JPH06338536A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06338536A JPH06338536A JP5127626A JP12762693A JPH06338536A JP H06338536 A JPH06338536 A JP H06338536A JP 5127626 A JP5127626 A JP 5127626A JP 12762693 A JP12762693 A JP 12762693A JP H06338536 A JPH06338536 A JP H06338536A
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- semiconductor device
- metal layer
- semiconductor chip
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の構成、特に、インナー部を半導
体チップに接続したリードのアウター部がパッケージよ
り導出する半導体装置に関し、リードインナー部の接続
時に形成される有害な金属の溶融塊をなくし，リードア
ウター部の接続時の接続不良を防止し、さらにリード貼
着フィルムに保護膜を形成したときの反りの解消を目的
とする。 【構成】 有害溶融塊をなくす, 前記接続不良を防止す
るため、リード22のインナー部のめっき金属層23を薄
く, アウター部のめっき金属層24を厚くするまたは、イ
ンナー部めっきにはアウター部めっきより高融点金属を
使用する。絶縁フィルム８の反りをなくすため、その両
面に保護膜9,28を形成するまたは、適当間隔に分割した
保護膜を形成する。
体チップに接続したリードのアウター部がパッケージよ
り導出する半導体装置に関し、リードインナー部の接続
時に形成される有害な金属の溶融塊をなくし，リードア
ウター部の接続時の接続不良を防止し、さらにリード貼
着フィルムに保護膜を形成したときの反りの解消を目的
とする。 【構成】 有害溶融塊をなくす, 前記接続不良を防止す
るため、リード22のインナー部のめっき金属層23を薄
く, アウター部のめっき金属層24を厚くするまたは、イ
ンナー部めっきにはアウター部めっきより高融点金属を
使用する。絶縁フィルム８の反りをなくすため、その両
面に保護膜9,28を形成するまたは、適当間隔に分割した
保護膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属バンプを使用して
インナー部を半導体チップのパッドに接続し、はんだを
使用してアウター部を半導体装置実装基板の端子に接続
する半導体装置のリードに関する。
インナー部を半導体チップのパッドに接続し、はんだを
使用してアウター部を半導体装置実装基板の端子に接続
する半導体装置のリードに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は半導体チップを樹脂封止した半導
体装置の側断面図、図５は半導体チップをキャリアテー
プに搭載したテープキャリアパッケージの斜視図であ
る。
体装置の側断面図、図５は半導体チップをキャリアテー
プに搭載したテープキャリアパッケージの斜視図であ
る。
【０００３】図４において、表面実装型半導体装置１の
半導体チップ２は、金属バンプ４を介してリード５のイ
ンナー部を半導体チップ２のパッドに接続した後、樹脂
パッケージ３により封止される。
半導体チップ２は、金属バンプ４を介してリード５のイ
ンナー部を半導体チップ２のパッドに接続した後、樹脂
パッケージ３により封止される。
【０００４】リード５の表面には、表面の安定化，金属
バンプ４との接着力確保および回路基板に対する実装の
ため、はんだまたはすずをめっきした金属層 (図６(イ)
参照）６が、厚さ１μm 程度に被着されている。
バンプ４との接着力確保および回路基板に対する実装の
ため、はんだまたはすずをめっきした金属層 (図６(イ)
参照）６が、厚さ１μm 程度に被着されている。
【０００５】図中において10は、リード５の固定および
樹脂 (パッケージ３）の流れ止め用であり、リード５の
形成過程に際して使用したポリイミドフィルムの一部を
利用する。
樹脂 (パッケージ３）の流れ止め用であり、リード５の
形成過程に際して使用したポリイミドフィルムの一部を
利用する。
【０００６】図５において、テープキャリアパッケージ
（半導体装置）７は、リード５を可撓性絶縁テープ（一
般にポリイミドテープ）８に貼着したキャリアテープに
半導体チップ（図示せず）を搭載し、該半導体チップを
樹脂パッケージ３内に封入したのち、ポリイミドテープ
８のリード貼着面に、保護膜（ソルダーレジスト）９を
被着してなる。
（半導体装置）７は、リード５を可撓性絶縁テープ（一
般にポリイミドテープ）８に貼着したキャリアテープに
半導体チップ（図示せず）を搭載し、該半導体チップを
樹脂パッケージ３内に封入したのち、ポリイミドテープ
８のリード貼着面に、保護膜（ソルダーレジスト）９を
被着してなる。
【０００７】一般に、ポリイミドテープ８の厚さは0.12
mm程度であり、スクリーン印刷による保護膜９の厚さは
0.２μm 〜0.６μm 程度である。
mm程度であり、スクリーン印刷による保護膜９の厚さは
0.２μm 〜0.６μm 程度である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図６は従来技術の問題
点の説明図であり、(イ),(ロ) は図４に示す半導体装置の
問題点の説明図、(ハ) は図５に示すテープキャリアパッ
ケージの問題点の説明図である。
点の説明図であり、(イ),(ロ) は図４に示す半導体装置の
問題点の説明図、(ハ) は図５に示すテープキャリアパッ
ケージの問題点の説明図である。
【０００９】図６(イ),(ロ) において、バンプ４とリード
５との接続には、リード５のインナー部を 400℃程度に
加熱する熱圧着法が利用され、回路基板11の端子12とリ
ード５とのはんだ接続は、リード５のアウター部に被着
するはんだ（金属）層６と端子12に被着するはんだを利
用することになる。
５との接続には、リード５のインナー部を 400℃程度に
加熱する熱圧着法が利用され、回路基板11の端子12とリ
ード５とのはんだ接続は、リード５のアウター部に被着
するはんだ（金属）層６と端子12に被着するはんだを利
用することになる。
【００１０】リード５のインナー部を 400℃程度に加熱
したとき、そのインナー部に被着するめっき層６が溶融
し、図６(イ) に示すような溶融塊13ができる。溶融塊13
の大きさははんだ層６の厚さに影響し、リード５の全面
に渡って厚さ１μm 程度としたはんだ層６の溶融塊13
は、半導体チップ２に接触することがあった。
したとき、そのインナー部に被着するめっき層６が溶融
し、図６(イ) に示すような溶融塊13ができる。溶融塊13
の大きさははんだ層６の厚さに影響し、リード５の全面
に渡って厚さ１μm 程度としたはんだ層６の溶融塊13
は、半導体チップ２に接触することがあった。
【００１１】そこで、溶融塊13を小さくするためはんだ
層６を薄くすると、リード５と基板端子12との接続に必
要なはんだ14の量が不足し、図６(ロ) に示すように接続
されないリード５がでたり、接続されてもその強度不足
で端子12から簡単に解離するリード５が生じ易いという
問題点があった。
層６を薄くすると、リード５と基板端子12との接続に必
要なはんだ14の量が不足し、図６(ロ) に示すように接続
されないリード５がでたり、接続されてもその強度不足
で端子12から簡単に解離するリード５が生じ易いという
問題点があった。
【００１２】図６(ハ) において、保護膜９を形成したテ
ープキャリアパッケージ７は、パッケージ３の形成時に
保護膜９も加熱される。その際、1.2 ×10-5程度である
ポリイミドテープ８の熱膨張率に対し、保護膜（ソルダ
ーレジスト）９の熱膨張率は6.5 ×10-5程度であるた
め、図示する如く保護膜９が凹状になる反りが発生す
る。
ープキャリアパッケージ７は、パッケージ３の形成時に
保護膜９も加熱される。その際、1.2 ×10-5程度である
ポリイミドテープ８の熱膨張率に対し、保護膜（ソルダ
ーレジスト）９の熱膨張率は6.5 ×10-5程度であるた
め、図示する如く保護膜９が凹状になる反りが発生す
る。
【００１３】かかる反りは、テープキャリアパッケージ
７を回路基板等に実装するに際し、その作業性が損なわ
れると共に、接続不良が生じ易くするように作用する。
７を回路基板等に実装するに際し、その作業性が損なわ
れると共に、接続不良が生じ易くするように作用する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】従来の溶融塊をなくす本
発明の第１の手段とし、半導体装置実装基板の端子に接
続するアウター部には、該端子とアウター部との接続の
ための加熱によって溶融し、該端子との接続に必要な量
を提供する厚さの第１の金属層24を形成し、該アウター
部に連通し金属バンプ４を介して半導体チップ２に接続
するインナー部には、半導体チップ２とインナー部との
接続のための加熱により溶融し生じる溶融塊の成長をチ
ップ２に接触しない範囲に抑制するように第１の金属層
24より薄い第２の金属層23を形成する。
発明の第１の手段とし、半導体装置実装基板の端子に接
続するアウター部には、該端子とアウター部との接続の
ための加熱によって溶融し、該端子との接続に必要な量
を提供する厚さの第１の金属層24を形成し、該アウター
部に連通し金属バンプ４を介して半導体チップ２に接続
するインナー部には、半導体チップ２とインナー部との
接続のための加熱により溶融し生じる溶融塊の成長をチ
ップ２に接触しない範囲に抑制するように第１の金属層
24より薄い第２の金属層23を形成する。
【００１５】従来の溶融塊をなくす本発明の第２の手段
とし、半導体装置実装基板の端子に接続するアウター部
には、該端子とアウター部との接続のための加熱によっ
て溶融し、該アウター部との接続に必要な量を提供する
厚さの第１の金属層34を形成し、該アウター部に連通し
金属バンプ４を介して半導体チップ２に接続するインナ
ー部には、第１の金属層34とほぼ同一厚さ，かつ，半導
体チップ２とインナー部との接続のための加熱により溶
融し生じる溶融塊の成長をチップ２に接触しない範囲に
抑制するように第１の金属層34より高融点である第２の
金属層33を形成する。
とし、半導体装置実装基板の端子に接続するアウター部
には、該端子とアウター部との接続のための加熱によっ
て溶融し、該アウター部との接続に必要な量を提供する
厚さの第１の金属層34を形成し、該アウター部に連通し
金属バンプ４を介して半導体チップ２に接続するインナ
ー部には、第１の金属層34とほぼ同一厚さ，かつ，半導
体チップ２とインナー部との接続のための加熱により溶
融し生じる溶融塊の成長をチップ２に接触しない範囲に
抑制するように第１の金属層34より高融点である第２の
金属層33を形成する。
【００１６】リードを貼着した絶縁フィルムの反りをな
くす本発明の第１の手段としては、一端が半導体チップ
に接続し，該半導体チップを封止するパッケージ３より
導出するリード５を耐熱性絶縁フィルム８に貼着し、リ
ード５の導出部を貼着したフィルム８の表面および裏面
に、ほぼ同一厚さの絶縁保護膜9,28を被着する。
くす本発明の第１の手段としては、一端が半導体チップ
に接続し，該半導体チップを封止するパッケージ３より
導出するリード５を耐熱性絶縁フィルム８に貼着し、リ
ード５の導出部を貼着したフィルム８の表面および裏面
に、ほぼ同一厚さの絶縁保護膜9,28を被着する。
【００１７】リードを貼着した絶縁フィルムの反りをな
くす本発明の第２の手段としては、一端が半導体チップ
に接続し，該半導体チップを封止するパッケージより導
出するリード５を耐熱性絶縁フィルム８に貼着し、リー
ド５の導出部を貼着した絶縁フィルム８の表面には適当
間隔の所望ピッチで複数の絶縁保護膜36が被着する。
くす本発明の第２の手段としては、一端が半導体チップ
に接続し，該半導体チップを封止するパッケージより導
出するリード５を耐熱性絶縁フィルム８に貼着し、リー
ド５の導出部を貼着した絶縁フィルム８の表面には適当
間隔の所望ピッチで複数の絶縁保護膜36が被着する。
【００１８】
【作用】リードの溶融塊をなくす前記第１の手段は、リ
ードに被着させる金属（一般にはんだ）の量をアウター
部よりインナー部で少なくした構成であり、そのことに
よってリードと半導体チップとを従来と同一方法で接続
しても、リードと基板端子との接続に支障をもたらすこ
となく、リードを半導体チップに接続したときの溶融塊
は、半導体チップに接触しないように小さくすることが
できる。
ードに被着させる金属（一般にはんだ）の量をアウター
部よりインナー部で少なくした構成であり、そのことに
よってリードと半導体チップとを従来と同一方法で接続
しても、リードと基板端子との接続に支障をもたらすこ
となく、リードを半導体チップに接続したときの溶融塊
は、半導体チップに接触しないように小さくすることが
できる。
【００１９】リードの溶融塊をなくす前記第２の手段
は、リードに被着させる金属（一般にはんだ）の融点
を、アウター部とインナー部とで違えた構成、即ちイン
ナー部の金属を溶融し難くした構成であり、そのことに
よってリードと半導体チップとを従来と同一方法で接続
しても、リードと基板端子との接続に支障をもたらすこ
となく、リードを半導体チップに接続したときの溶融塊
は、半導体チップに接触しないように小さくすることが
できる。
は、リードに被着させる金属（一般にはんだ）の融点
を、アウター部とインナー部とで違えた構成、即ちイン
ナー部の金属を溶融し難くした構成であり、そのことに
よってリードと半導体チップとを従来と同一方法で接続
しても、リードと基板端子との接続に支障をもたらすこ
となく、リードを半導体チップに接続したときの溶融塊
は、半導体チップに接触しないように小さくすることが
できる。
【００２０】絶縁フィルム８の反りをなくす前記第１の
手段は、絶縁フィルム８の両面に均等な応力を生じせし
める構成であり、そのことによって、絶縁フィルム８の
反りの無害化（抑制）を可能にする。
手段は、絶縁フィルム８の両面に均等な応力を生じせし
める構成であり、そのことによって、絶縁フィルム８の
反りの無害化（抑制）を可能にする。
【００２１】絶縁フィルム８の反りをなくす前記第２の
手段は、絶縁フィルム８の表面に被着した保護膜による
曲げ応力を分割させた構成であり、そのことによって、
絶縁フィルム８の反りを無害化（抑制）を可能にする。
手段は、絶縁フィルム８の表面に被着した保護膜による
曲げ応力を分割させた構成であり、そのことによって、
絶縁フィルム８の反りを無害化（抑制）を可能にする。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の実施例による半導体装置の説
明図、図２は本発明の他の実施例による半導体装置の説
明図、図３は本発明の他の実施例による半導体装置の説
明図である。
明図、図２は本発明の他の実施例による半導体装置の説
明図、図３は本発明の他の実施例による半導体装置の説
明図である。
【００２３】図１(イ) およびその一部分を拡大した図１
(ロ) において、従来技術における溶融塊障害をなくす表
面実装型の半導体装置21は、半導体チップ２を樹脂パッ
ケージ３に収容する。金属バンプ４を介して半導体チッ
プ２のパッドに接続するリード22のインナー部および中
間部の表面には、表面の安定化，金バンプ４との接着力
を確保する金属（はんだ）層23を形成し、回路基板の端
子にはんだ接続するリード22のアウター部表面には、表
面の安定化，該端子との接着力を確保する金属（はん
だ）層24を形成する。
(ロ) において、従来技術における溶融塊障害をなくす表
面実装型の半導体装置21は、半導体チップ２を樹脂パッ
ケージ３に収容する。金属バンプ４を介して半導体チッ
プ２のパッドに接続するリード22のインナー部および中
間部の表面には、表面の安定化，金バンプ４との接着力
を確保する金属（はんだ）層23を形成し、回路基板の端
子にはんだ接続するリード22のアウター部表面には、表
面の安定化，該端子との接着力を確保する金属（はん
だ）層24を形成する。
【００２４】はんだ層23は、バンプ４に熱圧着させたと
き発生する溶融塊がチップ２に接触しないような厚さ、
例えば0.１μm 〜１μm とする。はんだ層24は、回路基
板の端子にはんだ接続させたとき必要なはんだ量を確保
する厚さ、例えば３μm 〜1.5 μm とする。
き発生する溶融塊がチップ２に接触しないような厚さ、
例えば0.１μm 〜１μm とする。はんだ層24は、回路基
板の端子にはんだ接続させたとき必要なはんだ量を確保
する厚さ、例えば３μm 〜1.5 μm とする。
【００２５】かかるはんだ層23および24の製造工程は、
例えばポリイミドフィルムに銅箔を貼着し、その銅箔を
エッチングしてリード22を形成したのち、リード22の全
面にはんだ層23を被着せしめ、しかるのちリード22のア
ウター部にはんだを重ねめっきしてはんだ層24を形成す
る。
例えばポリイミドフィルムに銅箔を貼着し、その銅箔を
エッチングしてリード22を形成したのち、リード22の全
面にはんだ層23を被着せしめ、しかるのちリード22のア
ウター部にはんだを重ねめっきしてはんだ層24を形成す
る。
【００２６】なお半導体装置21は、ポリイミドフィルム
に貼着されたリード22のインナー部に半導体チップ２を
接続し、不要なポリイミドフィルムを除去してから各リ
ード22をほぼＺ字形に曲げ加工して完成する。
に貼着されたリード22のインナー部に半導体チップ２を
接続し、不要なポリイミドフィルムを除去してから各リ
ード22をほぼＺ字形に曲げ加工して完成する。
【００２７】図１(ハ) において、テープキャリアパッケ
ージ（半導体装置）27は、リード５を可撓性絶縁テープ
（一般にポリイミドテープ）８に貼着したキャリアテー
プに半導体チップ（図示せず）を搭載し、該半導体チッ
プを樹脂パッケージ３内に封入したのち、ポリイミドテ
ープ８のリード貼着面である表面に保護膜（ソルダーレ
ジスト）９を、裏面に保護膜（ソルダーレジスト）28を
被着してなる。
ージ（半導体装置）27は、リード５を可撓性絶縁テープ
（一般にポリイミドテープ）８に貼着したキャリアテー
プに半導体チップ（図示せず）を搭載し、該半導体チッ
プを樹脂パッケージ３内に封入したのち、ポリイミドテ
ープ８のリード貼着面である表面に保護膜（ソルダーレ
ジスト）９を、裏面に保護膜（ソルダーレジスト）28を
被着してなる。
【００２８】スクリーン印刷により塗付し被着させた保
護膜９と28の厚さは、なるべく同一寸法とし、例えば0.
２μm 〜0.６μm 程度とする。なお、テープキャリアパ
ッケージ27において、インナー部およびアウター部に同
一厚さのはんだ層６を被着させたリード５に替え、図１
(イ),(ロ) を用いて説明したリード22または32を使用し、
有害なはんだ溶融塊を生じないテープキャリアパッケー
ジ（半導体装置）を構成することができる。
護膜９と28の厚さは、なるべく同一寸法とし、例えば0.
２μm 〜0.６μm 程度とする。なお、テープキャリアパ
ッケージ27において、インナー部およびアウター部に同
一厚さのはんだ層６を被着させたリード５に替え、図１
(イ),(ロ) を用いて説明したリード22または32を使用し、
有害なはんだ溶融塊を生じないテープキャリアパッケー
ジ（半導体装置）を構成することができる。
【００２９】図２において、表面実装型の半導体装置31
は、半導体チップ２を樹脂パッケージ３に収容する。金
属バンプ４を介して半導体チップ２のパッドに接続する
リード32のインナー部および中間部の表面には、表面の
安定化，金バンプ４との接着力を確保する金属（はん
だ）層33を形成し、回路基板の端子にはんだ接続するリ
ード32のアウター部表面には、表面の安定化，該端子と
の接着力を確保する金属（はんだ）層34を形成する。
は、半導体チップ２を樹脂パッケージ３に収容する。金
属バンプ４を介して半導体チップ２のパッドに接続する
リード32のインナー部および中間部の表面には、表面の
安定化，金バンプ４との接着力を確保する金属（はん
だ）層33を形成し、回路基板の端子にはんだ接続するリ
ード32のアウター部表面には、表面の安定化，該端子と
の接着力を確保する金属（はんだ）層34を形成する。
【００３０】従来技術における溶融塊障害をなくす半導
体装置31において、はんだ層33は従来よりも高融点はん
だ例えば９−１はんだを使用し、はんだ層33とほぼ同一
厚さのはんだ層34には低融点はんだ例えば６−４はんだ
を使用する。
体装置31において、はんだ層33は従来よりも高融点はん
だ例えば９−１はんだを使用し、はんだ層33とほぼ同一
厚さのはんだ層34には低融点はんだ例えば６−４はんだ
を使用する。
【００３１】従来技術におけるテープキャリアパッケー
ジ７の反りを無くす構成例を示す図３において、テープ
キャリアパッケージ35は、リード５をポリイミドテープ
８に貼着したキャリアテープに半導体チップ（図示せ
ず）を搭載し、該半導体チップを樹脂パッケージ３内に
封入したのち、ポリイミドテープ８のリード貼着面表面
に複数の保護膜 (ソルダーレジスト)36 を適当な間隔で
被着してなる。
ジ７の反りを無くす構成例を示す図３において、テープ
キャリアパッケージ35は、リード５をポリイミドテープ
８に貼着したキャリアテープに半導体チップ（図示せ
ず）を搭載し、該半導体チップを樹脂パッケージ３内に
封入したのち、ポリイミドテープ８のリード貼着面表面
に複数の保護膜 (ソルダーレジスト)36 を適当な間隔で
被着してなる。
【００３２】保護膜36は、例えばスクリーン印刷により
厚さ0.２μm 〜0.６μm 程度に被着する。なお、テープ
キャリアパッケージ36において、インナー部およびアウ
ター部に同一厚さのはんだ層６を被着させたリード５に
替え、図１(イ),(ロ) を用いて説明したリード22または32
を使用し、有害なはんだ溶融塊を生じないテープキャリ
アパッケージ（半導体装置）を構成することができる。
厚さ0.２μm 〜0.６μm 程度に被着する。なお、テープ
キャリアパッケージ36において、インナー部およびアウ
ター部に同一厚さのはんだ層６を被着させたリード５に
替え、図１(イ),(ロ) を用いて説明したリード22または32
を使用し、有害なはんだ溶融塊を生じないテープキャリ
アパッケージ（半導体装置）を構成することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
ードと半導体チップとを接続したときリードに形成され
る溶融塊は、半導体チップと接触しないように小さくす
ることを可能とすると共に、リードを貼着した絶縁フィ
ルムの反りを抑制可能とし、半導体装置の製造歩留りを
向上せしめた効果がある。
ードと半導体チップとを接続したときリードに形成され
る溶融塊は、半導体チップと接触しないように小さくす
ることを可能とすると共に、リードを貼着した絶縁フィ
ルムの反りを抑制可能とし、半導体装置の製造歩留りを
向上せしめた効果がある。
【図１】 本発明の実施例による半導体装置の説明図
【図２】 本発明の他の実施例による半導体装置の説明
図
図
【図３】 本発明のさらに他の実施例による半導体装置
の説明図
の説明図
【図４】 半導体チップを樹脂封止した従来の半導体装
置の側断面図
置の側断面図
【図５】 従来のテープキャリアパッケージの斜視図
【図６】 従来技術の問題点の説明図
２は半導体チップ ３はパッケージ ４は金属バンプ 5,22,32 はリード ８は絶縁フィルム 9,28,36 は保護膜 21,27,31,35 は半導体装置 23,24,33,34 はリードに被着した金属層（はんだ層）
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体装置実装基板の端子に接続するア
ウター部には、該端子とアウター部との接続のための加
熱によって溶融し、該端子との接続に必要な量を提供す
る厚さの第１の金属層(24)を形成し、該アウター部に連
通し金属バンプ(4) を介して半導体チップ(2) に接続す
るインナー部には、該半導体チップとインナー部との接
続のための加熱により溶融し生じる溶融塊の成長を該チ
ップに接触しない範囲に抑制するように該第１の金属層
より薄い第２の金属層(23)を形成してなること、を特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体装置実装基板の端子に接続するア
ウター部には、該端子とアウター部との接続のための加
熱によって溶融し、該アウター部との接続に必要な量を
提供する厚さの第１の金属層(34)を形成し、該アウター
部に連通し金属バンプを介して半導体チップに接続する
インナー部には、該第１の金属層とほぼ同一厚さ，か
つ，該半導体チップとインナー部との接続のための加熱
により溶融し生じる溶融塊の成長を該チップに接触しな
い範囲に抑制するように該第１の金属層より高融点であ
る第２の金属層(33)を形成したこと、を特徴とする半導
体装置。 - 【請求項３】 半導体チップ(2) を封止したパッケージ
(3) より導出するリード(5) の導出部を貼着した絶縁フ
ィルム(8) の表面および該絶縁フィルムの裏面には、ほ
ぼ同一厚さの絶縁保護膜(9,28)が被着されてなること、
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のリード(5) に替えて請求
項１または請求項２記載のリード(22,32) を使用したこ
と、を特徴とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 一端が半導体チップに接続し，該半導体
チップを封止するパッケージより導出するリードの該導
出部が絶縁フィルムが貼着されており、該リードの導出
部の表面には適当間隔の所望ピッチで複数の保護膜ィル
ム(36)が形成されてなること、を特徴とする半導体装
置。 - 【請求項６】 請求項５記載のリード(5) に替えて請求
項１または請求項２記載のリード(22,32) を使用したこ
と、を特徴とする請求項５記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127626A JPH06338536A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127626A JPH06338536A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338536A true JPH06338536A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14964743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5127626A Withdrawn JPH06338536A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0930646A3 (en) * | 1998-01-19 | 1999-07-28 | NEC Corporation | Lead-on-chip type semicoductor device having thin plate and method for manufacturing the same |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5127626A patent/JPH06338536A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0930646A3 (en) * | 1998-01-19 | 1999-07-28 | NEC Corporation | Lead-on-chip type semicoductor device having thin plate and method for manufacturing the same |
| US6093958A (en) * | 1998-01-19 | 2000-07-25 | Nec Corporation | Lead-on-chip type semiconductor device having thin plate and method for manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |