JPH0637007A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH0637007A
JPH0637007A JP21457992A JP21457992A JPH0637007A JP H0637007 A JPH0637007 A JP H0637007A JP 21457992 A JP21457992 A JP 21457992A JP 21457992 A JP21457992 A JP 21457992A JP H0637007 A JPH0637007 A JP H0637007A
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cup
wafer
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政明 村上
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則光 森岡
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貴志 竹熊
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 カップ外へ飛散する処理液の量及びカップ内
壁ではね返って被処理体に再付着する処理液の量を可及
的に減少する。 【構成】 外カップ30の上端縁から半径方向内方へ水
平保護壁30aを形成する。水平保護壁30aの先端か
らスピンチャック21にて保持されるウエハWの近傍位
置まで延在する垂直保護壁30bを形成する。制御装置
44が、処理液供給ノズル22からの処理液の供給の停
止後、所定の時間の後にダンパ39を閉じ、供給の開始
前、所定の時間前にダンパ39を開くように制御を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
のような板状被処理体の表面に現像液等の処理液を供給
する処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の装置を使用して板状の被
処理体に処理液を塗布する際、回転する被処理体から振
切られて飛散した処理液がカップ内壁ではね返って被処
理体表面に付着したり、カップ外に飛散することがあっ
た。これを防止するために、例えばカップの底部より排
気を行うことにより、カップ内にその上部開口部よりエ
ア(クリンルーム内のダウンフロー)を導入し、被処理
体表面に沿って外方へ流れる気流を発生させている(特
公昭59−3549号公報参照)。
【0003】従来のこの種の現像装置において、被処理
体である半導体ウエハ(以下ウエハと称する)は、水平
回転するスピンチャック上に吸着保持され、その上方に
配置された処理液供給ノズルから処理液例えばスプレー
状の現像液の供給を受ける。ウエハを保持するスピンチ
ャックは、環状のカップによって周囲を囲まれている。
【0004】カップは、カップ底部、スピンチャック周
囲を実質的に囲む円筒状部及びカップ上面を形成する水
平部から構成されている。また、カップは、ウエハの出
入れができるように上部が大きく開いており、一方底部
には負圧源に接続された排気口、及び液体を排出する排
液口を有する。排気口と排液口の間には仕切部材が設け
られており、いわば迷路を形成して処理液が排気口まで
達しないようになっている。
【0005】このように構成された従来の現像装置にお
いて、排気口を通してカップ内の排気を行うと、カップ
上部の開口から導入されたエアは、ウエハの表面に沿っ
て放射状に外周方向に流れた後に、カップ円筒状部と迷
路部分を通って排気口から排気される。回転の際にウエ
ハ周縁部から振切られた処理液は、飛散してカップ内壁
に当たり、前記のようにウエハ表面に沿って放射状に流
れ、かつその後下降するエア流によって運搬され、同様
に排気口から排出される。カップ内壁に付着して液滴と
なった処理液は、内壁に沿って下降し、底部で収集され
て排液口から排出される。これにより、処理液は板状の
被処理体に均一かつ適正に塗布でき、その点においてこ
の装置は優れたものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の装置ではミスト状にした処理液のかなりの量が
カップの外へ飛散し、なおかつ回転する被処理体から振
切られて飛散した処理液がカップ内壁ではね返って、再
び被処理体に付着することがある。その場合、処理液を
無駄にし消費することになると共に、塗布に不均一が生
じる等の問題があった。
【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、カップ外へ飛散する処理液の量及びカップ内壁では
ね返って被処理体に再付着する処理液の量を可及的に減
少するようにした処理装置を提供することを目的とする
ものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体を保持する回転保
持手段と、この回転保持手段の上方から処理液をミスト
状にして噴霧するノズルと、上記回転保持手段の周りを
囲むカップと、このカップによって囲まれ回転保持手段
を収容する空間を負圧源に連結する排気通路と、この排
気通路内に配置された通路開閉手段と、この通路開閉手
段の開閉を制御する制御手段とを具備する処理装置を前
提とし、上記カップの上端縁から半径方向内方へ突出す
る水平保護壁を形成すると共に、この水平保護壁の先端
から上記回転保持手段にて保持される被処理体の近傍位
置まで延在する垂直保護壁を形成し、上記制御手段が、
上記ノズルからの処理液の供給の停止後、所定の時間の
後に上記通路開閉手段を閉じ、かつ供給の開始前、所定
の時間前に通路開閉手段を開くように制御を行うことを
特徴とするものである。
【0009】この発明において、上記垂直保護壁は、少
なくともカップ上端の水平保護壁の先端から回転保持手
段にて保持される被処理体の近傍位置まで延在していれ
ばよいが、好ましくは、垂直保護壁を水平保護壁より上
方へ起立する方がよい。また、垂直保護壁に排気通路に
連通する開口を穿設することにより、飛散された処理液
のミストを排出できる点で好ましい。
【0010】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、カップの上部開口から排気口までのエアの流れ
はスムーズになり、なおかつ上部開口部は小さくなり、
かつカップと被処理体の間のギャップは狭くなるので、
これら部分のエアの流速が高まる。それにより被処理体
の上方で飛散したミスト状の処理液はスムースかつ迅速
に被処理体下方の空間へと搬送される。
【0011】また、通路開閉手段の開閉を行う制御手段
は、ノズルの噴霧の開始及び停止等の情報により、通路
開閉手段を最適な時点に開閉する。すなわち噴霧の開始
の際にはそれより所定時間前に通路開閉手段が開かれ、
排気を開始しておく。一方、噴霧の停止の際にはその後
所定時間、通路開始手段を開いたままとし、排気を継続
する。それにより被処理体上方で飛散したミスト状の処
理液が外部に飛散してしまう状態が起こり得なくなる。
【0012】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。
【0013】図1は、この発明による処理装置を含むレ
ジスト塗布現像装置の全体を概略的に示しており、レジ
スト塗布現像装置は、主要部として、ウエハWに種々の
処理を施す処理機構ユニット10と、処理機構ユニット
10にウエハWを自動的に搬入及び搬出する搬入・搬出
機構1とを有する。
【0014】搬入・搬出機構1は、処理前のウエハWを
収納するウエハキャリア2と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア3と、ウエハWを吸着保持するアー
ム4と、このアーム4をX,Y(水平),Z(垂直)及
びθ(回転)方向に移動させる移動機構5と、ウエハW
がアライメントされかつ処理機構ユニット10との間で
ウエハWの受渡しがなされるアライメントイテージ6と
を備えている。
【0015】処理機構ユニット10は、アライメントス
テージ6からX方向に形成された搬送路11に沿って移
動自在な搬送機構12を有する。搬送機構12は、X,
Y,Z(垂直)及びθ方向に移動自在なメインアーム1
3を有する。搬送路11の一方の側には、ウエハWとレ
ジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒージョ
ン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウエハW
に塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発させ
るためのプリベーク機構15と、加熱処理されたウエハ
Wを冷却する冷却機構16とが配置されている。搬送路
11の他方の側には、ウエハWの表面にレジスト液を塗
布する処理液塗布機構17と、所定のパターンが露光さ
れたレジスト膜を現像処理する現像機構18と、レジス
ト液が塗布されたウエハWの表面に所定のパターンを露
光するステッパ機構19とが配置されている。
【0016】以上のように構成されたレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・搬出
機構1のアーム4によってウエハキャリア2から取出さ
れ、アライメントステージ6上に載置される。次に、ア
ライメントステージ6上のウエハWは、搬送機構12の
メインアーム13に保持されて、各処理機構14〜19
へ順次搬送される。処理後のウエハWは、再びメインア
ーム13によってアライメントステージ6へ戻され、さ
らにアーム4によってウエハキャリア3へ搬送されて収
納される。
【0017】なお、上記のように構成されるレジスト塗
布現像装置において、ステッパ機構19は、ウエハWを
吸着保持するチャック19aを具備している。このチャ
ック19aの保持面には、図3に示すように、例えば、
同心円状の複数の環状凸条19bが設けられており、こ
の環状凸条19b上に載置されたウエハWの表面の焦点
を合わせた後に、露光処理を行うようになっている。な
お、上記ステッパ機構19は、組込まずに外置とし、イ
ンターフェース機構(図示せず)を介してウエハWの授
受を行うように構成してもよい。
【0018】この場合、焦点合わせの際に、ウエハWの
裏面にパーティクルが付着していると、ウエハW下面と
環状凸条19b上面との間にパーティクルが入り込ん
で、ウエハWとチャック19a面との水平配置を阻害す
ることがあり、フォーカスエラーが生じ露光処理に支障
をきたす虞がある。このパーティクルの付着の最大の原
因としては、搬入・搬出機構1のアーム4によってウエ
ハWがウエハキァリア2から取出される際のアームWの
保持部との接触であることが確認されている。
【0019】そこで、この問題を解決する手段として、
本実施例では、図3に示すように、アーム4のウエハ保
持面に、ステッパチャック19aの環状凸条19bと重
ならない位置の同心円状の環状凸条4aを形成してあ
る。したがって、アーム4によって保持される際にウエ
ハWの下面にパーティクルが付着しても、そのパーティ
クルは環状凸条19b間の溝内に位置するので、ステッ
パーチャック19aの環状凸条19b上面とウエハW下
面との間に入り込んでウエハWの水平配置を阻害するこ
とはなく、ステッパーでのフォーカスエラーを防止でき
る。
【0020】なお、上記説明ではステッパーチャック1
9a上面の保持面が環状凸条19bである場合について
説明したが、環状凸条19b以外として、例えば放射状
あるいは格子状等の任意の形状の保持面を設けた場合に
おいても、上記と同様にステッパーチャック19aの保
持面とアーム4の保持面4aとを互いに合致しない位置
に設ければよい。
【0021】この発明による処理装置18は、図2に示
すように、ウエハWを水平に吸着保持して水平回転させ
る回転保持手段であるスピンチャック21と、このスピ
ンチャック21上に移動されてウエハWの表面に処理液
例えば現像液をスプレー供給する処理液供給ノズル22
と、スピンチャック21のウエハ保持部21aの周囲及
び下方を囲むように同心状配置された環状の内カップ2
9と、このスピンチャック21と内カップ29を包囲し
て装置外への処理液の飛散を防止する外カップ30とで
主要部が構成されている。
【0022】内カップ29は、外カップ30の底部から
起立されてスピンチャック21の周囲を実質的に囲む円
筒状の起立部29aと、この起立部29aの上端部に形
成されてこの内カップ29の上面31を形成する水平部
29bと、水平部29bの外周縁部のやや内側から斜め
の下方へと広がりながら延びた傾斜部29cと、この傾
斜部29cの外周縁部から下方へ外カップ30の底部近
くまで延在する外周部29dとで構成されている。この
内カップの各部分29a,29b,29c,29dと外
カップ30の周壁、底部及び仕切部材34とによって、
同心状の3つの環状流路36、37、35が区画形成さ
れ、これら環状流路36、37、35は連続しているの
で、いわば迷路を形成している。
【0023】外カップ30はウエハWの出し入れができ
るように上部に大きな開口を有し、底部には排気口32
及び排液口33を有し、この排気口32は内側環状流路
35に、排液口33は外側環状流路36に、それぞれ連
通している。
【0024】排気口32には、これと同径の筒状の流速
干渉部42が接続されており、流速干渉部42の先端
に、排気口32より小径の配管38が接続されている。
この流速干渉部42は、排気口32の近くのエアAの流
れをスムースにするために設けられている。配管38内
には排気流を制御する通路開閉手段であるダンパ39が
開閉可能に配設されている。このダンパ39は、ソレノ
イド43を介して制御装置44から制御されるようにな
っている。制御装置44は処理液供給ノズル22の供給
駆動部22aと電気的に接続されている。
【0025】本実施例において、外カップ30の上部開
口の縁は、半径方向内方へ延在する水平保護壁30a
と、この水平保護壁30aの先端から下方へ延在する垂
直保護壁30bとを有する。この場合、垂直保護壁30
bの先端はウエハWの外周に極めて近接しており、この
垂直部の先端とウエハWの外周との間には狭いギャップ
が形成されている。
【0026】上記のように構成されるこの発明の処理装
置18において、制御装置44が供給駆動部22aから
の信号を受け、その信号と予め記憶された情報とを比較
演算してその制御信号をソレノイド43に伝達する。す
ると、ダンパ39はノズル22から処理液を供給し始め
る時、予めそのほぼ3秒前に開いて排気を開始する。一
方、処理液供給を停止する時には、その直後にダンパ3
9を閉じず、処理液供給を停止してからほぼ2秒後にダ
ンパ39を閉じる。なお、実際のプロセス条件に対応し
て可変とし、時間の指定は、制御装置44に設けたタイ
マによって行うことができる。
【0027】上記のようにして、ダンパ39を開いた時
に外カップ30の上部開口から導入されたエアAは、ウ
エハWの表面に沿ってウエハ周辺方向に向って放射状に
流れ、内カップ29と外カップ30との間を通って降下
し、外側環状流路36、中間環状流路37及び内側環状
流路35を通って排気口32に達し、ダンパ39を経て
排気される。その場合ウエハWの外周と垂直保護壁30
bの下端部との間のギャップが狭いので、この部分のエ
アAの流速が高くなっており、なおかつこの垂直保護壁
30bの作用によりこの部分のエアAの流れはスムース
になっている。したがって、ノズル22から噴霧された
ミスト状の処理液及び外カップ30の内壁に当たってミ
スト状になった処理液は、この部分のエアAの流れによ
って良好に搬送かつ排出され、ウエハW上への再付着は
防止され、現像膜の均一性を向上させることができる。
さらに上記のようなダンパ39の時間制御により、ミス
ト状の処理液がカップ外に飛散して周辺の構成部品等に
付着して汚染したり、また、他の処理ユニットや搬送中
のウエハWに付着したりするのを防止できる。
【0028】図4はこの発明の第二実施例の処理装置の
断面図が示されている。第二実施例は処理液のミストの
外方への飛散を更に確実に防止できるようにした場合で
ある。すなわち、外カップ30の垂直保護壁30bを水
平保護壁30aより上方へ起立させて、起立部30cに
より例えば導入されるエアAの流れを整流化して処理液
のミストの外方への飛散を更に有効に防止するようにし
た場合である。また、起立部30cを設けることによっ
て外カップ30内の排気流が均一・安定化するため外カ
ップ30全体の小型化の維持が図れる。なお、第二実施
例において、その他の部分は上記第一実施例と同じであ
るので、同一部分化には同一符号を付して、その説明は
省略する。
【0029】図5はこの発明の第三実施例の処理装置の
断面図が示されている。第三実施例は処理液のミストを
更に効率よく排出できるようにした場合である。すなわ
ち、外カップ30の垂直保護壁30bに排気通路である
環状流路36,37,35と速通する開口30dを穿設
して、この開口30dを介してエアAを排気口32側へ
流し、この別系統の空気流に伴ってカップ外に飛散しよ
うとするミストや外カップ30内上方部に滞留しようと
する処理液のミストを効率良く排気側へ搬送させるよう
にした場合である。なお、第三実施例において、その他
の部分は上記第一実施例及び第二実施例と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略す
る。
【0030】なお、上記実施例では被処理体が半導体ウ
エハの場合について説明したが、半導体ウエハ以外のガ
ラス基板、LCD,CD基板等の表面処理にも適用でき
ることは勿論である。更に、この発明の処理装置は、現
像処理の他に、洗浄処理、エッチング処理等の装置にも
適用できる。
【0031】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば上記のように構成されているので、以下の
ような効果が得られる。
【0032】1)請求項1記載の処理装置によれば、ミ
スト状の処理液が周囲に飛散することを防止でき、処理
液がパーティクルとなってウエハに付着するのを防止で
きる。その結果、被処理体の処理膜の均一性を従来のも
のに較べて著しく向上でき、製品の歩留まりの向上を図
ることができる。
【0033】2)請求項2記載の処理装置によれば、垂
直保護壁を水平保護壁より上方へ起立するので、起立部
により処理液のミストの外方への飛散をより確実に防止
することができる。また、起立部を設けることによって
カップ全体を小型化にすることができる。
【0034】3)請求項3記載の処理装置によれば、外
カップの垂直保護壁に排気通路と連通する開口を穿設す
るので、この開口を流れる空気流に伴って処理液のミス
トをさらに効率良く排気側へ搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明による処理装置を含む装置全体を示す
概略平面図である。
【図2】この発明の処理装置の第一実施例を示す断面図
である。
【図3】図1に示す装置における被処理体搬送アームと
ステッパーチャックを示す概略斜視図である。
【図4】この発明の処理装置の第二実施例を示す断面図
である。
【図5】この発明の処理装置の第三実施例を示す断面図
である。
【符号の説明】
21 スピンチャック(回転保持手段) 22 処理液供給ノズル 29 内カップ 30 外カップ 30a 水平保護壁 30b 垂直保護壁 30c 起立部 30d 開口 32 排気口 38 配管 39 ダンパ(通路開閉手段) 43 ソレノイド 44 制御装置(制御手段)
【手続補正書】
【提出日】平成4年8月21日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】 上記のように構成されるこの発明の処理
装置18において、制御装置44が供給駆動部22aか
らの信号を受け、その信号と予め記憶された情報とを比
較演算してその制御信号をソレノイド43に伝達する。
すると、ダンパ39はノズル22から処理液を供給し始
める時、予めそのほぼ3秒前に開いて排気を開始する。
一方、処理液供給を停止する時には、その直後にダンパ
39を閉じず、処理液供給を停止してからほぼ2秒後に
ダンパ39を閉じる。なお、時間の指定は、実際のプロ
セス条件に対応して可変とし、制御装置44に設けたタ
イマによって行うことができる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】 上記のようにして、ダンパ39を開いた
時に外カップ30の上部開口から導入されたエアAは、
ウエハWの表面に沿ってウエハ周辺方向に向って放射状
に流れ、内カップ29と外カップ30との間を通って降
下し、外側環状流路36、中間環状流路37及び内側環
状流路35を通って排気口32に達し、ダンパ39を経
て排気される。その場合ウエハWの外周と垂直保護壁3
0bの下端部との間のギャップが狭いので、この部分の
エアAの流速が高くなっており、なおかつこの垂直保護
壁30bの作用によりこの部分のエアAの流れはスムー
スになっている。したがって、ノズル22から噴霧され
たミスト状の処理液及び外カップ30の内壁に当たって
ミスト状になった処理液は、この部分のエアAの流れに
よって良好に搬送かつ排出され、ウエハW上への再付着
は防止され、現像の均一性を向上させることができる。
さらに上記のようなダンパ39の時間制御により、ミス
ト状の処理液がカップ外に飛散して周辺の構成部品等に
付着して汚染したり、また、他の処理ユニットや搬送中
のウエハWに付着したりするのを防止できる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】変更
【補正内容】
【0030】 なお、上記実施例では被処理体が半導体
ウエハの場合について説明したが、半導体ウエハ以外の
ガラス基板、LCD基板、CD等の表面処理にも適用で
きることは勿論である。更に、この発明の処理装置は、
現像処理の他に、洗浄処理、エッチング処理等の装置に
も適用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹熊 貴志 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体を保持する回転保持手段と、こ
    の回転保持手段の上方から処理液をミスト状にして噴霧
    するノズルと、上記回転保持手段の周りを囲むカップ
    と、このカップによって囲まれ回転保持手段を収容する
    空間を負圧源に連結する排気通路と、この排気通路内に
    配置された通路開閉手段と、この通路開閉手段の開閉を
    制御する制御手段とを具備する処理装置において、 上記カップの上端縁から半径方向内方へ突出する水平保
    護壁を形成すると共に、この水平保護壁の先端から上記
    回転保持手段にて保持される被処理体の近傍位置まで延
    在する垂直保護壁を形成し、 上記制御手段が、上記ノズルからの処理液の供給の停止
    後、所定の時間の後に上記通路開閉手段を閉じ、かつ供
    給の開始前、所定の時間前に通路開閉手段を開くように
    制御を行うことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 垂直保護壁を水平保護壁より上方へ起立
    してなることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
  3. 【請求項3】 カップ上端の垂直保護壁に排気通路に連
    通する開口を穿設してなることを特徴とする請求項1又
    は2記載の処理装置。
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