JPH06305069A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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- JPH06305069A JPH06305069A JP5097944A JP9794493A JPH06305069A JP H06305069 A JPH06305069 A JP H06305069A JP 5097944 A JP5097944 A JP 5097944A JP 9794493 A JP9794493 A JP 9794493A JP H06305069 A JPH06305069 A JP H06305069A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は液晶表示板，液晶スイッチ，ＥＬパネ
ル，オーバーヘッドプロジェクターに用いられる電子写
真記録用シートや第二原図，マイクロフィルム，スライ
ドポジフィルム等に用いることのできる透明導電性フィ
ルムに関する。 【構成】プラスチックフィルムの片面または両面に、Ｉ
ＴＯ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少
なくとも１種の金属酸化物、ならびにけい素酸化物、ア
ルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物から選ばれ
る少なくとも１種の金属酸化物、を含む原料を用いたド
ライプレーティング層であって、該ドライプレーティン
グ層が１０6 Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2以上 の表面
抵抗を示す透明導電性フィルムである。
ル，オーバーヘッドプロジェクターに用いられる電子写
真記録用シートや第二原図，マイクロフィルム，スライ
ドポジフィルム等に用いることのできる透明導電性フィ
ルムに関する。 【構成】プラスチックフィルムの片面または両面に、Ｉ
ＴＯ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少
なくとも１種の金属酸化物、ならびにけい素酸化物、ア
ルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物から選ばれ
る少なくとも１種の金属酸化物、を含む原料を用いたド
ライプレーティング層であって、該ドライプレーティン
グ層が１０6 Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2以上 の表面
抵抗を示す透明導電性フィルムである。
Description
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示板，液晶スイッ
チ，ＥＬパネル，オーバーヘッドプロジェクターに用い
られる電子写真記録用シートや第二原図，マイクロフィ
ルム，スライドポジフィルム等に用いることのできる透
明導電性フィルムに関する。
チ，ＥＬパネル，オーバーヘッドプロジェクターに用い
られる電子写真記録用シートや第二原図，マイクロフィ
ルム，スライドポジフィルム等に用いることのできる透
明導電性フィルムに関する。
【従来の技術】液晶表示板や液晶スイッチ等に用いる透
明導電性フィルムは適当な表面抵抗を有し、光透過性が
よく、また均一性が良好であることが必要とされる。透
明導電性フィルムの表面抵抗が小さすぎると電力損失が
大きくなったり、発熱のため液晶の寿命が短くなったり
する。また逆に表面抵抗が大きすぎると素子の高周波特
性が悪くなる。つまり表面抵抗をコントロールできるこ
とは非常に重要な事である。またこれ以外にもコントロ
ールできることは幅広い商品に対応できることでありそ
のメリットは大きい。その表面抵抗をコントロールする
方法として酸化インジウム，酸化錫と酸化けい素を混合
して蒸着する方法が、特開昭６３−８９６５６号、同６
４−１０５０７号に開示されている。しかしながら、こ
れらの方法は後処理として２００℃以上で熱処理しなけ
ればならないので、支持体がプラスチックフィルムの場
合，この処理は不可能である。また前記の方法は、蒸着
方法が電子ビーム加熱を利用しているため、どうしても
スプラッシュといわれる蒸着飛沫による異物の発生が避
けられない。このスプラッシュによる異物がフィルム上
に残っていると、その後の工程で問題を起こすことが多
い。例えば写真感光性フィルムの場合、現像時にスプラ
ッシュによる異物が残っていると、現像後その異物が黒
点になりトラブルを招く。たとえこの方法でスプラッシ
ュによる異物の発生を無くすことができたとしても、高
温多湿条件の場合は導電蒸着層とプラスチックフィルム
間の接着性に問題が発生する。
明導電性フィルムは適当な表面抵抗を有し、光透過性が
よく、また均一性が良好であることが必要とされる。透
明導電性フィルムの表面抵抗が小さすぎると電力損失が
大きくなったり、発熱のため液晶の寿命が短くなったり
する。また逆に表面抵抗が大きすぎると素子の高周波特
性が悪くなる。つまり表面抵抗をコントロールできるこ
とは非常に重要な事である。またこれ以外にもコントロ
ールできることは幅広い商品に対応できることでありそ
のメリットは大きい。その表面抵抗をコントロールする
方法として酸化インジウム，酸化錫と酸化けい素を混合
して蒸着する方法が、特開昭６３−８９６５６号、同６
４−１０５０７号に開示されている。しかしながら、こ
れらの方法は後処理として２００℃以上で熱処理しなけ
ればならないので、支持体がプラスチックフィルムの場
合，この処理は不可能である。また前記の方法は、蒸着
方法が電子ビーム加熱を利用しているため、どうしても
スプラッシュといわれる蒸着飛沫による異物の発生が避
けられない。このスプラッシュによる異物がフィルム上
に残っていると、その後の工程で問題を起こすことが多
い。例えば写真感光性フィルムの場合、現像時にスプラ
ッシュによる異物が残っていると、現像後その異物が黒
点になりトラブルを招く。たとえこの方法でスプラッシ
ュによる異物の発生を無くすことができたとしても、高
温多湿条件の場合は導電蒸着層とプラスチックフィルム
間の接着性に問題が発生する。
【発明が解決しようとする課題】本発明は、プラスチッ
クフィルムの片面または両面に、導電性の異なる２種以
上の金属酸化物によるドライプレーティング層であっ
て、該ドライプレーティング層が１０6 Ω／cm2 以下、
１０2 Ω／cm2以上 の表面抵抗を示す透明導電性フィル
ムであり、さらにはドライプレーティング層の中でプラ
スチックフィルムとの界面の金属酸化物の組成がより絶
縁性の高い金属酸化物が主体であることにより、プラス
チックフィルムに対し強固に接着することができる透明
導電性フィルムである。また、ドライプレーティング層
として、より導電性の高い金属酸化物が５０モル％以
上、９５モル％以下である透明導電性フィルムである。
また、より導電性の高い金属酸化物がＩＴＯ、インジウ
ム酸化物または錫酸化物、より絶縁性の高い金属酸化物
がけい素酸化物、アルミニウム酸化物またはマグネシウ
ム酸化物である透明導電性フィルムである。
クフィルムの片面または両面に、導電性の異なる２種以
上の金属酸化物によるドライプレーティング層であっ
て、該ドライプレーティング層が１０6 Ω／cm2 以下、
１０2 Ω／cm2以上 の表面抵抗を示す透明導電性フィル
ムであり、さらにはドライプレーティング層の中でプラ
スチックフィルムとの界面の金属酸化物の組成がより絶
縁性の高い金属酸化物が主体であることにより、プラス
チックフィルムに対し強固に接着することができる透明
導電性フィルムである。また、ドライプレーティング層
として、より導電性の高い金属酸化物が５０モル％以
上、９５モル％以下である透明導電性フィルムである。
また、より導電性の高い金属酸化物がＩＴＯ、インジウ
ム酸化物または錫酸化物、より絶縁性の高い金属酸化物
がけい素酸化物、アルミニウム酸化物またはマグネシウ
ム酸化物である透明導電性フィルムである。
【課題を解決するための手段】本発明は、プラスチック
フィルムの片面または両面に、ＩＴＯ（インジウム・錫
酸化物）、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれ
る少なくとも１種の導電性の高い金属酸化物、ならびに
けい素酸化物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム
酸化物から選ばれる少なくとも１種のより絶縁性の高い
金属酸化物、を含むドライプレーティング層であって、
該ドライプレーティング層が１０6 Ω／cm2 以下、１０
2 Ω／cm2以上 の表面抵抗を示す透明導電性フィルムで
あり、さらにはドライプレーティング層として、ＩＴ
Ｏ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少な
くとも１種の金属酸化物が５０モル％以上、９５モル％
以下であり、さらにはまた、プラスチックフィルムの片
面または両面に、１０6 Ω／cm2以下、１０2 Ω／cm2以
上 の表面抵抗を示すドライプレーティング層を有し、
ドライプレーティング層の中でプラスチックフィルムと
の界面の金属酸化物の組成が、けい素酸化物、アルミニ
ウム酸化物およびマグネシウム酸化物から選ばれる少な
くとも１種の金属酸化物が主体である透明導電性フィル
ムである。本発明においてプラスチックフィルムとは、
延伸フィルムや未延伸フィルムの限定は特に無いが、液
晶関係に使用するにあたっては一軸延伸フィルムが望ま
しい。またその組成としては、ポリエチレンやポリプロ
ピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレー
トやポリエチレン−２，６ナフタレート等のポリエステ
ル、ナイロン６やナイロン１２等のポリアミド、ポリイ
ミド、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ
カーボネートなどあるいはモノマー（原料）組成的にこ
れらの重合体の構造単位を主成分として含む共重合やブ
レンドポリマー等がある。本発明の透明プラスチックフ
ィルムの光線透過率は一般論として高い方が望ましい
が、液晶関係はその活用分野によってその要求特性は異
なる。これらの事を配慮しても白色自然光での全光線透
過率が少なくとも５０％以上、好ましくは７０％以上で
ある。本発明のプラスチックフィルムに２種以上の金属
酸化物の混合物または化合物のドライプレーティング層
を設けるにあたり、プラスチックフィルム表面にコロナ
放電処理、プラズマ処理、火炎処理、グロー放電処理、
粗面化処理等の表面処理が施されてもよい。ドライプレ
ーティング層の付与方法は巻取り連続方式が望ましく，
その場合には、プラスチックフィルムの伸び，しわ，亀
裂の発生防止の面からプラスチックフィルムの厚みは５
〜５００ミクロン（μ）であることが望ましい。本発明
による積層体の形成方法は以下に示すとおりである。ま
ず基材のプラスチックフィルムの片面または両面にドラ
イプレーティング層を形成する。このドライプレーティ
ング層は、主に最終的に得られる導電性や透明性、基材
フィルムとの易接着性の他に、表面保護性，寸法安定
性，ガスバリヤー性を付与するものである。ドライプレ
ーティング層としては、ＩＴＯ，インジウム酸化物，錫
酸化物から選ばれるより導電性の高い一種またはそれ以
上の導電性金属酸化物とけい素酸化物、アルミニウム酸
化物またはマグネシウム酸化物のより絶縁性の高い一種
またはそれ以上の絶縁性金属酸化物の混合物または化合
物なら特に制限はない。またその混合比は導電性金属酸
化物と絶縁性金属酸化物の合計量に対し導電性金属酸化
物の量が５０モルパーセントから９５モルパーセントが
好ましい。ここでの絶縁性金属酸化物と導電性金属酸化
物の比により最終的に形成される透明導電膜の導電性が
決められる。またプラスチックフィルム上に形成される
ドライプレーティング層が結果的に金属酸化物であれば
よく、原料は金属酸化物，金属，有機金属化合物等何れ
でも構わない。つまり金属酸化物を原料とし直接プラス
チックフィルム上にドライプレーティング層を形成させ
ても、また金属または有機金属酸化物のような金属を含
む化合物を酸化させながらドライプレーティング層とし
ても、また金属をプラスチックフィルム上にドライプレ
ーティング層として形成させ、後工程でそのドライプレ
ーティング層を酸化処理しても構わない。酸化処理の方
法としてはプラスチックフィルムの使用可能温度範囲内
であれば特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入法、放
電処理法、酸素プラズマ法、熱酸化法等があげられる。
ドライプレーティング層の中でプラスチックフィルム界
面の組成は、プラスチックフィルムとの接着性に優れた
組成でなくてはならない。具体的には導電性及び絶縁性
金属酸化物の総量の対するアルミニウム酸化物，けい素
酸化物等の絶縁性金属酸化物の比を５０モルパーセント
以上とすることが好ましい。望ましくは７０モルパーセ
ント以上である。プラスチックフィルムにドライプレー
ティング層を形成する方法としては、ドライプレーティ
ング層中のプラスチックフィルム界面の組成を導電性及
び絶縁性金属酸化物の総量の対する絶縁性金属酸化物の
比を上げることのできる方法かつ蒸着中にスプラッシュ
を発生しないまたは少ない方法なら特に制限はなく、真
空蒸着，イオンプレーティング，スパッタリングなどを
用いる事ができる。さらに真空蒸着の加熱方法としては
特に制限はなく、高周波誘導加熱、抵抗加熱の従来公知
の加熱方法を用いることができる。なお、金属酸化物の
ドライプレーティング層を形成する方法として、金属を
原料として、ドライプレーティングをしつつ、またはド
ライプレーティングした後、プラスチックフィルムの仕
様可能温度範囲内で酸化処理することもできる。ドライ
プレーテイング総全体の組成に対しプラスチックフィル
ムとドライプレーティング層との界面の組成を変化させ
るためには、ドライプレーティング層の蒸発源（原料
源）は２箇所以上にする方法、蒸発原料の蒸発温度の差
を用いる方法、蒸発材料（原料）を２層にし加熱源との
位置関係から蒸発タイミングを変える方法等があげられ
るが、特に限定はされず、結果的にドライプレーティン
グ層の中でプラスチックフィルム界面の組成がドライプ
レーティング層の金属酸化物において絶縁性金属酸化物
の比を５０パーセント以上、望ましくは７０パーセント
以上になればよい。ドライプレーティング層の厚さは使
用するプラスチックフィルムのに合わせて選定される
が、本発明においては５０〜２０００オングストローム
が望ましい。またこの積層を２回以上に分けて行っても
よく、その時異種類の金属酸化物を積層しても構わな
い。またこのプラスチックフィルムとドライプレーティ
ング層の間に下塗り接着層をまたドライプレーティング
層の外側には表面保護層や界面活性剤系及び高分子電解
質系の帯電防止剤を設けても構わない。
フィルムの片面または両面に、ＩＴＯ（インジウム・錫
酸化物）、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれ
る少なくとも１種の導電性の高い金属酸化物、ならびに
けい素酸化物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム
酸化物から選ばれる少なくとも１種のより絶縁性の高い
金属酸化物、を含むドライプレーティング層であって、
該ドライプレーティング層が１０6 Ω／cm2 以下、１０
2 Ω／cm2以上 の表面抵抗を示す透明導電性フィルムで
あり、さらにはドライプレーティング層として、ＩＴ
Ｏ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少な
くとも１種の金属酸化物が５０モル％以上、９５モル％
以下であり、さらにはまた、プラスチックフィルムの片
面または両面に、１０6 Ω／cm2以下、１０2 Ω／cm2以
上 の表面抵抗を示すドライプレーティング層を有し、
ドライプレーティング層の中でプラスチックフィルムと
の界面の金属酸化物の組成が、けい素酸化物、アルミニ
ウム酸化物およびマグネシウム酸化物から選ばれる少な
くとも１種の金属酸化物が主体である透明導電性フィル
ムである。本発明においてプラスチックフィルムとは、
延伸フィルムや未延伸フィルムの限定は特に無いが、液
晶関係に使用するにあたっては一軸延伸フィルムが望ま
しい。またその組成としては、ポリエチレンやポリプロ
ピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレー
トやポリエチレン−２，６ナフタレート等のポリエステ
ル、ナイロン６やナイロン１２等のポリアミド、ポリイ
ミド、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ
カーボネートなどあるいはモノマー（原料）組成的にこ
れらの重合体の構造単位を主成分として含む共重合やブ
レンドポリマー等がある。本発明の透明プラスチックフ
ィルムの光線透過率は一般論として高い方が望ましい
が、液晶関係はその活用分野によってその要求特性は異
なる。これらの事を配慮しても白色自然光での全光線透
過率が少なくとも５０％以上、好ましくは７０％以上で
ある。本発明のプラスチックフィルムに２種以上の金属
酸化物の混合物または化合物のドライプレーティング層
を設けるにあたり、プラスチックフィルム表面にコロナ
放電処理、プラズマ処理、火炎処理、グロー放電処理、
粗面化処理等の表面処理が施されてもよい。ドライプレ
ーティング層の付与方法は巻取り連続方式が望ましく，
その場合には、プラスチックフィルムの伸び，しわ，亀
裂の発生防止の面からプラスチックフィルムの厚みは５
〜５００ミクロン（μ）であることが望ましい。本発明
による積層体の形成方法は以下に示すとおりである。ま
ず基材のプラスチックフィルムの片面または両面にドラ
イプレーティング層を形成する。このドライプレーティ
ング層は、主に最終的に得られる導電性や透明性、基材
フィルムとの易接着性の他に、表面保護性，寸法安定
性，ガスバリヤー性を付与するものである。ドライプレ
ーティング層としては、ＩＴＯ，インジウム酸化物，錫
酸化物から選ばれるより導電性の高い一種またはそれ以
上の導電性金属酸化物とけい素酸化物、アルミニウム酸
化物またはマグネシウム酸化物のより絶縁性の高い一種
またはそれ以上の絶縁性金属酸化物の混合物または化合
物なら特に制限はない。またその混合比は導電性金属酸
化物と絶縁性金属酸化物の合計量に対し導電性金属酸化
物の量が５０モルパーセントから９５モルパーセントが
好ましい。ここでの絶縁性金属酸化物と導電性金属酸化
物の比により最終的に形成される透明導電膜の導電性が
決められる。またプラスチックフィルム上に形成される
ドライプレーティング層が結果的に金属酸化物であれば
よく、原料は金属酸化物，金属，有機金属化合物等何れ
でも構わない。つまり金属酸化物を原料とし直接プラス
チックフィルム上にドライプレーティング層を形成させ
ても、また金属または有機金属酸化物のような金属を含
む化合物を酸化させながらドライプレーティング層とし
ても、また金属をプラスチックフィルム上にドライプレ
ーティング層として形成させ、後工程でそのドライプレ
ーティング層を酸化処理しても構わない。酸化処理の方
法としてはプラスチックフィルムの使用可能温度範囲内
であれば特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入法、放
電処理法、酸素プラズマ法、熱酸化法等があげられる。
ドライプレーティング層の中でプラスチックフィルム界
面の組成は、プラスチックフィルムとの接着性に優れた
組成でなくてはならない。具体的には導電性及び絶縁性
金属酸化物の総量の対するアルミニウム酸化物，けい素
酸化物等の絶縁性金属酸化物の比を５０モルパーセント
以上とすることが好ましい。望ましくは７０モルパーセ
ント以上である。プラスチックフィルムにドライプレー
ティング層を形成する方法としては、ドライプレーティ
ング層中のプラスチックフィルム界面の組成を導電性及
び絶縁性金属酸化物の総量の対する絶縁性金属酸化物の
比を上げることのできる方法かつ蒸着中にスプラッシュ
を発生しないまたは少ない方法なら特に制限はなく、真
空蒸着，イオンプレーティング，スパッタリングなどを
用いる事ができる。さらに真空蒸着の加熱方法としては
特に制限はなく、高周波誘導加熱、抵抗加熱の従来公知
の加熱方法を用いることができる。なお、金属酸化物の
ドライプレーティング層を形成する方法として、金属を
原料として、ドライプレーティングをしつつ、またはド
ライプレーティングした後、プラスチックフィルムの仕
様可能温度範囲内で酸化処理することもできる。ドライ
プレーテイング総全体の組成に対しプラスチックフィル
ムとドライプレーティング層との界面の組成を変化させ
るためには、ドライプレーティング層の蒸発源（原料
源）は２箇所以上にする方法、蒸発原料の蒸発温度の差
を用いる方法、蒸発材料（原料）を２層にし加熱源との
位置関係から蒸発タイミングを変える方法等があげられ
るが、特に限定はされず、結果的にドライプレーティン
グ層の中でプラスチックフィルム界面の組成がドライプ
レーティング層の金属酸化物において絶縁性金属酸化物
の比を５０パーセント以上、望ましくは７０パーセント
以上になればよい。ドライプレーティング層の厚さは使
用するプラスチックフィルムのに合わせて選定される
が、本発明においては５０〜２０００オングストローム
が望ましい。またこの積層を２回以上に分けて行っても
よく、その時異種類の金属酸化物を積層しても構わな
い。またこのプラスチックフィルムとドライプレーティ
ング層の間に下塗り接着層をまたドライプレーティング
層の外側には表面保護層や界面活性剤系及び高分子電解
質系の帯電防止剤を設けても構わない。
【発明の効果】本発明によりプラスチックフィルムの片
面または両面に、１０6 Ω／cm2以下 、１０2 Ω／cm2以
上 の表面抵抗を示す、２種以上の金属酸化物のドライ
プレーティング層を有し、ドライプレーティング層の中
でプラスチックフィルムとの界面の金属酸化物の組成が
絶縁性金属酸化物が主体であることによりドライプレー
ティング層とプラスチックフィルムとが強固に接着する
ことができる透明導電性フィルムであり、この透明導電
性フィルムの中の透明導電性膜が透明性、導電性、プラ
スチックフィルムへの易接着性を兼ね備える事を特徴と
する透明導電性フィルムである。さらに、本発明により
透明性、導電性、プラスチックフィルムへの易接着性だ
けでなく、表面保護性，寸法安定性，ガスバリヤー性を
も高めることができる。
面または両面に、１０6 Ω／cm2以下 、１０2 Ω／cm2以
上 の表面抵抗を示す、２種以上の金属酸化物のドライ
プレーティング層を有し、ドライプレーティング層の中
でプラスチックフィルムとの界面の金属酸化物の組成が
絶縁性金属酸化物が主体であることによりドライプレー
ティング層とプラスチックフィルムとが強固に接着する
ことができる透明導電性フィルムであり、この透明導電
性フィルムの中の透明導電性膜が透明性、導電性、プラ
スチックフィルムへの易接着性を兼ね備える事を特徴と
する透明導電性フィルムである。さらに、本発明により
透明性、導電性、プラスチックフィルムへの易接着性だ
けでなく、表面保護性，寸法安定性，ガスバリヤー性を
も高めることができる。
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
【実施例１】フィルムの流れ方向に対し二箇所のルツボ
を持つ連続巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を使
い、厚さ１００μの二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムの表面に直接蒸着する第一蒸発ルツボには一
酸化けい素を入れ、その上に蒸着する第二蒸発ルツボに
はＩＴＯ（インジウム・錫酸化物：錫を１０重量％添
加）と一酸化けい素（重量比はＩＴＯ／一酸化けい素＝
８０／２０）を入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は２×１
０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱真空蒸着させ、約５００
オングストロームのＩＴＯ／けい素酸化物の混合薄膜を
形成させた。次にＥＳＣＡ（ＰＨＩ−５４００、パーキ
ンエルマー社製）及びアルゴンエッチング装置を用い
て、形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸着膜表
面から約２５０オングストローム付近，ポリエチレンテ
レフタレートとの界面付近の全分子数に対するインジウ
ム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着フィル
ムについて導電性，透明性，スプラッシュによる異物の
有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィルムと
の接着性を調べた。結果を表１に示す。
を持つ連続巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を使
い、厚さ１００μの二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムの表面に直接蒸着する第一蒸発ルツボには一
酸化けい素を入れ、その上に蒸着する第二蒸発ルツボに
はＩＴＯ（インジウム・錫酸化物：錫を１０重量％添
加）と一酸化けい素（重量比はＩＴＯ／一酸化けい素＝
８０／２０）を入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は２×１
０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱真空蒸着させ、約５００
オングストロームのＩＴＯ／けい素酸化物の混合薄膜を
形成させた。次にＥＳＣＡ（ＰＨＩ−５４００、パーキ
ンエルマー社製）及びアルゴンエッチング装置を用い
て、形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸着膜表
面から約２５０オングストローム付近，ポリエチレンテ
レフタレートとの界面付近の全分子数に対するインジウ
ム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着フィル
ムについて導電性，透明性，スプラッシュによる異物の
有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィルムと
の接着性を調べた。結果を表１に示す。
【実施例２】実施例１と同じ装置，同じ二軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルム用いて、加熱方式を抵抗
加熱方式に、また蒸着原料を変え、第一蒸発源にはアル
ミニウムを、第二蒸発源にはＩＴＯ（インジウム・錫酸
化物：錫を１０重量％添加）／アルミニウム（その時の
原料のモル比はＩＴＯ／アルミニウム＝８０／２０）を
入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は９×１０-4ｔｏｒｒ）
させながら加熱真空蒸着させ、約５００オングストロー
ムのＩＴＯ／アルミニウム酸化物の混合薄膜を形成させ
た。実施例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上
の蒸着膜について、蒸着膜表面から約２５０オングスト
ローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近
の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測
定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透明
性，スプラッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチ
レンテレフタレートフィルムとの接着性を調べた。結果
を表１に示す。
チレンテレフタレートフィルム用いて、加熱方式を抵抗
加熱方式に、また蒸着原料を変え、第一蒸発源にはアル
ミニウムを、第二蒸発源にはＩＴＯ（インジウム・錫酸
化物：錫を１０重量％添加）／アルミニウム（その時の
原料のモル比はＩＴＯ／アルミニウム＝８０／２０）を
入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は９×１０-4ｔｏｒｒ）
させながら加熱真空蒸着させ、約５００オングストロー
ムのＩＴＯ／アルミニウム酸化物の混合薄膜を形成させ
た。実施例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上
の蒸着膜について、蒸着膜表面から約２５０オングスト
ローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近
の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測
定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透明
性，スプラッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチ
レンテレフタレートフィルムとの接着性を調べた。結果
を表１に示す。
【比較例１】フィルムの流れ方向に対し一箇所のルツボ
を持つ連続式巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を
使い、実施例１と同じ二軸延伸ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの表面にＩＴＯと一酸化けい素（モル比は
ＩＴＯ／一酸化けい素＝８０／２０）を入れ、酸素ガス
導入（酸素分圧は２×１０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱
真空蒸着させ、約５００オングストロームのＩＴＯ／け
い素酸化物の混合薄膜を形成させた。実施例１と同じ方
法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸
着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポリエチ
レンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対するイ
ンジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着
フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュによる
異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィ
ルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。
を持つ連続式巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を
使い、実施例１と同じ二軸延伸ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの表面にＩＴＯと一酸化けい素（モル比は
ＩＴＯ／一酸化けい素＝８０／２０）を入れ、酸素ガス
導入（酸素分圧は２×１０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱
真空蒸着させ、約５００オングストロームのＩＴＯ／け
い素酸化物の混合薄膜を形成させた。実施例１と同じ方
法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸
着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポリエチ
レンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対するイ
ンジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着
フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュによる
異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィ
ルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。
【比較例２】比較例１と同じ蒸着装置，同じ二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのけい素酸化物薄膜を形成させた。実施
例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜
について、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付
近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子
数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。
またこの蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラ
ッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフ
タレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示
す。
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのけい素酸化物薄膜を形成させた。実施
例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜
について、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付
近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子
数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。
またこの蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラ
ッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフ
タレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示
す。
【比較例３】比較例１と同じ蒸着装置，同じ二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのＩＴＯ薄膜を形成させた。実施例１と
同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜につい
て、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポ
リエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対
するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこ
の蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュ
による異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレー
トフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのＩＴＯ薄膜を形成させた。実施例１と
同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜につい
て、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポ
リエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対
するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこ
の蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュ
による異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレー
トフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。
【比較例４】実施例１に用いた装置の加熱方法を電子線
加熱に変え、それ以外は実施例１同様にしてけい素酸化
物，ＩＴＯ／けい素酸化物の蒸着フィルムを得た。この
蒸着フィルムについて、蒸着膜表面から約２５０オング
ストローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面
付近の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比
を測定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透
明性，スプラッシュの有無，蒸着膜とポリエチレンテレ
フタレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に
示す。
加熱に変え、それ以外は実施例１同様にしてけい素酸化
物，ＩＴＯ／けい素酸化物の蒸着フィルムを得た。この
蒸着フィルムについて、蒸着膜表面から約２５０オング
ストローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面
付近の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比
を測定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透
明性，スプラッシュの有無，蒸着膜とポリエチレンテレ
フタレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に
示す。
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｂ 7244−5Ｇ
Claims (3)
- 【請求項１】 プラスチックフィルムの片面または両面
に、ＩＴＯ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ば
れる少なくとも１種の金属酸化物、ならびにけい素酸化
物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物から
選ばれる少なくとも１種の金属酸化物、を含むドライプ
レーティング層であって、該ドライプレーティング層が
１０6 Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2 以上の表面抵抗を
示すことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 【請求項２】 ドライプレーティング層として、ＩＴ
Ｏ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少な
くとも１種の金属酸化物が５０モル％以上、９５モル％
以下であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性
フィルム。 - 【請求項３】 プラスチックフィルムの片面または両面
に、１０6 Ω／cm2以下、１０2 Ω／cm2以上 の表面抵
抗を示すドライプレーティング層を有し、ドライプレー
ティング層の中でプラスチックフィルムとの界面の金属
酸化物の組成が、けい素酸化物、アルミニウム酸化物お
よびマグネシウム酸化物から選ばれる少なくとも１種の
金属酸化物が主体であることを特徴とする請求項１記載
の透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09794493A JP3331670B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09794493A JP3331670B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06305069A true JPH06305069A (ja) | 1994-11-01 |
| JP3331670B2 JP3331670B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=14205786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09794493A Expired - Lifetime JP3331670B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3331670B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509203A (ja) * | 2008-11-17 | 2012-04-19 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 傾斜組成物バリア |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP09794493A patent/JP3331670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509203A (ja) * | 2008-11-17 | 2012-04-19 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 傾斜組成物バリア |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3331670B2 (ja) | 2002-10-07 |
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