JPH06318553A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH06318553A JPH06318553A JP12833193A JP12833193A JPH06318553A JP H06318553 A JPH06318553 A JP H06318553A JP 12833193 A JP12833193 A JP 12833193A JP 12833193 A JP12833193 A JP 12833193A JP H06318553 A JPH06318553 A JP H06318553A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air
- filter
- heat treatment
- dust
- radiator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハを出し入れをする作業空間に設
けられた防塵フイルタに直接熱が伝わるのを防止できる
構造の熱処理装置を提供する。 【構成】 被処理体を熱処理する反応容器と、この反応
容器へ被処理体を搬入搬出する作業空間と、この作業空
間に被処理体からの熱輻射を防止することができる空気
の循環通路と、この循環通路内に空気を循環することが
できるよう設けられた送風機と、前記循環通路内に少な
くとも一カ所以上設けられた除塵フィルタとを設ける。
また、この除塵フィルタの空気の流れる上流側に空気を
冷却するラジェータを設ける。さらに、このラジェータ
は被処理体からの熱輻射を直接受けることができるとこ
ろに設置する。それに、除塵フィルタに活性炭を用い
る。
けられた防塵フイルタに直接熱が伝わるのを防止できる
構造の熱処理装置を提供する。 【構成】 被処理体を熱処理する反応容器と、この反応
容器へ被処理体を搬入搬出する作業空間と、この作業空
間に被処理体からの熱輻射を防止することができる空気
の循環通路と、この循環通路内に空気を循環することが
できるよう設けられた送風機と、前記循環通路内に少な
くとも一カ所以上設けられた除塵フィルタとを設ける。
また、この除塵フィルタの空気の流れる上流側に空気を
冷却するラジェータを設ける。さらに、このラジェータ
は被処理体からの熱輻射を直接受けることができるとこ
ろに設置する。それに、除塵フィルタに活性炭を用い
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、熱処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造工程に、例
えば熱拡散工程や成膜工程で使用される熱処理装置とし
て、縦型熱処理装置が知られている。この種の例えば縦
型熱処理装置は、ウェハボートに半導体ウェハを複数枚
搭載して、あらかじめ熱処理容器の円周状に設けた発熱
体によって、例えば８００℃に加熱してある熱処理容器
内へ搬入してから、この熱処理容器の中に反応ガス、例
えばＮＨ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 を流して熱処理する。
えば熱拡散工程や成膜工程で使用される熱処理装置とし
て、縦型熱処理装置が知られている。この種の例えば縦
型熱処理装置は、ウェハボートに半導体ウェハを複数枚
搭載して、あらかじめ熱処理容器の円周状に設けた発熱
体によって、例えば８００℃に加熱してある熱処理容器
内へ搬入してから、この熱処理容器の中に反応ガス、例
えばＮＨ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 を流して熱処理する。
【０００３】熱処理された半導体ウェハは、反応容器の
下部に設けられた半導体ウェハを出し入れをする作業空
間に、ロード・アンロード機構によって搬出されてから
冷却される。この作業空間は、半導体ウェハに塵が付着
しないように、いつも清浄化された空気又は窒素ガスが
気流を作って流れている。この清浄化された空気又は窒
素ガスを作るために、送風機で気流を作り、防塵フィル
タが気流中の塵を取り除いている。
下部に設けられた半導体ウェハを出し入れをする作業空
間に、ロード・アンロード機構によって搬出されてから
冷却される。この作業空間は、半導体ウェハに塵が付着
しないように、いつも清浄化された空気又は窒素ガスが
気流を作って流れている。この清浄化された空気又は窒
素ガスを作るために、送風機で気流を作り、防塵フィル
タが気流中の塵を取り除いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような縦
型熱処理装置の作業空間に防塵フイルタを設けた場合、
高温に加熱された半導体ウェハから熱が放射する。この
放射熱は、防塵フィルタを加熱して、防塵フィルタが高
温になり、防塵フイルタに使用されている接着剤、例え
ばエポキシ樹脂から微量の不純物、例えばハイドロカー
ボン等の有機ガスが発生する。この有機ガスが高温の半
導体ウェハの成膜層に反応して、成膜層の電気的特性や
膜性能等を劣化させ、歩留まりを低下させるという問題
が発生した。特に、この影響は１６ＭＤＲＡＭ（ランダ
ムアクセスメモリ）以上の微細加工では、著しく大きく
現れる。
型熱処理装置の作業空間に防塵フイルタを設けた場合、
高温に加熱された半導体ウェハから熱が放射する。この
放射熱は、防塵フィルタを加熱して、防塵フィルタが高
温になり、防塵フイルタに使用されている接着剤、例え
ばエポキシ樹脂から微量の不純物、例えばハイドロカー
ボン等の有機ガスが発生する。この有機ガスが高温の半
導体ウェハの成膜層に反応して、成膜層の電気的特性や
膜性能等を劣化させ、歩留まりを低下させるという問題
が発生した。特に、この影響は１６ＭＤＲＡＭ（ランダ
ムアクセスメモリ）以上の微細加工では、著しく大きく
現れる。
【０００５】この発明は、半導体ウェハを出し入れをす
る作業空間に設けられた防塵フイルタに直接熱が伝わる
のを防止できる構造の熱処理装置を提供するものであ
る。さらに、半導体ウェハに塵が付着しないように、気
流を作り防塵フィルタによって清浄化している空気又は
窒素ガスを冷却して、防塵フイルタに伝わる熱をも防止
するものである。
る作業空間に設けられた防塵フイルタに直接熱が伝わる
のを防止できる構造の熱処理装置を提供するものであ
る。さらに、半導体ウェハに塵が付着しないように、気
流を作り防塵フィルタによって清浄化している空気又は
窒素ガスを冷却して、防塵フイルタに伝わる熱をも防止
するものである。
【０００６】
【発明が解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を熱処理する反応容器と、この反応容器へ被処理体
を搬入搬出する作業空間と、この作業空間に被処理体か
らの熱輻射を防止することができる空気の循環通路と、
この循環通路内に空気を循環することができるよう設け
られた送風機と、前記循環通路内に少なくとも一カ所以
上設けられた除塵フィルタとを設ける。請求項２の発明
は、請求項１の除塵フィルタの空気の流れる上流側に空
気を冷却するラジェータを設ける。請求項３の発明は、
請求項２のラジェータは被処理体からの熱輻射を直接受
けることができるところに設置する。請求項４の発明
は、請求項１の除塵フィルタに活性炭を用いる。
理体を熱処理する反応容器と、この反応容器へ被処理体
を搬入搬出する作業空間と、この作業空間に被処理体か
らの熱輻射を防止することができる空気の循環通路と、
この循環通路内に空気を循環することができるよう設け
られた送風機と、前記循環通路内に少なくとも一カ所以
上設けられた除塵フィルタとを設ける。請求項２の発明
は、請求項１の除塵フィルタの空気の流れる上流側に空
気を冷却するラジェータを設ける。請求項３の発明は、
請求項２のラジェータは被処理体からの熱輻射を直接受
けることができるところに設置する。請求項４の発明
は、請求項１の除塵フィルタに活性炭を用いる。
【０００７】
【作用】請求項１の発明は、反応容器へ被処理体を搬入
搬出する作業空間に、被処理体からの熱輻射を防止する
ことができる空気の循環通路内に除塵フィルタを設けた
から、防塵フィルタの温度を下げることができる。請求
項２の発明は、除塵フィルタの空気の流れる上流側に空
気を冷却するラジェータを設けたから、被処理体によっ
て加熱された高温の空気を冷却することができ、防塵フ
ィルタへ加えられる熱をさらに低下することができる。
請求項３の発明は、ラジェータを被処理体からの熱輻射
を直接受けるころに設置したから、被処理体からの熱輻
射を直接吸収できる。請求項４の発明は、除塵フィルタ
に活性炭を用いることによって、作業空間の気流の雰囲
気中に含まれている有機ガスを排除することができる。
搬出する作業空間に、被処理体からの熱輻射を防止する
ことができる空気の循環通路内に除塵フィルタを設けた
から、防塵フィルタの温度を下げることができる。請求
項２の発明は、除塵フィルタの空気の流れる上流側に空
気を冷却するラジェータを設けたから、被処理体によっ
て加熱された高温の空気を冷却することができ、防塵フ
ィルタへ加えられる熱をさらに低下することができる。
請求項３の発明は、ラジェータを被処理体からの熱輻射
を直接受けるころに設置したから、被処理体からの熱輻
射を直接吸収できる。請求項４の発明は、除塵フィルタ
に活性炭を用いることによって、作業空間の気流の雰囲
気中に含まれている有機ガスを排除することができる。
【０００８】
【実施例】この発明を縦型熱処理装置に実施した一実施
例を、図面を参照して具体的に説明する。図１に示す縦
型熱処理装置１は、耐熱材料、例えば石英ガラスからな
る円筒状の熱処理容器２があり、この熱処理容器２の外
周には同心状に図示しない発熱体が設けてあり、被処理
体、例えば半導体ウェハ３を例えば８００°Ｃに加熱す
ることができるように構成している。
例を、図面を参照して具体的に説明する。図１に示す縦
型熱処理装置１は、耐熱材料、例えば石英ガラスからな
る円筒状の熱処理容器２があり、この熱処理容器２の外
周には同心状に図示しない発熱体が設けてあり、被処理
体、例えば半導体ウェハ３を例えば８００°Ｃに加熱す
ることができるように構成している。
【０００９】前記熱処理容器２内は、この半導体ウェハ
３を１００枚、挿脱自在に収容できる耐熱材料、例えば
石英ガラスからなるウェハボート４があり、一度の熱処
理で半導体ウェハ３を１００枚、処理できるように構成
している。このウェハボート４の下端部に、このウェハ
ボートを熱処理容器２内に搬入搬出するための機構とし
てのロード・アンロード機構６がある。このロード・ア
ンロード機構６によってウェハボート４を、熱処理容器
２の下部にある作業空間７に搬出できるように構成して
いる。
３を１００枚、挿脱自在に収容できる耐熱材料、例えば
石英ガラスからなるウェハボート４があり、一度の熱処
理で半導体ウェハ３を１００枚、処理できるように構成
している。このウェハボート４の下端部に、このウェハ
ボートを熱処理容器２内に搬入搬出するための機構とし
てのロード・アンロード機構６がある。このロード・ア
ンロード機構６によってウェハボート４を、熱処理容器
２の下部にある作業空間７に搬出できるように構成して
いる。
【００１０】この作業空間７に半導体ウェハ３を搬入搬
出する機構としては、まず、前記縦型熱処理装置１の外
部に、半導体ウェハ３を２５枚載置できるウェハカセッ
ト８を載置するウェハカセットＩ／Ｏポート９が設けら
れ、このウェハカセットＩ／Ｏポート９からウェハカセ
ット８を前記縦型熱処理装置１の内部に移載するウェハ
カセット移載機構１０がある。このウェハカセット移載
機構１０は、ウェハカセット８を前記縦型熱処理装置１
の上部に設けてあるウェハカセット棚１１と前記作業空
間７に設けてあるウェハカセット台１２にウェハカセッ
ト８を移載することができるように構成している。
出する機構としては、まず、前記縦型熱処理装置１の外
部に、半導体ウェハ３を２５枚載置できるウェハカセッ
ト８を載置するウェハカセットＩ／Ｏポート９が設けら
れ、このウェハカセットＩ／Ｏポート９からウェハカセ
ット８を前記縦型熱処理装置１の内部に移載するウェハ
カセット移載機構１０がある。このウェハカセット移載
機構１０は、ウェハカセット８を前記縦型熱処理装置１
の上部に設けてあるウェハカセット棚１１と前記作業空
間７に設けてあるウェハカセット台１２にウェハカセッ
ト８を移載することができるように構成している。
【００１１】また、前記作業空間７には、ウェハカセッ
ト台１２の上に載置されたウェハカセット８から、半導
体ウェハ３を５枚づつ前記ウェハボートに移載するため
の、ウェハ移載機構１３が設けてある。
ト台１２の上に載置されたウェハカセット８から、半導
体ウェハ３を５枚づつ前記ウェハボートに移載するため
の、ウェハ移載機構１３が設けてある。
【００１２】次に、図２に示すように前記縦型熱処理装
置１は、前記作業空間７の右側に前記作業空間７内の空
気を循環させるための吸引口２０がある。この吸引口２
０の吸引の裏面に形成される吸引口空間２１は、作業空
間７から熱放射を受けないところ、例えば、前記処理空
間９の底部に設けてあるダクト部２２に接続してある。
ダクト部２２には、吸引口空間２１に近い場所から、そ
れぞれ、空気を吸引して送風する手段としての送風機２
３と、この送風機２３によって送風される空気を冷却す
るラジエータ２４と、このラジエータ２４から空気が放
出される下流側に、塵を除去する例えば、ＵＬＰＡフィ
ルタからなる第１フィルタ２５と、空気中の有機ガスを
除去する例えば、活性炭からなる第２フィルタ２６と第
３フィルタ２７が設けてある。
置１は、前記作業空間７の右側に前記作業空間７内の空
気を循環させるための吸引口２０がある。この吸引口２
０の吸引の裏面に形成される吸引口空間２１は、作業空
間７から熱放射を受けないところ、例えば、前記処理空
間９の底部に設けてあるダクト部２２に接続してある。
ダクト部２２には、吸引口空間２１に近い場所から、そ
れぞれ、空気を吸引して送風する手段としての送風機２
３と、この送風機２３によって送風される空気を冷却す
るラジエータ２４と、このラジエータ２４から空気が放
出される下流側に、塵を除去する例えば、ＵＬＰＡフィ
ルタからなる第１フィルタ２５と、空気中の有機ガスを
除去する例えば、活性炭からなる第２フィルタ２６と第
３フィルタ２７が設けてある。
【００１３】前記ダクト部２２の空気排出側には、排出
口空間３０が設けてあり、前記作業空間７内に空気を排
出するための排出口３１が設けてあり、この排出口３１
の全体に空気を均圧に送り込む均圧板３２が設けてあ
る。
口空間３０が設けてあり、前記作業空間７内に空気を排
出するための排出口３１が設けてあり、この排出口３１
の全体に空気を均圧に送り込む均圧板３２が設けてあ
る。
【００１４】次に、この縦型熱処理装置１の動作につい
て説明する。前記縦型熱処理装置１の外部に、半導体ウ
ェハ３を２５枚載置したウェハカセット８が図示しない
搬送装置によって、ウェハカセットＩ／Ｏポート９に載
置される。ウェハカセット８は、ウェハカセットＩ／Ｏ
ポート９からウェハカセット移載機構１０によって、ウ
ェハカセット台１２に移載する。次に、作業空間７で、
ウェハカセット台１２の上に載置したウェハカセット８
から、半導体ウェハ３を５枚づつ、ウェハ移載機構１３
によってウェハボート３に５回に分けて移載する。５個
分のウェハカセット８、合計１００枚の半導体ウェハ３
をウェハボート４に載置して、移載作業が終了する。そ
して、ロード・アンロード機構６によって、ウェハボー
ト３を熱処理容器２内へ搬入する。
て説明する。前記縦型熱処理装置１の外部に、半導体ウ
ェハ３を２５枚載置したウェハカセット８が図示しない
搬送装置によって、ウェハカセットＩ／Ｏポート９に載
置される。ウェハカセット８は、ウェハカセットＩ／Ｏ
ポート９からウェハカセット移載機構１０によって、ウ
ェハカセット台１２に移載する。次に、作業空間７で、
ウェハカセット台１２の上に載置したウェハカセット８
から、半導体ウェハ３を５枚づつ、ウェハ移載機構１３
によってウェハボート３に５回に分けて移載する。５個
分のウェハカセット８、合計１００枚の半導体ウェハ３
をウェハボート４に載置して、移載作業が終了する。そ
して、ロード・アンロード機構６によって、ウェハボー
ト３を熱処理容器２内へ搬入する。
【００１５】熱処理容器２は、図示しない外周にある発
熱体によってあらかじめ、８００°Ｃに加熱してあり、
熱処理容器２内に反応ガスを流し、半導体ウェハ３の熱
処理を開始する。所定時間経過後、ウェハボート４に載
置した半導体ウェハ３は、ロード・アンロード機構６に
よって、作業空間に搬出する。高温に熱せられた半導体
ウェハ３から熱が放射され、作業空間７の空気を加熱す
る。このとき、半導体ウェハ３を熱処理に使用した極微
量のガスが残存していて、作業空間７に放出されること
があり、また、縦型熱処理装置１の機構自身から発生す
る塵も作業空間７に放出されることがある。この高温で
微量のガスと塵が混じることのある空気は、送風機２３
の風力によって、図２で示す気流３３を作り、吸引口２
０から吸引される。
熱体によってあらかじめ、８００°Ｃに加熱してあり、
熱処理容器２内に反応ガスを流し、半導体ウェハ３の熱
処理を開始する。所定時間経過後、ウェハボート４に載
置した半導体ウェハ３は、ロード・アンロード機構６に
よって、作業空間に搬出する。高温に熱せられた半導体
ウェハ３から熱が放射され、作業空間７の空気を加熱す
る。このとき、半導体ウェハ３を熱処理に使用した極微
量のガスが残存していて、作業空間７に放出されること
があり、また、縦型熱処理装置１の機構自身から発生す
る塵も作業空間７に放出されることがある。この高温で
微量のガスと塵が混じることのある空気は、送風機２３
の風力によって、図２で示す気流３３を作り、吸引口２
０から吸引される。
【００１６】吸引口２０から吸引された高温の空気は、
吸引口空間２１を通り、作業空間７の底部に設けてある
ダクト部２２に送風機２３によって流れ込む。高温の空
気はラジエータ２４によって冷却され、この空気は、Ｕ
ＬＰＡフィルタからなる第１フィルタ２５によって塵を
除去され、活性炭からなる第２フィルタ２６と第３フィ
ルタ２７によって半導体ウェハ３の熱処理に使用した極
微量の有機ガスや第１フィルタ２５、第２フィルタ２
６、第３フィルタ２７に使用さているエポキシ樹脂から
なる接着材から発生する例えば、ハイドロカーボン等も
除去される。ダクト部２２を通り冷却され、清浄された
空気は、排出口空間３０をとおり、再び排出口３１から
均圧板３２によって空気排出流量を均圧にして、作業空
間７に排出される。
吸引口空間２１を通り、作業空間７の底部に設けてある
ダクト部２２に送風機２３によって流れ込む。高温の空
気はラジエータ２４によって冷却され、この空気は、Ｕ
ＬＰＡフィルタからなる第１フィルタ２５によって塵を
除去され、活性炭からなる第２フィルタ２６と第３フィ
ルタ２７によって半導体ウェハ３の熱処理に使用した極
微量の有機ガスや第１フィルタ２５、第２フィルタ２
６、第３フィルタ２７に使用さているエポキシ樹脂から
なる接着材から発生する例えば、ハイドロカーボン等も
除去される。ダクト部２２を通り冷却され、清浄された
空気は、排出口空間３０をとおり、再び排出口３１から
均圧板３２によって空気排出流量を均圧にして、作業空
間７に排出される。
【００１７】図３は、図２で説明したラジェータ２４を
ダクト部２２から吸引口２０に移した実施例である。吸
引口２０にラジェエータ３４を設けた以外は、図２の実
施例の構成と同じである。作用は、図２のラジェエータ
２４が高温の空気を冷却するだけにとどまるのに比べ、
図３のラジェエータ３４は、熱処理が完了した半導体ウ
ェハ３を作業空間７に搬出したとき、高温に熱せられた
半導体ウェハ３から図３に示すように、熱放射３５がラ
ジェータ３４に直接放射される。ラジェータ３４に放射
された熱は、ラジェータ３４によって吸収されると同時
放に、半導体ウェハ３によって、高温に熱された空気が
冷却される。
ダクト部２２から吸引口２０に移した実施例である。吸
引口２０にラジェエータ３４を設けた以外は、図２の実
施例の構成と同じである。作用は、図２のラジェエータ
２４が高温の空気を冷却するだけにとどまるのに比べ、
図３のラジェエータ３４は、熱処理が完了した半導体ウ
ェハ３を作業空間７に搬出したとき、高温に熱せられた
半導体ウェハ３から図３に示すように、熱放射３５がラ
ジェータ３４に直接放射される。ラジェータ３４に放射
された熱は、ラジェータ３４によって吸収されると同時
放に、半導体ウェハ３によって、高温に熱された空気が
冷却される。
【００１８】ラジェータ３４によって冷却された空気
は、図２の実施例と同様に、吸引口空間２１を通り、作
業空間７の底部に設けてあるダクト部２２に送風機２３
によって流れ込み、この空気は、ＵＬＰＡフィルタから
なる第１フィルタ２５によって塵を除去され、活性炭か
らなる第２フィルタ２６と第３フィルタ２７によって、
半導体の熱処理に使用した極微量の有機ガスや第１フィ
ルタ２５、第２フィルタ２６、第３フィルタ２７に使用
さているエポキシ樹脂からなる接着材から発生する例え
ば、ハイドロカーボン等も除去される。
は、図２の実施例と同様に、吸引口空間２１を通り、作
業空間７の底部に設けてあるダクト部２２に送風機２３
によって流れ込み、この空気は、ＵＬＰＡフィルタから
なる第１フィルタ２５によって塵を除去され、活性炭か
らなる第２フィルタ２６と第３フィルタ２７によって、
半導体の熱処理に使用した極微量の有機ガスや第１フィ
ルタ２５、第２フィルタ２６、第３フィルタ２７に使用
さているエポキシ樹脂からなる接着材から発生する例え
ば、ハイドロカーボン等も除去される。
【００１９】以上説明したように、本実施例によればダ
クト部２２の中に、第１フィルタ２５、第２フィルタ２
６、第３フィルタ２７を設けたから、熱処理後の高温に
加熱された半導体ウェハからの熱放射を直接受けること
がなく、また、ダクト部２２の空気循環通路内の上流部
に空気を冷却するラジェータ２４、３４を設けたから、
空気に伝達された熱からも、第１フィルタ２５、第２フ
ィルタ２６、第３フィルタ２７を防止することができ
る。
クト部２２の中に、第１フィルタ２５、第２フィルタ２
６、第３フィルタ２７を設けたから、熱処理後の高温に
加熱された半導体ウェハからの熱放射を直接受けること
がなく、また、ダクト部２２の空気循環通路内の上流部
に空気を冷却するラジェータ２４、３４を設けたから、
空気に伝達された熱からも、第１フィルタ２５、第２フ
ィルタ２６、第３フィルタ２７を防止することができ
る。
【００２０】たとえ熱によって第１フィルタ２５、第２
フィルタ２６、第３フィルタ２７からハイドロカーボン
等の有機性ガスが発生しても、活性炭からなる第２フィ
ルタ２６と第３フィルタ２７が設けてあるから、これら
の有機性ガスを取り除くことができる。さらに、ラジェ
ータ２４、３４によって空気を冷却できるから、熱によ
って活性化が加速され、寿命が短くなる活性炭からなる
第２フィルタ２６と第３フィルタ２７をも熱から守るこ
とができる。
フィルタ２６、第３フィルタ２７からハイドロカーボン
等の有機性ガスが発生しても、活性炭からなる第２フィ
ルタ２６と第３フィルタ２７が設けてあるから、これら
の有機性ガスを取り除くことができる。さらに、ラジェ
ータ２４、３４によって空気を冷却できるから、熱によ
って活性化が加速され、寿命が短くなる活性炭からなる
第２フィルタ２６と第３フィルタ２７をも熱から守るこ
とができる。
【００２１】前記実施例には作業空間７を流れる気体を
空気を用いた場合について説明したが、気体であればど
のようなものでもよく、例えば窒素ガスでも適応でき
る。また、活性炭からなる第３フィルタ２７をＵＬＰＡ
フィルタにすれば、活性炭から微小な発塵があっても、
作業空間７が汚染されることはない。この発明は前記実
施例に限定されず、熱処理を行い防塵フィルタを用いる
ものであれば、どのような装置であっても適用すること
ができる。
空気を用いた場合について説明したが、気体であればど
のようなものでもよく、例えば窒素ガスでも適応でき
る。また、活性炭からなる第３フィルタ２７をＵＬＰＡ
フィルタにすれば、活性炭から微小な発塵があっても、
作業空間７が汚染されることはない。この発明は前記実
施例に限定されず、熱処理を行い防塵フィルタを用いる
ものであれば、どのような装置であっても適用すること
ができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
次のような優れた作用効果を発揮することができる。作
業空間に清浄化された空気を供給することができるの
で、不純物による半導体ウェハの成膜層にできる白濁を
防止でき、半導体ウェハの歩留まりを向上させることが
でき、効率の良い半導体ウェハの生産に寄与できる。
次のような優れた作用効果を発揮することができる。作
業空間に清浄化された空気を供給することができるの
で、不純物による半導体ウェハの成膜層にできる白濁を
防止でき、半導体ウェハの歩留まりを向上させることが
でき、効率の良い半導体ウェハの生産に寄与できる。
【００２３】
【図１】この発明を縦型熱処理装置に実施した斜視図で
ある。
ある。
【図２】この発明の縦型熱処理装置の空気循環部分の断
面図である。
面図である。
【図３】図２のラジェータを作業空間内に移動した断面
図である。
図である。
１ 縦型熱処理装置 ２ 熱処理容器 ３ 半導体ウェハ ７ 発熱体 ２２ ダクト部 ２３ 送風機 ２４、３４ ラジェータ ２５ 第１フィルタ ２６ 第２フィルタ ２７ 第３フィルタ
Claims (4)
- 【請求項１】被処理体を熱処理する反応容器と、この反
応容器へ被処理体を搬入搬出する作業空間と、この作業
空間に被処理体からの熱輻射を防止することができる空
気の循環通路と、この循環通路内に空気を循環すること
ができるよう設けられた送風機と、前記循環通路内に少
なくとも一カ所以上設けられた除塵フィルタとを設けた
ことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】請求項１の除塵フィルタの空気の流れる上
流側に空気を冷却するラジェータを設けたことを特徴と
する特許請求の範囲の請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項３】請求項２のラジェータは被処理体からの熱
輻射を直接受けることができるところに設置したことを
特徴とする特許請求範囲の請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項４】請求項１の除塵フィルタに活性炭を用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲の請求項１記載の熱処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12833193A JP3279727B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12833193A JP3279727B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318553A true JPH06318553A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3279727B2 JP3279727B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=14982153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12833193A Expired - Fee Related JP3279727B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279727B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093851A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-04-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
| US7059849B2 (en) | 2000-08-23 | 2006-06-13 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and a method for cooling a loading chamber |
| JP2006284077A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Kumamoto Technology & Industry Foundation | 熱輻射反射炉 |
| JP2014067797A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| TWI763012B (zh) * | 2020-01-10 | 2022-05-01 | 日商中外爐工業股份有限公司 | 潔淨熱處理裝置 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP12833193A patent/JP3279727B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093851A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-04-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
| JP4578615B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US7059849B2 (en) | 2000-08-23 | 2006-06-13 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and a method for cooling a loading chamber |
| US7210924B2 (en) | 2000-08-23 | 2007-05-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and a method for cooling a loading chamber |
| US7819658B2 (en) | 2000-08-23 | 2010-10-26 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method therefore |
| US8147241B2 (en) | 2000-08-23 | 2012-04-03 | Tokyo Electron Limited | Method of object transfer for a heat treatment system |
| JP2006284077A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Kumamoto Technology & Industry Foundation | 熱輻射反射炉 |
| JP2014067797A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| TWI763012B (zh) * | 2020-01-10 | 2022-05-01 | 日商中外爐工業股份有限公司 | 潔淨熱處理裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3279727B2 (ja) | 2002-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100613171B1 (ko) | 반도체 기판 냉각 방법 및 장치 | |
| JP3230836B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US7198447B2 (en) | Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device | |
| JP3234091B2 (ja) | 表面処理装置 | |
| JP3402713B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US6287025B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JPH06318553A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2004119888A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3898895B2 (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
| JPS61129834A (ja) | 光照射型熱処理装置 | |
| JP3670617B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JPH10510397A (ja) | 酸素感応製品の熱処理方法 | |
| JP2004055880A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3111395B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4180424B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法およびｉｃの製造方法 | |
| JP3340956B2 (ja) | 塗布現像処理装置 | |
| JPH03256326A (ja) | 処理装置 | |
| JP3388810B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2645360B2 (ja) | 縦型熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP2003077895A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4287228B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2756777B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3538330B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2004023060A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2008117868A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |