四の折曲部144が形成されている。さら
に、上記第三および第四の折曲部に直列に、板厚方向に
上記とは反対方向の直角方向でかつ同方向に折曲げ形成
されて片仮名の逆コ字型をなす第五の折曲部145とこれ
にさらに直列の第六の折曲部146が形成されており、ハ
イブリッドチップの端子と端子板との間の応力を吸収す
る。
チップの端子側（下端）で板厚方向に直角に形成された
第一の折曲部141は従来例におけると同様にはんだ層５
に封入される。次に、上記第一の折曲部141と直列に板
厚方向に直角に形成された第二の折曲部142が設けられ
ており、これではんだ層の這上りを抑止する。また、上
記第二の折曲部142と直列に板厚方向に直角方向でかつ
同方向に折曲げ形成されて片仮名のコ字型をなす第三の
折曲部143と第四の折曲部144が形成されている。さら
に、上記第三および第四の折曲部に直列に、板厚方向に
上記とは反対方向の直角方向でかつ同方向に折曲げ形成
されて片仮名の逆コ字型をなす第五の折曲部145とこれ
にさらに直列の第六の折曲部146が形成されており、ハ
イブリッドチップの端子と端子板との間の応力を吸収す
る。
上記構造において、第一の折曲部141ははんだ層の這上
りを見込んで形成されており、これは従来例の折曲部41
に対応する位置にあるものの、ハイブリッドチップの端
子と端子板との間の応力を吸収するために設けられてい
る従来例のものと顕著に相違する。また、上記第二の折
曲部142は特にはんだ層の這上りを抑止するために設け
られたものである。従って第三の折曲部143ないし第六
の折曲部146にはんだ層５の這上りが皆無であり、これ
らコ字型とさらに直列の逆コ字型との折曲部によりハイ
ブリッドチップの端子と端子板との間に発生する引張応
力が完全に吸収される。このためはんだ接着部、特にセ
ラミック基板上のハイブリッドチップの端子部における
はんだ接続を保全することができる。
りを見込んで形成されており、これは従来例の折曲部41
に対応する位置にあるものの、ハイブリッドチップの端
子と端子板との間の応力を吸収するために設けられてい
る従来例のものと顕著に相違する。また、上記第二の折
曲部142は特にはんだ層の這上りを抑止するために設け
られたものである。従って第三の折曲部143ないし第六
の折曲部146にはんだ層５の這上りが皆無であり、これ
らコ字型とさらに直列の逆コ字型との折曲部によりハイ
ブリッドチップの端子と端子板との間に発生する引張応
力が完全に吸収される。このためはんだ接着部、特にセ
ラミック基板上のハイブリッドチップの端子部における
はんだ接続を保全することができる。
なお、この発明にかかるリード部材は第７図に示すよう
に、全長にわたって幅が一定のリード部材24でもよく、
また、折曲部の折曲が直角になされていないリード部材
（図示省略）にも適用できる。
に、全長にわたって幅が一定のリード部材24でもよく、
また、折曲部の折曲が直角になされていないリード部材
（図示省略）にも適用できる。
この発明によればハイブリッドＩＣにおいて、このＩＣ
の作動による温度上昇によってこれと外囲器の構成材と
の熱膨張係数の差に基因して発生する引張応力を吸収す
るための折曲部がはんだの這上りによって阻害されるの
が防止できる。これによりはんだ接着部、特にセラミッ
ク基板上のハイブリッドチップの端子部におけるはんだ
接続を保全することができる顕著な利点がある。
の作動による温度上昇によってこれと外囲器の構成材と
の熱膨張係数の差に基因して発生する引張応力を吸収す
るための折曲部がはんだの這上りによって阻害されるの
が防止できる。これによりはんだ接着部、特にセラミッ
ク基板上のハイブリッドチップの端子部におけるはんだ
接続を保全することができる顕著な利点がある。
すなわち、第８図に示すようにリード部材に対する引張
荷重と変位との相関が本発明の実施例(A)と従来例を示
す(B)とでは顕著に相違する。これはリード部材を実際
に基板の端子部にはんだ付けし、リード部材に引張荷重
を印加し、この大きさと、これによって生ずる変形量と
を線図に示したもので、リード部材には第９図に示す寸
法と形状（数字の単位はいずれもmm）のものによった。
荷重と変位との相関が本発明の実施例(A)と従来例を示
す(B)とでは顕著に相違する。これはリード部材を実際
に基板の端子部にはんだ付けし、リード部材に引張荷重
を印加し、この大きさと、これによって生ずる変形量と
を線図に示したもので、リード部材には第９図に示す寸
法と形状（数字の単位はいずれもmm）のものによった。
上記線図によれば、ある量（例えば0.3mm）の変形を生
ずるのにこの発明によるリード部材では従来の半分にあ
たる100グラムで済むほどにクッション性が良好である
ことが明らかである。
ずるのにこの発明によるリード部材では従来の半分にあ
たる100グラムで済むほどにクッション性が良好である
ことが明らかである。
したがって、ＩＣにおけるリード部材のはんだ剥がれが
顕著に低減し、製造工程の歩留と品質信頼性の向上に著
効を奏する。
顕著に低減し、製造工程の歩留と品質信頼性の向上に著
効を奏する。
第１図はハイブリッドＩＣの一部を示す斜視図、第２図
は第１図の一部の断面図、第３図はリード部材の斜視
図、第４図ないし第６図はこの発明の一実施例にかか
り、第４図はリード部材の側面図、第５図は第４図の斜
視図、第６図はハイブリッドＩＣの一部の断面図、第７
図は別の一実施例のリード部材の斜視図、第８図はこの
発明の効果を示す線図、第９図は第８図の測定に用いた
リード部材の寸法を示す側面図である。 １ ハイブリッドＩＣの外囲器 ２，２′ 端子板 ３ ハイブリッドチップ ３ａ ハイブリッドチップの端子 ５ はんだ層 14，24 リード部材 141 第一の折曲部 142 第二の折曲部 143 第三の折曲部 144 第四の折曲部 145 第五の折曲部 146 第六の折曲部
は第１図の一部の断面図、第３図はリード部材の斜視
図、第４図ないし第６図はこの発明の一実施例にかか
り、第４図はリード部材の側面図、第５図は第４図の斜
視図、第６図はハイブリッドＩＣの一部の断面図、第７
図は別の一実施例のリード部材の斜視図、第８図はこの
発明の効果を示す線図、第９図は第８図の測定に用いた
リード部材の寸法を示す側面図である。 １ ハイブリッドＩＣの外囲器 ２，２′ 端子板 ３ ハイブリッドチップ ３ａ ハイブリッドチップの端子 ５ はんだ層 14，24 リード部材 141 第一の折曲部 142 第二の折曲部 143 第三の折曲部 144 第四の折曲部 145 第五の折曲部 146 第六の折曲部
Claims (1)
- 【請求項１】外囲器に内装されたハイブリッドチップの
端子と外囲器を貫通して設けられた端子板との間を板厚
方向の折曲部が形成されたリード部材により該リード部
材の端部にろう接が施されて架橋を形成したハイブリッ
ドＩＣにおいて、前記リード部材が、板厚方向に直角方
向に形成されハイブリッド側にろう接により固定される
第一の折曲部と、前記第一の折曲部に直列でろうの這上
りを抑止するために板厚方向に対し直角方向に形成され
た第二の折曲部と、前記ハイブリッドチップの端子と端
子板との間の応力を吸収するために前記第二の折曲部に
直列に形成されたコ字型とさらに直列に形成された逆コ
字型との折曲部を具備したことを特徴とするハイブリッ
ドＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166455A JPH065634B2 (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | ハイブリツドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166455A JPH065634B2 (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | ハイブリツドｉｃ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058700A JPS6058700A (ja) | 1985-04-04 |
| JPH065634B2 true JPH065634B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=15831717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166455A Expired - Lifetime JPH065634B2 (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | ハイブリツドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065634B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014157162A (ja) * | 2014-04-25 | 2014-08-28 | Panasonic Corp | 慣性力センサ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| HU177498B (en) * | 1977-07-27 | 1981-10-28 | Richter Gedeon Vegyeszet | Process for preparing new vincinic acid and apovincinic acid esters |
| JPS55165584A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-24 | Nippon Electric Co | Electric part and method of bending lead wire of electric part |
| JPS5682884U (ja) * | 1979-11-30 | 1981-07-04 |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166455A patent/JPH065634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6058700A (ja) | 1985-04-04 |
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