JP5473951B2 - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents
固体撮像装置及びカメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5473951B2 JP5473951B2 JP2010550352A JP2010550352A JP5473951B2 JP 5473951 B2 JP5473951 B2 JP 5473951B2 JP 2010550352 A JP2010550352 A JP 2010550352A JP 2010550352 A JP2010550352 A JP 2010550352A JP 5473951 B2 JP5473951 B2 JP 5473951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- horizontal
- electrode
- unit
- vertical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 119
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 15
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 101000860173 Myxococcus xanthus C-factor Proteins 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/447—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by preserving the colour pattern with or without loss of information
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/14837—Frame-interline transfer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/14843—Interline transfer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
図1は本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示している。図1に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、複数の光電変換素子103と、光電変換素子103から読み出した電荷を列方向(垂直方向)に転送する垂直転送部101と、垂直転送部101から電荷を受け取り、受け取った電荷を行方向(水平方向)に転送する水平転送部102と、垂直転送部101から水平転送部102への電荷の転送を制御する転送制御部104とを備えている。
図11は第2の実施形態における固体撮像装置の構成を示している。図12は本実施形態の固体撮像装置の動画モードにおける駆動タイミングを示している。図11において、図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
図13は第3の実施形態における水平転送部の構成を示している。図13において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。本実施形態の固体撮像装置は、水平転送チャネル121に隣接してバリア領域125と水平ドレイン126とが形成されている。
図19(a)〜(c)は、第4の実施形態に係る固体撮像装置の通常モードにおける電荷の転送を示している。図19において、図2と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。第1の実施形態の固体撮像装置は、水平インターレースを行う通常モードにおいて、水平ブランキング期間に垂直転送部から水平転送部に信号電荷を転送する際に、3つの水平転送電極にハイレベルの電圧を印加した。しかし、本実施形態の固体撮像装置は、ハイレベルの電圧を印加する水平電極を、電荷を転送する列に応じて切り換えている。
図21は第5の実施形態に係る固体撮像装置の最終電極152付近の構成を示している。図21において、図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。本実施形態の固体撮像装置は、水平ブランキング期間にハイレベルとなる水平転送電極122(R)、水平転送電極122(C)及び水平転送電極122(L)の水平方向の電極長を局所的に変更している。垂直転送部101と水平転送部102との境界部付近において、水平転送電極122(R)及び水平転送電極122(L)の水平方向の電極長を、水平転送電極122(C)よりも長くしている。また、水平転送電極122(B)の水平方向の電極長を水平転送電極122(C)よりも短くしている。このため、L列の垂直転送チャネル111の端部と水平転送電極122(L)の端部との間の水平方向の距離d4及び、R列の垂直転送チャネル111の端部と水平転送電極122(R)の端部との間の水平方向の距離d5を大きくすることができる。従って、垂直転送チャネル111の幅を大きくすることができる。これにより、L列の垂直転送チャネル111及びR列の垂直転送チャネル111から水平転送部102への信号電荷の転送効率を改善でき、列ごとの信号電荷の転送ばらつきを抑制できる。
図22は、第6の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示している。図22において、図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。本実施形態の固体撮像装置は、3列の垂直転送チャネル111を4つの水平転送電極122のうちの2つに対応するように配置している。従って、転送阻止電極148よりも水平転送部102側における垂直転送チャネル111の中心間の間隔d3は、画素繰り返し領域107における垂直転送チャネル111の中心間の間隔d1よりも小さくなる。
図23は、第7の実施形態係る固体撮像装置の構成を示している。図23において、図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。本実施形態の固体撮像装置は、垂直転送チャネル111がR列とL列の2つを含み、R列はR1列とR2列を含み、L列はL1列とL2列とを含んでいる。1つの単位制御部143は、R1列とL2列又はR2列とL1列に対応する。また、隣接するR1列とR2列とに対応する信号電荷蓄積電極147及び転送阻止電極148は一体に形成されており、隣接するL1列とL2列とに対応する信号電荷蓄積電極147及び転送阻止電極148は共通に形成されている。つまり、隣接する2つの単位制御部143に含まれる信号電荷蓄積電極147及び転送阻止電極148は、それぞれ一体に形成されている。
102 水平転送部
103 光電変換素子
104 転送制御部
107 領域
111 垂直転送チャネル
112 垂直転送電極
121 水平転送チャネル
122 水平転送電極
123 転送パケット
125 バリア領域
126 水平ドレイン
142 制御部電極
143 単位制御部
147 信号電荷蓄積電極
148 転送阻止電極
149 制御部転送電極
151 中間電極
152 最終電極
Claims (19)
- 固体撮像装置は、
画素繰り返し領域に行列状に配置された複数の光電変換素子と、
前記光電変換素子から読み出した電荷を列方向に転送する垂直転送部と、
前記垂直転送部から電荷を受け取り、受け取った電荷を行方向に転送する水平転送部と、
前記垂直転送部から前記水平転送部への電荷の転送を制御する転送制御部とを備え、
前記垂直転送部は、列方向に延びる複数の垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルの上に形成された複数の垂直転送電極とを有し、
前記水平転送部は、行方向に延びる水平転送チャネルと、前記水平転送チャネルの上に形成された複数の水平転送電極とを有し且つ複数の転送パケットにより構成され、
前記転送パケットは、前記複数の水平転送電極のうちの隣接して形成された2以上の水平転送電極を含み、前記複数の垂直転送チャネルのうちの隣接した2以上の垂直転送チャネルと対応し、
前記転送制御部は、前記転送パケットと対応した複数の単位制御部を有し、
前記単位制御部は、前記垂直転送チャネルと、該垂直転送チャネルの上に形成された複数の制御部電極とを有し、
前記制御部電極は、前記垂直転送部側から順次形成された信号電荷蓄積電極及び転送阻止電極を含み、
前記垂直転送チャネルは、それぞれ独立して前記水平転送チャネルと接続され、
前記垂直転送部から前記水平転送部への電荷の転送を停止する場合には、前記信号電荷蓄積電極にハイレベルの電圧を印加し且つ前記転送阻止電極にローレベルの電圧を印加し、
前記垂直転送チャネルの幅は、前記転送制御部において前記画素繰り返し領域よりも広く、
一の前記単位制御部に含まれる隣接した前記垂直転送チャネルの中心間の距離は、前記転送制御部において前記画素繰り返し領域よりも短いことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記信号電荷蓄積電極及び転送阻止電極は、前記単位制御部ごとに独立して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 互いに隣接し且つ互いに異なる前記単位制御部に含まれる前記信号電荷蓄積電極及び転送阻止電極は、それぞれ一体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 固体撮像装置は、
画素繰り返し領域に行列状に配置された複数の光電変換素子と、
前記光電変換素子から読み出した電荷を列方向に転送する垂直転送部と、
前記垂直転送部から電荷を受け取り、受け取った電荷を行方向に転送する水平転送部と、
前記垂直転送部から前記水平転送部への電荷の転送を制御する転送制御部とを備え、
前記垂直転送部は、列方向に延びる複数の垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルの上に形成された複数の垂直転送電極とを有し、
前記水平転送部は、行方向に延びる水平転送チャネルと、前記水平転送チャネルの上に形成された複数の水平転送電極とを有し且つ複数の転送パケットにより構成され、
前記転送パケットは、前記複数の水平転送電極のうちの隣接して形成された2以上の水平転送電極を含み、前記複数の垂直転送チャネルのうちの隣接した2以上の垂直転送チャネルと対応し、
前記転送制御部は、前記転送パケットと対応した複数の単位制御部を有し、
前記単位制御部は、前記垂直転送チャネルと、該垂直転送チャネルの上に形成された複数の制御部電極とを有し、
前記制御部電極は、前記垂直転送部側から順次形成された信号電荷蓄積電極及び転送阻止電極を含み、
前記垂直転送チャネルは、それぞれ独立して前記水平転送チャネルと接続され、
前記垂直転送部から前記水平転送部への電荷の転送を停止する場合には、前記信号電荷蓄積電極にハイレベルの電圧を印加し且つ前記転送阻止電極にローレベルの電圧を印加し、
前記制御部電極は、制御部転送電極を含み、
前記信号電荷蓄積電極及び転送阻止電極と、前記制御部転送電極とは互いに異なる前記垂直転送チャネルの上に形成され、
前記制御部転送電極は、前記画素繰り返し領域に設けられた垂直転送電極と同一の転送パルスにより駆動されることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記制御部転送電極の下における前記垂直転送チャネルの幅は、前記水平転送部側において前記垂直転送部側よりも広いことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
- 固体撮像装置は、
画素繰り返し領域に行列状に配置された複数の光電変換素子と、
前記光電変換素子から読み出した電荷を列方向に転送する垂直転送部と、
前記垂直転送部から電荷を受け取り、受け取った電荷を行方向に転送する水平転送部と、
前記垂直転送部から前記水平転送部への電荷の転送を制御する転送制御部と、
前記転送制御部と前記垂直転送部との間において前記垂直転送チャネルの上に形成された中間電極を備え、
前記垂直転送部は、列方向に延びる複数の垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルの上に形成された複数の垂直転送電極とを有し、
前記水平転送部は、行方向に延びる水平転送チャネルと、前記水平転送チャネルの上に形成された複数の水平転送電極とを有し且つ複数の転送パケットにより構成され、
前記転送パケットは、前記複数の水平転送電極のうちの隣接して形成された2以上の水平転送電極を含み、前記複数の垂直転送チャネルのうちの隣接した2以上の垂直転送チャネルと対応し、
前記転送制御部は、前記転送パケットと対応した複数の単位制御部を有し、
前記単位制御部は、前記垂直転送チャネルと、該垂直転送チャネルの上に形成された複数の制御部電極とを有し、
前記制御部電極は、前記垂直転送部側から順次形成された信号電荷蓄積電極及び転送阻止電極を含み、
前記垂直転送チャネルは、それぞれ独立して前記水平転送チャネルと接続され、
前記垂直転送部から前記水平転送部への電荷の転送を停止する場合には、前記信号電荷蓄積電極にハイレベルの電圧を印加し且つ前記転送阻止電極にローレベルの電圧を印加し、
前記中間電極にローレベルの電圧を印加した場合における前記垂直転送チャネルの前記中間電極と対応する位置の電位は、前記垂直転送電極にローレベルの電圧を印加した場合における前記垂直転送チャネルの前記垂直転送電極に対応する位置の電位と等しいことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記転送制御部と前記垂直転送部との間において前記垂直転送チャネルの上に形成された中間電極をさらに備え、
前記中間電極に隣接する前記垂直転送電極の下に蓄積された前記電荷を、前記転送制御部へ転送する場合に、前記中間電極と隣接する前記制御部電極は、前記中間電極と同時又は前記中間電極よりも早くハイレベルとなることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記転送パケットは、4つの前記水平転送電極を含み且つ3つの前記垂直転送チャネルと対応し、
前記3つの垂直転送チャネルは、互いに隣接する3つの前記水平転送電極が配置された位置において前記水平転送チャネルと接続されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記転送パケットは、4つの前記水平転送電極を含み且つ3つの前記垂直転送チャネルと対応し、
前記3つの垂直転送チャネルは、互いに隣接する2つの前記水平転送電極が配置された位置において前記水平転送チャネルと接続されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記転送パケットは、4つの前記水平転送電極を含み且つ3つの前記垂直転送チャネルと対応し、
水平ブランキング期間において、前記4つの水平転送電極のうちの2つ以上にハイレベルの電圧が印加され、前記水平転送部は前記転送制御部を介して前記3つの垂直転送チャネルから前記電荷を受け取ることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記ハイレベルの電圧が印加される水平転送電極の数は3つであることを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。
- 前記転送パケットは、前記転送制御部側における幅が前記転送制御部と反対側における幅よりも広い水平転送電極と、前記転送制御部側における幅が前記転送制御部と反対側における幅よりも狭い水平転送電極とを少なくとも1つずつ含んでいることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記水平転送チャネルとバリア領域を挟んで隣接し、行方向に延びる水平ドレイン領域をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の水平転送電極のうち、前記垂直転送部から前記電荷が転送される場合にハイレベルの電圧が印加される水平転送電極の数と、前記電荷の転送が完了した後にハイレベルの電圧が印加される水平転送電極の数とは互いに異なっていることを特徴とする請求項13に記載の固体撮像装置。
- 前記転送パケットは、4つの前記水平転送電極を含み且つ3つの前記垂直転送チャネルと対応し、
前記4つの水平転送電極のうちの3つにハイレベルの電圧を印加して前記3つの垂直転送チャネルから前記水平転送部に前記電荷を転送する動作と、
前記4つの水平転送電極のうちの1つ又は2つにローレベルの電圧を印加して転送された前記電荷を2つ又は1つの前記水平転送電極の下に蓄積する動作と、
前記4つの水平転送電極のうちの2つにハイレベルの電圧を印加して蓄積された前記電荷を水平方向に転送する動作とを行うことを特徴とする請求項14に記載の固体撮像装置。 - 前記単位制御部は、3つの前記垂直転送チャネルを有し、
前記3つの垂直転送チャネルのうちの1つから対応する前記転送パケットへ前記電荷を転送する第1の動作と、
転送された前記電荷を、隣接する前記単位制御部に対応する前記転送パケットまで水平方向に転送する第2の動作と、
前記3つの垂直転送チャネルのうちの残りの2つから対応する前記転送パケットへ前記電荷を転送する第3の動作とを行うことにより3つの前記電荷を水平転送部において混合することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 1ライン分の前記電荷を分割して出力する出力するモードにおいて、
水平ブランキング期間にハイレベルの電圧を印加する前記水平転送電極は、分割フィールドことに異なっていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記転送パケットは、4つの前記水平転送電極を含み且つ3つの前記垂直転送チャネルと対応し、
1ライン分の前記電荷を分割して出力する出力するモードにおいて、
前記4つの水平転送電極のうちの3つにハイレベルの電圧を印加し、
前記3つの垂直転送電極から前記電荷を受け取る前記水平転送電極は、分割フィールドごとに異なっていることを特徴とする請求項17に記載の固体撮像装置。 - 請求項1〜18のいずれか1項に記載の固体撮像装置を備えていることを特徴とするカメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010550352A JP5473951B2 (ja) | 2009-02-13 | 2009-11-05 | 固体撮像装置及びカメラ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009030973 | 2009-02-13 | ||
JP2009030973 | 2009-02-13 | ||
PCT/JP2009/005879 WO2010092644A1 (ja) | 2009-02-13 | 2009-11-05 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP2010550352A JP5473951B2 (ja) | 2009-02-13 | 2009-11-05 | 固体撮像装置及びカメラ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010092644A1 JPWO2010092644A1 (ja) | 2012-08-16 |
JP5473951B2 true JP5473951B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=42561498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010550352A Expired - Fee Related JP5473951B2 (ja) | 2009-02-13 | 2009-11-05 | 固体撮像装置及びカメラ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8373780B2 (ja) |
JP (1) | JP5473951B2 (ja) |
WO (1) | WO2010092644A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2011086622A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2013-05-16 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ |
JP5727824B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-06-03 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法、電子情報機器 |
JP6019295B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2016-11-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及びカメラシステム |
WO2014002415A1 (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
JP6739891B2 (ja) * | 2014-09-01 | 2020-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335854A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
JPH08130684A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Nec Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
JP2002077931A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の駆動方法およびそれを用いたカメラ |
JP2006310655A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4280141A (en) * | 1978-09-22 | 1981-07-21 | Mccann David H | Time delay and integration detectors using charge transfer devices |
JP3102557B2 (ja) | 1997-08-07 | 2000-10-23 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
US7038723B1 (en) * | 1999-04-26 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device, method for driving the same and camera using the same |
JP4338298B2 (ja) | 2000-10-04 | 2009-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 電荷転送装置およびその駆動方法 |
JP4212623B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2009-01-21 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
JP2008060550A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
US20090152605A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Image sensor and cmos image sensor |
-
2009
- 2009-11-05 JP JP2010550352A patent/JP5473951B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-05 WO PCT/JP2009/005879 patent/WO2010092644A1/ja active Application Filing
-
2011
- 2011-08-12 US US13/209,086 patent/US8373780B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335854A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
JPH08130684A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Nec Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
JP2002077931A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の駆動方法およびそれを用いたカメラ |
JP2006310655A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010092644A1 (ja) | 2010-08-19 |
US20110292267A1 (en) | 2011-12-01 |
JPWO2010092644A1 (ja) | 2012-08-16 |
US8373780B2 (en) | 2013-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101182973B1 (ko) | 고체 촬상 소자, 고체 촬상 소자의 구동 방법 및 촬상 장치 | |
JP4305970B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
US7683956B2 (en) | Solid-state imaging device, driving method thereof, and camera that separate image component signal and non-image component signal | |
JP5473951B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
JP2000307961A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム | |
US20110075003A1 (en) | Solid-state imaging device and camera including the same | |
JP4178621B2 (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラシステム | |
JP4759444B2 (ja) | Ccd型固体撮像素子の駆動方法、固体撮像装置 | |
JP3009041B1 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
US20080239130A1 (en) | Drive method of ccd-type solid-state image pickup device and image pickup apparatus | |
JP3948042B2 (ja) | カメラシステム、撮像装置および撮像方法 | |
US20110261240A1 (en) | Solid-state imaging device | |
WO2011086622A1 (ja) | 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ | |
JP4759450B2 (ja) | Ccd型固体撮像素子の駆動方法及びccd型固体撮像装置 | |
JP2006108315A (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2011092775A1 (ja) | 固体撮像装置、駆動方法およびカメラ | |
JP2008118414A (ja) | 固体撮像装置およびこれを備えた撮像装置 | |
WO2011129039A1 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
JP2010067656A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
JP2002204395A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法およびそれを用いたカメラ | |
JP2005269410A (ja) | Ccd固体撮像装置の駆動方法、ccd固体撮像装置およびカメラ | |
JP2010206565A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 | |
JP2010080810A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
JP2007027978A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
JP2007311945A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120928 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20121005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5473951 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |