JP2001014952A

JP2001014952A - 透明導電性フィルムおよびエレクトロルミネッセンスパネル

Info

Publication number: JP2001014952A
Application number: JP11182065A
Authority: JP
Inventors: Yoshiharu Morihara; 芳治森原; Yasushi Aikawa; 泰相川; Masanao Kudo; 政尚工藤; Seiichiro Yokoyama; 誠一郎横山; Toshiyuki Otani; 寿幸大谷
Original assignee: Toyobo Co Ltd
Current assignee: Toyobo Co Ltd
Priority date: 1999-06-28
Filing date: 1999-06-28
Publication date: 2001-01-19
Anticipated expiration: 2019-06-28
Also published as: JP4423515B2

Abstract

(57)【要約】【課題】加熱処理しても変形の少ない透明導電性フ
ィルム（１）及び生産性、発光輝度に優れたエレクトロ
ルミネッセンスパネルを提供する。【解決手段】透明なプラスチックフィルム（１１）の
一方の面に透明導電性薄膜（１２）が積層された透明導
電性フィルム（１）であって、前記透明導電性導電性薄
膜（１２）の厚みが８０ｎｍ以上である透明導電性フィ
ルム（１）を１５０℃で３時間加熱した際の３０ｍｍ×
３０ｍｍのサイズにおける反り量が２ｍｍ以下であるこ
とを特徴とする透明導電性フィルム（１）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチックフィ
ルムを用いた透明導電性フィルムおよびこれを用いたエ
レクトロルミネッセンスパネルに関するものであり、さ
らに加熱処理しても変形の少ないエレクトロルミネッセ
ンスパネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プラスチックフィルム上に透明でかつ抵
抗の低い化合物薄膜を形成した透明導電性フィルムは、
その導電性を利用した用途、例えば、液晶パネル、エレ
クトロルミネッセンスパネルといったフラットパネルデ
ィスプレイや、タッチパネルの透明電極など電気、電子
分野の用途に広く使用されている。

【０００３】透明導電性薄膜としては、一般的には、酸
化すず、酸化インジウム、酸化インジウム−すず、酸化
亜鉛などが代表的なものであり、基板としては、ポリエ
チレンテレフタレートをはじめとする各種のプラスチッ
クフィルムが使用されている。

【０００４】近年、携帯電話や携帯情報端末などの普及
により、これらの液晶ディスプレイのバックライトとし
てエレクトロルミネッセンスパネルが注目されている。
さらに、エレクトロルミネッセンスパネルは、発光時の
消費電力が少ないため携帯機器の光源として好適であ
る。

【０００５】従来、エレクトロルミネッセンスパネル
は、透明導電性フィルムの透明導電性薄膜上に、エレク
トロルミネッセンス発光層、誘電体層、背面電極層、絶
縁層を順次印刷していく工程により作製され、透明導電
性薄膜と背面電極の間に４００Ｈｚ程度の交流電圧を印
加することで、発光層に電圧印加して発光させる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の透明
導電性フィルムは次のような課題を有していた。

【０００７】エレクトロルミネッセンスパネルの発光輝
度は、印加電圧を上げるほど高くなるが、携帯器機の光
源として使用する場合自ずと限界がある。透明導電性薄
膜の表面抵抗を下げれば、見かけ上印加電圧が高くな
り、発光輝度が高くなる。しかし、表面抵抗を下げるに
は、透明導電層の膜厚を厚くする必要があり、そのため
印刷時の加熱処理でカールが発生し、著しく生産性の低
下を招く恐れがあった。

【０００８】また、透明導電層を厚くすると、光線反射
および光線吸収が増大するため、透明導電性フィルムの
光線透過率が低下する。そのため、エレクトロルミネッ
センスパネルの発光輝度が低下するという問題があっ
た。

【０００９】本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑
み、加熱処理しても変形の少ない透明導電性フィルム
（１）及び生産性、発光輝度に優れたエレクトロルミネ
ッセンスパネルを提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
状況に鑑みなされたものであって、上記の課題を解決す
ることができた透明導電性フィルム及びエレクトロルミ
ネッセンスパネルとは、以下の通りである。

【００１１】即ち、本発明の第１の発明は、透明なプラ
スチックフィルム（１１）の一方の面に透明導電性薄膜
（１２）が積層された透明導電性フィルム（１）であっ
て、前記透明導電性導電性薄膜（１２）の厚みが８０ｎ
ｍ以上である透明導電性フィルム（１）を１５０℃で３
時間加熱した際の３０ｍｍ×３０ｍｍのサイズにおける
反り量が２ｍｍ以下であることを特徴とする透明導電性
フィルム（１）である。

【００１２】第２の発明は、４５０〜６００ｎｍの波長
範囲内で光線透過率が最高値を有し、かつこの最高値が
８０〜９７％であることを特徴とする前記第１の発明に
記載の透明導電性フィルム（１）である。

【００１３】第３の発明は、表面抵抗率が１０〜１００
Ω／□であることを特徴とする第1または２の発明に記
載の透明導電性フィルム（１）である。

【００１４】第４の発明は、１５０℃で３時間熱処理し
たときの熱収縮率が０．２％以下であることを特徴とす
る第１乃至３の発明に記載の透明導電性フィルム（１）
である。

【００１５】第５の発明は、前記透明導電性薄膜（１
２）の上に誘電体薄膜（１３）を積層したことを特徴と
する第１乃至４の発明に記載の透明導電性フィルム
（１）である。

【００１６】第６の発明は、透明電極として第1乃至５
の発明に記載の透明導電性フィルム（１）を用いたこと
を特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルである。

【００１７】第７の発明は、エレクトロルミネッセンス
パネルにおいて、発光層の発光波長λE（ｎｍ）と透明
電極に用いた第1乃至５の発明に記載の透明導電性フィ
ルム（１）の光線透過率が最高値を有する波長λI（ｎ
ｍ）が、下記式を満足することを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンスパネルである。 λI −５０≦λE ≦λI ＋５０・・・（Ｉ）

【００１８】

【発明の実施の形態】次に本発明を詳細に説明する。本
発明における透明なプラスチックフィルム（１１）と
は、有機高分子を溶融押出し又は溶液押出しをして、必
要に応じ、長手方向、および、または、幅方向に延伸、
冷却、熱固定を施したフィルムである。有機高分子とし
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレン−２、６−ナフタレート、
ポリプロピレンテレフタレート、ナイロン６、ナイロン
４、ナイロン６６、ナイロン１２、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエーテルサルファン、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ
リアクリル、セルロースプロピオネート、ポリ塩化ビニ
ール、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポ
リエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフ
ェニレンオキサイド、ポリスチレン、シンジオタクチッ
クポリスチレン、ノルボルネン系ポリマーなどが挙げら
れる。また、これらの（有機重合体）有機高分子は他の
有機重合体を少量共重合したり、ブレンドしてもよい。
これらのうち、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロ
ピレンテレフタレート、ポリエチレン−２、６−ナフタ
レート、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネ
ン系ポリマーなどが、最も好ましく用いられる。

【００１９】本発明における透明なプラスチックフィル
ム（１１）の厚みは、１０μｍを越え、３００μｍ以内
の範囲にあることが好ましく、特に好ましくは７０〜２
６０μｍの範囲である。フィルムの厚みが１０μｍ以下
では、フィルムに腰がないため、エレクトロルミネッセ
ンスパネルの作製工程で取り扱いにくくなる。一方、フ
ィルムの厚みが３００μｍを越えると、エレクトロルミ
ネッセンスパネルの厚さが厚くなりすぎ、プラスチック
フィルムベースの良さである薄型パネルとならない。

【００２０】本発明における透明導電性薄膜（１２）と
しては、透明性及び導電性を併せ持つ材料であれば特に
制限はないが、代表的なものとしては、酸化インジウ
ム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム−スズ複合酸化
物、スズ−アンチモン複合酸化物、亜鉛−アルミニウム
複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物等の薄膜が挙
げられる。これらの化合物の薄膜は、適切な作成条件と
することで、透明性と導電性を併せ持つ透明導電性薄膜
となることが知られている。

【００２１】本発明における透明導電性薄膜（１２）の
作成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、スプレー法などが知
られており、上記材料の種類および必要膜厚に応じて適
宜の方法を用いることが出来る。

【００２２】例えば、スパッタリング法の場合、化合物
を用いた通常のスパッタリング法、あるいは金属ターゲ
ットを用いた反応性スパッタリング法等が用いられる。
この時、反応性ガスとして、酸素、窒素、水蒸気等を導
入したり、オゾン添加、イオンアシスト等の手段を併用
してもよい。また、本発明の目的を損なわない範囲で、
基板に直流、交流、高周波などのバイアスを印加しても
よい。蒸着法、ＣＶＤ法などの他の作成方法においても
同様である。

【００２３】透明導電性薄膜（１２）の表面抵抗率を低
くするためには、通常透明導電性薄膜（１２）の膜厚を
厚くすればよいが、厚くすると印刷時の加熱処理による
反りが大きくなる。しかしながら、透明導電性フィルム
（１）の熱収縮率をある程度の値に抑えれば、反りを小
さくすることができることを見いだした。

【００２４】本発明の透明導電性フィルム（１）は、１
５０℃で３時間の熱処理による熱収縮率が０．２％以下
であることが好ましい。熱収縮率が０．２％を超える
と、エレクトロルミネッセンスパネルの製造の際に印刷
工程中でカールなどが発生して、工程通過性を悪くし、
生産性の低下を招く。熱処理による寸法変化を少なくす
るためには、熱処理工程を予め施しておくことが好まし
い。この熱処理工程は、プラスチックフィルム上（１
１）上に透明導電性薄膜（１２）を製膜した後に施して
もよいし、熱処理を施したプラスチックフィルム（１
１）上に透明導電性薄膜（１２）を製膜する工程でもよ
いが、生産性の観点から後者のほうが好ましい。

【００２５】プラスチックフィルムに熱処理を施すに
は、プラスチックフィルム製膜時の最終工程の熱固定時
に、２２０〜２４０℃程度の加熱を行うインライン処理
が好ましい。２２０℃よりも低温では、熱処理後の寸法
収縮率を低減する効果が不十分となる。一方、２４０℃
を越える高温ではプラスチックフィルムの安定製膜が難
しくなる。さらに、熱固定後にフイルムをＴｇ以下まで
冷却する際に、フィルムの流れ方向の張力を与えると熱
固定の効果が薄れるため、張力をカットするためのニッ
プロールや急冷ゾーンを設けることが好ましい。フィル
ムの流れと垂直な方向（幅方向）の熱処理方法として
は、７０〜２２０℃の温度条件下で、フイルムの両端を
把持しているクリップ間の距離を３〜１０％程度緩和さ
せる（縮める）ことが好ましい。７０℃よりも低温で
は、熱処理後の寸法収縮率を低減する効果が不十分とな
る。一方、２２０℃を越える高温ではプラスチックフィ
ルムの安定製膜が難しくなる。また、幅方向の緩和率が
３％未満では処理の効果が不十分となり、１０％を超え
るとフイルムの平面性の悪化やキズが発生しやすくなる
などの弊害が生じる。

【００２６】また、オフラインでプラスチックフィルム
（１１）上にコーティング剤を塗布しし、このコーティ
ング剤を乾燥、硬化させるために熱処理を施し、この熱
により低収縮処理も同時に行ってもよい。このコーティ
ング層は透明導電性薄膜（１２）とプラスチックフィル
ム（１１）との付着性を高めることもできる。このコー
ティング剤としてはポリエステル樹脂、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、ウレタンアクリル樹脂、メラミン樹脂
などを用いるのが付着性の観点から好ましい。

【００２７】このコーティング層を透明なプラスチック
フィルム（１１）上に積層するには、コーティング法を
用いて積層する。コーティング法としては、エアドクタ
コート法、ナイフコート法、ロッドコート法、正回転ロ
ールコート法、リバースロールコート法、グラビアコー
ト法、キスコート法、ビードコート法、スリットオリフ
ェスコート法、キャストコート法などが用いられる。

【００２８】コーティング層の乾燥、硬化および寸法収
縮率低減のためには、乾燥温度を１２０〜２４０℃とす
るのが好ましい。１２０℃よりも低温では、熱処理後の
寸法収縮率を低減する効果が不十分であり、２４０℃を
越える高温ではプラスチックフィルムの平面性が低下す
る。光線透過率が低下してしまう。しかしながら、透明
導電性薄膜（１２）の膜厚をある程度厚くすると、光線
透過率が向上することを見いだした。例えば、インジウ
ム−スズ複合酸化物薄膜の場合、１００ｎｍ以上の膜厚
にすると、光線透過率が向上してくる。これは、透明導
電性薄膜の表面での反射光と、プラスチックフィルム
（１１）／透明導電性薄膜（１２）界面での反射光とが
干渉して打ち消うことで反射光が減り、このぶん透過光
が増えることになるため、光線透過率が向上すると考え
られる。すなわち、透明導電性薄膜（１２）の屈折率を
Ｎ、透明導電性薄膜（１２）の膜厚をＤ（ｎｍ）、光線
透過率を最高にしたい波長をλ（ｎｍ）とすると、Ｎ×Ｄ＝λ／２×ｎを満足するように、透明導電性薄膜（１２）の膜厚を調
整すればよい。ここで、ｎは1以上の整数である。

【００２９】例えば、上記の式を満足するものとして
は、５５０ｎｍでの光線透過率を最高にしたい場合、屈
折率が２であるインジウム−スズ複合酸化物薄膜を使用
し、膜厚を１３７．５ｎｍ、２７５ｎｍ、４１２．５ｎ
ｍ（ｎ＝１，２，３に対応する）などとすればよい。

【００３０】光線透過率が最高になる波長は、４５０〜
６００ｎｍであることが好ましい。４５０ｎｍよりも低
波長では、可視波長よりも短いために、エレクトロルミ
ネッセンスパネルに用いた際に発光輝度向上に寄与しな
い。また、６００ｎｍよりも長波長で設計すると、５０
０ｎｍ程度の波長の透過率が十分でなくなってしまい、
結果的にはエレクトロルミネッセンスパネルに用いた際
に発光輝度向上に寄与しない。

【００３１】また、設計波長での透過率は８０〜９７％
であることが好ましい。光線透過率を高くするために
は、前述の通り反射光は干渉効果により最低限に設計し
てあるので、透明導電性薄膜（１２）での吸収を少なく
しなければならない。そのためには、透明導電性薄膜
（１２）の酸化度をできるだけ高くしたほうがよい。し
かしながら、９７％を越える光線透過率を得るほど酸化
度を高めてしまうと、表面抵抗率が非常に高くなってし
まい、エレクトロルミネッセンスパネルの透明電極とし
て適さない。

【００３２】また、透明導電性フィルム（１）の表面抵
抗率は、１０〜１００Ω／□の範囲内であることが好ま
しい。１０Ω／□よりも低い表面抵抗率を得るために
は、透明導電性薄膜（１２）の膜厚を非常に厚くする必
要があるため、曲げ加工などの特性が不十分なものとな
ってしまい、さらには製造コストも非常に高いものにな
ってしまう。一方、１００Ω／□よりも高い表面抵抗率
では、エレクトロルミネッセンスパネルに用いた際に発
光輝度向上の効果が不十分となる。

【００３３】本発明の透明導電性フィルム（１）の透明
導電性薄膜（１１）上に誘電体薄膜（１３）を積層する
ことで、エレクトロルミネッセンスパネルの透明電極に
用いた際の透明導電性フィルム（１）の黒変を抑制する
ことが可能となる。この黒変のメカニズムは、エレクト
ロルミネッセンスパネルに用いた際に発光層に印加する
電圧による電子移動により、透明導電性薄膜が還元され
黒変すると考えられる。誘電体薄膜を積層することで透
明導電性薄膜への電子移動が抑制され、黒変が発生しに
くくなる。

【００３４】本発明で好適に用いられる誘電性材料とし
ては、酸化ホウ素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウ
ム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化ク
ロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッ
ケル、酸化銅、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化ジル
コニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化鉛、酸化
スズ、酸化アンチモン、酸化バリウム、酸化ハフニウ
ム、酸化タリウム、酸化タングステン、酸化白金、酸化
ビスマス、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、ニオブ酸カ
リウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、硫酸
鉛、炭化シリコン、硫酸ストロンチウム、硫化亜鉛、窒
化シリコン、臭化銀、塩化銀などが挙げられ、これら単
体もしくは二種類以上の混合物でもよい。

【００３５】これらの材料の中で、酸化チタンが好適に
用いられる。酸化チタンは比誘電率が１７０と非常に大
きく、酸化チタン薄膜を積層した本発明の透明導電性フ
ィルム（１）をエレクトロルミネッセンスパネルに用い
た場合、印加電圧を効率的に発光層に印加できるため、
発光輝度の低下がほとんど生じない。

【００３６】本発明の誘電体薄膜（１３）を製膜するに
は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオン
プレーティング法、スプレー法などが知られており、上
記材料の種類および必要膜厚に応じて適宜の方法を用い
ることが出来る。

【００３７】例えば、スパッタリング法の場合、化合物
を用いた通常のスパッタリング法、あるいは、金属ター
ゲットを用いた反応性スパッタリング法等が用いられ
る。この時、反応性ガスとして、酸素、窒素、水蒸気等
を導入したり、オゾン添加、イオンアシスト等の手段を
併用してもよい。また、本発明の目的を損なわない範囲
で、基板に直流、交流、高周波などのバイアスを印加し
てもよい。また必要に応じて、基板を加熱もしくは冷却
してもよい。蒸着法、ＣＶＤ法などの他の作成方法にお
いても同様である。

【００３８】誘電体薄膜（１３）の膜厚は、１〜３００
ｎｍの範囲であることが好ましい。膜厚が１ｎｍよりも
薄い場合には、透明導電性薄膜（１２）の黒変を抑制す
る効果が不十分であり、３００ｎｍよりも厚い場合に
は、透明導電性薄膜（１２）の光線透過率を高める光学
設計に影響を与えるため、好ましくない。

【００３９】本発明の透明導電性フィルム（１）を用い
たエレクトロルミネッセンスパネルは、透明導電性フィ
ルム（１）の透明導電性薄膜（１２）上に、発光層、誘
電体層、平面電極層、絶縁層を積層して作製する。各々
の層は、蒸着やスパッタリングなどのドライプロセス法
を用いてもよいし、ウェットコートである印刷法を用い
てもよいが、製造コストの観点から、印刷法が好まし
い。

【００４０】発光層は、バインダー樹脂中に発光体粉体
を分散させたものである。バインダー樹脂は、発光体粉
体を水分から守るために防湿性に優れた樹脂であること
が必要であることから、フッ素エラストマーを用いるの
が好適である。フッ素エラストマーは、フッ化ビニリデ
ン、六フッ化プロピレン、四フッ化エチレン、パーフロ
ロメチルビニルエーテルなどの単体もしくは共重合した
ものが好ましい。さらに、透明導電性薄膜（１２）や誘
電体層との付着力を強くするために、ポリエステル樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、メタ
クリル樹脂、ウレタンアクリル樹脂、シリコーン系樹脂
などをブレンドしてもよい。

【００４１】発光体粉体はＺｎＳを主成分としたもので
あり、添加する不純物により、可視光領域内で発光波長
を選択的に得ることができる。添加不純物は、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｃｌ、Ｉ、Ａｌ、Ｍｎ、ＰｒＦ₃、ＮｄＦ₃、ＳｍＦ
₃、ＥｕＦ₃、ＴｂＦ₃、ＤｙＦ₃、ＨｏＦ₃、ＥｒＦ₃、Ｔ
ｍＦ₃、ＹＦ₃などから選ぶのが好ましい。

【００４２】これらの発光体粉末の発光波長λE（ｎ
ｍ）と透明電極に用いた本発明の透明導電性フィルム
（１）の光線透過率が最高値を有する波長λI（ｎｍ）
とが、 λI −５０≦λE ≦λI ＋５０の関係式を満足するように設計することで、発光輝度の
非常に高いエレクトロルミネッセンスパネルを提供する
ことができる。λEとλIとの差の絶対値が５０ｎｍより
も大きくなると、発光輝度向上の効果が不十分となる。

【００４３】発光体粉体の耐湿性を向上するために、表
面に酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化シリコン、酸
化マグネシウムなどの防湿性被膜を施すのが好適であ
る。

【００４４】また、発光層のバインダー樹脂１ｇに対
し、発光体粉体は０．１〜１００ｇの比率で分散させる
のが好ましい。０．１ｇ未満では発光輝度が不十分であ
り、１００ｇよりも多いとバインダーによる接着の効果
が不足する。発光層の厚さは、１〜１００μｍの範囲で
あることが好ましい。１μｍ未満の厚さでは発光輝度が
不十分であり、１００μｍよりも厚い場合は1回の工程
で印刷が難しく、生産性の観点から好ましくない。

【００４５】誘電体層は、発光層と同様のフッ素エラス
トマー中に、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸
鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸
リチウムなどの高誘電率を有する粉体を分散させたもの
を積層する。誘電体層の厚さは、１〜１００μｍの範囲
であることが好ましい。１μｍ未満の厚さでは、背面電
極から発光層へのリーク電流が多くなり、発光輝度が低
下してしまう。一方、１００μｍよりも厚い場合は、1
回の工程で印刷が難しく、生産性の観点から好ましくな
い。

【００４６】背面電極は、ポリエステル樹脂中にカーボ
ンもしくは／およぼ銀の粉体を分散させたもの印刷す
る。印刷層の厚さは、１〜１００μｍの範囲であること
が好ましい。１μｍ未満の厚さでは、背面電極の表面抵
抗率が高くなりすぎ、発光輝度が不十分となる。一方、
１００μｍよりも厚い場合は、1回の工程で印刷が難し
く、生産性の観点から好ましくない。背面電極の表面抵
抗率は、０．１〜５００Ω／□が好適である。０．１Ω
／□未満では背面電極の厚さが厚くなりすぎ、生産性の
観点から好ましくない。一方、５００Ω／□よりも高表
面抵抗率では印加電圧が効率良く発光層に印加できず発
光輝度が低下してしまう。

【００４７】絶縁層はポリエステル樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、メタクリル樹脂、ウ
レタンアクリル樹脂、シリコーン系樹脂などを主成分と
したものを１〜１００μｍの範囲で印刷することが好ま
しい。１μｍ未満の厚さでは絶縁の効果が不十分であ
り、１００μｍよりも厚い場合は1回の工程で印刷が難
しく、生産性の観点から好ましくない。

【００４８】

【実施例】以下に、本発明の実施例を記載してより具体
的に説明する。

【００４９】実施例1 粒子を含有していないポリエチレンテレフタレート樹脂
ペレットを１３５℃で６時間減圧乾燥した後、約２８０
℃でシート状に溶融押し出して、表面温度２０℃に保っ
た金属ロール上で急冷固化する。さらに、このキャスト
フィルムを加熱されたロール群、及び赤外線ヒーターで
１００℃に加熱し、その後周速差のあるロール群で長手
方向に３．２倍に延伸して一軸配向ポリエチレンテレフ
タレートフィルムを得た。次いで、易接着用塗布液をリ
バースロール法で一軸配向ポリエチレンテレフタレート
フィルムの片面に塗布した。この時の塗布量は、固形分
量として０．１ｇ／ｍ²とした。塗布後引き続いて、フ
ィルムの両端をグリップで把持して１３０℃に加熱され
た熱風ゾーンに導き、乾燥後、幅方向に３．８倍に延伸
し、２４０℃の熱処理ゾーンに導き熱固定を行い、厚さ
が１８８μｍの二軸配向ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを得た。こうして得られた二軸配向ポリエチレン
テレフタレートフィルムを透明なプラスチックフィルム
（１１）として用いた。

【００５０】このフィルムの非易接着処理面にインジウ
ム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜（１２）を
製膜した。このとき、ターゲットにはスズを１０重量％
含有したインジウム合金をターゲットに用いて、印加電
力を２Ｗ／ｃｍ²とした。また、Ａｒを１３０ｓｃｃ
ｍ、Ｏ₂を７０ｓｃｃｍ流し、３ｍＴｏｒｒの雰囲気下
でＤＣマグネトロンスパッタリング法で製膜した。ただ
し、通常のＤＣではなく、アーク放電を防止するため
に、＋２０Ｖの５μｓ幅のパルスを５０ｋＨｚ周期で印
加した。また、−１０℃の冷却ロールにフィルムを巻
き、フィルムの冷却を行いながらスパッタリングをおこ
なった。また、膜厚を精度よく制御するために、プラズ
マ発光分析を行い、特にインジウムの発光波長である４
５２ｎｍの強度を常時モニターした。この発光強度がイ
ンジウム−スズ複合酸化物薄膜の堆積速度に比例するた
め、発光強度をフィルムの送り速度にフィートバックす
ることで膜厚の制御を向上させた。このようにして、透
明導電性フィルム（１）を製作した。

【００５１】この透明導電性フィルム（１）を使用し
て、エレクトロルミネッセンスパネルを製作した。ま
ず、エレクトロルミネッセンスパネルを組むための発光
層を準備した。メチルエチルケトン１００ｇに対して、
２０ｇのフッ素エラストマー（ダイキン工業（株）製：
ダイエル）を溶解させ、さらに２００ｇの硫化亜鉛発光
体粉体（オスラム・シルバニア社製：カプセルタイプ＃
３０）を分散させた。この発光体粉体の発光波長は５２
０ｎｍである。これを２００メッシュの刷版を用いて透
明導電性薄膜（１２）上にスクリーン印刷した。この
後、１５０℃で６０分間乾燥した。乾燥後の厚さは３０
μｍであった。この時、透明導電性薄膜（１２）の電極
取出部は塗布せず残しておいた。

【００５２】さらに、誘電層材料としてフッ素エラスト
マー中にチタン酸バリウム粉体を分散したペースト（藤
倉化成（株）製：ドータイトＦＥＬ−６１５）を用
い、２００メッシュの刷版を用いて発光層上にスクリー
ン印刷した。この後、１５０℃で６０分間乾燥した。乾
燥後の厚さは３０μｍであった。さらに背面電極とし
て、カーボンペースト（東洋紡績（株）製：ＤＹ−１５
２Ｈ−３０）を２５０メッシュの刷版を用いて誘電体層
上にスクリーン印刷した。この後、１５０℃で３０分間
乾燥した。乾燥後の厚さは２０μｍであった。さらに絶
縁層として、レジスト（藤倉化成（株）製：ドータイト
ＸＢ−１０１Ｇ）を２００メッシュの刷版を用いて背
面電極層上にスクリーン印刷した。この後、１５０℃で
３０分間乾燥した。乾燥後の厚さは２０μｍであった。
以上のようにして、５ｃｍ×１０ｃｍのサイズのエレク
トロルミネッセンスパネルを組み立てた。

【００５３】実施例２厚さが１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム（東洋紡績（株）製：Ａ４１４０）を透明なプラスチ
ックフィルム（１１）として用いた。このフィルムの非
易接着処理面に、実施例１と同様にインジウム−スズ複
合酸化物からなる透明導電性膜（１２）を製膜した。こ
の透明導電性フィルムを巻き取りながら、１５０℃で１
分間加熱処理した。その際のフィルム張力は６ｋｇ／ｍ
で行った。さらにこの透明導電性フィルム（１）を用い
て、実施例１と同様にエレクトロルミネッセンスパネル
を組み立てた。

【００５４】実施例３厚さが１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム（東洋紡績（株）製：Ａ４１４０）を透明なプラスチ
ックフィルム（１１）として用いた。このフィルムの非
易接着処理面に、実施例１と同様にインジウム−スズ複
合酸化物からなる透明導電性膜（１２）を製膜した。こ
の透明導電性フィルムを巻き取りながら、１５０℃で１
分間加熱処理した。その際のフィルム張力は６ｋｇ／ｍ
で行った。さらにこの透明導電性フィルム（１）を用い
て、実施例１と同様にエレクトロルミネッセンスパネル
を組み立てた。

【００５５】実施例４実施例１と同様にして作製した透明導電性フィルム
（１）の透明導電性薄膜（１２）上に、誘電体薄膜（１
３）として膜厚１０ｎｍの酸化チタン薄膜を製膜した。
このとき、ターゲットとしてはチタンを用い、印加電力
を８Ｗ／ｃｍ²とした。また、Ａｒを５００ｓｃｃｍ、
Ｏ₂を８０ｓｃｃｍ流し、３ｍＴｏｒｒの雰囲気下でＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法で製膜した。ただし、
通常のＤＣではなく、アーク放電を防止するために、＋
２０Ｖの５μｓ幅のパルスを１００ｋＨｚ周期で印加し
た。また、−１０℃の冷却ロールにフィルムを巻き、フ
ィルムの冷却を行いながらスパッタリングをおこなっ
た。この際の酸化チタン薄膜の膜厚を１０ｎｍとした。
さらに、この透明導電性フィルム（１）を用いて、実施
例１と同様にしてエレクトロルミネッセンスパネルを組
み立てた。

【００５６】比較例1 厚さが１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム（東洋紡績（株）製：Ａ４１４０）を透明なプラスチ
ックフィルム（１１）として用いた。このフィルムの非
易接着処理面に実施例１と同様にインジウム−スズ複合
酸化物からなる透明導電性膜（１２）の膜厚を変えて２
種類製膜した。さらにこの２種類の透明導電性フィルム
（１）を用いて、エレクトロルミネッセンスパネルを実
施例１と同様に組み立てた。

【００５７】以上の実施例１〜４および比較例１の透明
導電性フィルム（１）について、表面抵抗率、分光光線
透過率による最高透過率とその波長、１５０℃で３時間
の熱処理による寸法収縮率を下記の方法で測定した。ま
た、実施例1〜４および比較例1の透明導電性フィルムを
用いて作製したエレクトロルミネッセンスパネルについ
て、発光輝度、寿命時間及び生産性を評価した。

【００５８】＜表面抵抗率＞JIS K 7194に準拠した４端
子法にて測定した。測定機としては、三菱油化（株）
製：Lotest AMCP-T400を用いた。

【００５９】＜分光光線透過率測定による最高光線透過
率とその波長＞分光光度計（（株）日立製Ｕ−３５０
０）を用いて、３００〜８００ｎｍの波長の光線透過率
を測定し、この範囲内の最高光線透過率とその波長を測
定した。

【００６０】＜１５０℃で３時間の熱処理による反り量
＞３０ｍｍ×３０ｍｍサイズのフィルムを１５０±３℃
で３時間加熱処理し、平坦な台に室温で３０分間放置し
た後の台上からのフィルムの反り量をノギスで測定す
る。単位はｍｍである。

【００６１】＜１５０℃で３時間の熱処理による寸法収
縮率＞JIS C 2318に準拠し、熱処理前の寸法Ａと、１５
０±３℃に保たれた恒温槽中に３時間放置後の寸法Ｂを
測定して、下記式により寸法収縮率（ＨＳ１５０）を算
出した。ＨＳ１５０（％）＝（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００

【００６２】＜エレクトロルミネッセンスパネルの発光
輝度＞透明導電性薄膜（１２）と背面電極の間に、１０
０Ｖｒｍｓ、４００Ｈｚの正弦波を印加して、このパネ
ルの輝度を色彩色度計（ミノルタ製：ＣＳ−１００）を
用いて測定した。

【００６３】＜エレクトロルミネッセンスパネルの寿命
時間＞エレクトロルミネッセンスパネルを発光させたま
ま、温度５０℃、湿度９０％ＲＨに管理された恒温恒湿
槽中に放置し、直径１ｍｍ以上の黒点が発生した時点ま
での発光時間を寿命時間（Ｈｒ）とした。

【００６４】＜エレクトロルミネッセンスパネルの生産
性＞エレクトロルミネッセンスパネルを生産した際の印
刷ズレで評価した。○は印刷ズレが０．３ｍｍ未満、×
は印刷ズレが０．３ｍｍ以上である。○は実用上使用可
能レベルであるが、×は上下電極の短絡等を発生する可
能性があり実用上使用することができない。

【００６５】以上の結果を表１に示す。

【００６６】

【表1】

【００６７】この結果より、本発明の透明導電性フィル
ム（１）をエレクトロルミネッセンスパネルの透明電極
とすることで、エレクトロルミネッセンスパネルのの生
産性が飛躍的に増大する。また、特定波長の光線透過率
の最高値を特定範囲にすることで発光輝度も飛躍的に向
上する。さらに、誘電体薄膜（１３）を積層すること
で、高輝度、高寿命なエレクトロルミネッセンスパネル
を得ることができる。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の透明導電
性フィルム（１）は、透明なプラスチックフィルム（１
１）の一方の面に透明導電性薄膜（１２）が積層されて
おり、前記透明導電性フィルム（１）を１５０℃で３時
間加熱処理しても反りが少ないため、エレクトロルミネ
ッセンスパネルの生産性を飛躍的に向上することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の透明導電性フィルムの層構成を示し
た説明図である。

【図２】実施例４の透明導電性フィルムの層構成を示し
た説明図である。

【図３】実施例1〜３のエレクトロルミネッセンスパネ
ルの層構成を示した説明図である。

【符号の説明】

１透明導電性フィルム１１プラスチックフィルム１２透明導電性薄膜１３誘電体薄膜２発光層３誘電体層４背面電極層５絶縁層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者横山誠一郎滋賀県大津市堅田二丁目１番１号東洋紡績株式会社総合研究所内 (72)発明者大谷寿幸滋賀県大津市堅田二丁目１番１号東洋紡績株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB14 AB18 BA07 CA06 CB01 DA05 DB02 EA02 EC01 4F100 AA33 AK01A AK01B AK42 AR00C BA02 BA03 BA07 BA10A BA10C CB00 GB90 JA03B JA20B JG01B JG04B JG05C JL04 JL04B JM02B JM02C JN01A JN01B JN08B JN30 YY00 YY00B 5G307 FA02 FB01 FC03 FC09 FC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明なプラスチックフィルム（１１）の
一方の面に透明導電性薄膜（１２）が積層された透明導
電性フィルム（１）であって、前記透明導電性導電性薄
膜（１２）の厚みが８０ｎｍ以上である透明導電性フィ
ルム（１）を１５０℃で３時間加熱した際の３０ｍｍ×
３０ｍｍのサイズにおける反り量が２ｍｍ以下であるこ
とを特徴とする透明導電性フィルム（１）。
【請求項２】４５０〜６００ｎｍの波長範囲内で光線
透過率が最高値を有し、かつこの最高値が８０〜９７％
であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性フィ
ルム（１）。
【請求項３】表面抵抗率が１０〜１００Ω／□である
ことを特徴とする請求項1または２記載の透明導電性フ
ィルム（１）。
【請求項４】１５０℃で３時間熱処理したときの熱収
縮率が０．２％以下であることを特徴とする請求項１乃
至３記載の透明導電性フィルム（１）。
【請求項５】前記透明導電性薄膜（１２）の上に誘電
体薄膜（１３）を積層したことを特徴とする請求項１乃
至４記載の透明導電性フィルム（１）。
【請求項６】透明電極として請求項１乃至５記載の透
明導電性フィルム（１）を用いたことを特徴とするエレ
クトロルミネッセンスパネル。
【請求項７】エレクトロルミネッセンスパネルにおい
て、発光層の発光波長λE（ｎｍ）と透明電極に用いた
請求項1乃至５記載の透明導電性フィルム（１）の光線
透過率が最高値を有する波長λI（ｎｍ）が、下記式を
満足することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパ
ネル。 λI −５０≦λE ≦λI ＋５０・・・（Ｉ）