JP2001093851A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
熱処理方法および熱処理装置Info
- Publication number
- JP2001093851A JP2001093851A JP2000117288A JP2000117288A JP2001093851A JP 2001093851 A JP2001093851 A JP 2001093851A JP 2000117288 A JP2000117288 A JP 2000117288A JP 2000117288 A JP2000117288 A JP 2000117288A JP 2001093851 A JP2001093851 A JP 2001093851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- loading area
- exhaust
- negative pressure
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/18—Controlling or regulating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Vertical, Hearth, Or Arc Furnaces (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ローディングエリア内から外部への特定のガ
スおよびパーティクルの漏洩を防止し、危険ガスを使用
するプロセスを安全に行うことを可能とする。 【解決手段】 被処理体ｗの移載を行うローディングエ
リア１１内から被処理体ｗを熱処理炉１０内に搬入して
所定の処理ガス雰囲気で熱処理する熱処理方法におい
て、前記ローディングエリア１１内を排気して一定の微
陰圧に制御する。熱処理装置としては、ローディングエ
リア１１内を排気する排気手段１８と、ローディングエ
リア１１内が一定の微陰圧になるように排気手段１８を
制御する制御装置２５とを備える。ローディングエリア
１１内からの排気に含まれる特定のガスおよびパーティ
クルをフィルタ２２，２３により除去してもよい。微陰
圧運用と微陽圧運用の何れかに選択的に切換可能として
もよい。
スおよびパーティクルの漏洩を防止し、危険ガスを使用
するプロセスを安全に行うことを可能とする。 【解決手段】 被処理体ｗの移載を行うローディングエ
リア１１内から被処理体ｗを熱処理炉１０内に搬入して
所定の処理ガス雰囲気で熱処理する熱処理方法におい
て、前記ローディングエリア１１内を排気して一定の微
陰圧に制御する。熱処理装置としては、ローディングエ
リア１１内を排気する排気手段１８と、ローディングエ
リア１１内が一定の微陰圧になるように排気手段１８を
制御する制御装置２５とを備える。ローディングエリア
１１内からの排気に含まれる特定のガスおよびパーティ
クルをフィルタ２２，２３により除去してもよい。微陰
圧運用と微陽圧運用の何れかに選択的に切換可能として
もよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理方法および
熱処理装置に関する。
熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、被処理体
例えば半導体ウエハに酸化、拡散、ＣＶＤ、アニール等
の熱処理を施す熱処理装置として、例えば多数枚の半導
体ウエハを所定の処理ガス雰囲気で熱処理可能な熱処理
炉を備えた縦型熱処理装置が知られている。この熱処理
装置は、装置の外郭を形成する筐体を有し、この筐体内
の後部上方には下部に炉口を有する縦型の熱処理炉が設
置され、この熱処理炉の下方にはローディングエリアが
設けられている。
例えば半導体ウエハに酸化、拡散、ＣＶＤ、アニール等
の熱処理を施す熱処理装置として、例えば多数枚の半導
体ウエハを所定の処理ガス雰囲気で熱処理可能な熱処理
炉を備えた縦型熱処理装置が知られている。この熱処理
装置は、装置の外郭を形成する筐体を有し、この筐体内
の後部上方には下部に炉口を有する縦型の熱処理炉が設
置され、この熱処理炉の下方にはローディングエリアが
設けられている。
【０００３】このローディングエリア内には、複数枚の
半導体ウエハを収納可能な運搬用容器たるキャリアと多
数枚の半導体ウエハを保持可能な保持具たるウエハボー
トとの間で半導体ウエハの移載を行う移載機構や、前記
熱処理炉の炉口を開閉する蓋体上に保温筒を介して前記
ウエハボートを載置し、前記熱処理炉内へのウエハボー
トおよび保温筒の搬入搬出と炉口の開閉を行う蓋体の昇
降機構が設けられている。また、前記筐体の後部には、
メンテナンスのために作業者がローディングエリア内に
出入可能な出入口が設けられると共に、この出入口を開
閉するドアが設けられている。
半導体ウエハを収納可能な運搬用容器たるキャリアと多
数枚の半導体ウエハを保持可能な保持具たるウエハボー
トとの間で半導体ウエハの移載を行う移載機構や、前記
熱処理炉の炉口を開閉する蓋体上に保温筒を介して前記
ウエハボートを載置し、前記熱処理炉内へのウエハボー
トおよび保温筒の搬入搬出と炉口の開閉を行う蓋体の昇
降機構が設けられている。また、前記筐体の後部には、
メンテナンスのために作業者がローディングエリア内に
出入可能な出入口が設けられると共に、この出入口を開
閉するドアが設けられている。
【０００４】そして、前記熱処理装置においては、一般
のプロセスの場合、装置外雰囲気の巻き込みを防止し、
ローディングエリア内の清浄度を保つために、ローディ
ングエリア内を微陽圧すなわち外部との差圧が３〜５パ
スカル程度になるように制御する運用がなされている。
のプロセスの場合、装置外雰囲気の巻き込みを防止し、
ローディングエリア内の清浄度を保つために、ローディ
ングエリア内を微陽圧すなわち外部との差圧が３〜５パ
スカル程度になるように制御する運用がなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た熱処理装置の運用では、処理ガスとして例えばアルシ
ン（ＡｓＨ3）等の危険ガスを使用するプロセスの場
合、熱処理後熱処理炉内を不活性ガス例えば窒素ガス
（Ｎ2）で置換したとしても、ウエハボートをローディ
ングエリアに搬出した時に半導体ウエハ上に不安定な状
態で存在する物質が特定の例えば有害なガスおよびパー
ティクルとしてローディングエリア内から装置外に漏洩
する危険性が存在するため、危険ガスを使用するプロセ
スを行うことが困難であった。
た熱処理装置の運用では、処理ガスとして例えばアルシ
ン（ＡｓＨ3）等の危険ガスを使用するプロセスの場
合、熱処理後熱処理炉内を不活性ガス例えば窒素ガス
（Ｎ2）で置換したとしても、ウエハボートをローディ
ングエリアに搬出した時に半導体ウエハ上に不安定な状
態で存在する物質が特定の例えば有害なガスおよびパー
ティクルとしてローディングエリア内から装置外に漏洩
する危険性が存在するため、危険ガスを使用するプロセ
スを行うことが困難であった。
【０００６】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、ローディングエリア内から外部への特定のガスお
よびパーティクルの漏洩を防止することができ、危険ガ
スを使用するプロセスを安全に行うことができる熱処理
方法および熱処理装置を提供することを目的とする。ま
た、本発明の目的は、微陰圧運用と微陽圧運用を選択的
に行うことができる熱処理装置を提供することにある。
ので、ローディングエリア内から外部への特定のガスお
よびパーティクルの漏洩を防止することができ、危険ガ
スを使用するプロセスを安全に行うことができる熱処理
方法および熱処理装置を提供することを目的とする。ま
た、本発明の目的は、微陰圧運用と微陽圧運用を選択的
に行うことができる熱処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、被処理体の移載を行うローディングエリ
ア内から被処理体を熱処理炉内に搬入して所定の処理ガ
ス雰囲気で熱処理する熱処理方法において、前記ローデ
ィングエリア内を排気して一定の微陰圧に制御すること
を特徴とする。
に係る発明は、被処理体の移載を行うローディングエリ
ア内から被処理体を熱処理炉内に搬入して所定の処理ガ
ス雰囲気で熱処理する熱処理方法において、前記ローデ
ィングエリア内を排気して一定の微陰圧に制御すること
を特徴とする。
【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１記載の熱
処理方法において、前記ローディングエリア内からの排
気に含まれる特定のガスおよびパーティクルをフィルタ
により除去することを特徴とする。
処理方法において、前記ローディングエリア内からの排
気に含まれる特定のガスおよびパーティクルをフィルタ
により除去することを特徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明は、請求項１または２
記載の熱処理方法において、前記ローディングエリア内
の外部との差圧が−０．５〜−１パスカルの時に警報を
発して熱処理を停止させるように設定すると共に、ロー
ディングエリア内の外部との差圧を−１〜−３パスカル
に制御することを特徴とする。
記載の熱処理方法において、前記ローディングエリア内
の外部との差圧が−０．５〜−１パスカルの時に警報を
発して熱処理を停止させるように設定すると共に、ロー
ディングエリア内の外部との差圧を−１〜−３パスカル
に制御することを特徴とする。
【００１０】請求項４に係る発明は、被処理体の移載を
行うローディングエリア内から被処理体を熱処理炉内に
搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理する熱処理装置
において、前記ローディングエリア内を排気する排気手
段と、前記ローディングエリア内が一定の微陰圧になる
ように前記排気手段を制御する制御装置とを備えたこと
を特徴とする。
行うローディングエリア内から被処理体を熱処理炉内に
搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理する熱処理装置
において、前記ローディングエリア内を排気する排気手
段と、前記ローディングエリア内が一定の微陰圧になる
ように前記排気手段を制御する制御装置とを備えたこと
を特徴とする。
【００１１】請求項５に係る発明は、被処理体の移載を
行うローディングエリア内から被処理体を熱処理炉内に
搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理する熱処理装置
において、前記ローディングエリア内にガスを供給する
ガス供給手段と、前記ローディングエリア内を排気する
排気手段と、前記ローディングエリア内が一定の微陰圧
または微陽圧になるように前記ガス供給手段および前記
排気手段を制御する制御装置と、この制御装置に設けら
れ微陰圧運用および微陽圧運用の何れかに選択的に切換
可能な切換手段とを備えたことを特徴とする。
行うローディングエリア内から被処理体を熱処理炉内に
搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理する熱処理装置
において、前記ローディングエリア内にガスを供給する
ガス供給手段と、前記ローディングエリア内を排気する
排気手段と、前記ローディングエリア内が一定の微陰圧
または微陽圧になるように前記ガス供給手段および前記
排気手段を制御する制御装置と、この制御装置に設けら
れ微陰圧運用および微陽圧運用の何れかに選択的に切換
可能な切換手段とを備えたことを特徴とする。
【００１２】請求項６に係る発明は、請求項４または５
記載の熱処理方法において、前記排気手段に、前記ロー
ディングエリア内からの排気に含まれる特定のガスおよ
びパーティクルを除去するフィルタが設けられているこ
とを特徴とする。
記載の熱処理方法において、前記排気手段に、前記ロー
ディングエリア内からの排気に含まれる特定のガスおよ
びパーティクルを除去するフィルタが設けられているこ
とを特徴とする。
【００１３】請求項７に係る発明は、請求項４、５また
は６記載の熱処理方法において、前記排気手段がファン
を有する排気ユニットからなり、この排気ユニット内に
ＵＬＰＡフィルタとケミカルフィルタが設けられている
ことを特徴とする。
は６記載の熱処理方法において、前記排気手段がファン
を有する排気ユニットからなり、この排気ユニット内に
ＵＬＰＡフィルタとケミカルフィルタが設けられている
ことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明を縦型熱処理装
置に適用した実施の形態を示す構成図、図２は同縦型熱
処理装置の筐体内の構造を概略的に示す縦断面図、図３
は微陰圧制御の一例を示す図。図４は微陰圧制御の他の
例を示す図である。
付図面に基いて詳述する。図１は本発明を縦型熱処理装
置に適用した実施の形態を示す構成図、図２は同縦型熱
処理装置の筐体内の構造を概略的に示す縦断面図、図３
は微陰圧制御の一例を示す図。図４は微陰圧制御の他の
例を示す図である。
【００１５】図１ないし図２において、１はクリーンル
ームＡ内の床面Ｆに設置された縦型熱処理装置で、この
熱処理装置１はその外郭を形成する筐体２を備えてい
る。この筐体２の前部には被処理体例えば半導体ウエハ
ｗを複数枚（２５枚程度）収納した運搬用容器であるキ
ャリア（カセットともいう。）３を搬入搬出するキャリ
ア搬入出口４が設けられている。筐体２内は、隔壁５に
よって前部のキャリア搬入出側と後部の熱処理炉側に仕
切られている。筐体２内の前部（キャリア搬入出側）に
はキャリア３を保管する保管棚やキャリア３を搬送する
搬送機構等が設置されている（図示省略）。
ームＡ内の床面Ｆに設置された縦型熱処理装置で、この
熱処理装置１はその外郭を形成する筐体２を備えてい
る。この筐体２の前部には被処理体例えば半導体ウエハ
ｗを複数枚（２５枚程度）収納した運搬用容器であるキ
ャリア（カセットともいう。）３を搬入搬出するキャリ
ア搬入出口４が設けられている。筐体２内は、隔壁５に
よって前部のキャリア搬入出側と後部の熱処理炉側に仕
切られている。筐体２内の前部（キャリア搬入出側）に
はキャリア３を保管する保管棚やキャリア３を搬送する
搬送機構等が設置されている（図示省略）。
【００１６】前記隔壁５のキャリア搬入出側には、半導
体ウエハｗの移載を行うために前記キャリア３を収納配
置するための、前後にドア６，７を有するパスボックス
８が後部の熱処理炉側のローディングエリア１１と連通
可能に設置されている。図示例では、前記パスボックス
８が上下に二つ設けられている。
体ウエハｗの移載を行うために前記キャリア３を収納配
置するための、前後にドア６，７を有するパスボックス
８が後部の熱処理炉側のローディングエリア１１と連通
可能に設置されている。図示例では、前記パスボックス
８が上下に二つ設けられている。
【００１７】筐体２内の後部（熱処理炉側）の上方に
は、下部に炉口９を有する縦型の熱処理炉１０が設置さ
れ、その下方には半導体ウエハｗの移載等を行うための
ローディングエリア１１が設けられている。熱処理炉１
０は、下端が炉口９として開口して後述のウエハボート
１２および保温筒１４を収容する縦長の反応管と、この
反応管内に例えばアルシン（ＡｓＨ3）等の処理ガスや
不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ2）を導入するガス導入
系と、反応管内を所望の圧力に減圧排気する排気系と、
反応管内を所望の温度に加熱するヒータとを備えている
（図示省略）。
は、下部に炉口９を有する縦型の熱処理炉１０が設置さ
れ、その下方には半導体ウエハｗの移載等を行うための
ローディングエリア１１が設けられている。熱処理炉１
０は、下端が炉口９として開口して後述のウエハボート
１２および保温筒１４を収容する縦長の反応管と、この
反応管内に例えばアルシン（ＡｓＨ3）等の処理ガスや
不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ2）を導入するガス導入
系と、反応管内を所望の圧力に減圧排気する排気系と、
反応管内を所望の温度に加熱するヒータとを備えている
（図示省略）。
【００１８】前記ローディングエリア１１内には、前記
パスボックス８内のキャリア３と多数枚（例えば１５０
枚程度）の半導体ウエハｗを保持可能な保持具であるウ
エハボート１２との間で半導体ウエハｗの移載を行う移
載機構や、前記熱処理炉１０の炉口９を開閉する蓋体１
３上に保温筒１４を介して前記ウエハボート１２を載置
し、前記熱処理炉１０内へのウエハボート１２および保
温筒１４の搬入搬出と炉口９の開閉を行う蓋体１３の昇
降機構が設けられている（図示省略）。
パスボックス８内のキャリア３と多数枚（例えば１５０
枚程度）の半導体ウエハｗを保持可能な保持具であるウ
エハボート１２との間で半導体ウエハｗの移載を行う移
載機構や、前記熱処理炉１０の炉口９を開閉する蓋体１
３上に保温筒１４を介して前記ウエハボート１２を載置
し、前記熱処理炉１０内へのウエハボート１２および保
温筒１４の搬入搬出と炉口９の開閉を行う蓋体１３の昇
降機構が設けられている（図示省略）。
【００１９】前記ローディングエリア１１内の一側部に
は、装置外（筐体外）すなわちクリーンルームＡ内から
導入した空気を除塵フィルタを介して水平方向へ送風す
る空気清浄器１５が設置されている。また、前記筐体２
の後部には、メンテナンスのために作業者がローディン
グエリア内に出入可能な出入口１６が設けられると共
に、この出入口１６を開閉するドア１７が設けられてい
る。なお、クリーンルームＡ外のガス供給源から配管に
よりガス例えばクリーンエアを直接ローディングエリア
１１内に供給するように構成されていてもよい。この場
合、クリーンエアは空気清浄器１５を介さなくてもよ
い。
は、装置外（筐体外）すなわちクリーンルームＡ内から
導入した空気を除塵フィルタを介して水平方向へ送風す
る空気清浄器１５が設置されている。また、前記筐体２
の後部には、メンテナンスのために作業者がローディン
グエリア内に出入可能な出入口１６が設けられると共
に、この出入口１６を開閉するドア１７が設けられてい
る。なお、クリーンルームＡ外のガス供給源から配管に
よりガス例えばクリーンエアを直接ローディングエリア
１１内に供給するように構成されていてもよい。この場
合、クリーンエアは空気清浄器１５を介さなくてもよ
い。
【００２０】そして、前記縦型熱処理装置１において
は、例えばアルシン（ＡｓＨ3）等の危険ガスを使用す
るプロセスにおいて、ローディングエリア１１内から装
置外に特定の（例えば有害な）ガスおよびパーティクル
が漏洩するのを防止する目的で、ローディングエリア１
１内の微陰圧運用を可能とするために、前記筐体２には
ローディングエリア１１内を排気する排気手段としての
排気ユニット１８がダクト（排気管）１９を介して接続
されている。図示例では、クリーンルームＡの床下ない
し階下に排気ユニット１８を設置した一例が示されてい
る。なお、ローディングエリア１１内を単に陰圧ではな
く微陰圧にするのは、装置外からローディングエリア１
１内に塵埃が侵入するのを抑えてローディングエリア１
１内の清浄度を保つためである。
は、例えばアルシン（ＡｓＨ3）等の危険ガスを使用す
るプロセスにおいて、ローディングエリア１１内から装
置外に特定の（例えば有害な）ガスおよびパーティクル
が漏洩するのを防止する目的で、ローディングエリア１
１内の微陰圧運用を可能とするために、前記筐体２には
ローディングエリア１１内を排気する排気手段としての
排気ユニット１８がダクト（排気管）１９を介して接続
されている。図示例では、クリーンルームＡの床下ない
し階下に排気ユニット１８を設置した一例が示されてい
る。なお、ローディングエリア１１内を単に陰圧ではな
く微陰圧にするのは、装置外からローディングエリア１
１内に塵埃が侵入するのを抑えてローディングエリア１
１内の清浄度を保つためである。
【００２１】前記排気ユニット１８は、設置前の搬送移
動を容易にするキャスター２０を備えていると共に、ロ
ーディングエリア１１内の雰囲気を吸引して外部（装置
外）に排気するためのファン２１を備えている。また、
排気ユニット１８内には、前記ローディングエリア１１
内からの排気に含まれる有害なガスおよびパーティクル
を除去するためのＵＬＰＡフィルタ２２およびケミカル
フィルタ２３が設けられている。
動を容易にするキャスター２０を備えていると共に、ロ
ーディングエリア１１内の雰囲気を吸引して外部（装置
外）に排気するためのファン２１を備えている。また、
排気ユニット１８内には、前記ローディングエリア１１
内からの排気に含まれる有害なガスおよびパーティクル
を除去するためのＵＬＰＡフィルタ２２およびケミカル
フィルタ２３が設けられている。
【００２２】ＵＬＰＡフィルタ２２は主にパーティクル
状のものを除去し、ケミカルフィルタ２３は主にガス状
のものを除去するように構成されている。前記ＵＬＰＡ
フィルタ２２およびケミカルフィルタ２３は、排気ユニ
ット１８内のファン２１よりも上流の排気経路に直列に
且つ着脱自在に設けられていることが好ましい。また、
排気ユニット１８の排気口２４は、工場の排気系に接続
されることが好ましい。
状のものを除去し、ケミカルフィルタ２３は主にガス状
のものを除去するように構成されている。前記ＵＬＰＡ
フィルタ２２およびケミカルフィルタ２３は、排気ユニ
ット１８内のファン２１よりも上流の排気経路に直列に
且つ着脱自在に設けられていることが好ましい。また、
排気ユニット１８の排気口２４は、工場の排気系に接続
されることが好ましい。
【００２３】前記縦型熱処理装置１は、ローディングエ
リア１１内が一定の微陰圧になるように排気ユニット１
８を制御する制御装置（コントローラ）２５を備えてい
る。また、縦型熱処理装置１には、ローディングエリア
１１内の圧力、好ましくはローディングエリア１１内の
外部（大気圧のクリーンルーム内）との差圧を検出する
圧力検出器（差圧計）２６が設けられている。また、前
記排気ユニット１８には、ファン２１の回転数を制御す
るインバータ２７が設けられている。
リア１１内が一定の微陰圧になるように排気ユニット１
８を制御する制御装置（コントローラ）２５を備えてい
る。また、縦型熱処理装置１には、ローディングエリア
１１内の圧力、好ましくはローディングエリア１１内の
外部（大気圧のクリーンルーム内）との差圧を検出する
圧力検出器（差圧計）２６が設けられている。また、前
記排気ユニット１８には、ファン２１の回転数を制御す
るインバータ２７が設けられている。
【００２４】前記制御装置２５は、所望の圧力好ましく
は差圧を設定する設定部と、この設定部の設定値と前記
圧力検出器２６の検出値とを比較する比較部と、この比
較部からの動作信号により排気ユニット１８のファン２
１の回転数を制御すべく前記インバータ２７に制御信号
を出力する調節部とから構成されている（図示省略）。
は差圧を設定する設定部と、この設定部の設定値と前記
圧力検出器２６の検出値とを比較する比較部と、この比
較部からの動作信号により排気ユニット１８のファン２
１の回転数を制御すべく前記インバータ２７に制御信号
を出力する調節部とから構成されている（図示省略）。
【００２５】この場合、安全性を確保すると共にローデ
ィングエリア１１内を所定の清浄度例えばクラス１０
（１立方フィート内に０．１ミクロン以上のゴミが１０
個以内）に保つために、制御装置２５は、前記ローディ
ングエリア１１内の外部との差圧が−０．５〜−１パス
カルの時に警報を発して熱処理を停止させるように設定
されると共に、ローディングエリア１１内の外部との差
圧を−１〜−３パスカルに制御するように設定されてい
ることが好ましい。
ィングエリア１１内を所定の清浄度例えばクラス１０
（１立方フィート内に０．１ミクロン以上のゴミが１０
個以内）に保つために、制御装置２５は、前記ローディ
ングエリア１１内の外部との差圧が−０．５〜−１パス
カルの時に警報を発して熱処理を停止させるように設定
されると共に、ローディングエリア１１内の外部との差
圧を−１〜−３パスカルに制御するように設定されてい
ることが好ましい。
【００２６】具体的には、図３に示すように、差圧が−
０．５パスカルの時に警報を発して熱処理を停止させる
ように設定すると共に、差圧を−１〜−２パスカルに制
御するように設定することが好ましい。あるいは、図４
に示すように、差圧が−１パスカルの時に警報を発して
熱処理を停止させるように設定すると共に、差圧を−２
〜−３パスカルに制御するように設定してもよい。
０．５パスカルの時に警報を発して熱処理を停止させる
ように設定すると共に、差圧を−１〜−２パスカルに制
御するように設定することが好ましい。あるいは、図４
に示すように、差圧が−１パスカルの時に警報を発して
熱処理を停止させるように設定すると共に、差圧を−２
〜−３パスカルに制御するように設定してもよい。
【００２７】次に、以上の構成からなる縦型熱処理装置
の作用および熱処理方法について説明する。ローディン
グエリア１１内で半導体ウエハｗの移載が終了したウエ
ハボート１２は、蓋体１３上に保温筒１４を介して載置
された状態で、昇降機構により上昇移動されて炉口９か
ら熱処理炉１０内に搬入されると共に、炉口９が蓋体１
３で閉じられる。そして、熱処理炉１０内にガス導入系
から所定の処理ガス例えばアルシン（ＡｓＨ3）を導入
すると共に熱処理炉１０内を排気系により所定の圧力に
維持した状態でヒータにより熱処理炉１０内を所定の温
度に加熱することにより、半導体ウエハｗに所定の熱処
理例えば減圧ＣＶＤ処理を施す。
の作用および熱処理方法について説明する。ローディン
グエリア１１内で半導体ウエハｗの移載が終了したウエ
ハボート１２は、蓋体１３上に保温筒１４を介して載置
された状態で、昇降機構により上昇移動されて炉口９か
ら熱処理炉１０内に搬入されると共に、炉口９が蓋体１
３で閉じられる。そして、熱処理炉１０内にガス導入系
から所定の処理ガス例えばアルシン（ＡｓＨ3）を導入
すると共に熱処理炉１０内を排気系により所定の圧力に
維持した状態でヒータにより熱処理炉１０内を所定の温
度に加熱することにより、半導体ウエハｗに所定の熱処
理例えば減圧ＣＶＤ処理を施す。
【００２８】熱処理が終了したなら、熱処理炉１０内が
不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ2）で置換され、昇降機
構による蓋体１３の下降により炉口９が開放されると共
にウエハボート１２がローディングエリア１１内に搬出
される。この時、熱処理炉１０内や半導体ウエハｗ上に
不安定な状態で存在している物質が有害なガスおよびパ
ーティクルとしてローディングエリア１１内に浮遊する
場合がある。この場合、ローディングエリア１１内が陽
圧ないし微陽圧に設定されていると、前記有害なガスお
よびパーティクルが板金構造の筐体２の隙間から装置外
に漏洩する恐れがある。
不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ2）で置換され、昇降機
構による蓋体１３の下降により炉口９が開放されると共
にウエハボート１２がローディングエリア１１内に搬出
される。この時、熱処理炉１０内や半導体ウエハｗ上に
不安定な状態で存在している物質が有害なガスおよびパ
ーティクルとしてローディングエリア１１内に浮遊する
場合がある。この場合、ローディングエリア１１内が陽
圧ないし微陽圧に設定されていると、前記有害なガスお
よびパーティクルが板金構造の筐体２の隙間から装置外
に漏洩する恐れがある。
【００２９】しかしながら、前記ローディングエリア１
１内は、装置の稼働中（熱処理中および熱処理後も）排
気ユニット１８により排気されて一定の微陰圧に維持さ
れているため、ローディングエリア１１内から装置外へ
の有害なガスおよびパーティクルの漏洩を防止すること
が可能となる。また、前記排気ユニット１８にはローデ
ィングエリア１１内からの排気に含まれる有害なガスお
よびパーティクルを除去するフィルタ２２，２３が設け
られているため、有害なガスおよびパーティクルを除去
することが可能となる。従って、前記熱処理装置および
熱処理方法によれば、危険ガスを使用するプロセスを安
全に行うことが可能となる。
１内は、装置の稼働中（熱処理中および熱処理後も）排
気ユニット１８により排気されて一定の微陰圧に維持さ
れているため、ローディングエリア１１内から装置外へ
の有害なガスおよびパーティクルの漏洩を防止すること
が可能となる。また、前記排気ユニット１８にはローデ
ィングエリア１１内からの排気に含まれる有害なガスお
よびパーティクルを除去するフィルタ２２，２３が設け
られているため、有害なガスおよびパーティクルを除去
することが可能となる。従って、前記熱処理装置および
熱処理方法によれば、危険ガスを使用するプロセスを安
全に行うことが可能となる。
【００３０】このように、熱処理方法においては、半導
体ウエハｗの移載を行うローディングエリア１１内から
半導体ウエハｗを熱処理炉１０内に搬入して所定の処理
ガス雰囲気で熱処理する熱処理方法において、前記ロー
ディングエリア１１内を排気して一定の微陰圧に制御す
るようにしたので、ローディングエリア１１内から装置
外への有害なガスおよびパーティクルの漏洩を防止する
ことができ、危険ガスを使用するプロセスを安全に行う
ことが可能となる。
体ウエハｗの移載を行うローディングエリア１１内から
半導体ウエハｗを熱処理炉１０内に搬入して所定の処理
ガス雰囲気で熱処理する熱処理方法において、前記ロー
ディングエリア１１内を排気して一定の微陰圧に制御す
るようにしたので、ローディングエリア１１内から装置
外への有害なガスおよびパーティクルの漏洩を防止する
ことができ、危険ガスを使用するプロセスを安全に行う
ことが可能となる。
【００３１】また、ローディングエリア１１内からの排
気に含まれる有害なガスおよびパーティクルをフィルタ
２２，２３により除去するようにしたので、有害なガス
およびパーティクルを除去することができ、危険ガスを
使用するプロセスを更に安全に行うことが可能となる。
前記ローディングエリア１１内を排気して一定の微陰圧
に制御する工程と、前記ローディングエリア１１内から
の排気に含まれる有害なガスおよびパーティクルをフィ
ルタ２２，２３により除去する工程とは、並行ないし同
時に行われる。
気に含まれる有害なガスおよびパーティクルをフィルタ
２２，２３により除去するようにしたので、有害なガス
およびパーティクルを除去することができ、危険ガスを
使用するプロセスを更に安全に行うことが可能となる。
前記ローディングエリア１１内を排気して一定の微陰圧
に制御する工程と、前記ローディングエリア１１内から
の排気に含まれる有害なガスおよびパーティクルをフィ
ルタ２２，２３により除去する工程とは、並行ないし同
時に行われる。
【００３２】この場合、前記ローディングエリア１１内
の外部（装置外）との差圧が−０．５〜−１パスカルの
時に警報を発して熱処理を停止させるように設定すると
共に、ローディングエリア１１内の外部との差圧を−１
〜−３パスカルに制御するようにしたので、安全性を確
保することができると共にローディングエリア１１内を
所定の清浄度例えばクラス１０に保つことができる。す
なわち、ローディングエリア１１内を外部との差圧が−
１〜−３パスカルになるように一定の微陰圧に制御する
ことにより、ローディングエリア１１内から装置外への
有害なガスおよびパーティクルの漏洩を防止することが
できると共に装置外雰囲気の吸い込みによるローディン
グエリア１１内の清浄度の低下を防止することができ、
ローディングエリア１１内を所定の清浄度例えばクラス
１０ないしそれ以下に保つことが可能となる。
の外部（装置外）との差圧が−０．５〜−１パスカルの
時に警報を発して熱処理を停止させるように設定すると
共に、ローディングエリア１１内の外部との差圧を−１
〜−３パスカルに制御するようにしたので、安全性を確
保することができると共にローディングエリア１１内を
所定の清浄度例えばクラス１０に保つことができる。す
なわち、ローディングエリア１１内を外部との差圧が−
１〜−３パスカルになるように一定の微陰圧に制御する
ことにより、ローディングエリア１１内から装置外への
有害なガスおよびパーティクルの漏洩を防止することが
できると共に装置外雰囲気の吸い込みによるローディン
グエリア１１内の清浄度の低下を防止することができ、
ローディングエリア１１内を所定の清浄度例えばクラス
１０ないしそれ以下に保つことが可能となる。
【００３３】また、前述のようにローディングエリア１
１内を一定の微陰圧に保つことにより、何度もアラーム
が作動（警報の発生および熱処理の停止）するのを防止
することができる。更に、排気ユニット１８の故障等に
よりローディングエリア１１内の外部との差圧が減少し
て−０．５〜−１パスカルになると、警報を発して熱処
理を停止させるため、ローディングエリア１１内から装
置外への有害なガスおよびパーティクルの漏洩を未然に
防止することができる。
１内を一定の微陰圧に保つことにより、何度もアラーム
が作動（警報の発生および熱処理の停止）するのを防止
することができる。更に、排気ユニット１８の故障等に
よりローディングエリア１１内の外部との差圧が減少し
て−０．５〜−１パスカルになると、警報を発して熱処
理を停止させるため、ローディングエリア１１内から装
置外への有害なガスおよびパーティクルの漏洩を未然に
防止することができる。
【００３４】一方、前記縦型熱処理装置によれば、半導
体ウエハｗの移載を行うローディングエリア１１内から
半導体ウエハｗを熱処理炉１０内に搬入して所定の処理
ガス雰囲気で熱処理する縦型熱処理装置において、前記
ローディングエリア１１内を排気する排気手段１８と、
この排気手段１８に設けられ、前記ローディングエリア
１１内が一定の微陰圧になるように前記排気手段１８を
制御する制御装置２５とを備えているため、簡単な構成
で、ローディングエリア１１内から外部（クリーンルー
ム内）への有害なガスおよびパーティクルの漏洩を防止
することができ、危険ガスを使用するプロセスを安全に
行うことが可能となる。また、前記ローディングエリア
１１内からの排気に含まれる有害なガスおよびパーティ
クルを除去するフィルタ２２，２３を備えているため、
有害なガスおよびパーティクルを除去することができ
る。
体ウエハｗの移載を行うローディングエリア１１内から
半導体ウエハｗを熱処理炉１０内に搬入して所定の処理
ガス雰囲気で熱処理する縦型熱処理装置において、前記
ローディングエリア１１内を排気する排気手段１８と、
この排気手段１８に設けられ、前記ローディングエリア
１１内が一定の微陰圧になるように前記排気手段１８を
制御する制御装置２５とを備えているため、簡単な構成
で、ローディングエリア１１内から外部（クリーンルー
ム内）への有害なガスおよびパーティクルの漏洩を防止
することができ、危険ガスを使用するプロセスを安全に
行うことが可能となる。また、前記ローディングエリア
１１内からの排気に含まれる有害なガスおよびパーティ
クルを除去するフィルタ２２，２３を備えているため、
有害なガスおよびパーティクルを除去することができ
る。
【００３５】この場合、前記排気手段１８がファン２１
を有する排気ユニットからなり、この排気ユニット内に
ＵＬＰＡフィルタ２２とケミカルフィルタ２３が設けら
れているため、コンパクトな構成でローディングエリア
１１内の微陰圧運用を容易に実施することができ、既存
の熱処理装置にも容易に適用することができる。
を有する排気ユニットからなり、この排気ユニット内に
ＵＬＰＡフィルタ２２とケミカルフィルタ２３が設けら
れているため、コンパクトな構成でローディングエリア
１１内の微陰圧運用を容易に実施することができ、既存
の熱処理装置にも容易に適用することができる。
【００３６】図５は本発明を縦型熱処理装置に適用した
他の実施の形態を示す構成図である。図５の実施の形態
において、図１の実施の形態と同じ部分は、同じ参照符
号を付して説明を省略し、図１の実施の形態と異なる部
分について説明する。図５の実施の形態の縦型熱処理装
置１においては、ローディングエリア１１内を排気する
排気手段としての排気ユニット１８と、ローディングエ
リア１１内にガス例えばクリーンエアを供給するガス供
給手段としてのブロワ２９とを備えている。この場合、
ブロワ２９とローディングエリア１１との間、あるい
は、ローディングエリア１１内に、クリーンルームＡ内
から取込んだ空気を清浄化するフィルタもしくは空気清
浄器が設けられていてもよい。
他の実施の形態を示す構成図である。図５の実施の形態
において、図１の実施の形態と同じ部分は、同じ参照符
号を付して説明を省略し、図１の実施の形態と異なる部
分について説明する。図５の実施の形態の縦型熱処理装
置１においては、ローディングエリア１１内を排気する
排気手段としての排気ユニット１８と、ローディングエ
リア１１内にガス例えばクリーンエアを供給するガス供
給手段としてのブロワ２９とを備えている。この場合、
ブロワ２９とローディングエリア１１との間、あるい
は、ローディングエリア１１内に、クリーンルームＡ内
から取込んだ空気を清浄化するフィルタもしくは空気清
浄器が設けられていてもよい。
【００３７】前記ガス供給手段としては、図示例のよう
にクリーンルームＡ内の空気をブロワ２９を介してロー
ディングエリア１１内に供給するようになっていること
が好ましいが、クリーンルームＡ外のクリーンエア供給
源から配管によりローディングエリア１１内にクリーン
エアを直接供給するようになっていてもよい。また、ガ
ス供給手段により供給されるガスとしては、クリーンエ
アが好ましいが、不活性ガスであってもよい。
にクリーンルームＡ内の空気をブロワ２９を介してロー
ディングエリア１１内に供給するようになっていること
が好ましいが、クリーンルームＡ外のクリーンエア供給
源から配管によりローディングエリア１１内にクリーン
エアを直接供給するようになっていてもよい。また、ガ
ス供給手段により供給されるガスとしては、クリーンエ
アが好ましいが、不活性ガスであってもよい。
【００３８】また、縦型熱処理装置１においては、前記
ローディングエリア内が一定の微陰圧例えば外部との差
圧を−１〜−３パスカル程度または一定の微陽圧例えば
外部との差圧が３〜５パスカル程度になるように前記ブ
ロワ２９および排気ユニット１８を制御する制御装置２
５を備え、この制御装置２５には微陰圧運用および微陽
圧運用の何れかに選択的に切換可能な切換手段としての
切換スイッチ３０が設けられている。前記ブロワ２９に
は、その回転数を制御するインバータ３１が設けられて
いる。
ローディングエリア内が一定の微陰圧例えば外部との差
圧を−１〜−３パスカル程度または一定の微陽圧例えば
外部との差圧が３〜５パスカル程度になるように前記ブ
ロワ２９および排気ユニット１８を制御する制御装置２
５を備え、この制御装置２５には微陰圧運用および微陽
圧運用の何れかに選択的に切換可能な切換手段としての
切換スイッチ３０が設けられている。前記ブロワ２９に
は、その回転数を制御するインバータ３１が設けられて
いる。
【００３９】前記制御装置２５は、所望の圧力好ましく
は差圧を設定する設定部と、この設定部の設定値と圧力
検出器２６の検出値とを比較する比較部と、この比較部
からの動作信号により排気ユニット１８のファン２１の
回転数を制御すべくインバータ２７に制御信号を出力す
る第１の調節部と、比較部からの動作信号によりブロワ
２９の回転数を制御すべくインバータ３１に制御信号を
出力する第２の調節部とから構成されている（図示省
略）。
は差圧を設定する設定部と、この設定部の設定値と圧力
検出器２６の検出値とを比較する比較部と、この比較部
からの動作信号により排気ユニット１８のファン２１の
回転数を制御すべくインバータ２７に制御信号を出力す
る第１の調節部と、比較部からの動作信号によりブロワ
２９の回転数を制御すべくインバータ３１に制御信号を
出力する第２の調節部とから構成されている（図示省
略）。
【００４０】以上の構成からなる縦型熱処理装置１によ
れば、被処理体例えば半導体ウエハｗの移載を行うロー
ディングエリア１１内から半導体ウエハｗを熱処理炉１
０内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理する縦型
熱処理装置において、前記ローディングエリア１１内に
ガス例えばクリーンエアを供給するガス供給手段例えば
ブロワ２９と、前記ローディングエリア１１内を排気す
る排気手段例えば排気ユニット１８と、前記ローディン
グエリア１１内が一定の微陰圧または微陽圧になるよう
に前記ブロワ２９および前記排気ユニット１８を制御す
る制御装置２５と、この制御装置２５に設けられ微陰圧
運用および微陽圧運用の何れかに選択的に切換可能な切
換手段例えば切換スイッチ３０とを備えているため、図
１の実施の形態と同様の効果を奏することができる他
に、処理に応じて微陰圧運用と微陽圧運用を選択的に行
うことが可能となる。
れば、被処理体例えば半導体ウエハｗの移載を行うロー
ディングエリア１１内から半導体ウエハｗを熱処理炉１
０内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理する縦型
熱処理装置において、前記ローディングエリア１１内に
ガス例えばクリーンエアを供給するガス供給手段例えば
ブロワ２９と、前記ローディングエリア１１内を排気す
る排気手段例えば排気ユニット１８と、前記ローディン
グエリア１１内が一定の微陰圧または微陽圧になるよう
に前記ブロワ２９および前記排気ユニット１８を制御す
る制御装置２５と、この制御装置２５に設けられ微陰圧
運用および微陽圧運用の何れかに選択的に切換可能な切
換手段例えば切換スイッチ３０とを備えているため、図
１の実施の形態と同様の効果を奏することができる他
に、処理に応じて微陰圧運用と微陽圧運用を選択的に行
うことが可能となる。
【００４１】この場合、制御装置２５によりブロワ２９
の回転数と排気ユニット１８のファン２１の回転数が制
御され、ブロワ２９によるクリーンエアの供給量と排気
ユニット１８による排気量が調整される。微陰圧運用の
場合は、排気量が供給量よりも多くなるように調整さ
れ、図１の実施の形態と同様、ローディングエリア１１
内を微陰圧すなわち外部との差圧が例えば−１〜−３パ
スカル程度になるように制御する運用がなされる。
の回転数と排気ユニット１８のファン２１の回転数が制
御され、ブロワ２９によるクリーンエアの供給量と排気
ユニット１８による排気量が調整される。微陰圧運用の
場合は、排気量が供給量よりも多くなるように調整さ
れ、図１の実施の形態と同様、ローディングエリア１１
内を微陰圧すなわち外部との差圧が例えば−１〜−３パ
スカル程度になるように制御する運用がなされる。
【００４２】微陽圧運用の場合は、供給量が排気量より
も多くなるように調整され、ローディングエリア１１内
を微陽圧すなわち外部との差圧が例えば＋１〜＋５パス
カル程度になるように制御する運用がなされる。そし
て、このように微陰圧運用と微陽圧運用を選択的に行う
ことができるため、１台の縦型熱処理装置で、処理ガス
の種類（危険性を有するか否か）に応じた運用が可能と
なり、縦型熱処理装置の有用性が向上する。
も多くなるように調整され、ローディングエリア１１内
を微陽圧すなわち外部との差圧が例えば＋１〜＋５パス
カル程度になるように制御する運用がなされる。そし
て、このように微陰圧運用と微陽圧運用を選択的に行う
ことができるため、１台の縦型熱処理装置で、処理ガス
の種類（危険性を有するか否か）に応じた運用が可能と
なり、縦型熱処理装置の有用性が向上する。
【００４３】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、排気ユニット１８
は、必ずしも図示例のようにクリーンルームＡの床下な
いし階下に設置されている必要はなく、縦型熱処理装置
１と同じ床面Ｆや任意の場所に設置することが可能であ
る。従って、排気ユニット１８のダクト１９も、必ずし
も図示例のように筐体２の底部に接続されている必要は
なく、筐体２の後面部等任意の位置に接続することが可
能である。また、本発明は、ヒ素だけでなくあらゆる危
険ガスを使用するプロセスに適用することが可能であ
る。本発明は、縦型熱処理装置以外に、横型熱処理装置
にも適用可能である。
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、排気ユニット１８
は、必ずしも図示例のようにクリーンルームＡの床下な
いし階下に設置されている必要はなく、縦型熱処理装置
１と同じ床面Ｆや任意の場所に設置することが可能であ
る。従って、排気ユニット１８のダクト１９も、必ずし
も図示例のように筐体２の底部に接続されている必要は
なく、筐体２の後面部等任意の位置に接続することが可
能である。また、本発明は、ヒ素だけでなくあらゆる危
険ガスを使用するプロセスに適用することが可能であ
る。本発明は、縦型熱処理装置以外に、横型熱処理装置
にも適用可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００４５】（１）請求項１に係る発明によれば、被処
理体の移載を行うローディングエリア内から被処理体を
熱処理炉内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理す
る熱処理方法において、前記ローディングエリア内を排
気して一定の微陰圧に制御するため、ローディングエリ
ア内から外部への特定のガスおよびパーティクルの漏洩
を防止することが、危険ガスを使用するプロセスを安全
に行うことが可能となる。
理体の移載を行うローディングエリア内から被処理体を
熱処理炉内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理す
る熱処理方法において、前記ローディングエリア内を排
気して一定の微陰圧に制御するため、ローディングエリ
ア内から外部への特定のガスおよびパーティクルの漏洩
を防止することが、危険ガスを使用するプロセスを安全
に行うことが可能となる。
【００４６】（２）請求項２に係る発明によれば、前記
ローディングエリア内からの排気に含まれる特定のガス
およびパーティクルをフィルタにより除去するため、特
定のガスおよびパーティクルを除去することができ、危
険ガスを使用するプロセスを更に安全に行うことが可能
となる。
ローディングエリア内からの排気に含まれる特定のガス
およびパーティクルをフィルタにより除去するため、特
定のガスおよびパーティクルを除去することができ、危
険ガスを使用するプロセスを更に安全に行うことが可能
となる。
【００４７】（３）請求項３に係る発明によれば、前記
ローディングエリア内の外部との差圧が−０．５〜−１
パスカルの時に警報を発して熱処理を停止させるように
設定すると共に、ローディングエリア内の外部との差圧
を−１〜−３パスカルに制御するため、安全性を確保す
ることができると共にローディングエリア内を所定の清
浄度例えばクラス１０に保つことができる。
ローディングエリア内の外部との差圧が−０．５〜−１
パスカルの時に警報を発して熱処理を停止させるように
設定すると共に、ローディングエリア内の外部との差圧
を−１〜−３パスカルに制御するため、安全性を確保す
ることができると共にローディングエリア内を所定の清
浄度例えばクラス１０に保つことができる。
【００４８】（４）請求項４に係る発明によれば、被処
理体の移載を行うローディングエリア内から被処理体を
熱処理炉内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理す
る熱処理装置において、前記ローディングエリア内を排
気する排気手段と、前記ローディングエリア内が一定の
微陰圧になるように前記排気手段を制御する制御装置と
を備えているため、簡単な構成で、ローディングエリア
内から外部への特定のガスおよびパーティクルの漏洩を
防止することが、危険ガスを使用するプロセスを安全に
行うことが可能となる。
理体の移載を行うローディングエリア内から被処理体を
熱処理炉内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理す
る熱処理装置において、前記ローディングエリア内を排
気する排気手段と、前記ローディングエリア内が一定の
微陰圧になるように前記排気手段を制御する制御装置と
を備えているため、簡単な構成で、ローディングエリア
内から外部への特定のガスおよびパーティクルの漏洩を
防止することが、危険ガスを使用するプロセスを安全に
行うことが可能となる。
【００４９】（５）請求項５に係る発明によれば、被処
理体の移載を行うローディングエリア内から被処理体を
熱処理炉内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理す
る熱処理装置において、前記ローディングエリア内にガ
スを供給するガス供給手段と、前記ローディングエリア
内を排気する排気手段と、前記ローディングエリア内が
一定の微陰圧または微陽圧になるように前記ガス供給手
段および前記排気手段を制御する制御装置と、この制御
装置に設けられ微陰圧運用および微陽圧運用の何れかに
選択的に切換可能な切換手段とを備えているため、処理
に応じて微陰圧運用と微陽圧運用を選択的に行うことが
可能となる。
理体の移載を行うローディングエリア内から被処理体を
熱処理炉内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で熱処理す
る熱処理装置において、前記ローディングエリア内にガ
スを供給するガス供給手段と、前記ローディングエリア
内を排気する排気手段と、前記ローディングエリア内が
一定の微陰圧または微陽圧になるように前記ガス供給手
段および前記排気手段を制御する制御装置と、この制御
装置に設けられ微陰圧運用および微陽圧運用の何れかに
選択的に切換可能な切換手段とを備えているため、処理
に応じて微陰圧運用と微陽圧運用を選択的に行うことが
可能となる。
【００５０】（６）請求項６に係る発明によれば、前記
排気手段に、前記ローディングエリア内からの排気に含
まれる特定のガスおよびパーティクルを除去するフィル
タが設けられているため、ローディングエリア内からの
排気に含まれる特定のガスおよびパーティクルを除去す
ることができ、危険ガスを使用するプロセスを更に安全
に行うことが可能となる。
排気手段に、前記ローディングエリア内からの排気に含
まれる特定のガスおよびパーティクルを除去するフィル
タが設けられているため、ローディングエリア内からの
排気に含まれる特定のガスおよびパーティクルを除去す
ることができ、危険ガスを使用するプロセスを更に安全
に行うことが可能となる。
【００５１】（７）請求項７に係る発明によれば、前記
排気手段がファンを有する排気ユニットからなり、この
排気ユニット内にＵＬＰＡフィルタとケミカルフィルタ
が設けられているため、コンパクトな構成でローディン
グエリア内の微陰圧運用を容易に実施することができ
る。
排気手段がファンを有する排気ユニットからなり、この
排気ユニット内にＵＬＰＡフィルタとケミカルフィルタ
が設けられているため、コンパクトな構成でローディン
グエリア内の微陰圧運用を容易に実施することができ
る。
【図１】本発明を縦型熱処理装置に適用した実施の形態
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２】同縦型熱処理装置の筐体内の構造を概略的に示
す縦断面図、
す縦断面図、
【図３】微陰圧制御の一例を示す図である。
【図４】微陰圧制御の他の例を示す図である。
【図５】本発明を縦型熱処理装置に適用した他の実施の
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
１ 縦型熱処理装置 ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １０ 熱処理炉 １１ ローディングエリア １８ 排気ユニット（排気手段） ２１ ファン ２２ ＵＬＰＡフィルタ（フィルタ） ２３ ケミカルフィルタ（フィルタ） ２５ 制御装置 ２９ ブロワ（ガス供給手段） ３０ 切換スイッチ（切換手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ２７Ｄ 17/00 １０４ Ｆ２７Ｄ 17/00 １０４Ｇ 19/00 19/00 Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/324 21/324 Ｓ (72)発明者 小野寺 明 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 秋元 基 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 Ｆターム(参考） 4K045 AA07 BA05 BA08 DA05 GA08 4K056 AA09 BA01 CA10 DB08 DC01 4K063 AA05 BA12 CA02 DA01 5F045 BB14 DP19 EB08 EB13 EF20 EG08 GB06
Claims (7)
- 【請求項１】 被処理体の移載を行うローディングエリ
ア内から被処理体を熱処理炉内に搬入して所定の処理ガ
ス雰囲気で熱処理する熱処理方法において、前記ローデ
ィングエリア内を排気して一定の微陰圧に制御すること
を特徴とする熱処理方法。 - 【請求項２】 前記ローディングエリア内からの排気に
含まれる特定のガスおよびパーティクルをフィルタによ
り除去することを特徴とする請求項１記載の熱処理方
法。 - 【請求項３】 前記ローディングエリア内の外部との差
圧が−０．５〜−１パスカルの時に警報を発して熱処理
を停止させるように設定すると共に、ローディングエリ
ア内の外部との差圧を−１〜−３パスカルに制御するこ
とを特徴とする請求項１または２記載の熱処理方法。 - 【請求項４】 被処理体の移載を行うローディングエリ
ア内から被処理体を熱処理炉内に搬入して所定の処理ガ
ス雰囲気で熱処理する熱処理装置において、前記ローデ
ィングエリア内を排気する排気手段と、前記ローディン
グエリア内が一定の微陰圧になるように前記排気手段を
制御する制御装置とを備えたことを特徴とする熱処理装
置。 - 【請求項５】 被処理体の移載を行うローディングエリ
ア内から被処理体を熱処理炉内に搬入して所定の処理ガ
ス雰囲気で熱処理する熱処理装置において、前記ローデ
ィングエリア内にガスを供給するガス供給手段と、前記
ローディングエリア内を排気する排気手段と、前記ロー
ディングエリア内が一定の微陰圧または微陽圧になるよ
うに前記ガス供給手段および前記排気手段を制御する制
御装置と、この制御装置に設けられ微陰圧運用および微
陽圧運用の何れかに選択的に切換可能な切換手段とを備
えたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項６】 前記排気手段に、前記ローディングエリ
ア内からの排気に含まれる特定のガスおよびパーティク
ルを除去するフィルタが設けられていることを特徴とす
る請求項４または５記載の熱処理装置。 - 【請求項７】 前記排気手段がファンを有する排気ユニ
ットからなり、この排気ユニット内にＵＬＰＡフィルタ
とケミカルフィルタが設けられていることを特徴とする
請求項４、５または６記載の熱処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000117288A JP4578615B2 (ja) | 1999-07-21 | 2000-04-19 | 熱処理装置 |
| TW089114541A TWI245309B (en) | 1999-07-21 | 2000-07-20 | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
| US09/620,912 US6409503B1 (en) | 1999-07-21 | 2000-07-20 | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
| US10/106,120 US6852601B2 (en) | 1999-07-21 | 2002-03-27 | Heat treatment method that includes a low negative pressure |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-205551 | 1999-07-21 | ||
| JP20555199 | 1999-07-21 | ||
| JP2000117288A JP4578615B2 (ja) | 1999-07-21 | 2000-04-19 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001093851A true JP2001093851A (ja) | 2001-04-06 |
| JP4578615B2 JP4578615B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=26515119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000117288A Expired - Fee Related JP4578615B2 (ja) | 1999-07-21 | 2000-04-19 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6409503B1 (ja) |
| JP (1) | JP4578615B2 (ja) |
| TW (1) | TWI245309B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008296069A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Kondo Kogyo Kk | 薄板状物製造装置における、微粒子、または微粒子並びに有害ガスの除去を目的とする空気清浄装置 |
| JP2010147499A (ja) * | 2000-04-17 | 2010-07-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2012209282A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Tokyo Electron Ltd | ローディングユニット及び処理システム |
| US8545158B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-10-01 | Tokyo Electron Limited | Loading unit and processing system |
| JP2015146369A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置の反応炉の開蓋方法及び気相成長装置 |
| US9230843B2 (en) | 2011-04-20 | 2016-01-05 | Tokyo Electron Limited | Loading unit and processing system |
| KR102061973B1 (ko) | 2017-07-27 | 2020-01-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치의 배기 방법 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359237A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| DE10316571A1 (de) * | 2003-04-10 | 2004-10-28 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Steuerungsvorrichtung für eine Dunstabzugsvorrichtung |
| KR100583730B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법 |
| US8109761B1 (en) * | 2006-02-13 | 2012-02-07 | Whip Mix Corporation | Dental furnace with cooling system |
| US8814488B2 (en) * | 2007-04-02 | 2014-08-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP4464993B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2010-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理システム |
| US8007275B2 (en) * | 2008-01-25 | 2011-08-30 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for heating semiconductor wafers |
| JP5394360B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置およびその冷却方法 |
| WO2015125733A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0364477A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Nec Corp | 常圧処理装置 |
| JPH06318553A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JPH0955369A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 真空処理装置及び真空処理装置への大気混入の検知方法 |
| JPH0982720A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3138875B2 (ja) | 1991-07-11 | 2001-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーンエア装置 |
| JP3108459B2 (ja) | 1991-02-26 | 2000-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JP3149206B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH06103717B2 (ja) | 1991-07-23 | 1994-12-14 | 国際電気株式会社 | 縦型ｃｖｄ・拡散装置 |
| US5387265A (en) * | 1991-10-29 | 1995-02-07 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Semiconductor wafer reaction furnace with wafer transfer means |
| GB9202154D0 (en) * | 1992-01-31 | 1992-03-18 | Challenger John G | Clean room construction |
| US5407350A (en) * | 1992-02-13 | 1995-04-18 | Tokyo Electron Limited | Heat-treatment apparatus |
| US5697749A (en) * | 1992-07-17 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus |
| JP3330166B2 (ja) | 1992-12-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| KR100251873B1 (ko) * | 1993-01-21 | 2000-04-15 | 마쓰바 구니유키 | 종형 열처리 장치 |
| JP3372581B2 (ja) | 1993-01-21 | 2003-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3176160B2 (ja) | 1993-01-21 | 2001-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3120395B2 (ja) | 1993-03-10 | 2000-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3218488B2 (ja) | 1993-03-16 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US5445521A (en) * | 1993-05-31 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating method and device |
| FI95421C (fi) * | 1993-12-23 | 1996-01-25 | Heikki Ihantola | Puolijohteen, kuten piikiekon, prosessoinnissa käytettävä laitteisto ja menetelmä |
| TW295677B (ja) * | 1994-08-19 | 1997-01-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5820366A (en) * | 1996-07-10 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Dual vertical thermal processing furnace |
| JP3604241B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2004-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
-
2000
- 2000-04-19 JP JP2000117288A patent/JP4578615B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-20 US US09/620,912 patent/US6409503B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-20 TW TW089114541A patent/TWI245309B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-03-27 US US10/106,120 patent/US6852601B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0364477A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Nec Corp | 常圧処理装置 |
| JPH06318553A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JPH0955369A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 真空処理装置及び真空処理装置への大気混入の検知方法 |
| JPH0982720A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010147499A (ja) * | 2000-04-17 | 2010-07-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2010161389A (ja) * | 2000-04-17 | 2010-07-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| JP4581032B2 (ja) * | 2000-04-17 | 2010-11-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| JP4581031B2 (ja) * | 2000-04-17 | 2010-11-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2008296069A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Kondo Kogyo Kk | 薄板状物製造装置における、微粒子、または微粒子並びに有害ガスの除去を目的とする空気清浄装置 |
| JP2012209282A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Tokyo Electron Ltd | ローディングユニット及び処理システム |
| US8545158B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-10-01 | Tokyo Electron Limited | Loading unit and processing system |
| US9230843B2 (en) | 2011-04-20 | 2016-01-05 | Tokyo Electron Limited | Loading unit and processing system |
| JP2015146369A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置の反応炉の開蓋方法及び気相成長装置 |
| KR102061973B1 (ko) | 2017-07-27 | 2020-01-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치의 배기 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6852601B2 (en) | 2005-02-08 |
| US20020110769A1 (en) | 2002-08-15 |
| TWI245309B (en) | 2005-12-11 |
| US6409503B1 (en) | 2002-06-25 |
| JP4578615B2 (ja) | 2010-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001093851A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| JP3425592B2 (ja) | 処理装置 | |
| TWI712096B (zh) | 具有工廠界面環境控制之基板處理系統、設備與方法 | |
| JP6817757B2 (ja) | 基板処理装置及び基板移送方法 | |
| JPH06267873A (ja) | 処理装置 | |
| TWI329891B (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR100269414B1 (ko) | 열처리방법 및 열처리장치 | |
| US5536320A (en) | Processing apparatus | |
| JPH08213446A (ja) | 処理装置 | |
| WO2006043509A1 (ja) | 縦型熱処理装置及びその運用方法 | |
| JPH04269824A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH07297257A (ja) | 処理装置 | |
| JP3372585B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP3372581B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2007095879A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2007073746A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH04269825A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH113867A (ja) | 半導体製造装置 | |
| WO2006003805A1 (ja) | 縦型熱処理装置及びその運用方法 | |
| JPH06224145A (ja) | 処理装置 | |
| JP2006093188A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP2002176045A (ja) | 熱処理装置及びローディング室の冷却方法 | |
| JP3589823B2 (ja) | 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法 | |
| JPH06224143A (ja) | 処理装置及びガスシャワーノズル | |
| JP2002299262A (ja) | ロードロック室及びその排気方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060905 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060905 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060905 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100729 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100729 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100824 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100825 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4578615 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |