JPH06349888A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH06349888A JPH06349888A JP5137056A JP13705693A JPH06349888A JP H06349888 A JPH06349888 A JP H06349888A JP 5137056 A JP5137056 A JP 5137056A JP 13705693 A JP13705693 A JP 13705693A JP H06349888 A JPH06349888 A JP H06349888A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- frame
- resin
- lead
- tape
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームの内部リードに接続したフィル
ムキャリアの樹脂フィルム枠が樹脂封止時の熱や樹脂流
により変形や浮き沈みを生じることを低減してボイドの
発生を防止する。 【構成】絶縁フィルム枠を絶縁フィルムテープ１２と、
この絶縁フィルムテープ１２の各端部を互に連結して枠
状に形成する金属箔テープ１４とで構成することによ
り、絶縁フィルムテープ１２の面積を小さくでき、また
金属箔テープ１４により絶縁フィルムテープ１２の変形
を抑えて絶縁フィルム枠全体の変形・浮き沈みを小さく
する。
ムキャリアの樹脂フィルム枠が樹脂封止時の熱や樹脂流
により変形や浮き沈みを生じることを低減してボイドの
発生を防止する。 【構成】絶縁フィルム枠を絶縁フィルムテープ１２と、
この絶縁フィルムテープ１２の各端部を互に連結して枠
状に形成する金属箔テープ１４とで構成することによ
り、絶縁フィルムテープ１２の面積を小さくでき、また
金属箔テープ１４により絶縁フィルムテープ１２の変形
を抑えて絶縁フィルム枠全体の変形・浮き沈みを小さく
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にフィルムキャリアテープとリードフレームを
複合させて用いた樹脂封止型半導体装置（以下複合型フ
ラットパッケージと記す）に関する。
関し、特にフィルムキャリアテープとリードフレームを
複合させて用いた樹脂封止型半導体装置（以下複合型フ
ラットパッケージと記す）に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のパッケージとしては樹脂封
止型とセラミック封止型の２種類に大きく分類される
が、安価で量産性に適していることから樹脂封止型が主
流となっている。
止型とセラミック封止型の２種類に大きく分類される
が、安価で量産性に適していることから樹脂封止型が主
流となっている。
【０００３】また、近年の半導体装置等の電子部品に対
する小型・薄型化、多機能化の要求に伴い、従来のリー
ドフレームではパターン加工性に限界があり、多ピン狭
ピッチのリードフレームを製造するのが困難となってき
たため、この対策としてフィルムキャリアテープとリー
ドフレームを複合させた複合型フラットパッケージが検
討されている。
する小型・薄型化、多機能化の要求に伴い、従来のリー
ドフレームではパターン加工性に限界があり、多ピン狭
ピッチのリードフレームを製造するのが困難となってき
たため、この対策としてフィルムキャリアテープとリー
ドフレームを複合させた複合型フラットパッケージが検
討されている。
【０００４】図２（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止型半
導体装置の一例を示す平面図およびＡ−Ａ′線断面図で
ある。
導体装置の一例を示す平面図およびＡ−Ａ′線断面図で
ある。
【０００５】図２（ａ），（ｂ）に示すように、フレー
ム３に接続された吊りリード４ａで支持されたアイラン
ド４と、フレーム３に接続されたタイバー１２により支
持され且つアイランド４の周囲に配置された内部リード
５と内部リード５の外側延長上に設けた外部リード６を
有するリードフレームのアイランド４の上に銀ペースト
２でマウントされた半導体チップ１と、ポリイミド等の
絶縁フィルム枠１３の上に接着されて半導体チップ１の
電極上に形成されたバンプ１０にインナーリードボンデ
ィング（以下ＩＬＢと記す）された銅等の金属箔からな
る内部リード８と、内部リード８の外側に接続され且つ
リードフレームの内部リード５とアウターリードボンデ
ィング（以下ＯＬＢと記す）された外部リード９を有す
るテープキャリアとを有して構成され、その後の工程
で、リードフレームの内部リード５を含む半導体チップ
１をエポキシ樹脂等で樹脂封止し、複合型フラットパッ
ケージを構成する。
ム３に接続された吊りリード４ａで支持されたアイラン
ド４と、フレーム３に接続されたタイバー１２により支
持され且つアイランド４の周囲に配置された内部リード
５と内部リード５の外側延長上に設けた外部リード６を
有するリードフレームのアイランド４の上に銀ペースト
２でマウントされた半導体チップ１と、ポリイミド等の
絶縁フィルム枠１３の上に接着されて半導体チップ１の
電極上に形成されたバンプ１０にインナーリードボンデ
ィング（以下ＩＬＢと記す）された銅等の金属箔からな
る内部リード８と、内部リード８の外側に接続され且つ
リードフレームの内部リード５とアウターリードボンデ
ィング（以下ＯＬＢと記す）された外部リード９を有す
るテープキャリアとを有して構成され、その後の工程
で、リードフレームの内部リード５を含む半導体チップ
１をエポキシ樹脂等で樹脂封止し、複合型フラットパッ
ケージを構成する。
【０００６】ここで、半導体チップ１のバンプ１０とリ
ードフレームの内部リード５との間に接続された内部リ
ード８および外部リード９を有するテープキャリアを介
在させることにより、多ピン狭ピッチ化に対応できる複
合型フラットパッケージを構成できる。
ードフレームの内部リード５との間に接続された内部リ
ード８および外部リード９を有するテープキャリアを介
在させることにより、多ピン狭ピッチ化に対応できる複
合型フラットパッケージを構成できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置では、フィルムキャリアのリードの変形を防
止すために内部リードと外部リードの中間に接着した絶
縁フィルム枠の強度が弱いために樹脂封止の際の樹脂の
流動で絶縁フィルム枠が変形してしまい、その結果とし
てパッケージの中心に半導体チップが収まらなかった
り、モールド金型内を流れる樹脂のバランスが崩れて樹
脂の流れが上下均等に流れないためにパッケージ表面に
ボイドが発生するという問題点があった。
半導体装置では、フィルムキャリアのリードの変形を防
止すために内部リードと外部リードの中間に接着した絶
縁フィルム枠の強度が弱いために樹脂封止の際の樹脂の
流動で絶縁フィルム枠が変形してしまい、その結果とし
てパッケージの中心に半導体チップが収まらなかった
り、モールド金型内を流れる樹脂のバランスが崩れて樹
脂の流れが上下均等に流れないためにパッケージ表面に
ボイドが発生するという問題点があった。
【０００８】また、このフィルムキャリアでは、モール
ド金型内に入れたときの金型からの熱で絶縁フィルム枠
が膨張し、樹脂を金型に注入する以前に既にキャリアテ
ープが変形して所定の位置より浮き沈みしてしまうとい
う問題もある。
ド金型内に入れたときの金型からの熱で絶縁フィルム枠
が膨張し、樹脂を金型に注入する以前に既にキャリアテ
ープが変形して所定の位置より浮き沈みしてしまうとい
う問題もある。
【０００９】さらに、パッケージに温度サイクル試験
（以下Ｔ／Ｃと記す）やＩＲリフロー等の熱応力を加え
るとフィルムキャリアテープの熱膨張係数が他のパッケ
ージ構成材料（例えば封止樹脂）の熱膨張係数よりも大
きいために相対的に絶縁フィルム枠が大きく膨張・収縮
し、ＩＬＢ部あるいはＯＬＢ部の接合信頼性を劣化させ
るという問題があった。また、場合によってはリード切
断や、半導体素子に応力が集中しクラックが発生するこ
ともあった。
（以下Ｔ／Ｃと記す）やＩＲリフロー等の熱応力を加え
るとフィルムキャリアテープの熱膨張係数が他のパッケ
ージ構成材料（例えば封止樹脂）の熱膨張係数よりも大
きいために相対的に絶縁フィルム枠が大きく膨張・収縮
し、ＩＬＢ部あるいはＯＬＢ部の接合信頼性を劣化させ
るという問題があった。また、場合によってはリード切
断や、半導体素子に応力が集中しクラックが発生するこ
ともあった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、アイランドと、前記アイランドの周囲に配置
して設けた第１の内部リードを有するリードフレーム
と、前記アイランド上に搭載した半導体チップと、絶縁
フィルム枠上に接着して設けた第２の内部リードおよび
外部リードとを有し前記第２の内部リードを前記半導体
チップの電極と接続し前記外部リードを前記第１の内部
リードに接続したフィルムキャリアを有する樹脂封止型
半導体装置において、前記絶縁フィルム枠が絶縁フィル
ムテープと前記絶縁フィルムテープの端部を互に連結し
て枠状に形成する金属箔テープ又は樹脂膜とを有する。
体装置は、アイランドと、前記アイランドの周囲に配置
して設けた第１の内部リードを有するリードフレーム
と、前記アイランド上に搭載した半導体チップと、絶縁
フィルム枠上に接着して設けた第２の内部リードおよび
外部リードとを有し前記第２の内部リードを前記半導体
チップの電極と接続し前記外部リードを前記第１の内部
リードに接続したフィルムキャリアを有する樹脂封止型
半導体装置において、前記絶縁フィルム枠が絶縁フィル
ムテープと前記絶縁フィルムテープの端部を互に連結し
て枠状に形成する金属箔テープ又は樹脂膜とを有する。
【００１１】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の一実施例を示す平面図であ
る。
る。
【００１３】図１に示すように、従来例と同様にフレー
ム３に吊りリード４ａで支持されたアイランド４と、タ
イバー１２により支持された内部リード５および外部リ
ード６を有するリードフレームのアイランド４の上に半
導体チップ１をマウントし、ポリイミド等からなる絶縁
フィルムテープ１２の端部を金属箔テープ１４で互に連
結し枠上に形成した絶縁フィルム枠の絶縁フィルムテー
プ１２の上に接着して半導体チップ１に設けた電極上に
形成したバンプに銅等の金属箔からなる内部リード８を
ＩＬＢで接続し、内部リード８の他端に設けた外部リー
ド９をリードフレームの内部リード５にＯＬＢで接続す
る。
ム３に吊りリード４ａで支持されたアイランド４と、タ
イバー１２により支持された内部リード５および外部リ
ード６を有するリードフレームのアイランド４の上に半
導体チップ１をマウントし、ポリイミド等からなる絶縁
フィルムテープ１２の端部を金属箔テープ１４で互に連
結し枠上に形成した絶縁フィルム枠の絶縁フィルムテー
プ１２の上に接着して半導体チップ１に設けた電極上に
形成したバンプに銅等の金属箔からなる内部リード８を
ＩＬＢで接続し、内部リード８の他端に設けた外部リー
ド９をリードフレームの内部リード５にＯＬＢで接続す
る。
【００１４】ここで、絶縁フィルムテープ１２を金属箔
テープ１４で互に連結した絶縁フィルム枠（又は枠状の
絶縁フィルムの四隅を切断して分割し、且つ金属箔テー
プで互に連結した絶縁フィルム枠）とこの絶縁フィルム
枠に接着した内部リード８および外部リード９からなる
フィルムキャリアを使用することにより、絶縁フィルム
テープ１２の面積が小さくなり樹脂封止の際の樹脂の流
動やモールド金型からの熱による絶縁フィルム枠の変形
が小さくなり、また金属箔テープ１４により絶縁フィル
ム枠の変形を抑えることができるため、絶縁フィルム枠
の変動や浮き沈みを抑制できるので半導体チップ１の位
置ずれや注入樹脂の不均等性が低減でき、ボイドの発生
を防ぐことができる。
テープ１４で互に連結した絶縁フィルム枠（又は枠状の
絶縁フィルムの四隅を切断して分割し、且つ金属箔テー
プで互に連結した絶縁フィルム枠）とこの絶縁フィルム
枠に接着した内部リード８および外部リード９からなる
フィルムキャリアを使用することにより、絶縁フィルム
テープ１２の面積が小さくなり樹脂封止の際の樹脂の流
動やモールド金型からの熱による絶縁フィルム枠の変形
が小さくなり、また金属箔テープ１４により絶縁フィル
ム枠の変形を抑えることができるため、絶縁フィルム枠
の変動や浮き沈みを抑制できるので半導体チップ１の位
置ずれや注入樹脂の不均等性が低減でき、ボイドの発生
を防ぐことができる。
【００１５】なお、金属箔テープ１４の代りに液状の樹
脂（例えば住友ベークライト（株）製ＣＲＰ−３０００
／ＣＲＨ−３００）を用い絶縁フィルムテープ１２の相
互間をスクリーン印刷法又はポッティング法でつなぎ、
熱硬化した樹脂膜で互に連結しても良く、絶縁フィルム
テープ１２に連結する樹脂膜を絶縁フィルムテープ１２
よりも硬い樹脂膜で固定することにより、絶縁フィルム
枠の変形を第１の実施例よりも更に低減できる利点があ
る。また連結する樹脂膜としては絶縁フィムルテープ１
２よりも熱膨張係数の小さいものが望ましい。
脂（例えば住友ベークライト（株）製ＣＲＰ−３０００
／ＣＲＨ−３００）を用い絶縁フィルムテープ１２の相
互間をスクリーン印刷法又はポッティング法でつなぎ、
熱硬化した樹脂膜で互に連結しても良く、絶縁フィルム
テープ１２に連結する樹脂膜を絶縁フィルムテープ１２
よりも硬い樹脂膜で固定することにより、絶縁フィルム
枠の変形を第１の実施例よりも更に低減できる利点があ
る。また連結する樹脂膜としては絶縁フィムルテープ１
２よりも熱膨張係数の小さいものが望ましい。
【００１６】表１は本発明の第１および第２の実施例と
従来例について絶縁フィルム枠の浮き沈み量、ボイド発
生率、パッケージ不良発生率のそれぞれを比較したもの
である。
従来例について絶縁フィルム枠の浮き沈み量、ボイド発
生率、パッケージ不良発生率のそれぞれを比較したもの
である。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１に示すように、第１の実施例では絶縁
フィルム枠の浮き沈み量は、従来の１／２倍以下になり
ボイド発生率もゼロになる。また、Ｔ／Ｃ５００サイク
ルまでパッケージの電気的不良は発生しなくなる。ま
た、第２の実施例では絶縁フィルム枠の浮き沈み量は従
来の１／３倍以下になり、パッケージの信頼性はＴ／Ｃ
１０００サイクルまで維持できる。
フィルム枠の浮き沈み量は、従来の１／２倍以下になり
ボイド発生率もゼロになる。また、Ｔ／Ｃ５００サイク
ルまでパッケージの電気的不良は発生しなくなる。ま
た、第２の実施例では絶縁フィルム枠の浮き沈み量は従
来の１／３倍以下になり、パッケージの信頼性はＴ／Ｃ
１０００サイクルまで維持できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フィルム
キャリアのリードの変形を防止するための絶縁フィルム
枠の四隅を切断して分割し、且つ金属箔テープあるいは
樹脂膜で分割された絶縁フィルムテープを互に接着する
ことにより、モールド封止における樹脂の流動に伴う絶
縁フィルム枠の浮き沈みやモールド金型内に装着した際
に発生する絶縁フィルム枠の熱変形を防ぎ、ボイドの発
生を防止できるという効果を有する。
キャリアのリードの変形を防止するための絶縁フィルム
枠の四隅を切断して分割し、且つ金属箔テープあるいは
樹脂膜で分割された絶縁フィルムテープを互に接着する
ことにより、モールド封止における樹脂の流動に伴う絶
縁フィルム枠の浮き沈みやモールド金型内に装着した際
に発生する絶縁フィルム枠の熱変形を防ぎ、ボイドの発
生を防止できるという効果を有する。
【００２０】また、パッケージに熱応力を加えた際にも
絶縁フィルム枠の膨張・収縮を抑制し、パッケージの信
頼性劣化を防止できる。
絶縁フィルム枠の膨張・収縮を抑制し、パッケージの信
頼性劣化を防止できる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図。
【図２】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す平面
図およびＡ−Ａ′線断面図。
図およびＡ−Ａ′線断面図。
１ 半導体チップ ２ 銀ペースト ３ フレーム ４ アイランド ５，８ 内部リード ６，９ 外部リード １０ バンプ １２ 絶縁フィルムテープ １３ 絶縁フィルム枠 １４ 金属箔テープ
Claims (1)
- 【請求項１】 アイランドと、前記アイランドの周囲に
配置して設けた第１の内部リードを有するリードフレー
ムと、前記アイランド上に搭載した半導体チップと、絶
縁フィルム枠上に接着して設けた第２の内部リードおよ
び外部リードとを有し前記第２の内部リードを前記半導
体チップの電極と接続し前記外部リードを前記第１の内
部リードに接続したフィルムキャリアを有する樹脂封止
型半導体装置において、前記絶縁フィルム枠が絶縁フィ
ルムテープと前記絶縁フィルムテープの端部を互に連結
して枠状に形成する金属箔テープ又は樹脂膜とを有する
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137056A JPH0828397B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137056A JPH0828397B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349888A true JPH06349888A (ja) | 1994-12-22 |
| JPH0828397B2 JPH0828397B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=15189858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5137056A Expired - Lifetime JPH0828397B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828397B2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5137056A patent/JPH0828397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828397B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960910 |