JPH06317536A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
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- JPH06317536A JPH06317536A JP28299293A JP28299293A JPH06317536A JP H06317536 A JPH06317536 A JP H06317536A JP 28299293 A JP28299293 A JP 28299293A JP 28299293 A JP28299293 A JP 28299293A JP H06317536 A JPH06317536 A JP H06317536A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子パターンが形成された半導体ウェハにお
ける異物検査を高精度に行うことが可能な異物検査技術
を提供する。 【構成】 素子パターン２が形成された半導体ウェハ１
が載置されるＸＹテーブル３と、光学系４および光学素
子５からなるパターン検出系６と、検出部８、演算部
９、出力部１０からなる信号処理系７と、記憶部１１か
らなる検査装置において、検出部８はパターン検出系６
で検出された信号を処理して特異な信号の座標位置を検
出し、演算部９は、特異な信号の座標位置を素子パター
ン２の配列ピッチ寸法を基準として比較し、ピッチ寸法
と特定の関係にある信号のみを抽出し、出力部１０は、
抽出された信号を半導体ウェハ１から検出される全ての
信号から除去し、残りの信号のみを出力する動作を行う
ようにした異物検査方法である。
ける異物検査を高精度に行うことが可能な異物検査技術
を提供する。 【構成】 素子パターン２が形成された半導体ウェハ１
が載置されるＸＹテーブル３と、光学系４および光学素
子５からなるパターン検出系６と、検出部８、演算部
９、出力部１０からなる信号処理系７と、記憶部１１か
らなる検査装置において、検出部８はパターン検出系６
で検出された信号を処理して特異な信号の座標位置を検
出し、演算部９は、特異な信号の座標位置を素子パター
ン２の配列ピッチ寸法を基準として比較し、ピッチ寸法
と特定の関係にある信号のみを抽出し、出力部１０は、
抽出された信号を半導体ウェハ１から検出される全ての
信号から除去し、残りの信号のみを出力する動作を行う
ようにした異物検査方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は異物検査技術に関し、特
に、素子パターンが形成された半導体ウェハに付着した
異物の検査において、素子パターンと異物の各検出信号
を明確に区別して精度の高い検査を行うことのできる異
物検査技術に関するものである。
に、素子パターンが形成された半導体ウェハに付着した
異物の検査において、素子パターンと異物の各検出信号
を明確に区別して精度の高い検査を行うことのできる異
物検査技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハに形成される素子パターン
はウェハ上に付着した異物によってパターンの欠陥が発
生することが多く、このためパターンを形成していない
ウェハの異物を検出することが行われる。しかしなが
ら、パターンを形成していないウェハの検査では、実際
の製造工程における異物の付着やパターン欠陥を正しく
検査することはできず、検査精度の低いものになる。
はウェハ上に付着した異物によってパターンの欠陥が発
生することが多く、このためパターンを形成していない
ウェハの異物を検出することが行われる。しかしなが
ら、パターンを形成していないウェハの検査では、実際
の製造工程における異物の付着やパターン欠陥を正しく
検査することはできず、検査精度の低いものになる。
【０００３】このため、所定の工程を経てパターン形成
されたウェハ上の実際の異物欠陥を検査する試みがなさ
れている。この方法は、パターンを検査したときの検出
信号を所定の方式で処理し、その時に検出される特異な
信号（通常のパターン検出信号に比較してピーク形状の
鋭い信号）を異物による欠陥として検出する方法であ
る。
されたウェハ上の実際の異物欠陥を検査する試みがなさ
れている。この方法は、パターンを検査したときの検出
信号を所定の方式で処理し、その時に検出される特異な
信号（通常のパターン検出信号に比較してピーク形状の
鋭い信号）を異物による欠陥として検出する方法であ
る。
【０００４】なお、ウェハ上における異物等による欠陥
検査について記載されているものとして、株式会社プレ
スジャーナル社発行「セミコンダクタワールド（Semico
nductor World)」１９８４年６月号、Ｐ１１２〜１１９
がある。
検査について記載されているものとして、株式会社プレ
スジャーナル社発行「セミコンダクタワールド（Semico
nductor World)」１９８４年６月号、Ｐ１１２〜１１９
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法ではパターンの一部の形状部において通常とは異なっ
た状態で検出される信号と、前述のパターン欠陥に伴う
特異な信号とを区別することができず、正常パターンを
欠陥パターンとして検出してしまう等、半導体装置の製
造歩留りの点で好ましくない結果が生じ易い。特定のパ
ターン形状箇所において必ず発生するようなものではな
く、検査装置の種類やその時々の検査条件等により変化
され、これを一義的に設定することは難しく、したがっ
て、これら信号を明確に区別することは極めて困難であ
る。
法ではパターンの一部の形状部において通常とは異なっ
た状態で検出される信号と、前述のパターン欠陥に伴う
特異な信号とを区別することができず、正常パターンを
欠陥パターンとして検出してしまう等、半導体装置の製
造歩留りの点で好ましくない結果が生じ易い。特定のパ
ターン形状箇所において必ず発生するようなものではな
く、検査装置の種類やその時々の検査条件等により変化
され、これを一義的に設定することは難しく、したがっ
て、これら信号を明確に区別することは極めて困難であ
る。
【０００６】本発明の目的は、素子パターンが形成され
た半導体ウェハにおける異物検査を高精度に行うことが
可能な異物検査技術を提供することにある。
た半導体ウェハにおける異物検査を高精度に行うことが
可能な異物検査技術を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０００９】すなわち、請求項１記載の発明は、素子パ
ターンが形成された半導体ウェハの異物検査方法におい
て、半導体ウェハからのパターン信号を検出しかつこれ
を処理して特異な信号を求める第１の段階と、この特異
な信号の位置情報を半導体ウェハにおける素子パターン
の繰り返しピッチ寸法を基準として比較し、ピッチ寸法
と所定の関係にある特異信号を抽出する第２の段階と、
第２の段階で抽出された特異信号を、第１の段階で得ら
れた特異な信号から取り除いて残りの信号を出力する第
３の段階とを実行するものである。
ターンが形成された半導体ウェハの異物検査方法におい
て、半導体ウェハからのパターン信号を検出しかつこれ
を処理して特異な信号を求める第１の段階と、この特異
な信号の位置情報を半導体ウェハにおける素子パターン
の繰り返しピッチ寸法を基準として比較し、ピッチ寸法
と所定の関係にある特異信号を抽出する第２の段階と、
第２の段階で抽出された特異信号を、第１の段階で得ら
れた特異な信号から取り除いて残りの信号を出力する第
３の段階とを実行するものである。
【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の異物検査方法において、第２の段階では、特異信号
の座標位置が素子パターンのピッチ寸法の整数倍の関係
にあるものを抽出するものである。
載の異物検査方法において、第２の段階では、特異信号
の座標位置が素子パターンのピッチ寸法の整数倍の関係
にあるものを抽出するものである。
【００１１】また、請求項３記載の発明は、請求項１記
載の異物検査方法において、第１の段階では、半導体ウ
ェハを回転させ、当該半導体ウェハを周方向に走査して
パターン信号を検出し、位置情報として極座標位置を求
めるものである。
載の異物検査方法において、第１の段階では、半導体ウ
ェハを回転させ、当該半導体ウェハを周方向に走査して
パターン信号を検出し、位置情報として極座標位置を求
めるものである。
【００１２】また、請求項４記載の発明は、請求項１記
載の異物検査方法において、複数の同種の半導体ウェハ
の検査を行う場合、最先の半導体ウェハについてのみ第
２の段階を実行してピッチ寸法と所定の関係にある特異
信号の位置情報を抽出および記録し、次以降の半導体ウ
ェハについては、第２の段階を省略し、第３の段階で
は、最先の半導体ウェハから抽出および記録された特異
信号の位置情報を用いるようにしたものである。
載の異物検査方法において、複数の同種の半導体ウェハ
の検査を行う場合、最先の半導体ウェハについてのみ第
２の段階を実行してピッチ寸法と所定の関係にある特異
信号の位置情報を抽出および記録し、次以降の半導体ウ
ェハについては、第２の段階を省略し、第３の段階で
は、最先の半導体ウェハから抽出および記録された特異
信号の位置情報を用いるようにしたものである。
【００１３】
【作用】上記した本発明の異物検査技術によれば、たと
えば、半導体ウェハ上に所定のピッチで反復形成される
素子パターンの同一箇所で生じ易いパターン形状による
特異信号をその規則性を利用して判定して半導体ウェハ
におけるパターン形状に伴う特異な信号を抽出し、この
信号を全ての検出信号から除去することにより異物の信
号のみを検出することができるので、背景の素子パター
ンからの信号を考慮することなく、より低い閾値を設定
するなどして、より微細な異物を高精度で検出すること
が可能となる。
えば、半導体ウェハ上に所定のピッチで反復形成される
素子パターンの同一箇所で生じ易いパターン形状による
特異信号をその規則性を利用して判定して半導体ウェハ
におけるパターン形状に伴う特異な信号を抽出し、この
信号を全ての検出信号から除去することにより異物の信
号のみを検出することができるので、背景の素子パター
ンからの信号を考慮することなく、より低い閾値を設定
するなどして、より微細な異物を高精度で検出すること
が可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る異物検査方法を実施する検査装置の構成の一例を示す
全体構成図である。
る異物検査方法を実施する検査装置の構成の一例を示す
全体構成図である。
【００１６】同図において、１は被検査体としての半導
体ウェハで、その表面には複数個のチップに相当する素
子パターン２を枡目状に形成している。この半導体ウェ
ハ１はＸＹテーブル３等の移動テーブル上に載置され、
平面ＸＹ方向に移動される。また、前記半導体ウェハ１
の上方には詳細を省略する光学系４および光学素子５を
備えたパターン検出系６を配置しており、前記素子パタ
ーン２を走査しながらこれを電気信号として検出する。
そして、このパターン検出系６には信号処理系７を接続
し、異物の検査を行うことができる。
体ウェハで、その表面には複数個のチップに相当する素
子パターン２を枡目状に形成している。この半導体ウェ
ハ１はＸＹテーブル３等の移動テーブル上に載置され、
平面ＸＹ方向に移動される。また、前記半導体ウェハ１
の上方には詳細を省略する光学系４および光学素子５を
備えたパターン検出系６を配置しており、前記素子パタ
ーン２を走査しながらこれを電気信号として検出する。
そして、このパターン検出系６には信号処理系７を接続
し、異物の検査を行うことができる。
【００１７】前記信号処理系７は、前記パターン検出系
６に直接接続されて検出された信号を処理しかつこれか
らパターン検出信号に対して特異な信号を検出する検出
部８と、この検出された特異な信号をチップのピッチ寸
法を基準とした比較演算を行って、チップのピッチ寸法
と所定の関係にある信号のみを抽出しかつその座標位置
を求める演算部９と、この抽出された信号を前記検出さ
れた全ての信号から除去し、残りの信号のみを出力する
出力部１０とから構成している。
６に直接接続されて検出された信号を処理しかつこれか
らパターン検出信号に対して特異な信号を検出する検出
部８と、この検出された特異な信号をチップのピッチ寸
法を基準とした比較演算を行って、チップのピッチ寸法
と所定の関係にある信号のみを抽出しかつその座標位置
を求める演算部９と、この抽出された信号を前記検出さ
れた全ての信号から除去し、残りの信号のみを出力する
出力部１０とから構成している。
【００１８】なお、前記演算部９および出力部１０には
記憶部１１を接続し、前記抽出された信号の座標位置や
残りの信号の座標位置を記憶する。
記憶部１１を接続し、前記抽出された信号の座標位置や
残りの信号の座標位置を記憶する。
【００１９】次に、前記構成の検査装置による異物検査
方法の作用の一例を説明する。
方法の作用の一例を説明する。
【００２０】ＸＹテーブル３上に半導体ウェハ１を載置
した後、パターン検出系６を動作させ、通常と同様に半
導体ウェハ１上に素子パターン２を走査しながら光学素
子５によって素子パターン２を電気信号として検出す
る。検出したパターン信号は検出部８において、たとえ
ば所定の値に設定されているしきい値と比較され、パタ
ーンに相当する信号と、そうではない信号、つまり特異
信号とが区別される。本例では、図２のように、半導体
ウェハ１上の複数個の箇所において特異信号を検出で
き、これらの特異信号の夫々の座標位置を検出する（第
１の段階）。
した後、パターン検出系６を動作させ、通常と同様に半
導体ウェハ１上に素子パターン２を走査しながら光学素
子５によって素子パターン２を電気信号として検出す
る。検出したパターン信号は検出部８において、たとえ
ば所定の値に設定されているしきい値と比較され、パタ
ーンに相当する信号と、そうではない信号、つまり特異
信号とが区別される。本例では、図２のように、半導体
ウェハ１上の複数個の箇所において特異信号を検出で
き、これらの特異信号の夫々の座標位置を検出する（第
１の段階）。
【００２１】そして、この特異な信号Ｓ1 ，Ｓ2 ・・・
Ｓn の座標位置は演算部９に送出され、ここで同図のよ
うにチップのピッチ寸法ｐを基準とした比較が行われ
る。つまり、前記特異信号の中の１つの特異信号Ｓ1 の
座標位置（Ｘ１，Ｙ１）を基準として他の特異信号
Ｓ2 ，Ｓ3 ・・・Ｓn の座標位置（Ｘ２，Ｙ２），（Ｘ
３，Ｙ３）・・・（Ｘｎ，Ｙｎ）との相対距離をＸ，Ｙ
方向夫々について計算し、夫々の距離Ｌ1 ，Ｌ2 ・・・
Ｌn を前記ピッチｐと比較させる。この場合、Ｘ軸方向
とＹ軸方向とでピッチ寸法が異なる場合には夫々対応す
る寸法での比較を行うことが肝要である。そして、この
比較により、夫々の距離がピッチｐの整数倍の関係にあ
る座標位置の信号のみを抽出する。このとき、基準とし
た特異信号Ｓ1以外の２〜３の信号についても、これを
基準とした他の信号との距離の算出およびそれとピッチ
ｐとの比較を行い、ピッチｐと整数倍の関係となる全て
の特異信号を抽出する。このようにして抽出した信号
は、チップ寸法に対応して繰り返されており、その発生
に規則性があるため、素子パターン２上の特定パターン
によって発生される特徴付けられた特異信号であること
は明白である。この特異信号およびその座標位置は記憶
部１１に記憶させておくことが好ましい（第２の段
階）。
Ｓn の座標位置は演算部９に送出され、ここで同図のよ
うにチップのピッチ寸法ｐを基準とした比較が行われ
る。つまり、前記特異信号の中の１つの特異信号Ｓ1 の
座標位置（Ｘ１，Ｙ１）を基準として他の特異信号
Ｓ2 ，Ｓ3 ・・・Ｓn の座標位置（Ｘ２，Ｙ２），（Ｘ
３，Ｙ３）・・・（Ｘｎ，Ｙｎ）との相対距離をＸ，Ｙ
方向夫々について計算し、夫々の距離Ｌ1 ，Ｌ2 ・・・
Ｌn を前記ピッチｐと比較させる。この場合、Ｘ軸方向
とＹ軸方向とでピッチ寸法が異なる場合には夫々対応す
る寸法での比較を行うことが肝要である。そして、この
比較により、夫々の距離がピッチｐの整数倍の関係にあ
る座標位置の信号のみを抽出する。このとき、基準とし
た特異信号Ｓ1以外の２〜３の信号についても、これを
基準とした他の信号との距離の算出およびそれとピッチ
ｐとの比較を行い、ピッチｐと整数倍の関係となる全て
の特異信号を抽出する。このようにして抽出した信号
は、チップ寸法に対応して繰り返されており、その発生
に規則性があるため、素子パターン２上の特定パターン
によって発生される特徴付けられた特異信号であること
は明白である。この特異信号およびその座標位置は記憶
部１１に記憶させておくことが好ましい（第２の段
階）。
【００２２】次いで、出力部１０では、検出部８で検出
した全ての信号と、この特異信号とを比較しかつ両者の
差をとることにより、パターン形状が原因とされる特異
信号が除去された信号、つまり規則性のない信号のみが
残され、これが出力される。したがって、この出力され
た信号は異物により発生した特異信号であり、この信号
の座標位置を確認することにより半導体ウェハ１におけ
る異物ないし異物によるパターン欠陥を検査することが
できる（第３の段階）。
した全ての信号と、この特異信号とを比較しかつ両者の
差をとることにより、パターン形状が原因とされる特異
信号が除去された信号、つまり規則性のない信号のみが
残され、これが出力される。したがって、この出力され
た信号は異物により発生した特異信号であり、この信号
の座標位置を確認することにより半導体ウェハ１におけ
る異物ないし異物によるパターン欠陥を検査することが
できる（第３の段階）。
【００２３】なお、この残された信号およびその座標位
置は記憶部１１に記憶しておく。
置は記憶部１１に記憶しておく。
【００２４】ところで、たとえば、同種の複数の半導体
ウェハ１の検査を行う場合、全ての半導体ウェハ１に対
して前述の第１〜第３の段階からなる検査工程を行う必
要はなく、最先の半導体ウェハ１についてのみ第１〜第
３の段階からなる検査工程を行い、次以降の半導体ウェ
ハ１については、最初の半導体ウェハ１における第２の
段階で得られ、記憶部１１に記憶されたデータ（背景の
素子パターン２からの特異信号の座標情報）を利用する
ことにより、第２の段階を省略してもよい。これによ
り、検査の迅速化を図ることができる。
ウェハ１の検査を行う場合、全ての半導体ウェハ１に対
して前述の第１〜第３の段階からなる検査工程を行う必
要はなく、最先の半導体ウェハ１についてのみ第１〜第
３の段階からなる検査工程を行い、次以降の半導体ウェ
ハ１については、最初の半導体ウェハ１における第２の
段階で得られ、記憶部１１に記憶されたデータ（背景の
素子パターン２からの特異信号の座標情報）を利用する
ことにより、第２の段階を省略してもよい。これによ
り、検査の迅速化を図ることができる。
【００２５】このように、本実施例の異物検査方法によ
れば、既に素子パターン２を形成した半導体ウェハ１に
対しても異物検査を行うことができるので、製造工程を
経た実際の異物付着状態やその欠陥状態を検査でき、正
確な検査情報が得られて現実の不良対策上極めて有効と
なる。
れば、既に素子パターン２を形成した半導体ウェハ１に
対しても異物検査を行うことができるので、製造工程を
経た実際の異物付着状態やその欠陥状態を検査でき、正
確な検査情報が得られて現実の不良対策上極めて有効と
なる。
【００２６】（実施例２）ここで、半導体ウェハ１のパ
ターン検査における走査方法として図３のような回転走
査方式を用いることもできる。すなわち、同図のように
半導体ウェハ１をＸＹテーブル３上で回転させると共
に、パターン検出系６を一方向（たとえばＸ方向）に往
復走査させ、パターン検出信号を回転角度θと半径ｒと
の極座標で求めることができる。そして、検出した信号
の中の特異信号は、図４に示す処理回路２０で前例と同
様にＸ，Ｙ座標として算出され、さらに同様にして異物
による特異信号のみを出力することができる。
ターン検査における走査方法として図３のような回転走
査方式を用いることもできる。すなわち、同図のように
半導体ウェハ１をＸＹテーブル３上で回転させると共
に、パターン検出系６を一方向（たとえばＸ方向）に往
復走査させ、パターン検出信号を回転角度θと半径ｒと
の極座標で求めることができる。そして、検出した信号
の中の特異信号は、図４に示す処理回路２０で前例と同
様にＸ，Ｙ座標として算出され、さらに同様にして異物
による特異信号のみを出力することができる。
【００２７】なお、図４では、前例の検査によって得ら
れて記憶部１１に記憶されている規則性のある特異信号
の座標情報を利用し、これを比較器２１，２２において
Ｘ，Ｙ方向について比較しかつゲート２３によって両者
の論理積をとることにより、異物および異物による欠陥
を検査することができる。図中、Ｘa ，Ｙa は半導体ウ
ェハ１の真の中心に対するウェハ回転中心の変位置であ
り、得られた極座標信号をＸＹ座標に変換する際の補正
信号として用いられ、またＸi ，Ｙi は先に検出された
規則性のある特異信号の座標位置であり、比較器２１，
２２における比較信号として用いられる。
れて記憶部１１に記憶されている規則性のある特異信号
の座標情報を利用し、これを比較器２１，２２において
Ｘ，Ｙ方向について比較しかつゲート２３によって両者
の論理積をとることにより、異物および異物による欠陥
を検査することができる。図中、Ｘa ，Ｙa は半導体ウ
ェハ１の真の中心に対するウェハ回転中心の変位置であ
り、得られた極座標信号をＸＹ座標に変換する際の補正
信号として用いられ、またＸi ，Ｙi は先に検出された
規則性のある特異信号の座標位置であり、比較器２１，
２２における比較信号として用いられる。
【００２８】この極座標による半導体ウェハパターンの
検出方式では、信号検出を容易にかつ高速にでき、検査
時間の短縮および検査精度の向上を図ることができる。
検出方式では、信号検出を容易にかつ高速にでき、検査
時間の短縮および検査精度の向上を図ることができる。
【００２９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３１】(1).素子パターンが形成された半導体ウェ
ハの異物検査方法において、前記半導体ウェハからのパ
ターン信号を検出しかつこれを処理して特異な信号を求
める第１の段階と、この特異な信号の位置情報を前記半
導体ウェハにおける前記素子パターンの繰り返しピッチ
寸法を基準として比較し、前記ピッチ寸法と所定の関係
にある特異信号を抽出する第２の段階と、前記第２の段
階で抽出された前記特異信号を、前記第１の段階で得ら
れた前記特異な信号から取り除いて残りの信号を出力す
る第３の段階とを実行するので、下地の素子パターン形
状によりノイズとして生ずる特異信号と、異物により生
ずる特異信号とを明確に区別でき、パターンを形成した
ウェハにおいても異物の検査を正確かつ高精度に行うこ
とができる。
ハの異物検査方法において、前記半導体ウェハからのパ
ターン信号を検出しかつこれを処理して特異な信号を求
める第１の段階と、この特異な信号の位置情報を前記半
導体ウェハにおける前記素子パターンの繰り返しピッチ
寸法を基準として比較し、前記ピッチ寸法と所定の関係
にある特異信号を抽出する第２の段階と、前記第２の段
階で抽出された前記特異信号を、前記第１の段階で得ら
れた前記特異な信号から取り除いて残りの信号を出力す
る第３の段階とを実行するので、下地の素子パターン形
状によりノイズとして生ずる特異信号と、異物により生
ずる特異信号とを明確に区別でき、パターンを形成した
ウェハにおいても異物の検査を正確かつ高精度に行うこ
とができる。
【００３２】(2).素子パターン形成後の半導体ウェハに
おいても異物検査を正確に行うことができるので、製造
工程を経た後の状態における真の異物検査を実現でき、
不良対策等に迅速に対応することができる。
おいても異物検査を正確に行うことができるので、製造
工程を経た後の状態における真の異物検査を実現でき、
不良対策等に迅速に対応することができる。
【００３３】(3).パターンの検出に極座標方式を用いて
も異物の検査を可能として、検査速度の向上を図ること
ができる。
も異物の検査を可能として、検査速度の向上を図ること
ができる。
【００３４】(4).同種の複数の半導体ウェハについて検
査を行う場合、二枚目以降の半導体ウェハについては、
第２の段階を省略できるので、異物検査の迅速化を達成
できる。
査を行う場合、二枚目以降の半導体ウェハについては、
第２の段階を省略できるので、異物検査の迅速化を達成
できる。
【図１】本発明の一実施例である異物検査方法が実施さ
れる検査装置の全体構成図である。
れる検査装置の全体構成図である。
【図２】本発明の一実施例である異物検査方法の作用の
一例を説明するためのウェハ表面の模式図である。
一例を説明するためのウェハ表面の模式図である。
【図３】本発明の他の実施例である異物検査方法の作用
の一例を説明するための概念図である。
の一例を説明するための概念図である。
【図４】本発明の他の実施例である異物検査方法を実現
するための処理回路の一例を示すブロック図である。
するための処理回路の一例を示すブロック図である。
１ 半導体ウェハ ２ 素子パターン ３ ＸＹテーブル ４ 光学系 ５ 光学素子 ６ パターン検出系 ７ 信号処理系 ８ 検出部 ９ 演算部 １０ 出力部 １１ 記憶部 ２０ 処理回路 ２１ 比較器 ２２ 比較器 ２３ ゲート
Claims (4)
- 【請求項１】 素子パターンが形成された半導体ウェハ
の異物検査方法であって、前記半導体ウェハからのパタ
ーン信号を検出しかつこれを処理して特異な信号を求め
る第１の段階と、この特異な信号の位置情報を前記半導
体ウェハにおける前記素子パターンの繰り返しピッチ寸
法を基準として比較し、前記ピッチ寸法と所定の関係に
ある特異信号を抽出する第２の段階と、前記第２の段階
で抽出された前記特異信号を、前記第１の段階で得られ
た前記特異な信号から取り除いて残りの信号を出力する
第３の段階とからなることを特徴とする異物検査方法。 - 【請求項２】 前記第２の段階において、前記特異信号
の座標位置が前記素子パターンの前記ピッチ寸法の整数
倍の関係にあるものを抽出することを特徴とする請求項
１記載の異物検査方法。 - 【請求項３】 前記第１の段階において、前記半導体ウ
ェハを回転させ、当該半導体ウェハを周方向に走査して
前記パターン信号を検出し、前記位置情報として極座標
位置を求めることを特徴とする請求項１記載の異物検査
方法。 - 【請求項４】 複数の同種の前記半導体ウェハの検査に
おいて、最先の半導体ウェハについてのみ前記第２の段
階を実行して前記ピッチ寸法と所定の関係にある特異信
号の位置情報を抽出および記録し、次以降の前記半導体
ウェハについては、前記第２の段階を省略し、前記第３
の段階では、最先の前記半導体ウェハから抽出および記
録された前記特異信号の位置情報を用いることを特徴と
する請求項１記載の異物検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282992A JPH087154B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282992A JPH087154B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 異物検査方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60095482A Division JPH0680418B2 (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317536A true JPH06317536A (ja) | 1994-11-15 |
| JPH087154B2 JPH087154B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17659812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5282992A Expired - Fee Related JPH087154B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087154B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877035A (en) * | 1995-02-14 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| US6124142A (en) * | 1995-02-14 | 2000-09-26 | Seiko Instruments, Inc. | Method for analyzing minute foreign substance elements |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253448A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-11 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP5282992A patent/JPH087154B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253448A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-11 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877035A (en) * | 1995-02-14 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| US6124142A (en) * | 1995-02-14 | 2000-09-26 | Seiko Instruments, Inc. | Method for analyzing minute foreign substance elements |
| US6255127B1 (en) | 1995-02-14 | 2001-07-03 | Seiko Instruments Inc. | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| US6355495B1 (en) | 1995-02-14 | 2002-03-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for analyzing minute foreign substance, and process for semiconductor elements or liquid crystal elements by use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087154B2 (ja) | 1996-01-29 |
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