JPH06326250A - 高誘電率材料へのコンタクト構造および形成方法 - Google Patents
高誘電率材料へのコンタクト構造および形成方法Info
- Publication number
- JPH06326250A JPH06326250A JP6060931A JP6093194A JPH06326250A JP H06326250 A JPH06326250 A JP H06326250A JP 6060931 A JP6060931 A JP 6060931A JP 6093194 A JP6093194 A JP 6093194A JP H06326250 A JPH06326250 A JP H06326250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- doped
- donor
- lightly
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 25
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 40
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- -1 2 and Si 3 N 4 Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O Chemical compound [Ru]=O ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/917—Plural dopants of same conductivity type in same region
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンデンサー誘電体等の高誘電率材料への進
歩した電気的接続法を提供する。 【構成】 本発明の好適実施例は、導電性で低濃度にド
ナーをドープされたペロブスカイト層３４と前記ペロブ
スカイト層を覆ってそれに対して化学的、構造的に安定
な電気的接続を提供する高誘電率材料の層３６とを含
む。導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカ
イトは一般に、未ドープ、アクセプタードープ、あるい
は高濃度にドナーをドープされたＨＤＣ材料と比べてず
っと低い抵抗率を有する。材料を導電性（または抵抗
性）にするためのドナードーピング量は通常、プロセス
条件に依存する。この抵抗率はペロブスカイトを還元環
境に曝すことによって更に低下する。ペロブスカイトは
高誘電率材料と同じ方法によって堆積およびエッチでき
る。
歩した電気的接続法を提供する。 【構成】 本発明の好適実施例は、導電性で低濃度にド
ナーをドープされたペロブスカイト層３４と前記ペロブ
スカイト層を覆ってそれに対して化学的、構造的に安定
な電気的接続を提供する高誘電率材料の層３６とを含
む。導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカ
イトは一般に、未ドープ、アクセプタードープ、あるい
は高濃度にドナーをドープされたＨＤＣ材料と比べてず
っと低い抵抗率を有する。材料を導電性（または抵抗
性）にするためのドナードーピング量は通常、プロセス
条件に依存する。この抵抗率はペロブスカイトを還元環
境に曝すことによって更に低下する。ペロブスカイトは
高誘電率材料と同じ方法によって堆積およびエッチでき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には、コンデンサ
ーの作製時のような場合の高誘電率材料への電気的接続
の改善に関するものである。
ーの作製時のような場合の高誘電率材料への電気的接続
の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明の範囲を限定するものではない
が、一例として高誘電率材料へ電気的接続を作製する現
状の技術を取り上げて、本発明の背景について説明す
る。
が、一例として高誘電率材料へ電気的接続を作製する現
状の技術を取り上げて、本発明の背景について説明す
る。
【０００３】集積回路（例えば、ＤＲＡＭ）の集積度が
増大するにつれて、コンデンサー等の電気的デバイスに
使用されるべき高誘電率の材料に対する需要が高まって
いる単位面積当たりに高い容量値を達成するために一般
的に使用されている現状の方法は、誘電体としてＳｉＯ
2 やＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 を使用したトレンチ型および
積層型のコンデンサーのように、表面形状に凹凸を付け
ることによって単位エリア当たりの表面積を増大させる
ものである。この方式は２５６メガビットや１ギガビッ
トのＤＲＡＭのようなデバイスに対しては、製造上、適
用することが非常に困難である。
増大するにつれて、コンデンサー等の電気的デバイスに
使用されるべき高誘電率の材料に対する需要が高まって
いる単位面積当たりに高い容量値を達成するために一般
的に使用されている現状の方法は、誘電体としてＳｉＯ
2 やＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 を使用したトレンチ型および
積層型のコンデンサーのように、表面形状に凹凸を付け
ることによって単位エリア当たりの表面積を増大させる
ものである。この方式は２５６メガビットや１ギガビッ
トのＤＲＡＭのようなデバイスに対しては、製造上、適
用することが非常に困難である。
【０００４】別の１つの方法は、高誘電の材料を使用す
るものである。多くのペロブスカイト、強誘電性、ある
いは高誘電率（以下、ＨＤＣと略する）の材料、例えば
（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 （ＢＳＴ）は標準的なＳｉＯ2
−Ｓｉ3 Ｎ4 −ＳｉＯ2 コンデンサーよりもずっと高い
容量密度を有しているのが普通である。各種の金属およ
び金属化合物、そしてＰｔのような典型的な貴金属と例
えばＲｕＯ2 のような導電性酸化物がそのようなＨＤＣ
材料のための電極として提案されてきている。しかし、
電子デバイスに対して有用であるためには、一般にそれ
らの高誘電率材料の優れた性質を失わせることのない信
頼性ある電気的接続が形成できなければならない。
るものである。多くのペロブスカイト、強誘電性、ある
いは高誘電率（以下、ＨＤＣと略する）の材料、例えば
（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 （ＢＳＴ）は標準的なＳｉＯ2
−Ｓｉ3 Ｎ4 −ＳｉＯ2 コンデンサーよりもずっと高い
容量密度を有しているのが普通である。各種の金属およ
び金属化合物、そしてＰｔのような典型的な貴金属と例
えばＲｕＯ2 のような導電性酸化物がそのようなＨＤＣ
材料のための電極として提案されてきている。しかし、
電子デバイスに対して有用であるためには、一般にそれ
らの高誘電率材料の優れた性質を失わせることのない信
頼性ある電気的接続が形成できなければならない。
【０００５】
【発明の概要】この明細書では「高誘電率」という用語
は１５０以上の誘電率を意味するものとして使用してい
る。ＨＤＣ材料の堆積は通常、酸素を含む雰囲気中で高
温（一般的には約５００℃より高い温度）において起こ
る。この堆積工程の間、下側の電極構造は安定でなけれ
ばならず、この堆積の後には下側および上側の両電極構
造はともに安定でなければならない。薄膜（一般的に５
ミクロンよりも薄い膜）用としての下側電極用としてこ
れまで選ばれている材料にはいくつかの問題点がある。
それらの問題点の多くは半導体プロセスとの整合性に関
するものである。例えばＲｕは標準的な集積回路製造に
使用されない材料であって、しかもかなりの毒性を有す
る。Ｐｔは下側の電極としていくつかの問題点を有し、
そのため単独での使用が妨げられる。Ｐｔは一般にそれ
を通しての酸素の拡散を許容する性質を有し、そのため
隣接材料が酸化されることが多い。Ｐｔはまた、ＳｉＯ
2 やＳｉ3 Ｎ4 のような従来の誘電体に対して良い接着
性を示さないことが多く、またＰｔは低温で容易にシリ
サイドを形成してしまう。Ｐｔ電極の下側には接着層あ
るいはバッファー層としてＴａ層が使用されているが、
ＢＳＴ堆積中にＰｔを貫通して酸素が拡散しＴａが酸化
されて、Ｔａの導電性が低下してしまう。この問題はＴ
ａ層へではなくＰｔ層へ直接コンタクトを設ける構造に
対しては許容できることであろうが、以下に述べるよう
にその他にも、関連の問題がある。
は１５０以上の誘電率を意味するものとして使用してい
る。ＨＤＣ材料の堆積は通常、酸素を含む雰囲気中で高
温（一般的には約５００℃より高い温度）において起こ
る。この堆積工程の間、下側の電極構造は安定でなけれ
ばならず、この堆積の後には下側および上側の両電極構
造はともに安定でなければならない。薄膜（一般的に５
ミクロンよりも薄い膜）用としての下側電極用としてこ
れまで選ばれている材料にはいくつかの問題点がある。
それらの問題点の多くは半導体プロセスとの整合性に関
するものである。例えばＲｕは標準的な集積回路製造に
使用されない材料であって、しかもかなりの毒性を有す
る。Ｐｔは下側の電極としていくつかの問題点を有し、
そのため単独での使用が妨げられる。Ｐｔは一般にそれ
を通しての酸素の拡散を許容する性質を有し、そのため
隣接材料が酸化されることが多い。Ｐｔはまた、ＳｉＯ
2 やＳｉ3 Ｎ4 のような従来の誘電体に対して良い接着
性を示さないことが多く、またＰｔは低温で容易にシリ
サイドを形成してしまう。Ｐｔ電極の下側には接着層あ
るいはバッファー層としてＴａ層が使用されているが、
ＢＳＴ堆積中にＰｔを貫通して酸素が拡散しＴａが酸化
されて、Ｔａの導電性が低下してしまう。この問題はＴ
ａ層へではなくＰｔ層へ直接コンタクトを設ける構造に
対しては許容できることであろうが、以下に述べるよう
にその他にも、関連の問題がある。
【０００６】これまでに提案されているその他の構造に
は、電極としてＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈの合金を、また単結晶
Ｓｉまたは多結晶Ｓｉ上の接着層としてＲｅ、Ｏｓ、Ｒ
ｈ、Ｉｒを含む酸化物が含まれている。これらの電極に
付随する１つの問題は、これらの酸化物が一般にＳｉの
隣に安定して存在せず、またこれらの金属が典型的には
低温（一般に約４５０℃より低い温度）ですぐにシリサ
イドを形成することである。
は、電極としてＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈの合金を、また単結晶
Ｓｉまたは多結晶Ｓｉ上の接着層としてＲｅ、Ｏｓ、Ｒ
ｈ、Ｉｒを含む酸化物が含まれている。これらの電極に
付随する１つの問題は、これらの酸化物が一般にＳｉの
隣に安定して存在せず、またこれらの金属が典型的には
低温（一般に約４５０℃より低い温度）ですぐにシリサ
イドを形成することである。
【０００７】上述の解決法に伴う１つの困難は、半導体
製造でなじみのない材料（例えば、Ｒｕ）が使用されて
いるということである。別の困難はＰｔまたはＲｕＯ2
に対する比較的良好なドライエッチングの方法がまだ知
られていないことである。別の１つの例として、Ｐｔま
たはＲｕに対する商用のＣＤＶプロセスが現状では存在
しない。Ｐｔは通常Ｓｉ中を高速に拡散し、そのため別
の問題を引き起こす。更に、提案の電極構造の多くはい
くつかの追加的なプロセスを要求するが、これも経済的
な観点から好ましいことではない。例えば、ＰｔやＲｕ
のための商用のＣＶＤプロセスが現状で存在しないし、
またＲｕＯ2 に対する商用のドライエッチングも存在し
ない。
製造でなじみのない材料（例えば、Ｒｕ）が使用されて
いるということである。別の困難はＰｔまたはＲｕＯ2
に対する比較的良好なドライエッチングの方法がまだ知
られていないことである。別の１つの例として、Ｐｔま
たはＲｕに対する商用のＣＤＶプロセスが現状では存在
しない。Ｐｔは通常Ｓｉ中を高速に拡散し、そのため別
の問題を引き起こす。更に、提案の電極構造の多くはい
くつかの追加的なプロセスを要求するが、これも経済的
な観点から好ましいことではない。例えば、ＰｔやＲｕ
のための商用のＣＶＤプロセスが現状で存在しないし、
またＲｕＯ2 に対する商用のドライエッチングも存在し
ない。
【０００８】一般に、本発明は薄膜ミクロ電子構造中の
電極として、低濃度にドナーをドープしたペロブスカイ
トを使用している。接着層および／または拡散障壁およ
び／または電気的接続として、もし必要であれば、電極
バッファー層も使用する。低濃度にドナーをドープされ
たペロブスカイトは、一般に、未ドープのものやアクセ
プターをドープしたもの、あるいは高濃度にドナーをド
ープしたＨＤＣ材料よりもずっと低い抵抗値を有する。
典型的な低濃度ドープのＢａＴｉＯ3 等のペロブスカイ
トは一般に、約１０ないし１００ｏｈｍ・ｃｍのバルク
抵抗率を有する更に、もしペロブスカイトを還元性の環
境に曝せばこの抵抗率を更に下げることができる。逆
に、ペロブスカイトはドナー濃度を高くすると高抵抗率
（約１０10１０14ｏｈｍ・ｃｍ）となる。この材料を導
電性（あるいは抵抗性）にするためのドナーのドープ量
は、通常、プロセス条件（すなわち、温度、雰囲気、結
晶粒径、膜厚、および組成）に依存する。低濃度のドナ
ードープによって導電性になるペロブスカイト、ペロブ
スカイト類似物、強誘電性またはＨＤＣの酸化物には数
多くのものがある。
電極として、低濃度にドナーをドープしたペロブスカイ
トを使用している。接着層および／または拡散障壁およ
び／または電気的接続として、もし必要であれば、電極
バッファー層も使用する。低濃度にドナーをドープされ
たペロブスカイトは、一般に、未ドープのものやアクセ
プターをドープしたもの、あるいは高濃度にドナーをド
ープしたＨＤＣ材料よりもずっと低い抵抗値を有する。
典型的な低濃度ドープのＢａＴｉＯ3 等のペロブスカイ
トは一般に、約１０ないし１００ｏｈｍ・ｃｍのバルク
抵抗率を有する更に、もしペロブスカイトを還元性の環
境に曝せばこの抵抗率を更に下げることができる。逆
に、ペロブスカイトはドナー濃度を高くすると高抵抗率
（約１０10１０14ｏｈｍ・ｃｍ）となる。この材料を導
電性（あるいは抵抗性）にするためのドナーのドープ量
は、通常、プロセス条件（すなわち、温度、雰囲気、結
晶粒径、膜厚、および組成）に依存する。低濃度のドナ
ードープによって導電性になるペロブスカイト、ペロブ
スカイト類似物、強誘電性またはＨＤＣの酸化物には数
多くのものがある。
【０００９】低濃度のドナーをドープされたペロブスカ
イト下側電極の堆積は、その下の層の酸化を最小限に止
めるように、わずかに還元性の雰囲気中で行われる。そ
れに続くＨＤＣ誘電材料の堆積は非常に酸化性の高い状
況で行うことができ、低濃度にドナーをドープされたペ
ロブスカイト下側電極がその下の層の酸化速度を遅くし
て、本質的に酸化され連続した抵抗性のコンタクト層が
形成されることを阻止する。この電極系での別の１つの
利点は、低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト
下側電極がＨＤＣ誘電材料の還元をほとんど行わない
か、あるいは全く行わないことである。
イト下側電極の堆積は、その下の層の酸化を最小限に止
めるように、わずかに還元性の雰囲気中で行われる。そ
れに続くＨＤＣ誘電材料の堆積は非常に酸化性の高い状
況で行うことができ、低濃度にドナーをドープされたペ
ロブスカイト下側電極がその下の層の酸化速度を遅くし
て、本質的に酸化され連続した抵抗性のコンタクト層が
形成されることを阻止する。この電極系での別の１つの
利点は、低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト
下側電極がＨＤＣ誘電材料の還元をほとんど行わない
か、あるいは全く行わないことである。
【００１０】開示された構造は一般に、現状の構造の欠
点の多くを解消しつつ、ＨＤＣ材料への電気的接続を提
供する。本発明の１つの実施例は、導電性で低濃度にド
ナーをドープされたペロブスカイト層と、前記導電性で
低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層を覆う
高誘電率の材料層とを含む。この導電性で低濃度にドナ
ーをドープされたペロブスカイト層は、前記高誘電率の
材料層に対して化学的および構造的に本質的に安定した
電気的接続を提供する。本発明の１つの実施例を形成す
る方法は、導電性で低濃度にドナーをドープされたペロ
ブスカイト層を形成する工程と、前記導電性で低濃度に
ドナーをドープされたペロブスカイト層上に高誘電率の
材料層を形成する工程とを含む。
点の多くを解消しつつ、ＨＤＣ材料への電気的接続を提
供する。本発明の１つの実施例は、導電性で低濃度にド
ナーをドープされたペロブスカイト層と、前記導電性で
低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層を覆う
高誘電率の材料層とを含む。この導電性で低濃度にドナ
ーをドープされたペロブスカイト層は、前記高誘電率の
材料層に対して化学的および構造的に本質的に安定した
電気的接続を提供する。本発明の１つの実施例を形成す
る方法は、導電性で低濃度にドナーをドープされたペロ
ブスカイト層を形成する工程と、前記導電性で低濃度に
ドナーをドープされたペロブスカイト層上に高誘電率の
材料層を形成する工程とを含む。
【００１１】これらは、明らかなように、高誘電率材料
への電気的接続が、導電性で低濃度にドナーをドープさ
れたペロブスカイト層を含むようになった初めての薄膜
構造である。導電性で低濃度にドナーをドープされたペ
ロブスカイト層は一般に、誘電体のために開発されたの
と同じ方法を用いて効率的に堆積およびエッチできるペ
ロブスカイト電極および誘電体の両方を堆積およびエッ
チするために同じ装置が使用できる。これらの構造は更
に、多層コンデンサーおよびその他の薄膜強誘電性デバ
イス、例えば、ピロ電気材料、不揮発性メモリ、薄膜圧
電および薄膜電気光学的酸化物にも適用できる。
への電気的接続が、導電性で低濃度にドナーをドープさ
れたペロブスカイト層を含むようになった初めての薄膜
構造である。導電性で低濃度にドナーをドープされたペ
ロブスカイト層は一般に、誘電体のために開発されたの
と同じ方法を用いて効率的に堆積およびエッチできるペ
ロブスカイト電極および誘電体の両方を堆積およびエッ
チするために同じ装置が使用できる。これらの構造は更
に、多層コンデンサーおよびその他の薄膜強誘電性デバ
イス、例えば、ピロ電気材料、不揮発性メモリ、薄膜圧
電および薄膜電気光学的酸化物にも適用できる。
【００１２】本発明に特徴的と考えられる新規な特徴に
ついては請求の範囲に示した。しかし、本発明そのもの
については、それのその他の特徴および利点とともに、
以下の添付図面を参照した詳細な説明から最も良く理解
できるであろう。
ついては請求の範囲に示した。しかし、本発明そのもの
については、それのその他の特徴および利点とともに、
以下の添付図面を参照した詳細な説明から最も良く理解
できるであろう。
【００１３】
【実施例】図１を参照すると、バルクＢａＴｉＯ3 （Ｂ
Ｔ）の室温導電率と結晶粒径とに対するＬａドナードー
ピングの効果を示すグラフが示されている。ＢＴは一般
に代表的なペロブスカイト材料であると考えられてお
り、類似ペロブスカイトであるＳｒＴｉＯ3 （ＳＴ）や
（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 も同様に振る舞うはずである低
濃度にドナーをドープされたペロブスカイトのバルク抵
抗率は一般に、約１０ないし１００ｏｈｍ・ｃｍの間に
ある。更に、この抵抗率はペロブスカイトを還元性の環
境に曝すことによって下げることができる。ペロブスカ
イトはまた、高いドナー濃度において高抵抗率（約１０
10−１０14ｏｈｍ・ｃｍ）を取る。この材料を導電性
（または抵抗性）とするためのドナードープの量は、通
常、プロセス条件（すなわち、温度、雰囲気、結晶粒
径、膜厚、および組成）に依存する。
Ｔ）の室温導電率と結晶粒径とに対するＬａドナードー
ピングの効果を示すグラフが示されている。ＢＴは一般
に代表的なペロブスカイト材料であると考えられてお
り、類似ペロブスカイトであるＳｒＴｉＯ3 （ＳＴ）や
（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 も同様に振る舞うはずである低
濃度にドナーをドープされたペロブスカイトのバルク抵
抗率は一般に、約１０ないし１００ｏｈｍ・ｃｍの間に
ある。更に、この抵抗率はペロブスカイトを還元性の環
境に曝すことによって下げることができる。ペロブスカ
イトはまた、高いドナー濃度において高抵抗率（約１０
10−１０14ｏｈｍ・ｃｍ）を取る。この材料を導電性
（または抵抗性）とするためのドナードープの量は、通
常、プロセス条件（すなわち、温度、雰囲気、結晶粒
径、膜厚、および組成）に依存する。
【００１４】ここに用いられているように、「低濃度」
という用語はペロブスカイトのドーピングに関して使用
される場合、未ドープのペロブスカイトの抵抗率よりも
本質的に低い抵抗率をもたらすドーピングレベル（すな
わち、約０．０１ないし約０３モル百分率のドーピン
グ）を意味する。一般にそのような低い抵抗率はまた、
高濃度にドープされたペロブスカイトの抵抗率よりも本
質的に低い値になっている。当業者には既知のように、
ドナードーピングは一般に、格子位置原子の置換であっ
て、置き換わる原子の価電子数が（置き換わられる原子
の価電子数に比べて）多いことのために、自由電子が生
ずる。
という用語はペロブスカイトのドーピングに関して使用
される場合、未ドープのペロブスカイトの抵抗率よりも
本質的に低い抵抗率をもたらすドーピングレベル（すな
わち、約０．０１ないし約０３モル百分率のドーピン
グ）を意味する。一般にそのような低い抵抗率はまた、
高濃度にドープされたペロブスカイトの抵抗率よりも本
質的に低い値になっている。当業者には既知のように、
ドナードーピングは一般に、格子位置原子の置換であっ
て、置き換わる原子の価電子数が（置き換わられる原子
の価電子数に比べて）多いことのために、自由電子が生
ずる。
【００１５】図２ないし図６を参照すると、本発明の好
適実施例である、低濃度にドナーをドープされたペロブ
スカイト下側電極を含むコンデンサーを作製する方法が
示されている。図２はシリコン半導体基板３０を示して
いる。図３はシリコン基板３０の表面上に形成されたＳ
ｉＯ2 絶縁層３２を示している。図４はＳｉＯ2 層３２
上に堆積された低濃度にＬａドナーをドープされたＢＳ
Ｔ層３４を示しているこの低濃度にＬａドナーをドープ
されたＢＳＴ層３４は導電性であり、高誘電率コンデン
サーのための下側電極として機能する。図５は低濃度に
ＬａドナーをドープされたＢＳＴ層３４上に堆積され
た、コンデンサーの誘電体である未ドープの高誘電率Ｂ
ＳＴの層３６を示している。コンデンサーの誘電体とし
て未ドープのＢＳＴを使用できるが、アクセプターをド
ープしたものや、高濃度にドナーをドープしたＢＳＴを
用いて高誘電率を得てもよい。図６は未ドープのＢＳＴ
層３６の上に堆積されたＴｉＮの上側電極３８を示して
いる。ＴｉＮは一般に導電性であることに加えて、良好
な接着層および拡散障壁である。これとは別に、上側電
極３８として、ＴｉＮの代わりに低濃度にＬａドナーを
ドープされたＢＳＴの別の層を用いることもできる。
適実施例である、低濃度にドナーをドープされたペロブ
スカイト下側電極を含むコンデンサーを作製する方法が
示されている。図２はシリコン半導体基板３０を示して
いる。図３はシリコン基板３０の表面上に形成されたＳ
ｉＯ2 絶縁層３２を示している。図４はＳｉＯ2 層３２
上に堆積された低濃度にＬａドナーをドープされたＢＳ
Ｔ層３４を示しているこの低濃度にＬａドナーをドープ
されたＢＳＴ層３４は導電性であり、高誘電率コンデン
サーのための下側電極として機能する。図５は低濃度に
ＬａドナーをドープされたＢＳＴ層３４上に堆積され
た、コンデンサーの誘電体である未ドープの高誘電率Ｂ
ＳＴの層３６を示している。コンデンサーの誘電体とし
て未ドープのＢＳＴを使用できるが、アクセプターをド
ープしたものや、高濃度にドナーをドープしたＢＳＴを
用いて高誘電率を得てもよい。図６は未ドープのＢＳＴ
層３６の上に堆積されたＴｉＮの上側電極３８を示して
いる。ＴｉＮは一般に導電性であることに加えて、良好
な接着層および拡散障壁である。これとは別に、上側電
極３８として、ＴｉＮの代わりに低濃度にＬａドナーを
ドープされたＢＳＴの別の層を用いることもできる。
【００１６】別の１つの実施例として、図７は低濃度に
ＬａドナーをドープされたＢＳＴ層３４の上に堆積され
た未ドープの高誘電率ＢＳＴ層３６を示している。この
低濃度にＬａドナーをドープされたＢＳＴ層３４は、未
ドープの高誘電率ＢＳＴ層３６に対して化学的および構
造的に安定な電気的接続を提供する。
ＬａドナーをドープされたＢＳＴ層３４の上に堆積され
た未ドープの高誘電率ＢＳＴ層３６を示している。この
低濃度にＬａドナーをドープされたＢＳＴ層３４は、未
ドープの高誘電率ＢＳＴ層３６に対して化学的および構
造的に安定な電気的接続を提供する。
【００１７】別の１つの実施例として、図８は低濃度に
ドナーをドープされたペロブスカイト電極を使用した高
誘電率コンデンサーを示している。ＴｉＮ上側電極３８
が未ドープのＢＳＴ層３６を覆っており、更にそれが低
濃度にＬａドナーをドープされたＢＳＴ下側電極３４を
覆っている。しかし、この低濃度にＬａドナーをドープ
されたＢＳＴ下側電極３４は第１のＳｉＯ2 絶縁層３２
に直接接して形成されておらず、その代わりＴｉＮ電極
バッファー層４２の上に形成されていることが示されて
いる。このＴｉＮ電極バッファー層４２は接着層とし
て、更に高誘電率ＢＳＴ層３６中のシリコン、酸素、お
よび不純物に対する拡散障壁として使用されている。こ
の目的のために、ＴｉＮの代わりにＲｕＯ2 ／Ｒｕのよ
うなその他の材料を使用することもできる。例えば、Ｒ
ｕ金属を堆積することができ、それは低濃度にＬａドナ
ーをドープされたＢＳＴ層３４または未ドープの高誘電
率ＢＳＴ層３６の堆積中に、ほとんどの部分がＲｕＯ2
になってしまうであろう。この例でＴｉＮ電極バッファ
ー層４２は直接的な電気的接続のためには使用されてい
ない。それは、導電性タングステンプラグ４６を介して
上から低濃度にＬａドナーをドープされたＢＳＴ層３４
へ電気的コンタクトが直接形成されるからである。この
タングステンプラグ４６は、第２のＳｉＯ2 絶縁層４４
を通してアルミニウムの上部配線４８に対して電気的コ
ンタクトを形成する。これ以外の２個のタングステンプ
ラグ４６がアルミニウム上部配線層４８からＴｉＮ上側
電極３８へとドープされたシリコン領域４０とへ電気的
コンタクトを形成する。
ドナーをドープされたペロブスカイト電極を使用した高
誘電率コンデンサーを示している。ＴｉＮ上側電極３８
が未ドープのＢＳＴ層３６を覆っており、更にそれが低
濃度にＬａドナーをドープされたＢＳＴ下側電極３４を
覆っている。しかし、この低濃度にＬａドナーをドープ
されたＢＳＴ下側電極３４は第１のＳｉＯ2 絶縁層３２
に直接接して形成されておらず、その代わりＴｉＮ電極
バッファー層４２の上に形成されていることが示されて
いる。このＴｉＮ電極バッファー層４２は接着層とし
て、更に高誘電率ＢＳＴ層３６中のシリコン、酸素、お
よび不純物に対する拡散障壁として使用されている。こ
の目的のために、ＴｉＮの代わりにＲｕＯ2 ／Ｒｕのよ
うなその他の材料を使用することもできる。例えば、Ｒ
ｕ金属を堆積することができ、それは低濃度にＬａドナ
ーをドープされたＢＳＴ層３４または未ドープの高誘電
率ＢＳＴ層３６の堆積中に、ほとんどの部分がＲｕＯ2
になってしまうであろう。この例でＴｉＮ電極バッファ
ー層４２は直接的な電気的接続のためには使用されてい
ない。それは、導電性タングステンプラグ４６を介して
上から低濃度にＬａドナーをドープされたＢＳＴ層３４
へ電気的コンタクトが直接形成されるからである。この
タングステンプラグ４６は、第２のＳｉＯ2 絶縁層４４
を通してアルミニウムの上部配線４８に対して電気的コ
ンタクトを形成する。これ以外の２個のタングステンプ
ラグ４６がアルミニウム上部配線層４８からＴｉＮ上側
電極３８へとドープされたシリコン領域４０とへ電気的
コンタクトを形成する。
【００１８】別の実施例として、図９は低濃度にドナー
をドープされたペロブスカイト電極を使用した高誘電率
コンデンサーを示している。ＴｉＮ電極バッファー層４
２の上に、図８に示されたのと同様に低濃度にＬａドナ
ーをドープされたＢＳＴ下側電極３４が形成されてい
る。しかし、図９では、ＴｉＮ電極バッファー層４２が
その下のドープされたシリコン領域４０に対して電気的
接続を提供している。ＴｉＮはまた、この例においてか
なり巧く機能している。というのは、ＴｉＮはそれが絶
縁性のチタン酸化物を形成するためにはかなり本質的な
酸化を受けなければならないからである。例えば、Ｔｉ
Ｏ2 は絶縁性であるが、ＴｉＯＮやＴｉＯは導電性であ
る。
をドープされたペロブスカイト電極を使用した高誘電率
コンデンサーを示している。ＴｉＮ電極バッファー層４
２の上に、図８に示されたのと同様に低濃度にＬａドナ
ーをドープされたＢＳＴ下側電極３４が形成されてい
る。しかし、図９では、ＴｉＮ電極バッファー層４２が
その下のドープされたシリコン領域４０に対して電気的
接続を提供している。ＴｉＮはまた、この例においてか
なり巧く機能している。というのは、ＴｉＮはそれが絶
縁性のチタン酸化物を形成するためにはかなり本質的な
酸化を受けなければならないからである。例えば、Ｔｉ
Ｏ2 は絶縁性であるが、ＴｉＯＮやＴｉＯは導電性であ
る。
【００１９】ＴｉＮ下側電極バッファー層４２を使用す
る場合、ＴｉＮの酸化を最小限に止めるために、低濃度
にＬａドナーをドープされたＢＳＴ下側電極３４の堆積
は少し還元性の雰囲気中で行うのが好ましい。未ドープ
の高誘電率ＢＳＴ層３６の堆積は、一般に、非常に酸化
性の高い状況を必要とし、低濃度にＬａドナーをドープ
されたＢＳＴ下側電極３４はＴｉＮ電極バッファー層４
２の酸化速度を大幅に遅らせ、そのため本質的な酸化を
受けた連続的な抵抗性コンタクト層の形成を阻止する。
この電極系での別の１つの利点は、低濃度にＬａドナー
をドープされたＢＳＴ下側電極が、あってもわずかしか
未ドープＢＳＴ層３６の還元を行わないということであ
る。
る場合、ＴｉＮの酸化を最小限に止めるために、低濃度
にＬａドナーをドープされたＢＳＴ下側電極３４の堆積
は少し還元性の雰囲気中で行うのが好ましい。未ドープ
の高誘電率ＢＳＴ層３６の堆積は、一般に、非常に酸化
性の高い状況を必要とし、低濃度にＬａドナーをドープ
されたＢＳＴ下側電極３４はＴｉＮ電極バッファー層４
２の酸化速度を大幅に遅らせ、そのため本質的な酸化を
受けた連続的な抵抗性コンタクト層の形成を阻止する。
この電極系での別の１つの利点は、低濃度にＬａドナー
をドープされたＢＳＴ下側電極が、あってもわずかしか
未ドープＢＳＴ層３６の還元を行わないということであ
る。
【００２０】更に別の１つの例として、図１０は低濃度
にドナーをドープされたペロブスカイト電極を使用した
高誘電率コンデンサーを示している。図９に示されたよ
うに電気的コンタクトのためにＴｉＮ電極バッファー層
４２が使用される。しかし、図１０では、ＴｉＮ電極バ
ッファー層４２はタングステンプラグ５０を介して、ド
ープされたシリコン領域４０へ接続している。
にドナーをドープされたペロブスカイト電極を使用した
高誘電率コンデンサーを示している。図９に示されたよ
うに電気的コンタクトのためにＴｉＮ電極バッファー層
４２が使用される。しかし、図１０では、ＴｉＮ電極バ
ッファー層４２はタングステンプラグ５０を介して、ド
ープされたシリコン領域４０へ接続している。
【００２１】別の方法として、図１０のタングステン
（またはＴｉＮ）プラグ５０は、もしＴｉＮ電極バッフ
ァー層４２が使用されなかったとすれば、低濃度にＬａ
ドナーをドープされたＢＳＴ下側電極３４に対して直接
つながるように用いることもできる。しかし一般に、低
濃度にＬａドナーをドープされたＢＳＴ下側電極３４は
酸素拡散障壁として利用されており、従ってこれではあ
らゆる考えうる酸化状況下でタングステンプラグ５０を
保護するというわけにはいかなくなる。
（またはＴｉＮ）プラグ５０は、もしＴｉＮ電極バッフ
ァー層４２が使用されなかったとすれば、低濃度にＬａ
ドナーをドープされたＢＳＴ下側電極３４に対して直接
つながるように用いることもできる。しかし一般に、低
濃度にＬａドナーをドープされたＢＳＴ下側電極３４は
酸素拡散障壁として利用されており、従ってこれではあ
らゆる考えうる酸化状況下でタングステンプラグ５０を
保護するというわけにはいかなくなる。
【００２２】次に示す表はいくつかの実施例および図面
の全体的な要約を提供している。
の全体的な要約を提供している。
【００２３】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【００２４】以上、数例の好適実施例について詳細に説
明してきた。本発明の範囲には、ここに説明したもの以
外でしかも本発明に包含されるべき実施例が含まれるで
あろうことは理解されたい。ここに述べた構造に関連し
て、そのような構造に対する電気的接続は、オーミック
性、整流性、容量性、直接的または中間回路を介しての
間接的なものであり得る。本発明の実施は、個別部品に
対して行うことも、完全な集積回路の形でシリコン、ゲ
ルマニウム、ガリウム砒素、またはその他の電子材料群
に対して行うこともできる。一般的、好適または特定の
実施例はその他の例に比べて好ましいものとなる。
明してきた。本発明の範囲には、ここに説明したもの以
外でしかも本発明に包含されるべき実施例が含まれるで
あろうことは理解されたい。ここに述べた構造に関連し
て、そのような構造に対する電気的接続は、オーミック
性、整流性、容量性、直接的または中間回路を介しての
間接的なものであり得る。本発明の実施は、個別部品に
対して行うことも、完全な集積回路の形でシリコン、ゲ
ルマニウム、ガリウム砒素、またはその他の電子材料群
に対して行うこともできる。一般的、好適または特定の
実施例はその他の例に比べて好ましいものとなる。
【００２５】本発明は例示した実施例に関して説明して
きたが、この説明は限定的な意図のものではない。本発
明のその他の実施例が可能であると同時に、例示した実
施例に対して各種の修正や組み合わせが可能であること
は、本説明を参照することにより当業者には明らかであ
ろう。従って、請求の範囲はそれらの修正や実施例をす
べて包含するものと解釈されるべきである。
きたが、この説明は限定的な意図のものではない。本発
明のその他の実施例が可能であると同時に、例示した実
施例に対して各種の修正や組み合わせが可能であること
は、本説明を参照することにより当業者には明らかであ
ろう。従って、請求の範囲はそれらの修正や実施例をす
べて包含するものと解釈されるべきである。
【００２６】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）ミクロ電子構造を形成する方法であって、次の工
程： （ａ）導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブス
カイト層を形成すること、および（ｂ）前記導電性で低
濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層の上に高
誘電率材料の層を形成すること、を含み、それによっ
て、前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブ
スカイト層が前記高誘電率材料の層に対して化学的およ
び構造的に本質的に安定な電気的接続を提供している方
法。
る。 （１）ミクロ電子構造を形成する方法であって、次の工
程： （ａ）導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブス
カイト層を形成すること、および（ｂ）前記導電性で低
濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層の上に高
誘電率材料の層を形成すること、を含み、それによっ
て、前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブ
スカイト層が前記高誘電率材料の層に対して化学的およ
び構造的に本質的に安定な電気的接続を提供している方
法。
【００２７】（２）第１項記載の方法であって、前記ペ
ロブスカイトが、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ）（Ｔｉ，Ｚｒ）
Ｏ3 、チタン酸ビスマス、タンタル酸カリウム、ニオブ
酸鉛、ニオブ酸鉛亜鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸鉛
マグネシウム、およびそれらの組み合わせで構成される
群のうちから選ばれたものである方法。
ロブスカイトが、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ）（Ｔｉ，Ｚｒ）
Ｏ3 、チタン酸ビスマス、タンタル酸カリウム、ニオブ
酸鉛、ニオブ酸鉛亜鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸鉛
マグネシウム、およびそれらの組み合わせで構成される
群のうちから選ばれたものである方法。
【００２８】（３）第１項記載の方法であって、前記ド
ナーが、Ｆ、Ｃｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔａ、Ｗ、およびそれらの組み合わせで構成される
群のうちから選ばれたものである方法。
ナーが、Ｆ、Ｃｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔａ、Ｗ、およびそれらの組み合わせで構成される
群のうちから選ばれたものである方法。
【００２９】（４）第１項記載の方法であって、前記高
誘電率材料の層が、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ）（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ3 、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、チタン
酸ビスマス、タンタル酸カリウム、ニオブ酸鉛、ニオブ
酸鉛亜鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸鉛マグネシウ
ム、およびそれらの組み合わせで構成される群のうちか
ら選ばれたものである方法。
誘電率材料の層が、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ）（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ3 、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、チタン
酸ビスマス、タンタル酸カリウム、ニオブ酸鉛、ニオブ
酸鉛亜鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸鉛マグネシウ
ム、およびそれらの組み合わせで構成される群のうちか
ら選ばれたものである方法。
【００３０】（５）第１項記載の方法であって、前記高
誘電率材料の層が未ドープである方法。
誘電率材料の層が未ドープである方法。
【００３１】（６）第１項記載の方法であって、前記高
誘電率材料の層がアクセプターをドープされたものであ
る方法。
誘電率材料の層がアクセプターをドープされたものであ
る方法。
【００３２】（７）第１項記載の方法であって、前記高
誘電率材料の層が高濃度にドナーをドープされたもので
ある方法。
誘電率材料の層が高濃度にドナーをドープされたもので
ある方法。
【００３３】（８）第１項記載の方法であって、前記高
誘電率材料の層がアクセプターと高濃度のドナーの両方
をドープされたものである方法。
誘電率材料の層がアクセプターと高濃度のドナーの両方
をドープされたものである方法。
【００３４】（９）第１項記載の方法であって、更に電
気的に伝導性のバッファー層の上に前記導電性で低濃度
にドナーをドープされたペロブスカイト層を形成する工
程を含む方法。
気的に伝導性のバッファー層の上に前記導電性で低濃度
にドナーをドープされたペロブスカイト層を形成する工
程を含む方法。
【００３５】（１０）第９項記載の方法であって、前記
電気的に伝導性のバッファー層が、白金、パラジウム、
ロジウム、金、イリジウム、銀、ルテニウム、窒化チタ
ン、窒化錫、窒化ルテニウム、窒化ジルコニウム、一酸
化ルテニウム、二酸化ルテニウム、酸化錫、一酸化チタ
ン、ＴｉＯＮ、チタンシリサイド、およびそれらの組み
合わせで構成される群のうちから選ばれたものである方
法。
電気的に伝導性のバッファー層が、白金、パラジウム、
ロジウム、金、イリジウム、銀、ルテニウム、窒化チタ
ン、窒化錫、窒化ルテニウム、窒化ジルコニウム、一酸
化ルテニウム、二酸化ルテニウム、酸化錫、一酸化チタ
ン、ＴｉＯＮ、チタンシリサイド、およびそれらの組み
合わせで構成される群のうちから選ばれたものである方
法。
【００３６】（１１）第１項記載の方法であって、更に
前記高誘電率材料の層の上に電気的に伝導性の層を形成
する工程を含む方法。
前記高誘電率材料の層の上に電気的に伝導性の層を形成
する工程を含む方法。
【００３７】（１２）第１１項記載の方法であって、前
記電気的に伝導性の層が、白金、パラジウム、ロジウ
ム、金、イリジウム、銀、窒化チタン、窒化錫、窒化ル
テニウム、窒化ジルコニウム、二酸化ルテニウム、酸化
錫、一酸化チタン、チタンシリサイド、アルミニウム、
およびそれらの組み合わせで構成される群のうちから選
ばれたものである方法。
記電気的に伝導性の層が、白金、パラジウム、ロジウ
ム、金、イリジウム、銀、窒化チタン、窒化錫、窒化ル
テニウム、窒化ジルコニウム、二酸化ルテニウム、酸化
錫、一酸化チタン、チタンシリサイド、アルミニウム、
およびそれらの組み合わせで構成される群のうちから選
ばれたものである方法。
【００３８】（１３）第１１項記載の方法であって、前
記電気的に伝導性の層が低濃度にドナーをドープされた
ペロブスカイトである方法。
記電気的に伝導性の層が低濃度にドナーをドープされた
ペロブスカイトである方法。
【００３９】（１４）第１３項記載の方法であって、前
記ペロブスカイトが、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ）（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ3 、チタン酸ビスマス、タンタル酸カリウム、ニ
オブ酸鉛、ニオブ酸鉛亜鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ
酸鉛マグネシウム、およびそれらの組み合わせで構成さ
れる群のうちから選ばれたものである方法。
記ペロブスカイトが、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ）（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ3 、チタン酸ビスマス、タンタル酸カリウム、ニ
オブ酸鉛、ニオブ酸鉛亜鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ
酸鉛マグネシウム、およびそれらの組み合わせで構成さ
れる群のうちから選ばれたものである方法。
【００４０】（１５）第１３項記載の方法であって、前
記ドナーが、Ｆ、Ｃｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔａ、Ｗ、およびそれらの組み合わせで構成される
群のうちから選ばれたものである方法。
記ドナーが、Ｆ、Ｃｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔａ、Ｗ、およびそれらの組み合わせで構成される
群のうちから選ばれたものである方法。
【００４１】（１６）ミクロ電子コンデンサーを作製す
る方法であって、次の工程： （ａ）電気的に伝導性のバッファー層を形成すること、
（ｂ）前記電気的に伝導性のバッファー層の上に低濃度
にランタンをドープされたチタン酸バリウムストロンチ
ウム層を形成すること、（ｃ）前記低濃度にランタンを
ドープされたチタン酸バリウムストロンチウム層の上に
チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層を形成するこ
と、および（ｄ）前記チタン酸バリウムストロンチウム
層上へ窒化チタン層を形成すること、を含む方法。
る方法であって、次の工程： （ａ）電気的に伝導性のバッファー層を形成すること、
（ｂ）前記電気的に伝導性のバッファー層の上に低濃度
にランタンをドープされたチタン酸バリウムストロンチ
ウム層を形成すること、（ｃ）前記低濃度にランタンを
ドープされたチタン酸バリウムストロンチウム層の上に
チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層を形成するこ
と、および（ｄ）前記チタン酸バリウムストロンチウム
層上へ窒化チタン層を形成すること、を含む方法。
【００４２】（１７）第１６項記載の方法であって、前
記低濃度にランタンをドープされたチタン酸バリウムス
トロンチウム層が０．１から０．２分子百分率の間の濃
度のランタンを含んでいる方法。
記低濃度にランタンをドープされたチタン酸バリウムス
トロンチウム層が０．１から０．２分子百分率の間の濃
度のランタンを含んでいる方法。
【００４３】（１８）第１６項記載の方法であって、前
記低濃度にランタンをドープされたチタン酸バリウムス
トロンチウム層が０．０１から０．２９分子百分率の間
の濃度のランタンを含んでいる方法。
記低濃度にランタンをドープされたチタン酸バリウムス
トロンチウム層が０．０１から０．２９分子百分率の間
の濃度のランタンを含んでいる方法。
【００４４】（１９）第１６項記載の方法であって、前
記チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層が未ドープ
である方法。
記チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層が未ドープ
である方法。
【００４５】（２０）第１６項記載の方法であって、前
記チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層が、Ｎａ、
Ａｌ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｋ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、およびそれらの組み合わせで構
成される群のうちから選ばれた材料でアクセプタードー
プされたものである方法。
記チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層が、Ｎａ、
Ａｌ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｋ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、およびそれらの組み合わせで構
成される群のうちから選ばれた材料でアクセプタードー
プされたものである方法。
【００４６】（２１）第１６項記載の方法であって、前
記チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層が、Ｆ、Ｃ
ｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｖ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔａ、Ｗ、およ
びそれらの組み合わせで構成される群のうちから選ばれ
た材料で高濃度にドナードープされたものである方法。
記チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層が、Ｆ、Ｃ
ｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｖ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔａ、Ｗ、およ
びそれらの組み合わせで構成される群のうちから選ばれ
た材料で高濃度にドナードープされたものである方法。
【００４７】（２２）第１６項記載の方法であって、前
記チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層が、アクセ
プタードープとドナードープされたものである方法。
記チタン酸バリウムストロンチウム誘電体層が、アクセ
プタードープとドナードープされたものである方法。
【００４８】（２３）ミクロ電子構造であって；導電性
で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層、お
よび前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブ
スカイト層を覆う高誘電率材料の層、を含み、それによ
って、前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロ
ブスカイト層が前記高誘電率材料の層に対して化学的お
よび構造的に本質的に安定な電気的接続を提供している
構造。
で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層、お
よび前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブ
スカイト層を覆う高誘電率材料の層、を含み、それによ
って、前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロ
ブスカイト層が前記高誘電率材料の層に対して化学的お
よび構造的に本質的に安定な電気的接続を提供している
構造。
【００４９】（２４）本発明の好適実施例は、導電性で
低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層（例え
ば、低濃度にＬａをドープされたＢＳＴ３４）と、前記
導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト
層を覆う高誘電率材料の層（例えば、未ドープのＢＳＴ
３６）とを含む。導電性で低濃度にドナーをドープされ
たペロブスカイト層は高誘電率材料の層に対して化学的
および構造的に本質的に安定な電気的接続を提供する。
導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト
は一般に、未ドープ、アクセプタードープ、あるいは高
濃度にドナーをドープされたＨＤＣ材料と比べてずっと
低い抵抗率を有する。材料を導電性（または抵抗性）に
するためのドナードーピング量は通常、プロセス条件
（例えば、温度、雰囲気、結晶粒径、膜厚、および組
成）に依存する。この抵抗率はペロブスカイトを還元環
境に曝すことによって更に低下させることができる。低
濃度にドナーをドープされたペロブスカイトは高誘電率
材料のために開発されたものと同じ方法によって効率的
に堆積およびエッチすることができる。同一の装置を用
いてペロブスカイトと誘電体の両方を堆積およびエッチ
できる。これらの構造は更に、多層コンデンサーおよび
その他の薄膜強誘電性デバイス、例えば、ピロ電気材
料、不揮発性メモリ、薄膜圧電および薄膜電気光学的酸
化物にも適用できる。
低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層（例え
ば、低濃度にＬａをドープされたＢＳＴ３４）と、前記
導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト
層を覆う高誘電率材料の層（例えば、未ドープのＢＳＴ
３６）とを含む。導電性で低濃度にドナーをドープされ
たペロブスカイト層は高誘電率材料の層に対して化学的
および構造的に本質的に安定な電気的接続を提供する。
導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト
は一般に、未ドープ、アクセプタードープ、あるいは高
濃度にドナーをドープされたＨＤＣ材料と比べてずっと
低い抵抗率を有する。材料を導電性（または抵抗性）に
するためのドナードーピング量は通常、プロセス条件
（例えば、温度、雰囲気、結晶粒径、膜厚、および組
成）に依存する。この抵抗率はペロブスカイトを還元環
境に曝すことによって更に低下させることができる。低
濃度にドナーをドープされたペロブスカイトは高誘電率
材料のために開発されたものと同じ方法によって効率的
に堆積およびエッチすることができる。同一の装置を用
いてペロブスカイトと誘電体の両方を堆積およびエッチ
できる。これらの構造は更に、多層コンデンサーおよび
その他の薄膜強誘電性デバイス、例えば、ピロ電気材
料、不揮発性メモリ、薄膜圧電および薄膜電気光学的酸
化物にも適用できる。
【図１】ＢａＴｉＯ3 の室温導電率と結晶粒径とに対す
るＬａドナードーピングの効果を示すグラフ。
るＬａドナードーピングの効果を示すグラフ。
【図２】半導体基板上へ低濃度にドナーをドープされた
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、スタート材料であ
るシリコン半導体基板を示す。
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、スタート材料であ
るシリコン半導体基板を示す。
【図３】半導体基板上へ低濃度にドナーをドープされた
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、前記シリコン基板
上へ第１のＳｉＯ2 絶縁層を堆積した段階を示す。
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、前記シリコン基板
上へ第１のＳｉＯ2 絶縁層を堆積した段階を示す。
【図４】半導体基板上へ低濃度にドナーをドープされた
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、前記第１の絶縁層
上へ、下側電極となる低濃度にドナーをドープされたＢ
ＳＴ層を堆積した段階を示す。
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、前記第１の絶縁層
上へ、下側電極となる低濃度にドナーをドープされたＢ
ＳＴ層を堆積した段階を示す。
【図５】半導体基板上へ低濃度にドナーをドープされた
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、前記下側電極の上
にコンデンサーの誘電体となる未ドープの高誘電率材料
のＢＳＴ層を堆積した段階を示す。
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、前記下側電極の上
にコンデンサーの誘電体となる未ドープの高誘電率材料
のＢＳＴ層を堆積した段階を示す。
【図６】半導体基板上へ低濃度にドナーをドープされた
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、前記高誘電率材料
の上に上側電極となるＴｉＮ層を堆積した段階を示す。
ペロブスカイト下側電極を備えたコンデンサーを作製す
るための方法を示す断面図であって、前記高誘電率材料
の上に上側電極となるＴｉＮ層を堆積した段階を示す。
【図７】低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト
上に形成された高誘電率材料の断面図。
上に形成された高誘電率材料の断面図。
【図８】半導体基板の表面上に形成された低濃度にドナ
ーをドープされたペロブスカイトを備えたコンデンサー
の１つの実施例の断面図。
ーをドープされたペロブスカイトを備えたコンデンサー
の１つの実施例の断面図。
【図９】半導体基板の表面上に形成された低濃度にドナ
ーをドープされたペロブスカイトを備えたコンデンサー
の別の１つの実施例の断面図。
ーをドープされたペロブスカイトを備えたコンデンサー
の別の１つの実施例の断面図。
【図１０】半導体基板の表面上に形成された低濃度にド
ナーをドープされたペロブスカイトを備えたコンデンサ
ーの更に別の１つの実施例の断面図。
ナーをドープされたペロブスカイトを備えたコンデンサ
ーの更に別の１つの実施例の断面図。
３０ シリコン半導体基板 ３２ ＳｉＯ2 絶縁層 ３４ 低濃度にドナーをドープされたペロブスカイト層 ３６ 高誘電率材料の層 ３８ ＴｉＮ上側電極 ４０ ドープされたシリコン領域 ４２ ＴｉＮバッファー層 ４４ 第２のＳｉＯ2 絶縁層 ４６ 導電性タングステンプラグ ４８ アルミニウム上部配線 ５０ タングステンプラグ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハワード アール．ベラタン アメリカ合衆国テキサス州リチャードソ ン，イー．ベルトライン 2111，アパート メント ナンバー 106ビー (72)発明者 ブルース グナーデ アメリカ合衆国テキサス州ローレット，ア ーディス ドライブ 3702
Claims (2)
- 【請求項１】 ミクロ電子構造を形成する方法であっ
て、次の工程： （ａ）導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブス
カイト層を形成すること、および （ｂ）前記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロ
ブスカイト層の上に高誘電率材料の層を形成すること、 を含み、 それによって、前記導電性で低濃度にドナーをドープさ
れたペロブスカイト層が前記高誘電率材料の層に対して
化学的および構造的に本質的に安定な電気的接続を提供
している方法。 - 【請求項２】 ミクロ電子構造であって；導電性で低濃
度にドナーをドープされたペロブスカイト層、および前
記導電性で低濃度にドナーをドープされたペロブスカイ
ト層を覆う高誘電率材料の層、 を含み、 それによって、前記導電性で低濃度にドナーをドープさ
れたペロブスカイト層が前記高誘電率材料の層に対して
化学的および構造的に本質的に安定な電気的接続を提供
している構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4094693A | 1993-03-31 | 1993-03-31 | |
| US040946 | 1993-03-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326250A true JPH06326250A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=21913864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6060931A Pending JPH06326250A (ja) | 1993-03-31 | 1994-03-30 | 高誘電率材料へのコンタクト構造および形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6204069B1 (ja) |
| EP (1) | EP0618597B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06326250A (ja) |
| DE (1) | DE69404189T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0864786A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-03-08 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロ電子構造体とその製造法 |
| JPH08191137A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-07-23 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロ電子構造体とその製造法 |
| JPH08330544A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Samsung Electron Co Ltd | 高誘電率キャパシタの下部電極の形成方法 |
| JPH09507342A (ja) * | 1994-10-04 | 1997-07-22 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 酸素障壁が設けられた下部電極を有する強誘電体メモリ素子を具えた半導体デバイス |
| EP0812021A3 (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dielectric thin film capacitor element and manufacturing method of the same |
| KR100781964B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2007-12-06 | 한국과학기술연구원 | 내장형 커패시터 및 그 제조 방법 |
| JP2008513324A (ja) * | 2004-09-14 | 2008-05-01 | トロノクス ピグメンツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 微細粒のアルカリ土類金属チタン酸塩及び酸化チタン粒子の使用下でのその製造方法 |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5453908A (en) * | 1994-09-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films by holmium donor doping |
| WO1997001854A1 (en) * | 1995-06-28 | 1997-01-16 | Bell Communication Research, Inc. | Barrier layer for ferroelectric capacitor integrated on silicon |
| US5739049A (en) * | 1995-08-21 | 1998-04-14 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device having a capacitor and a method of forming metal wiring on a semiconductor substrate |
| US5978207A (en) * | 1996-10-30 | 1999-11-02 | The Research Foundation Of The State University Of New York | Thin film capacitor |
| DE19703343C2 (de) * | 1997-01-30 | 2003-02-20 | Ortwin F Schirmer | Photorefraktiver Kristall |
| US6935002B1 (en) * | 1997-10-13 | 2005-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a nonreciprocal circuit device |
| US6682970B1 (en) | 1998-02-27 | 2004-01-27 | Micron Technology, Inc. | Capacitor/antifuse structure having a barrier-layer electrode and improved barrier layer |
| US7034353B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-04-25 | Micron Technology, Inc. | Methods for enhancing capacitors having roughened features to increase charge-storage capacity |
| US6150706A (en) * | 1998-02-27 | 2000-11-21 | Micron Technology, Inc. | Capacitor/antifuse structure having a barrier-layer electrode and improved barrier layer |
| DE19946301A1 (de) * | 1998-04-02 | 2001-04-19 | Asta Medica Ag | Indolyl-3-glyoxylsäure-Derivate mit therapeutisch wertvollen Eigenschaften |
| US6139780A (en) * | 1998-05-28 | 2000-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dynamic random access memories with dielectric compositions stable to reduction |
| US6128178A (en) * | 1998-07-20 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Very thin film capacitor for dynamic random access memory (DRAM) |
| US6358810B1 (en) * | 1998-07-28 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Method for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes |
| CN1191635C (zh) * | 1999-02-17 | 2005-03-02 | 国际商业机器公司 | 用于存储信息的微电子器件及其方法 |
| DE19929308C1 (de) * | 1999-06-25 | 2000-11-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Speicheranordnung |
| US6526833B1 (en) * | 2000-03-13 | 2003-03-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Rhombohedral-phase barium titanate as a piezoelectric transducer |
| US20020036313A1 (en) * | 2000-06-06 | 2002-03-28 | Sam Yang | Memory cell capacitor structure and method of formation |
| US7030435B2 (en) * | 2000-08-24 | 2006-04-18 | Cova Technologies, Inc. | Single transistor rare earth manganite ferroelectric nonvolatile memory cell |
| US6642567B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Devices containing zirconium-platinum-containing materials and methods for preparing such materials and devices |
| JP2002252297A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 多層回路基板を用いた電子回路装置 |
| WO2002071477A1 (en) | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Cova Technologies Incorporated | Single transistor rare earth manganite ferroelectric nonvolatile memory cell |
| US7232514B2 (en) | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| CN1653590A (zh) * | 2001-03-21 | 2005-08-10 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 电子设备 |
| US6503763B2 (en) * | 2001-03-27 | 2003-01-07 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of making MFMOS capacitors with high dielectric constant materials |
| US6900498B2 (en) * | 2001-05-08 | 2005-05-31 | Advanced Technology Materials, Inc. | Barrier structures for integration of high K oxides with Cu and Al electrodes |
| KR100493411B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2005-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 셀 플러그 형성방법 |
| US6727140B2 (en) | 2001-07-11 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Capacitor with high dielectric constant materials and method of making |
| US6541281B2 (en) * | 2001-07-16 | 2003-04-01 | Tachyon Semiconductors Corporation | Ferroelectric circuit element that can be fabricated at low temperatures and method for making the same |
| US6762090B2 (en) * | 2001-09-13 | 2004-07-13 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating a capacitor |
| US20070295611A1 (en) * | 2001-12-21 | 2007-12-27 | Liu Feng Q | Method and composition for polishing a substrate |
| JP2003257955A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Fujitsu Ltd | 酸化還元反応の臨界状態を実現する方法およびその臨界状態を評価する方法ならびに強誘電体膜の製造方法および強誘電体膜の製造装置 |
| US6908807B2 (en) * | 2002-03-26 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor constructions |
| US6825517B2 (en) | 2002-08-28 | 2004-11-30 | Cova Technologies, Inc. | Ferroelectric transistor with enhanced data retention |
| KR100536590B1 (ko) * | 2002-09-11 | 2005-12-14 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 커패시터 및 그 제조 방법 |
| US6714435B1 (en) | 2002-09-19 | 2004-03-30 | Cova Technologies, Inc. | Ferroelectric transistor for storing two data bits |
| US6888736B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-05-03 | Cova Technologies, Inc. | Ferroelectric transistor for storing two data bits |
| US7385954B2 (en) * | 2003-07-16 | 2008-06-10 | Lucent Technologies Inc. | Method of transmitting or retransmitting packets in a communication system |
| US7078785B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-07-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and making thereof |
| JP4020871B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2007-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| DE602004012553T2 (de) * | 2004-08-28 | 2009-05-28 | Alcatel Lucent | Verfahren zum Aufbau eines positionsabhängigen Gruppengesprächs |
| US7582549B2 (en) | 2006-08-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited barium strontium titanium oxide films |
| JP5140972B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2013-02-13 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE102006055836B4 (de) * | 2006-11-14 | 2011-12-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrisch leitfähiger Aufbau aus zwei Bauteilen und Verfahren zur Herstellung des Aufbaus |
| DE102008008699B4 (de) * | 2008-02-11 | 2010-09-09 | Eads Deutschland Gmbh | Abstimmbarer planarer ferroelektrischer Kondensator |
| TWI814730B (zh) * | 2017-07-19 | 2023-09-11 | 日商太陽誘電股份有限公司 | 積層陶瓷電容器及其製造方法 |
| JP7145652B2 (ja) * | 2018-06-01 | 2022-10-03 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP7415696B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-01-17 | Tdk株式会社 | 圧電組成物および電子部品 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3305304A (en) * | 1962-11-23 | 1967-02-21 | Hooker Chemical Corp | Purification of phosphorus-containing solutions |
| US3305394A (en) * | 1964-06-30 | 1967-02-21 | Ibm | Method of making a capacitor with a multilayered ferroelectric dielectric |
| US3268783A (en) * | 1965-10-05 | 1966-08-23 | Murata Manufacturing Co | Capacitor comprising an nu-type semiconductor metallic oxide and a layer of compensated material |
| DE1614605B2 (de) | 1967-09-20 | 1974-06-27 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und geringerer Temperaturabhängigkeit |
| US3933668A (en) | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
| US4131903A (en) | 1976-08-03 | 1978-12-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Capacitor dielectric with inner blocking layers and method for producing the same |
| DE2641701C3 (de) * | 1976-09-16 | 1980-04-17 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung eines Kondensatordielektrikums mit inneren Sperrschichten |
| DE2659672B2 (de) | 1976-12-30 | 1980-12-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US4309295A (en) * | 1980-02-08 | 1982-01-05 | U.S. Philips Corporation | Grain boundary barrier layer ceramic dielectrics and the method of manufacturing capacitors therefrom |
| US4419310A (en) * | 1981-05-06 | 1983-12-06 | Sprague Electric Company | SrTiO3 barrier layer capacitor |
| EP0192779B1 (en) * | 1984-09-03 | 1991-10-23 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Perovskite-type ceramic material and a process for producing the same |
| JPS61229236A (ja) | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| EP0337373A3 (en) * | 1988-04-12 | 1991-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-layered dielectric element |
| US5198269A (en) * | 1989-04-24 | 1993-03-30 | Battelle Memorial Institute | Process for making sol-gel deposited ferroelectric thin films insensitive to their substrates |
| US5003428A (en) | 1989-07-17 | 1991-03-26 | National Semiconductor Corporation | Electrodes for ceramic oxide capacitors |
| DE69017802T2 (de) | 1989-08-30 | 1995-09-07 | Nippon Electric Co | Dünnfilmkondensator und dessen Herstellungsverfahren. |
| US5206213A (en) * | 1990-03-23 | 1993-04-27 | International Business Machines Corp. | Method of preparing oriented, polycrystalline superconducting ceramic oxides |
| US5162294A (en) * | 1991-02-28 | 1992-11-10 | Westinghouse Electric Corp. | Buffer layer for copper oxide based superconductor growth on sapphire |
| US5262920A (en) | 1991-05-16 | 1993-11-16 | Nec Corporation | Thin film capacitor |
| US5142437A (en) * | 1991-06-13 | 1992-08-25 | Ramtron Corporation | Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method |
| US5338951A (en) * | 1991-11-06 | 1994-08-16 | Ramtron International Corporation | Structure of high dielectric constant metal/dielectric/semiconductor capacitor for use as the storage capacitor in memory devices |
| US5406447A (en) * | 1992-01-06 | 1995-04-11 | Nec Corporation | Capacitor used in an integrated circuit and comprising opposing electrodes having barrier metal films in contact with a dielectric film |
| US5155658A (en) * | 1992-03-05 | 1992-10-13 | Bell Communications Research, Inc. | Crystallographically aligned ferroelectric films usable in memories and method of crystallographically aligning perovskite films |
| KR100325967B1 (ko) * | 1992-04-20 | 2002-06-20 | 윌리엄 비. 켐플러 | 유전체 물질에의 전기 접속부 |
| US5326721A (en) * | 1992-05-01 | 1994-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating high-dielectric constant oxides on semiconductors using a GE buffer layer |
| EP0568064B1 (en) * | 1992-05-01 | 1999-07-14 | Texas Instruments Incorporated | Pb/Bi-containing high-dielectric constant oxides using a non-Pb/Bi-containing perovskite as a buffer layer |
| US5348894A (en) * | 1993-01-27 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming electrical connections to high dielectric constant materials |
| US5471364A (en) * | 1993-03-31 | 1995-11-28 | Texas Instruments Incorporated | Electrode interface for high-dielectric-constant materials |
| US5330931A (en) * | 1993-09-22 | 1994-07-19 | Northern Telecom Limited | Method of making a capacitor for an integrated circuit |
| US5554564A (en) * | 1994-08-01 | 1996-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes |
| US5504041A (en) * | 1994-08-01 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials |
| US5489548A (en) * | 1994-08-01 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming high-dielectric-constant material electrodes comprising sidewall spacers |
-
1994
- 1994-03-28 EP EP94104866A patent/EP0618597B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-28 DE DE69404189T patent/DE69404189T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-30 JP JP6060931A patent/JPH06326250A/ja active Pending
- 1994-10-03 US US08/317,108 patent/US6204069B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-26 US US08/451,853 patent/US6319542B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-07 US US08/477,957 patent/US6593638B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0864786A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-03-08 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロ電子構造体とその製造法 |
| JPH08191137A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-07-23 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロ電子構造体とその製造法 |
| JPH09507342A (ja) * | 1994-10-04 | 1997-07-22 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 酸素障壁が設けられた下部電極を有する強誘電体メモリ素子を具えた半導体デバイス |
| JPH08330544A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-13 | Samsung Electron Co Ltd | 高誘電率キャパシタの下部電極の形成方法 |
| US7256442B1 (en) | 1995-05-29 | 2007-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-layer lower capacitor electrode |
| EP0812021A3 (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dielectric thin film capacitor element and manufacturing method of the same |
| US5907470A (en) * | 1996-06-07 | 1999-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dielectric thin film capacitor element |
| JP2008513324A (ja) * | 2004-09-14 | 2008-05-01 | トロノクス ピグメンツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 微細粒のアルカリ土類金属チタン酸塩及び酸化チタン粒子の使用下でのその製造方法 |
| KR100781964B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2007-12-06 | 한국과학기술연구원 | 내장형 커패시터 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6204069B1 (en) | 2001-03-20 |
| US6319542B1 (en) | 2001-11-20 |
| DE69404189T2 (de) | 1998-01-08 |
| EP0618597A1 (en) | 1994-10-05 |
| EP0618597B1 (en) | 1997-07-16 |
| DE69404189D1 (de) | 1997-08-21 |
| US6593638B1 (en) | 2003-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06326250A (ja) | 高誘電率材料へのコンタクト構造および形成方法 | |
| US5626906A (en) | Electrodes comprising conductive perovskite-seed layers for perovskite dielectrics | |
| US5471364A (en) | Electrode interface for high-dielectric-constant materials | |
| US5581436A (en) | High-dielectric-constant material electrodes comprising thin platinum layers | |
| US5656852A (en) | High-dielectric-constant material electrodes comprising sidewall spacers | |
| US4982309A (en) | Electrodes for electrical ceramic oxide devices | |
| US5003428A (en) | Electrodes for ceramic oxide capacitors | |
| US5729054A (en) | Conductive noble-metal-insulator-alloy barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes | |
| KR100341555B1 (ko) | 마이크로일렉트로닉구조물및이의형성방법 | |
| JP3665570B2 (ja) | コンデンサ電極装置 | |
| JPH11307732A (ja) | 強誘電体集積回路の製造方法 | |
| JPH11111919A (ja) | 半導体装置の拡散障壁層及びその製造方法 | |
| JPH0794680A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6268258B1 (en) | Method for fabricating capacitor in semiconductor device | |
| JPH09246490A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0687491B2 (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| US7868420B2 (en) | Semiconductor device which includes a capacitor and an interconnection film coupled to each other and a manufacturing method thereof | |
| JP3340917B2 (ja) | 誘電体薄膜素子 | |
| JPH0712074B2 (ja) | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 | |
| US20010024868A1 (en) | Microelectronic structure and method of fabricating it | |
| JPH10214947A (ja) | 薄膜誘電体素子 | |
| JPH0687492B2 (ja) | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0748448B2 (ja) | 薄膜キャパシタとその製造方法 | |
| JPH11307733A (ja) | 強誘電体集積回路の製造方法 | |
| JP2003163328A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040302 |