JPH05243327A - フィルムキャリア半導体装置 - Google Patents
フィルムキャリア半導体装置Info
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- JPH05243327A JPH05243327A JP4040000A JP4000092A JPH05243327A JP H05243327 A JPH05243327 A JP H05243327A JP 4040000 A JP4040000 A JP 4040000A JP 4000092 A JP4000092 A JP 4000092A JP H05243327 A JPH05243327 A JP H05243327A
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- Japan
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- film carrier
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フィルムキャリア半導体装置において、半田を
介して実装を行なう際、半田のリードへのはい上がりを
防止する半田ダムをリードに形成し、半田のはい上がり
によってリードが強固に固定されリード屈曲部での応力
吸収効果が失なわれることを防止する。 【構成】フィルムキャリア半導体装置のＯＬＢ用リード
１４ｂの一部に半田ダム１６ｂを形成し、半田２０ｂは
い上がり防止する。 【効果】温度サイクル等の熱衝撃試験において、リード
が破断する迄の寿命を、従来の２〜４倍以上に延ばすこ
とができる。
介して実装を行なう際、半田のリードへのはい上がりを
防止する半田ダムをリードに形成し、半田のはい上がり
によってリードが強固に固定されリード屈曲部での応力
吸収効果が失なわれることを防止する。 【構成】フィルムキャリア半導体装置のＯＬＢ用リード
１４ｂの一部に半田ダム１６ｂを形成し、半田２０ｂは
い上がり防止する。 【効果】温度サイクル等の熱衝撃試験において、リード
が破断する迄の寿命を、従来の２〜４倍以上に延ばすこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリア半導体
装置に関し、特に実装工程におけるフィルムキャリア半
導体装置の改良に関する。
装置に関し、特に実装工程におけるフィルムキャリア半
導体装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリア方式による半導
体装置は、図７及び図８に示す如く、搬送及び位置決め
用のスプロケットホール１ａと、半導体チップ２ａが入
る開孔部であるデバイスホール３ａを有するポリイミド
等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着し、フォトレ
ジスト法等により金属箔を選択的にエッチングして所望
の形状のリード４ａと電気選別のためのパッド５ａ等と
を形成したフィルムキャリアテープ６ａと、あらかじめ
電極端子上に金属突起物であるバンプ７ａを設けた半導
体チップ２ａとを準備し、次にフィルムキャリアテープ
のリード４ａと半導体チップのバンプ７ａとを熱圧着法
または共晶法等によりインナーリードボンディング（以
下ＩＬＢ）し、フィルムキャリアテープの状態で電気選
別用パッド５ａ上に接触子を接触させて電気選別やバイ
アス試験を実施することにより完成する。ここで、リー
ド４ａの変形防止用として絶縁フィルムの枠であるサス
ペンダー８ａをあらかじめフィルムキャリアテープに設
けることや、信頼性向上及び機械的保護のため図９に示
すように樹脂９ａをポッティングして樹脂封止を行なう
ことが多い。
体装置は、図７及び図８に示す如く、搬送及び位置決め
用のスプロケットホール１ａと、半導体チップ２ａが入
る開孔部であるデバイスホール３ａを有するポリイミド
等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着し、フォトレ
ジスト法等により金属箔を選択的にエッチングして所望
の形状のリード４ａと電気選別のためのパッド５ａ等と
を形成したフィルムキャリアテープ６ａと、あらかじめ
電極端子上に金属突起物であるバンプ７ａを設けた半導
体チップ２ａとを準備し、次にフィルムキャリアテープ
のリード４ａと半導体チップのバンプ７ａとを熱圧着法
または共晶法等によりインナーリードボンディング（以
下ＩＬＢ）し、フィルムキャリアテープの状態で電気選
別用パッド５ａ上に接触子を接触させて電気選別やバイ
アス試験を実施することにより完成する。ここで、リー
ド４ａの変形防止用として絶縁フィルムの枠であるサス
ペンダー８ａをあらかじめフィルムキャリアテープに設
けることや、信頼性向上及び機械的保護のため図９に示
すように樹脂９ａをポッティングして樹脂封止を行なう
ことが多い。
【０００３】上記のようなフィルムキャリア半導体装置
を実装する場合は、リード４ａを所望の長さに切断し、
ついで図１０に示すように、例えばプリント基板上１１
ａに接着剤１０ａにより半導体チップ２ａを固着後、リ
ード４ａをプリント基板上のボンディングパッド１２ａ
にアウターリードボンディング（以下ＯＬＢ）して実施
することができる。
を実装する場合は、リード４ａを所望の長さに切断し、
ついで図１０に示すように、例えばプリント基板上１１
ａに接着剤１０ａにより半導体チップ２ａを固着後、リ
ード４ａをプリント基板上のボンディングパッド１２ａ
にアウターリードボンディング（以下ＯＬＢ）して実施
することができる。
【０００４】これらのフィルムキャリア半導体装置は、
ボンディングがリード数と無関係に一度で可能であるた
めスピードが速いこと、フィルムキャリアテープを使用
するため作業の自動化が容易である等の利点を有してい
る。
ボンディングがリード数と無関係に一度で可能であるた
めスピードが速いこと、フィルムキャリアテープを使用
するため作業の自動化が容易である等の利点を有してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリア半導体装置のＯＬＢは、Ａｕ−Ａｕの熱圧
着、Ａｕ−Ｓｎの共晶法、導電性接着剤を用いた接着、
半田等を用いたろう付け等により実施される。ここで、
多くのプリント基板はガラスエポキシ、ガラスフェノー
ル等の樹脂を主成分としているため耐熱性に欠け、Ａｕ
−Ａｕ熱圧着やＡｕ−Ｓｎ共晶法は耐熱性を有するセラ
ミック基板やポリイミド系の樹脂基板等を使用する特殊
な場合に限られ、導電性接着剤又は半田を介して接続す
ることが一般的である。但し、導電性接着剤はフィルム
キャリア半導体装置のＯＬＢに広く使用されているが、
接続抵抗が高いという欠点があり、使用できる半導体装
置に制限がある。即ち、メモリー，マイコン，ゲートア
レー等の高速で動作する品種については、半田を介して
接続することが最適である。
ムキャリア半導体装置のＯＬＢは、Ａｕ−Ａｕの熱圧
着、Ａｕ−Ｓｎの共晶法、導電性接着剤を用いた接着、
半田等を用いたろう付け等により実施される。ここで、
多くのプリント基板はガラスエポキシ、ガラスフェノー
ル等の樹脂を主成分としているため耐熱性に欠け、Ａｕ
−Ａｕ熱圧着やＡｕ−Ｓｎ共晶法は耐熱性を有するセラ
ミック基板やポリイミド系の樹脂基板等を使用する特殊
な場合に限られ、導電性接着剤又は半田を介して接続す
ることが一般的である。但し、導電性接着剤はフィルム
キャリア半導体装置のＯＬＢに広く使用されているが、
接続抵抗が高いという欠点があり、使用できる半導体装
置に制限がある。即ち、メモリー，マイコン，ゲートア
レー等の高速で動作する品種については、半田を介して
接続することが最適である。
【０００６】フィルムキャリア半導体装置の実装形態と
しては、図１０に示すように、半導体チップ表面を上に
したフェイスアップボンディングや、図５に示すように
半導体チップ表面を下にしたフェイスダウンボンディン
グ等があり、さらに実装面積を小さくするために、図５
に示す如く、図１０におけるサスペンダー８ａを設けず
に実施する形態等多くの種類が存在する。いずれの場合
においても、プリント基板と半導体チップとの熱膨張差
によって生じる熱的変化での応力を緩和するため、リー
ドを成形してＯＬＢを行なうことが一般的である。即
ち、リードに屈曲部を設け、熱膨張差によって生じる変
位を吸収するものである。
しては、図１０に示すように、半導体チップ表面を上に
したフェイスアップボンディングや、図５に示すように
半導体チップ表面を下にしたフェイスダウンボンディン
グ等があり、さらに実装面積を小さくするために、図５
に示す如く、図１０におけるサスペンダー８ａを設けず
に実施する形態等多くの種類が存在する。いずれの場合
においても、プリント基板と半導体チップとの熱膨張差
によって生じる熱的変化での応力を緩和するため、リー
ドを成形してＯＬＢを行なうことが一般的である。即
ち、リードに屈曲部を設け、熱膨張差によって生じる変
位を吸収するものである。
【０００７】しかしながら、半田を介してＯＬＢを行な
う場合、図６に示す如く、加熱溶融した半田２０ａがリ
ード上をはい上がり、リードを強固に固定することが多
い。はい上がり量は、ＯＬＢ条件等に影響され一定では
ないが、フィルムキャリア半導体装置のＯＬＢは一般的
に加熱ツールを押し当てて実施することが多く、この場
合は加熱ツールの温度分布の不均一さにより、個々のリ
ードについてもはい上がり量が異なることになる。この
ような、半田のはい上がりによるリードの固定は、リー
ドを屈曲させて応力緩和するための効果を失う結果とな
り、熱的変化での応力が集中し、リードが破断するとい
う問題点があった。
う場合、図６に示す如く、加熱溶融した半田２０ａがリ
ード上をはい上がり、リードを強固に固定することが多
い。はい上がり量は、ＯＬＢ条件等に影響され一定では
ないが、フィルムキャリア半導体装置のＯＬＢは一般的
に加熱ツールを押し当てて実施することが多く、この場
合は加熱ツールの温度分布の不均一さにより、個々のリ
ードについてもはい上がり量が異なることになる。この
ような、半田のはい上がりによるリードの固定は、リー
ドを屈曲させて応力緩和するための効果を失う結果とな
り、熱的変化での応力が集中し、リードが破断するとい
う問題点があった。
【０００８】一般に、フィルムキャリア半導体装置のリ
ードは３５μ厚のＣｕで構成され、リード強度は十分で
なく、また実装面積を小さくするためにリード長は短く
設定されることが多いので、リード成形による応力緩和
効果が減少することは重要な問題となる。例えば、−６
５℃〜１５０℃の温度サイクル試験を実施した場合５０
〜１００サイクル以下でリード破断が生じていた。
ードは３５μ厚のＣｕで構成され、リード強度は十分で
なく、また実装面積を小さくするためにリード長は短く
設定されることが多いので、リード成形による応力緩和
効果が減少することは重要な問題となる。例えば、−６
５℃〜１５０℃の温度サイクル試験を実施した場合５０
〜１００サイクル以下でリード破断が生じていた。
【０００９】上述した半田のはい上がりを減少させるた
めの一般的方法は、半田のヌレ性を劣化させることにな
るので、本来接続されるプリント基板のボンディングパ
ッドとリードとの接続強度が維持できない問題点を生じ
させ、半田付性向上と半田はい上がり防止は互いに矛盾
する内容となっていた。
めの一般的方法は、半田のヌレ性を劣化させることにな
るので、本来接続されるプリント基板のボンディングパ
ッドとリードとの接続強度が維持できない問題点を生じ
させ、半田付性向上と半田はい上がり防止は互いに矛盾
する内容となっていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ア半導体装置は、スプロケットホールとデバイスホール
とを有する絶縁フィルム上にＣｕ等からなる金属箔のリ
ード及び電気選別用パッドを形成したィルムキャリアテ
ープのリードと半導体チップのバンプとがボンディング
され、半導体チップが樹脂封止されてなるフィルムキャ
リア半導体装置において、リードの一部の少なくとも片
面に半田のはい上がりを防止する半田ダムを備えてい
る。
ア半導体装置は、スプロケットホールとデバイスホール
とを有する絶縁フィルム上にＣｕ等からなる金属箔のリ
ード及び電気選別用パッドを形成したィルムキャリアテ
ープのリードと半導体チップのバンプとがボンディング
され、半導体チップが樹脂封止されてなるフィルムキャ
リア半導体装置において、リードの一部の少なくとも片
面に半田のはい上がりを防止する半田ダムを備えてい
る。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１及び図２は本発明のフィルムキャリア半導体装
置の平面図及び断面図である。６ｂはフィルムキャリア
テープであり、スプロケットホール１ｂ，デバイスホー
ル，ＯＬＢ用ホール１３ｂ、ＯＬＢ用リード１４ｂ及び
ＩＬＢ用リード１５ｂを有している。ＩＬＢ用リード１
５ｂは半導体チップ２ｂのバンプ７ｂとボンディングさ
れ、樹脂９ｂで封止されている。さらにＯＬＢ用リード
の一部には半田ダム１６ｂが設けられている。
る。図１及び図２は本発明のフィルムキャリア半導体装
置の平面図及び断面図である。６ｂはフィルムキャリア
テープであり、スプロケットホール１ｂ，デバイスホー
ル，ＯＬＢ用ホール１３ｂ、ＯＬＢ用リード１４ｂ及び
ＩＬＢ用リード１５ｂを有している。ＩＬＢ用リード１
５ｂは半導体チップ２ｂのバンプ７ｂとボンディングさ
れ、樹脂９ｂで封止されている。さらにＯＬＢ用リード
の一部には半田ダム１６ｂが設けられている。
【００１２】次に、本発明のフィルムキャリア半導体装
置の製造方法について説明する。従来と同様にスプロケ
ットホール，デバイスホール，ＯＬＢ用ホール，ＩＬＢ
用リード、ＯＬＢリード等を有するフィルムキャリアテ
ープと電極パッド上にバンプを有する半導体チップとを
準備し、フィルムキャリアテープのＩＬＢ用リードと半
導体チップのバンプとをボンディングする。次に、図１
及び図２に示すように樹脂９ｂにより樹脂封止する。つ
いでＯＬＢ用リードの一部に半田ダム１６ｂを形成し
て、本発明のフィルムキャリアの半導体装置が完成す
る。
置の製造方法について説明する。従来と同様にスプロケ
ットホール，デバイスホール，ＯＬＢ用ホール，ＩＬＢ
用リード、ＯＬＢリード等を有するフィルムキャリアテ
ープと電極パッド上にバンプを有する半導体チップとを
準備し、フィルムキャリアテープのＩＬＢ用リードと半
導体チップのバンプとをボンディングする。次に、図１
及び図２に示すように樹脂９ｂにより樹脂封止する。つ
いでＯＬＢ用リードの一部に半田ダム１６ｂを形成し
て、本発明のフィルムキャリアの半導体装置が完成す
る。
【００１３】半田ダムの形成方法としては、例えばソル
ダーレジストやシリコーン樹脂等の液状の樹脂を図３に
示すように転写法によりＯＬＢ用リードの所望の位置に
薄く形成して実施する方法や、その他印刷法等がある。
転写法は、ソルダーレジストやシリコーン樹脂等の液状
の樹脂からなる半田ダム材１７ｂを一定の厚さに制御し
て膜状とし、転写スタンプ１８ｂを膜に押し付けスタン
プ１９ｂに樹脂を付着させ、次にＯＬＢ用リード１４ｂ
に転写スタンプを押しつけることによって樹脂を転写し
て半田ダムを形成するものであり、比較的容易に所望の
位置に膜形成ができる利点がある。
ダーレジストやシリコーン樹脂等の液状の樹脂を図３に
示すように転写法によりＯＬＢ用リードの所望の位置に
薄く形成して実施する方法や、その他印刷法等がある。
転写法は、ソルダーレジストやシリコーン樹脂等の液状
の樹脂からなる半田ダム材１７ｂを一定の厚さに制御し
て膜状とし、転写スタンプ１８ｂを膜に押し付けスタン
プ１９ｂに樹脂を付着させ、次にＯＬＢ用リード１４ｂ
に転写スタンプを押しつけることによって樹脂を転写し
て半田ダムを形成するものであり、比較的容易に所望の
位置に膜形成ができる利点がある。
【００１４】このようにして製造したフィルムキャリア
半導体装置の半田を介して実装した状態を図４に示す。
図４に示すように、半田２０ｂは半田ダム１６ｂにより
止められ、リード屈曲部に至ることはない。これによ
り、リード屈曲部でな応力吸収効果が失なわれることは
ない。ここで半田ダムとして、硬化後もゴム状の性質を
有するシリコーン樹脂等を選択すると、より効果的であ
る。
半導体装置の半田を介して実装した状態を図４に示す。
図４に示すように、半田２０ｂは半田ダム１６ｂにより
止められ、リード屈曲部に至ることはない。これによ
り、リード屈曲部でな応力吸収効果が失なわれることは
ない。ここで半田ダムとして、硬化後もゴム状の性質を
有するシリコーン樹脂等を選択すると、より効果的であ
る。
【００１５】なお、本実施例では半田ダムをＯＬＢリー
ドの両面に形成したが、片面のみの形成でも半田ダムと
しての効果を期待できる。また、半田ダムの形成を樹脂
封止後に実施したが、フィルムキャリアテーム完了後で
あれば特に工程順に制約はない。
ドの両面に形成したが、片面のみの形成でも半田ダムと
しての効果を期待できる。また、半田ダムの形成を樹脂
封止後に実施したが、フィルムキャリアテーム完了後で
あれば特に工程順に制約はない。
【００１６】上記実施例では、樹脂等をＯＬＢ用リード
上に塗布して半田ダムとしたが、半田とのヌレ性が悪い
ものであれば半田ダムとして使用することができる。
上に塗布して半田ダムとしたが、半田とのヌレ性が悪い
ものであれば半田ダムとして使用することができる。
【００１７】図５はＩＬＢ用リード部及びＯＬＢ用リー
ドの半田付けする部分にメッキ２１ｂを施し、半田ダム
に相当する部分にはメッキを施さない構造としたフィル
ムキャリア半導体装置を実装した状態を示す断面図であ
る。このように部分的にメッキを施すことにより、メッ
キが無い部分が一般に酸化物をその表面に形成し、半田
とのヌレ性が悪いことから、メッキの無い部分を半田ダ
ムとして使用することができる。このような部分メッキ
は、フィルムキャリアテープ製造工程において、従来の
フォトレジスト法を利用することにより選択的にメッキ
することで実施することができる。
ドの半田付けする部分にメッキ２１ｂを施し、半田ダム
に相当する部分にはメッキを施さない構造としたフィル
ムキャリア半導体装置を実装した状態を示す断面図であ
る。このように部分的にメッキを施すことにより、メッ
キが無い部分が一般に酸化物をその表面に形成し、半田
とのヌレ性が悪いことから、メッキの無い部分を半田ダ
ムとして使用することができる。このような部分メッキ
は、フィルムキャリアテープ製造工程において、従来の
フォトレジスト法を利用することにより選択的にメッキ
することで実施することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＯＬＢ用
リードに半田のはい上がりを防止する半田ダムを形成し
たので、フィルムキャリア半導体装置を半田を介して実
装する際に、半田が成形されたリードの屈曲部にはい上
がり、強固に固定することを防止し、プリント基板、半
導体チップ及び封止樹脂の熱膨張係数差によって生じる
変位をリード屈曲部で吸収することができる効果を有す
る。これにより、例えば温度サイクル等の熱衝撃試験に
おいて、５０〜１００サイクル以下でリード破断が生じ
ていたものを、２００サイクル以上の従来の２〜４倍以
上に寿命を延ばすことができる。
リードに半田のはい上がりを防止する半田ダムを形成し
たので、フィルムキャリア半導体装置を半田を介して実
装する際に、半田が成形されたリードの屈曲部にはい上
がり、強固に固定することを防止し、プリント基板、半
導体チップ及び封止樹脂の熱膨張係数差によって生じる
変位をリード屈曲部で吸収することができる効果を有す
る。これにより、例えば温度サイクル等の熱衝撃試験に
おいて、５０〜１００サイクル以下でリード破断が生じ
ていたものを、２００サイクル以上の従来の２〜４倍以
上に寿命を延ばすことができる。
【図１】本発明のフィルムキャリア半導体装置の平面
図。
図。
【図２】図１の断面図。
【図３】本発明の製造方法を説明する図。
【図４】本発明のフィルムキャリア半導体装置を実装し
た状態を示す断面図。
た状態を示す断面図。
【図５】本発明のフィルムキャリア半導体装置を実装し
た断面図。
た断面図。
【図６】従来のフィルムキャリア半導体装置を実装した
断面図。
断面図。
【図７】従来のフィルムキャリア半導体装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図８】従来のフィルムキャリア半導体装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図９】従来のフィルムキャリア半導体装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図１０】その実装した状態を示す断面図である。
２ａ，２ｂ 半導体チップ ４ａ リード ５ａ，５ｂ 電気選別用パッド ６ａ，６ｂ フィルムキャリテープ ９ａ，９ｂ 樹脂 １１ａ，１１ｂ プリント基板 １４ｂ ＯＬＢ用リード １６ｂ 半田ダム １８ｂ 転写スタンプ ２０ａ，２０ｂ 半田 ２１ｂ メッキ
Claims (3)
- 【請求項１】 搬送及び位置決め用のスプロケットホー
ルと半導体チップが入るデバイスホールとを有する絶縁
フィルム上にＣｕ等からなる金属箔のリード及び電気選
別用パッドを形成したフィルムキャリアテープのリード
と半導体チップの電極上に設けられた金属突起物とがボ
ンディングされ、半導体チップが樹脂封止されてなるフ
ィルムキャリア半導体装置において、リードの一部の少
なくとも片面に半田のはい上がりを防止する半田ダムを
形成したことを特徴とするフィルムキャリア半導体装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載のフィルムキャリア半導体
装置において、転写法等によりシリコーン樹脂、エポキ
シ樹脂等からなる樹脂を少なくともリードの一部に形成
して半田ダムとしたフィルムキャリア半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のフィルムキャリア半導体
装置において、部分メッキ法により、少なくともリード
の一部のみにメッキを被覆せず、メッキ成しの部分を半
田ダムとしたフィルムキャリア半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040000A JPH05243327A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | フィルムキャリア半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4040000A JPH05243327A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | フィルムキャリア半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243327A true JPH05243327A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12568657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4040000A Withdrawn JPH05243327A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | フィルムキャリア半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009049352A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 電子デバイス装置およびその製造方法 |
| US7737546B2 (en) * | 2007-09-05 | 2010-06-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface mountable semiconductor package with solder bonding features |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4040000A patent/JPH05243327A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009049352A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 電子デバイス装置およびその製造方法 |
| US7737546B2 (en) * | 2007-09-05 | 2010-06-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface mountable semiconductor package with solder bonding features |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |