JPH0654259A - Fit型固体撮像装置 - Google Patents

Fit型固体撮像装置

Info

Publication number
JPH0654259A
JPH0654259A JP4225033A JP22503392A JPH0654259A JP H0654259 A JPH0654259 A JP H0654259A JP 4225033 A JP4225033 A JP 4225033A JP 22503392 A JP22503392 A JP 22503392A JP H0654259 A JPH0654259 A JP H0654259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
clock pulses
φim1
photoelectric conversion
φim2
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4225033A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Kumezawa
哲郎 粂澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP4225033A priority Critical patent/JPH0654259A/ja
Priority to KR1019930012420A priority patent/KR100256726B1/ko
Publication of JPH0654259A publication Critical patent/JPH0654259A/ja
Priority to US08/369,257 priority patent/US5495289A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/625Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of smear
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
    • H04N25/622Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/715Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame interline transfer [FIT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フレーム蓄積読出し駆動を行っても、入射光
の無い暗時でのフリッカの発生を防止し得るFIT型固
体撮像装置を提供する。 【構成】 フレーム蓄積読出し駆動を行う際に、ライン
シフト転送期間Tl1,Tl2において、クロックパルスφ
IM1,φIM3の電圧レベルをノーマリ“H”レベ
ル、クロックパルスφIM2,φIM4の電圧レベルを
ノーマリ“L”レベルとすることにより、奇数ラインと
偶数ラインの光電変換部のポテンシャルをそれぞれ同じ
にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、FIT(Frame Interli
ne Transfer)型固体撮像装置に関し、特にFIT型固体
撮像装置におけるフレーム蓄積読出しの駆動方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】固体撮像装置、例えばCCD(Charge Co
upled Device) イメージセンサにおいては、通常、フィ
ールド蓄積読出しが行われるが、垂直解像度を向上する
ためには、フレーム蓄積読出しの方が好ましい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の駆動方
法でフレーム蓄積読出しを行った場合、入射光の無い暗
時において、モニター出力画面を見苦しくするフリッカ
ノイズが現れるという問題があった。以下、これについ
て説明する。先ず、図1に示すFIT型CCDイメージ
センサにおいて、イメージ部1およびストレージ部2に
形成された垂直転送レジスタ61 〜6n を、クロックパ
ルスφIM1,φIM2,φIM3,φIM4およびク
ロックパルスφST1,φST2,φST3,φST4
によって4相駆動するものとする。
【0004】図5に、従来の駆動方法におけるクロック
パルスφIM1,φIM2,φIM3,φIM4および
φST1,φST2,φST3,φST4のタイミング
チャートを示す。この従来の駆動タイミングでは、各々
のラインの光電変換部So,Seが、それぞれ読出しパ
ルス11,12によってリセットされた後電気的に浮遊
した状態となり、各転送電極E1 ,E2 ,E3 ,E
4 (図2を参照)に印加されるクロックパルスφIM
1,φIM2,φIM3,φIM4との静電結合によ
り、そのポテンシャルが変動することから、奇数ライン
の光電変換部Soと偶数ラインの光電変換部Seでは、
ラインシフト転送期間Tl1,Tl2において、そのポテン
シャルが互いに異なる。それぞれの読出しパルス11,
12の直後では、同じポテンシャルに設定されるのであ
るが、その後の各クロックパルスφIM1,φIM2,
φIM3,φIM4の条件(電圧レベル)が異なるた
め、奇数ラインと偶数ラインでの光電変換部So,Se
のポテンシャルが異なる。
【0005】さらに具体的に言うならば、ラインシフト
転送期間Tl1,Tl2において、クロックパルスφIM
1,φIM2が定常時高レベル(以下、ノーマリ“H”
レベルと称する)、クロックパルスφIM3,φIM4
が定常時低レベル(以下、ノーマリ“L”レベルと称す
る)となるため、クロックパルスφIM1で読み出され
る奇数ラインの光電変換部Soのポテンシャルは、偶数
ラインの光電変換部Seのポテンシャルよりも高くな
る。したがって、入射光の無い暗時の状態で、奇数ライ
ンと偶数ラインの光電変換部So,Seで発生する暗電
流分の電荷量が異なることになるため、フリッカノイズ
が発生するのである。
【0006】本発明は、上述した点に鑑みてなされたも
のであって、フレーム蓄積読出し駆動を行っても、入射
光の無い暗時でのフリッカの発生を防止し得るFIT型
固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるFIT型固体撮像装置は、ラインシフ
ト転送期間において、垂直転送レジスタの転送電極に印
加するクロックパルスの電圧レベルを、イメージ部にお
ける奇数ラインの光電変換部と偶数ラインの光電変換部
とで同一レベルにする。このFIT型固体撮像装置にお
いて、垂直転送レジスタは、各ラインの1個の光電変換
部に対して2個の転送電極を有しかつ隣接する4個の転
送電極で1段をなしている。これら4個の転送電極に
は、4相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM
3,φIM4が電荷転送方向の順に印加される。
【0008】また、ラインシフト転送期間において、4
相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM3,φ
IM4の電圧レベルを、次の6通りのいずれかにする。 (1)φIM1,φIM3ではノーマリ“H”レベル、φ
IM2,φIM4ではノーマリ“L”レベルとする。 (2)φIM1,φIM3ではノーマリ“L”レベル、φ
IM2,φIM4ではノーマリ“H”レベルとする。 (3)φIM1,φIM3では“H”レベル一定、φIM
2,φIM4では“L”レベル一定とする。 (4)φIM1,φIM3では“L”レベル一定、φIM
2,φIM4では“H”レベル一定とする。 (5)φIM1〜φIM4を全て“L”レベル一定とす
る。 (6)φIM1〜φIM4を全て“H”レベル一定とす
る。
【0009】
【作用】フレーム蓄積読出し駆動において、ラインシフ
ト転送期間では、上記の6通りのいずれかの駆動タイミ
ングによって垂直転送レジスタの転送電極に印加するク
ロックパルスの電圧レベルを、イメージ部における奇数
ラインの光電変換部と偶数ラインの光電変換部とで同一
レベルとすることにより、各々のラインの光電変換部に
おいて、同じポテンシャルで信号電荷の蓄積を開始でき
る。その結果、フレーム蓄積読出し駆動を行っても、入
射光の無い暗時でのフリッカの発生を防止することがで
きる。
【0010】上記(2) 〜 (6)の駆動タイミングでは、ラ
インシフト転送期間において、垂直転送するためのクロ
ックパルスが発生されず、イメージ部でのラインシフト
転送が行われない。したがって、その分だけ消費電力を
低減できる。さらに、上記(5) ,(6) の駆動タイミング
では、ラインシフト転送期間において、クロックパルス
φIM1〜φIM4を全て同一の電圧レベルにすること
により、イメージ部での垂直転送レジスタ内のチャネル
ポテンシャルが一定レベルに揃えられる。これにより、
この垂直転送レジスタで生成されるスミア電荷を絶えず
ストレージ部の垂直転送レジスタに掃き出すことができ
るので、スミア偽信号の発生を抑制できる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図1は、代表的なFIT型CCDイメージ
センサの全体の構成図である。図1において、本CCD
イメージセンサは、イメージ部1、ストレージ部2、水
平転送レジスタ3、スミアドレイン部4および信号電荷
検出部5からなっている。イメージ部1には、複数個の
光電変換部So11,So12,……,Somn、Se11,S
12,……,Semnが画素単位で2次元状に配列されて
いる。また、イメージ部1およびストレージ部2には、
光電変換部So11,So12,……,Somn、Se11,S
12,……,Semnの垂直列毎にn本の垂直転送レジス
タ61 ,62 ,……,6n が形成されている。垂直転送
レジスタ61 ,62 ,……,6n は、イメージ部1では
4相のクロックパルスφIM1〜φIM4によって駆動
され、ストレージ部2ではイメージ部1とは異なる4相
のクロックパルスφST1〜φST4によって駆動され
る。水平転送レジスタ3は、2相のクロックパルスφH
1,φH2によって駆動される。
【0012】図2は、イメージ部1における光電変換部
So11,So12,……,Somn、Se11,Se12,…
…,Semnと垂直転送レジスタ61 ,62 ,……,6n
の転送電極の配置図である。図2において、垂直転送レ
ジスタ61 ,62 ,……,6n は、各ラインの1個の光
電変換部So,Seに対して2個の転送電極E1
2 ,E3 とE4 を有しかつ隣接する4個の転送電極E
1 ,E2 ,E3 ,E4 で1段をなしている。そして、こ
れら転送電極E1 ,E2 ,E3 ,E4 には、4相のクロ
ックパルスφIM1,φIM2,φIM3,φIM4が
電荷転送方向の順に印加される。また、奇数ラインの光
電変換部Soは、転送電極E4 ,E1 ,E2 と静電結合
を形成し、偶数ラインの光電変換部Seは転送電極
2 ,E3 ,E4 と静電結合を形成する。
【0013】上記構成のFIT型CCDイメージセンサ
において、本発明の特徴とするところは、イメージ部1
における垂直転送レジスタ61 ,62 ,……,6n の駆
動タイミングにある。以下、具体的な実施例について説
明する。図3は、本発明の第1の実施例に係る垂直転送
用クロックパルスφIM1〜φIM4およびφST1〜
φST4の駆動タイミングを示すタイミングチャートで
ある。なお、図3のタイミングチャートにおいて、パル
ス11,12は、光電変換部So,Seから垂直転送レ
ジスタ61 〜6n に信号電荷を読み出すための読出しパ
ルス、パルス13,14は信号電荷を垂直転送するため
のクロックパルス、15はイメージ部1の垂直転送レジ
スタ61 〜6n に蓄積されるスミア電荷を掃き出すため
のスミア電荷掃出しパルスである。
【0014】本実施例では、ラインシフト転送期間Tl
1,Tl2において、4相のクロックパルスφIM1〜φ
IM4を、φIM1,φIM3ではノーマリ“H”レベ
ル、φIM2,φIM4ではノーマリ“L”レベルとし
て、奇数ラインと偶数ラインの光電変換部So,Seに
対して同じ関係にクロックパルスを印加してラインシフ
ト転送を行うようにしている。この駆動タイミングによ
れば、ラインシフト転送期間Tl1,Tl2において、奇数
ラインの光電変換部と偶数ラインの光電変換部でそれぞ
れ同じポテンシャルで信号電荷の蓄積を開始することが
できる。その結果、入射光の無い暗時でのフリッカを防
止することができる。
【0015】なお、本実施例では、ラインシフト転送期
間Tl1,Tl2の全期間において、クロックパルスφIM
1,φIM3をノーマリ“H”レベル、クロックパルス
φIM2,φIM4をノーマリ“L”レベルにするとし
たが、必ずしも全期間においてこの状態にする必要はな
く、少なくとも、ラインシフト転送期間Tl1,Tl2の一
部の期間においてその状態にしても、所期の目的をある
程度達成することができる。また、ストレージ部2の4
相のクロックパルスφST1〜φST4の各タイミング
は、必ずしも図3に示すタイミングに限定されるもので
はなく、信号電荷の転送を正常に行い得るのであれば、
どのようなタイミングであっても良い。
【0016】さらに、本実施例においては、垂直転送レ
ジスタ61 〜6n として、4相駆動のレジスタを用いた
場合について説明したが、必ずしも4相駆動のレジスタ
である必要はなく、本発明は、2相駆動、3相駆動のレ
ジスタを用いた場合にも同様に適用し得る。いずれの場
合にも、ラインシフト転送期間において、垂直転送レジ
スタ61 〜6n の転送電極に印加するクロックパルスの
電圧レベルを、奇数ラインの光電変換部Soと偶数ライ
ンの光電変換部Seとで同一レベルにすることにより、
所期の目的を達成できる。
【0017】またさらに、本実施例では、ラインシフト
転送期間Tl1,Tl2において、クロックパルスφIM1
〜φIM4を、φIM1,φIM3ではノーマリ“H”
レベル、φIM2,φIM4ではノーマリ“L”レベル
にするとしたが、次の3通りの駆動タイミングによって
も、第1の実施例の場合と同じ効果を得ることができ
る。すなわち、ラインシフト転送期間Tl1,Tl2の全期
間において、4相のクロックパルスφIM1〜φIM4
を、 φIM1,φIM3ではノーマリ“L”レベル、φI
M2,φIM4ではノーマリ“H”レベルとする。 φIM1,φIM3では“H”レベル一定、φIM
2,φIM4では“L”レベル一定とする。 φIM1,φIM3では“L”レベル一定、φIM
2,φIM4では“H”レベル一定とする。
【0018】これら3通りの駆動タイミングはいずれ
も、ラインシフト転送期間Tl1,Tl2において、4相の
クロックパルスφIM1〜φIM4の電圧レベルを、奇
数ラインの光電変換部Soと偶数ラインの光電変換部S
eとで同一レベルにするものであるため、第1の実施例
の場合と同様に、入射光の無い暗時でのフリッカを防止
することができる。また、上記,の駆動タイミング
では、ラインシフト転送期間Tl1,Tl2において、4相
のクロックパルスφIM1とφIM3,φIM2とφI
M4の各電圧レベルを“H”又は“L”レベル一定と
し、垂直転送のためのクロックパルス13,14(図3
を参照)を停止してイメージ部1でのラインシフト転送
を行わないようにしているので、その分だけ消費電力を
低減することができる。
【0019】図4は、本発明の第2の実施例に係る垂直
転送用クロックパルスφIM1〜φIM4およびφST
1〜φST4の駆動タイミングを示すタイミングチャー
トである。本実施例では、ラインシフト転送期間Tl1,
Tl2において、イメージ部1の垂直転送レジスタ61
n に印加される4相のクロックパルスφIM1〜φI
M4の電圧レベルを全て“L”レベルとしている。これ
によれば、先ず、第1の実施例の場合と同様に、ライン
シフト転送期間Tl1,Tl2において、奇数ラインの光電
変換部Soと偶数ラインの光電変換部Seとで同じポテ
ンシャルで信号電荷の蓄積が行われる。その結果、入射
光の無い暗時でのフリッカを防止することができる。
【0020】また、第2の実施例では、暗時でのフリッ
カの防止効果に加え、次に示す2つの波及効果が得られ
る。先ず、ラインシフト転送期間Tl1,Tl2において、
4相のクロックパルスφIM1〜φIM4の電圧レベル
を全て“L”レベルとし、垂直転送のためのクロックパ
ルス13,14(図3を参照)を停止しているので、上
記,の駆動タイミングの場合と同様に、ラインシフ
ト転送を行わない分だけ消費電力を低減することができ
る。
【0021】次に、ラインシフト転送期間Tl1,Tl2に
おいて、4相のクロックパルスφIM1〜φIM4を全
て同じ電圧レベルにすることにより、イメージ部1での
垂直転送レジスタ61 〜6n 内のチャネルポテンシャル
を一定レベルに揃えることになり、この垂直転送レジス
タ61 〜6n で生成されるスミア電荷を絶えずストレー
ジ部2の垂直転送レジスタ61 〜6n に掃き出すことが
できる。したがって、この駆動方法によれば、イメージ
部1の垂直転送レジスタ61 〜6n に蓄積されるスミア
電荷量は僅かとなるので、このスミア電荷量をスミア電
荷掃出しパルス15によって殆ど全て掃き出すことが可
能となる。その結果、スミア電荷の掃出し転送不良によ
って発生するスミア偽信号の発生を効果的に抑えること
ができる。
【0022】なお、本実施例では、ラインシフト転送期
間Tl1,Tl2において、イメージ部1の垂直転送レジス
タ61 〜6n に印加される4相のクロックパルスφIM
1〜φIM4の電圧レベルを、全て“L”レベルにする
としたが、全て“H”レベルにするようにしても良い。
この場合にも、奇数ラインの光電変換部Soと偶数ライ
ンの光電変換部Seとで同じポテンシャルで信号電荷の
蓄積が行われるため、暗時でのフリッカを防止すること
ができる。また、イメージ部1でのラインシフト転送が
行われないことになるので、その分だけ消費電力を低減
することができる。さらには、垂直転送レジスタ61
n で生成されるスミア電荷を絶えずストレージ部2の
垂直転送レジスタ61 〜6n に掃き出すことができるの
で、スミア偽信号の発生を抑制できる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フレーム蓄積読出し駆動において、ラインシフト転送期
間では、垂直転送レジスタの転送電極に印加するクロッ
クパルスの電圧レベルを、イメージ部における奇数ライ
ンの光電変換部と偶数ラインの光電変換部とで同一レベ
ルとするようにしたことにより、各々のラインの光電変
換部において、同じポテンシャルで信号電荷の蓄積を開
始できるので、フレーム蓄積読出し駆動を行っても、入
射光の無い暗時でのフリッカの発生を防止することがで
きることになる。
【0024】また、ラインシフト転送期間において、ク
ロックパルスφH1とφH3,φH2とφH4を“H”
又は“L”レベル一定としたことにより、垂直転送する
ためのクロックパルスが発生されず、イメージ部でのラ
インシフト転送が行われないため、その分だけ消費電力
を低減できることにもなる。
【0025】さらに、ラインシフト転送期間において、
クロックパルスφIM1〜φIM4を全て同じ電圧レベ
ルにするようにしたことにより、イメージ部でのライン
シフト転送が行われず、消費電力を低減できるという効
果に加え、イメージ部での垂直転送レジスタ内のチャネ
ルポテンシャルが一定レベルに揃えられることから、こ
の垂直転送レジスタで生成されるスミア電荷を絶えずス
トレージ部の垂直転送レジスタに掃き出すことができる
ので、スミア偽信号の発生を抑制できるという効果を得
ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】代表的なFIT型イメージセンサの全体を示す
構成図である。
【図2】イメージ部での光電変換部と垂直転送レジスタ
の転送電極の配置図である。
【図3】本発明の第1の実施例に係る駆動タイミングを
示すクロックパルスφIM1〜φIM4およびφST1
〜φST4のタイミングチャートである。
【図4】本発明の第2の実施例に係る駆動タイミングを
示すクロックパルスφIM1〜φIM4およびφST1
〜φST4のタイミングチャートである。
【図5】従来例に係る駆動タイミングを示すクロックパ
ルスφIM1〜φIM4およびφST1〜φST4のタ
イミングチャートである。
【符号の説明】
1 イメージ部 2 ストレージ部 3 水平転送レジスタ 5 信号電荷検出部 61 〜6n 垂直転送レジスタ So11〜Somn,Se11〜Semn 光電変換部

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光電変換部が画素単位で2次元状に配列
    されてなるイメージ部と、前記イメージ部の各光電変換
    部で光電変換された信号電荷を一時的に貯えるストレー
    ジ部と、前記イメージ部および前記ストレージ部に各光
    電変換部の垂直列毎に形成された複数本の垂直転送レジ
    スタと、前記複数本の垂直転送レジスタによって垂直転
    送された信号電荷を水平転送する水平転送レジスタとを
    具備したFIT型固体撮像装置であって、 ラインシフト転送期間において、前記垂直転送レジスタ
    の転送電極に印加するクロックパルスの電圧レベルを、
    前記イメージ部における奇数ラインの光電変換部と偶数
    ラインの光電変換部とで同一レベルにしたことを特徴と
    するFIT型固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記垂直転送レジスタは、各ラインの1
    個の光電変換部に対して2個の転送電極を有しかつ隣接
    する4個の転送電極で1段をなし、前記4個の転送電極
    には4相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM
    3,φIM4が電荷転送方向の順に印加されることを特
    徴とする請求項1記載のFIT型固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 ラインシフト転送期間において、前記4
    相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM3,φ
    IM4の電圧レベルを、φIM1,φIM3では定常時
    高レベル、φIM2,φIM4では定常時低レベルとす
    ることを特徴とする請求項2記載のFIT型固体撮像装
    置。
  4. 【請求項4】 ラインシフト転送期間において、前記4
    相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM3,φ
    IM4の電圧レベルを、φIM1,φIM3では定常時
    低レベル、φIM2,φIM4では定常時高レベルとす
    ることを特徴とする請求項2記載のFIT型固体撮像装
    置。
  5. 【請求項5】 ラインシフト転送期間において、前記4
    相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM3,φ
    IM4の電圧レベルを、φIM1,φIM3では高レベ
    ル一定、φIM2,φIM4では低レベル一定とするこ
    とを特徴とする請求項2記載のFIT型固体撮像装置。
  6. 【請求項6】 ラインシフト転送期間において、前記4
    相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM3,φ
    IM4の電圧レベルを、φIM1,φIM3では低レベ
    ル一定、φIM2,φIM4では高レベル一定とするこ
    とを特徴とする請求項2記載のFIT型固体撮像装置。
  7. 【請求項7】 ラインシフト転送期間において、前記4
    相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM3,φ
    IM4の電圧レベルを低レベル一定とすることを特徴と
    する請求項2記載のFIT型固体撮像装置。
  8. 【請求項8】 ラインシフト転送期間において、前記4
    相のクロックパルスφIM1,φIM2,φIM3,φ
    IM4の電圧レベルを高レベル一定とすることを特徴と
    する請求項2記載のFIT型固体撮像装置。
JP4225033A 1992-07-31 1992-07-31 Fit型固体撮像装置 Pending JPH0654259A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4225033A JPH0654259A (ja) 1992-07-31 1992-07-31 Fit型固体撮像装置
KR1019930012420A KR100256726B1 (ko) 1992-07-31 1993-07-02 프레임 인터라인 트랜스퍼형 고체촬상장치
US08/369,257 US5495289A (en) 1992-07-31 1995-01-05 Fit solid state image sensor with flicker suppression

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4225033A JPH0654259A (ja) 1992-07-31 1992-07-31 Fit型固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0654259A true JPH0654259A (ja) 1994-02-25

Family

ID=16823009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4225033A Pending JPH0654259A (ja) 1992-07-31 1992-07-31 Fit型固体撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5495289A (ja)
JP (1) JPH0654259A (ja)
KR (1) KR100256726B1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5876247A (en) * 1996-05-17 1999-03-02 The Whitaker Corporation Shielded electrical connector
US7887371B2 (en) 2004-06-23 2011-02-15 Amphenol Corporation Electrical connector incorporating passive circuit elements
US8382524B2 (en) 2010-05-21 2013-02-26 Amphenol Corporation Electrical connector having thick film layers
US8591257B2 (en) 2011-11-17 2013-11-26 Amphenol Corporation Electrical connector having impedance matched intermediate connection points
US8734185B2 (en) 2010-05-21 2014-05-27 Amphenol Corporation Electrical connector incorporating circuit elements

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3819631B2 (ja) * 1999-03-18 2006-09-13 三洋電機株式会社 固体撮像装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4658287A (en) * 1984-02-29 1987-04-14 Fairchild Camera And Instrument Corp. MOS imaging device with monochrome-color compatibility and signal readout versatility
JPH0695735B2 (ja) * 1985-12-25 1994-11-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JPS63177664A (ja) * 1987-01-19 1988-07-21 Canon Inc 電子スチルカメラ
JPS63250980A (ja) * 1987-04-08 1988-10-18 Hitachi Ltd 固体撮像装置
DE3877034T2 (de) * 1987-04-10 1993-04-22 Toshiba Kawasaki Kk Festkoerper-bildabtaster mit hochgeschwindigkeitsverschluss und verfahren zur erzielung einer hohen verschlussgeschwindigkeit in einem festkoerper-bildabtaster.
JPH04237271A (ja) * 1991-01-21 1992-08-25 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像装置
JPH05236359A (ja) * 1992-02-18 1993-09-10 Sony Corp 固体撮像装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5876247A (en) * 1996-05-17 1999-03-02 The Whitaker Corporation Shielded electrical connector
US7887371B2 (en) 2004-06-23 2011-02-15 Amphenol Corporation Electrical connector incorporating passive circuit elements
US8123563B2 (en) 2004-06-23 2012-02-28 Amphenol Corporation Electrical connector incorporating passive circuit elements
US8382524B2 (en) 2010-05-21 2013-02-26 Amphenol Corporation Electrical connector having thick film layers
US8734185B2 (en) 2010-05-21 2014-05-27 Amphenol Corporation Electrical connector incorporating circuit elements
US9722366B2 (en) 2010-05-21 2017-08-01 Amphenol Corporation Electrical connector incorporating circuit elements
US10186814B2 (en) 2010-05-21 2019-01-22 Amphenol Corporation Electrical connector having a film layer
US11336060B2 (en) 2010-05-21 2022-05-17 Amphenol Corporation Electrical connector having thick film layers
US8591257B2 (en) 2011-11-17 2013-11-26 Amphenol Corporation Electrical connector having impedance matched intermediate connection points

Also Published As

Publication number Publication date
US5495289A (en) 1996-02-27
KR940003345A (ko) 1994-02-21
KR100256726B1 (ko) 2000-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3906496B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法、並びにカメラ
JP2001238134A (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラシステム
JPH04262679A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPH11261901A (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP5473951B2 (ja) 固体撮像装置及びカメラ
US5796432A (en) Method of and apparatus for solid state imaging device
JPH0654259A (ja) Fit型固体撮像装置
JPH10285467A (ja) 撮像装置
JP3509184B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JPS639288A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JP3208791B2 (ja) Ccd撮像素子及びその駆動方法
US20110261240A1 (en) Solid-state imaging device
JP2799003B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方式
JP3158324B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JP3036250B2 (ja) Ccd素子
JP3397151B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPS59122085A (ja) 固体撮像素子
JPS6258593B2 (ja)
JP2807342B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
US7586133B2 (en) Solid state imaging apparatus and driving method of solid state imaging apparatus
JP2703944B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPS59154882A (ja) 固体撮像装置
JP3003366B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法
JPH09191432A (ja) 撮像装置
JP2578989B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法